JPH0385543A - Exposure mask, exposure method, and projection exposure device - Google Patents
Exposure mask, exposure method, and projection exposure deviceInfo
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、露光方法、露光装置および露光用マスクに係
り、特に半導体装置の製造において用いられるリソグラ
フィ技術に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to an exposure method, an exposure apparatus, and an exposure mask, and particularly relates to lithography technology used in manufacturing semiconductor devices.
（従来の技術）
超ＬＳＩ等の半導体装置の製造分野においては、所望の
遮光パターンを形成してなるマスクおよびレンズ系を介
して基板上に光照射を行い縮小投影露光により微細パタ
ーンを転写する技術が広く用いられている。(Prior Art) In the field of manufacturing semiconductor devices such as VLSIs, there is a technology in which light is irradiated onto a substrate through a lens system and a mask formed with a desired light-shielding pattern, and a fine pattern is transferred by reduction projection exposure. is widely used.
ところで、投影露光装置の解像力は結像素子をほとんど
無収差に設計しているので、使用しているレンズ系など
の結像素子の開口数（ＮＡ）と露光に用いる光の波長λ
とによって決まる。By the way, the resolving power of a projection exposure apparatus is designed so that the imaging element has almost no aberration, so it depends on the numerical aperture (NA) of the imaging element such as the lens system used and the wavelength λ of the light used for exposure.
Depends on.
すなわち解像可能な最小線幅（Ｌ）は、Ｌ＝にλ／ＮＡ
■
と表すことができる。ここでｋは比例定数であり、通常
は０．８程度である。すなわち、波長が小さく、開口数
が大きいほど解像度は向上する。In other words, the minimum resolvable line width (L) is L=λ/NA
■ It can be expressed as. Here, k is a proportionality constant, and is usually about 0.8. That is, the smaller the wavelength and the larger the numerical aperture, the better the resolution.
ところで、近年、レンズ開発が急速く進みＮＡ蝮を高く
し、ｇ１！＜４３６ｎｍ）からｉｌ（３６５ｎｍ）へと
短波長化することにより解像度は年々向上し、エキシマ
レーザ（１９４ｎｍ）を用いた露光を用いることにより
０．３μ乳程度の領域までの展望が描かれようとしてい
る。By the way, in recent years, lens development has progressed rapidly and the NA has increased, and G1! By shortening the wavelength from <436 nm) to IL (365 nm), the resolution has improved year by year, and by using exposure using an excimer laser (194 nm), the prospect of reaching a region of about 0.3μ milk is being drawn. There is.
しかし、短波長の光源の利用は、レンズ用ガラス材料の
確保が非常に困難であるため短波長化には限度がある。However, there is a limit to the use of short wavelength light sources because it is very difficult to secure glass materials for lenses.
一方、解像力向上のためのもう１つの手段として開口数
を大きくすれば良いが、露光装置として必要な大きな露
光領域を確保しながら収差をはとなどなくしかつ開口数
の高いレンズ系等の結像素子を設計製作することは非常
に難しい。On the other hand, another means to improve resolution is to increase the numerical aperture, but it is possible to use an imaging element such as a lens system with a high numerical aperture that has no aberrations while ensuring a large exposure area necessary for an exposure device. It is very difficult to design and manufacture a child.
従って、結像系を利用した露光方法では、波長や開口数
による解像力の向上だけでは、−窓以上の解像力は得ら
れず、比例定数ｋを小さくする必要があり、その目的の
ために転写される感光性樹脂に対して種々の工夫がなさ
れてきているが、それも限界に達しつつある。Therefore, in an exposure method using an imaging system, it is not possible to obtain a resolution better than that of a -window by simply improving the resolution by wavelength or numerical aperture, and it is necessary to reduce the proportionality constant k. Although various efforts have been made to improve photosensitive resins, they are reaching their limits.
（発明が解決しようとする課題〉
このように、投影露光方法では、その解像力は光源の波
長と開口数および感光材料によって決まってしまい、決
まったｉ１以上の解像力を得ることは不可能であった。(Problem to be solved by the invention) As described above, in the projection exposure method, the resolution is determined by the wavelength of the light source, the numerical aperture, and the photosensitive material, and it is impossible to obtain a resolution higher than a fixed i1. .
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、光源の波
長と光学系の開口数および感光材料が決められても、従
来得られなかったような高い解像力を得るための投影露
光方法、投影露光装置およびマスク構造を提供すること
を目的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and the present invention provides a projection exposure method and a projection exposure method for obtaining high resolution that has not been previously possible even if the wavelength of the light source, the numerical aperture of the optical system, and the photosensitive material are determined. The purpose of the present invention is to provide an exposure apparatus and a mask structure.
（ＴＩ題を解決するための手段）
そこで本発明では、同一露光領域に対しマスクパターン
とマスクパターンに対して白黒反転させた反転パターン
をややぼかしかつ強度を弱めたものとを投影露光するこ
とを特徴としている。(Means for solving the TI problem) Therefore, in the present invention, a mask pattern and an inverted pattern that is black and white reversed with respect to the mask pattern are projected and exposed with a slightly blurred and weakened intensity onto the same exposure area. It is a feature.
また、本発明の露光マスクでは、第１のマスクパターン
と該第１のマスクパターンに対して白黒反転させた第２
のマスクパターンとを具備するようにしている。Further, in the exposure mask of the present invention, a first mask pattern and a second mask pattern whose black and white are reversed with respect to the first mask pattern are provided.
It is designed to have a mask pattern.
さらに本発明の投影露光装置では、光路上に着脱自在に
装着され、光の位相をシフトさせる位相シフト手段を具
備するようにしている。Further, the projection exposure apparatus of the present invention is provided with a phase shift means which is detachably mounted on the optical path and shifts the phase of light.
また、本発明の投影露光装置では、露光マスクの一部か
らの光が被露光体に到達しないように遮蔽する遮蔽手段
を具備するようにしている。Furthermore, the projection exposure apparatus of the present invention is provided with a shielding means for shielding light from a part of the exposure mask from reaching the object to be exposed.
（作用）
ところで、レンズによって正弦波的に明暗を繰り返すチ
ャートいわゆる正弦波チャートの像を作ると、そノコン
トラスト（Ｍ Ｔ ｌ” ： ｍｏｄｕｌｅｒ ｔｒａ
ｎｓｆｅｒ ｆｕｎｋｕｔｉｏｎ）と位＠ （Ｐ Ｔ
Ｆ ： ｐｈａｓｅ ｔａｒａｎｓｆｅｒ ｆｕｎｃｔ
ｉｏｎ）は、空間周波数の間数で表され、これらの関数
は光学的伝達関数（ＯＴＦ＞と呼ばれる。(Function) By the way, when an image of a so-called sine wave chart, which repeats brightness and darkness in a sinusoidal manner, is created using a lens, the contrast (MT l": modular tra
nsfer function) and place @ (P T
F: phase transfer function
ion) are expressed as numbers between spatial frequencies, and these functions are called optical transfer functions (OTF).
結像素子の解像力の議論にはＭＴＦが良く用いられるが
、ＭＴＦは次式■で表される。MTF is often used to discuss the resolving power of an imaging element, and MTF is expressed by the following equation (2).
ＭＴＦ
＝像のコントラスト／マスクのコントラスト・・・■す
なわち、ＭＴＦが１ならばマスクのパターンが完全な像
となって基板上に転写することができることを示し、Ｍ
ＴＦがＯならばまったく転写することができないことを
示している。MTF = image contrast/mask contrast... ■In other words, if MTF is 1, it means that the mask pattern can be transferred onto the substrate as a complete image, and M
This shows that if TF is O, no transfer is possible.
また、ＭＴＦは空間周波数の関数となっていて、焦点が
あっているときの一例を第４図に示す。Further, the MTF is a function of the spatial frequency, and an example when the object is in focus is shown in FIG. 4.
ここでは、Ｓは正規化された空間周波数ｓ＝（λ／ＮＡ
）ｔＪ・・・・・・・・・■であり、正規化された空間
周波数とＭＴＦとの関係が示されている。Here, S is the normalized spatial frequency s=(λ/NA
) tJ...■, and the relationship between the normalized spatial frequency and MTF is shown.
一方、λ／２の焦点はずれがあったときのＭＴＦの一例
を第５図に示す。ここで、第５図においてＭＴＦが負と
なっているのは、その空間周波数において、コントラス
トが負すなわち白黒が反転していることを示している。On the other hand, FIG. 5 shows an example of the MTF when there is a defocus of λ/2. Here, the fact that the MTF is negative in FIG. 5 indicates that the contrast is negative, that is, black and white are inverted at that spatial frequency.
そこで、コントラストが負すなわち白黒が反転している
マスクを用いて第５図に示した場合と同一の条件のもと
に露光すると、このときのＭＴＦは第６図の曲線ａに示
すようになっている。そしてさらにこのようなＭＴＦに
もとづいて少し弱く露光したとすると全体にわたってＭ
ＴＦが低下し、第６図の曲ＩＩＡｂに示すようになる。Therefore, when exposure is performed under the same conditions as shown in Figure 5 using a mask with negative contrast, that is, black and white are reversed, the MTF at this time becomes as shown in curve a in Figure 6. ing. Furthermore, if we expose a little weakly based on such MTF, M
The TF decreases as shown in track IIAb in FIG.
さらに、この第６図の曲線すと第４図の曲線とを重ね合
わせたとき、第７図に示すようになる。Furthermore, when the curve in FIG. 6 and the curve in FIG. 4 are superimposed, the result is as shown in FIG. 7.
従って、高い空間周波数のところでＭＴＦが高くなって
おり、パターン転写の際高い解像力を得ることができる
。Therefore, the MTF is high at high spatial frequencies, and high resolution can be obtained during pattern transfer.
また、空間周波数が０の付近でのＭＴＦの低下は、転写
パターン寸法の大小によるパターン寸法変ｖＪＩを小さ
くすることができる。Furthermore, the decrease in MTF near the spatial frequency of 0 can reduce the pattern dimension change vJI due to the size of the transferred pattern dimension.
このように、本発明は、同一の露光領域に対しマスクパ
ターンとマスクパターンに対して白黒反転させた反転パ
ターンをややぼかしかつ強度を弱めたものとを投影露光
し、これらの重ね合わせにより高い空間周波数のところ
でＭＴＦを高くすることを要旨としており、これにより
、解Ｑ［の向上をはかることができる６
また、このような露光方法を実現するための露光マスク
として、第１のマスクパターンと該第１のマスクパター
ンに対して白黒反転させた第２のマスクパターンとを具
備したものを用いることにより、マスクを入れ替えるこ
となく前記露光方法を実現することができ、マスク合わ
せに要する時間の低減をはかり、短時間で容易に高解像
度の露光を行うことができる。In this way, the present invention exposes the same exposure area by projecting a mask pattern and an inverted pattern obtained by reversing black and white with respect to the mask pattern, which is slightly blurred and weakened in intensity, and by overlapping these, a high space is created. The main idea is to increase the MTF at the frequency, thereby improving the solution By using a second mask pattern that is black and white inverted with respect to the first mask pattern, the above exposure method can be realized without replacing the mask, and the time required for mask alignment can be reduced. The scale can easily perform high-resolution exposure in a short time.
さらにまた、このような露光方法を実現するための露光
装置として、光の位相をシフトさせる位相シフト手段を
光路上に着脱自在に装着するようにしているため、位相
シフト手段を光路上から外した状態で第１のパターンを
露光し、位相シフト手段を光路上に装着した状態で第２
のパターンを露光するようにすれば、極めて容易に高解
像度の露光を行うこよができる。Furthermore, as an exposure apparatus for realizing such an exposure method, a phase shift means for shifting the phase of light is removably mounted on the optical path. In this state, the first pattern is exposed, and with the phase shift means installed on the optical path, the second pattern is exposed.
By exposing the pattern, high-resolution exposure can be performed extremely easily.
また、本発明の投影露光装置では、露光マスクの一部か
らの光が被露光体に到達しないように遮蔽する遮蔽手段
を具備しているため、同一マスク上に１１のマスクパタ
ーンと該第１のマスクパターンに対して白黒反転させた
第２のマスクパターンとを具備したものを用いて露光を
行うに際し、マスクを入れ替えることなく前記露光方法
を実現することができ、マスク合わせに要する時間の低
減をはかり、短時間で容易に高解像度の露光を行うこと
ができる。Furthermore, since the projection exposure apparatus of the present invention is equipped with a shielding means for shielding light from a part of the exposure mask from reaching the exposed object, 11 mask patterns and the first When performing exposure using a second mask pattern that is black and white inverted with respect to the mask pattern, the above exposure method can be realized without replacing the mask, and the time required for mask alignment is reduced. It is possible to easily perform high-resolution exposure in a short time.
（実施例）
次に、本発明の実施例について図面を参照しつつ詳細に
説明する。(Example) Next, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
実施例１
第１図は本発明の第１の実施例の露光方法を模式的に示
す説明図である。Example 1 FIG. 1 is an explanatory diagram schematically showing an exposure method according to a first example of the present invention.
ここで露光用マスク１は、クロム薄膜からなる遮光パタ
ーン２によって所望の回路パターンを形成してなる第１
の領域Ｒ１と該回路パターンの白黒反転パターンを形成
してなる第２の領域Ｒとから構成されている。この回路
パターンすなわち第１および第２の領域Ｒ１，Ｒ２はマ
スク上の寸法で２５ｍｓｘ２５ｍｓとし、両頭域は互い
に隣接して配置されている。Here, the exposure mask 1 is a first mask formed by forming a desired circuit pattern with a light-shielding pattern 2 made of a thin chromium film.
, and a second region R formed by forming a black and white inversion pattern of the circuit pattern. This circuit pattern, that is, the first and second regions R1 and R2 has dimensions of 25 ms x 25 ms on the mask, and both head regions are arranged adjacent to each other.
そしてこの露光装置は、光源りと、マスク１と、投影レ
ンズ３と、マスク１と投影レンズ３との間に、配設され
位相をλ／２だけずらすための位相シフタとしての石英
板４と、露光マスクの半分の領域からの光が被露光体に
到達しないように遮蔽する遮蔽板５とから構成されてお
り、レジスト被覆されたシリコン基板５の表面にパター
ン転写を行うようにしたものである。This exposure apparatus includes a light source, a mask 1, a projection lens 3, and a quartz plate 4 as a phase shifter disposed between the mask 1 and the projection lens 3 to shift the phase by λ/2. , and a shielding plate 5 that blocks light from a half area of the exposure mask from reaching the exposed object, and is designed to transfer a pattern onto the surface of a resist-coated silicon substrate 5. be.
ここで、この投影露光装置は光源としては波長２４８０
ＡのＫｒＦエキシマレーザを用い、レンズ系の開口数Ｎ
Ａが０．４２である５分の１縮小役彰露光装置とした。Here, this projection exposure apparatus uses a wavelength of 2480 as a light source.
Using a KrF excimer laser of A, the numerical aperture of the lens system is N.
A one-fifth reduction exposure device with A of 0.42 was used.
次に、この露光装置を用いてパターン露光を行う工程に
ついて第２図のフローチャートを参照しつつ説明する。Next, the process of performing pattern exposure using this exposure apparatus will be explained with reference to the flowchart of FIG.
まず、シリコン基板表面にポジ型フォトレジストを膜厚
０．５μｍとなるように塗布し、まず遮蔽板５を第２の
領域に対応する位置に設置し、焦点を合わせた状態で、
２５０ｍＪ／ｃｊのエネルギー条件で、ステップアンド
リピート法によって順次基板を移送しつつ露光し、−枚
のシリコン基板６（ウェハ）上に５２カ所に露光マスク
１の第１の領域Ｒ１を用いて露光を行った（ステップ１
）。First, a positive photoresist is applied to the surface of the silicon substrate to a thickness of 0.5 μm, and the shielding plate 5 is placed at a position corresponding to the second area, and with the focus set,
Under an energy condition of 250 mJ/cj, the substrates were sequentially transferred and exposed using a step-and-repeat method, and exposure was performed at 52 locations on - silicon substrates 6 (wafers) using the first region R1 of the exposure mask 1. I went (Step 1
).
次いで、遮蔽板５を第１の領域に対応する位置に設置し
、さらにレンズ系はそのままの状態にし、焦点を合わせ
た状態で、石英板４を光路上に設置し、５０ｍＪ／ｃｄ
のエネルギー条件で、ステップアンドリピート法によっ
て順次基板を移送しつつ露光し、前記シリコン基板６（
ウェハ）上の５２カ所の第１の領域の回路パターン露光
領域に重なるように露光マスク１の第２の領域Ｒ２を用
いて露光を行った〈ステップ２〉。なお、２回の露光に
際しては、シリコン基板６の設置されているステージ７
に取り付けられたレーザ干渉計による位置計測器によっ
て露光領域を正確に重なり合わせるようになっている。Next, the shielding plate 5 is installed at a position corresponding to the first area, and the lens system is left as is, and the quartz plate 4 is installed on the optical path with the focus adjusted.
The silicon substrate 6 (
Exposure was performed using the second region R2 of the exposure mask 1 so as to overlap the circuit pattern exposure regions of the 52 first regions on the wafer (Step 2). Note that during the two exposures, the stage 7 on which the silicon substrate 6 is placed is
A position measuring device using a laser interferometer attached to the laser interferometer ensures that the exposed areas are accurately overlapped.
そして最後に現像（ステップ３）を行い、シリコン基板
上のレジストに回路パターンが転写される。Finally, development (step 3) is performed to transfer the circuit pattern to the resist on the silicon substrate.
このようにして形成されたレジストパターンを電子顕微
鏡を用いて観察したところ、０．２７μｍｌ／Ｓの良好
なパタ７ンを得ることができた。When the resist pattern thus formed was observed using an electron microscope, a good pattern 7 of 0.27 μml/S could be obtained.
これに対し、従来の露光方法によれば、同一レジストお
よび同一レンズ系の投影露光装置を用いた場合０．４μ
ｍＬ／Ｓ以下のパターン寸法では寸法制御性が極めて悪
かった。In contrast, according to the conventional exposure method, when a projection exposure apparatus with the same resist and the same lens system is used, the
With pattern dimensions of mL/S or less, dimensional controllability was extremely poor.
なお、この実施例では、２回の露光の重ね合わせには、
ステージのレーザ干渉計の値のみを利用して位置合わせ
を行ったが、ウェハ上に予め合わせマークを設けておき
、２回目の露光に際し、この合わせマークを用いて位置
合わせを行うようにしても良い。In addition, in this example, the overlapping of two exposures is as follows:
Alignment was performed using only the values of the laser interferometer on the stage, but it is also possible to set alignment marks on the wafer in advance and perform alignment using these alignment marks during the second exposure. good.
また、このように合わせマークを用いて位置合わせを行
う場合は、多数のウェハを順次ステージ上に設置し取り
替えつつこれらウェハに対して第１の回路パターンのみ
の転写を行った後、露光マスクを取り替えるかあるいは
遮蔽板の位置を動かして再びこれらウェハに対して反転
パターンである第２の回路パターンを重ねて転写するよ
うにしてもよい、従ってこの場合は、第１のパターンと
第２のパターンとがそれぞれ別の露光マスクに形成され
ていても良い。これは、パターン領域が大きい場合に有
効である。In addition, when alignment is performed using alignment marks in this way, a large number of wafers are placed on a stage one after another, and only the first circuit pattern is transferred to these wafers while being replaced, and then an exposure mask is applied. The second circuit pattern, which is an inverted pattern, may be transferred onto these wafers again by replacing the shielding plate or by moving the position of the shielding plate. Therefore, in this case, the first pattern and the second pattern and may be formed on separate exposure masks. This is effective when the pattern area is large.
さらにまた、第１回目の露光と第２回目の露光とはいず
れのパターンを先にしても良い。Furthermore, either the first exposure or the second exposure may be performed first.
さらに、本発明の第２の実施例の投影露光装置を、第３
図に示す。この装置では、露光マスク１０がクロム簿膜
からなる遮光パターン２によって所望の回路パターンを
形成してなる第１の領域Ｒ１０と該回路パターンの白黒
反転パターンを形成すると共にさらにこの遮光パターン
の上層にＰＭＭＡパターンからなる位相シフタ層２１を
備えた第２の領域Ｒ２０とから構成されている。この回
路パターンすなわち第１および第２の領域Ｒ１０゜Ｒ２
０は前記実施例の場合と同様、マスク上の寸法で２５■
ｘ２５■とし、周領域は互いに隣接して配置されている
。ここで、位相シフタ層２１の膜厚は、光源として用い
る光の波長によって決まるがここではシフト量がλ／２
となるように決定される。Furthermore, the projection exposure apparatus of the second embodiment of the present invention is
As shown in the figure. In this apparatus, an exposure mask 10 forms a first region R10 in which a desired circuit pattern is formed by a light-shielding pattern 2 made of a chrome film, and a black and white inverted pattern of the circuit pattern, and also forms an upper layer of this light-shielding pattern. A second region R20 includes a phase shifter layer 21 made of a PMMA pattern. This circuit pattern, that is, the first and second regions R10°R2
0 is the size on the mask of 25 cm as in the previous example.
x25■, and the circumferential regions are arranged adjacent to each other. Here, the film thickness of the phase shifter layer 21 is determined by the wavelength of light used as a light source, but here the shift amount is λ/2.
It is determined that
この投影露光装置によっても前記第１の実施例と同様高
精度のパターン転写を行うことが可能である。This projection exposure apparatus also enables highly accurate pattern transfer as in the first embodiment.
また、透光性基板および遮光膜の材料についても、実施
例に限定されることなく適宜変更可能である。Further, the materials of the light-transmitting substrate and the light-shielding film are not limited to the examples, and can be changed as appropriate.
加えて、本発明は、前記第１及び第２の実施例に限定さ
れることなく、第１回目の露光と第２回目の露光とにお
ける露光量の比や焦点位置のずれ量などは、目的とする
解ｆ１１度や寸法制御性に応じて適宜変形可能であり、
その飽水発明の要旨を逸脱しない範囲で変形可能である
。In addition, the present invention is not limited to the first and second embodiments, and the ratio of the exposure amount and the shift amount of the focal position between the first exposure and the second exposure are determined depending on the purpose. It can be modified as appropriate depending on the solution f11 degrees and dimensional controllability,
Modifications may be made without departing from the gist of the water-saturated invention.
（発明の効果）
以上説明してきたように、本発明によれば、同一露光領
域に対しマスクパターンとマスクパターンに対して白黒
反転させた反転パターンをややぼかしかつ強度を弱めた
ものとを投影露光するようにしているため、光源の波長
、結像素子の間口数、プロセスパラメータなどで決まる
解像力以上の解像力を実施することが可能であり、また
微細パターンでの寸法制御性をも改善することができる
。(Effects of the Invention) As described above, according to the present invention, a mask pattern and a reversal pattern obtained by reversing black and white with respect to the mask pattern, which is slightly blurred and whose intensity is weakened, are projected onto the same exposure area. As a result, it is possible to achieve a resolution higher than that determined by the wavelength of the light source, the number of frontages of the imaging element, process parameters, etc., and it is also possible to improve the dimensional controllability of fine patterns. can.
第１図は本発明の第１の実施例の投影露光装置を示す図
、第２図は同投影露光装置を用いた露光工程の７０−チ
Ｐ−トを示す図、第３図は本発明の第２の実施例の投影
露光装置を示す図、第４図乃至第７図は本発明の露光方
法の原理を説明するためのＭＴＦと空間周波数との関係
を示す図である。
１．１０・・・露光マスク、２・・・遮光膜パターン、
Ｒ１，Ｒ１０・・・第１の領域、Ｒ２，Ｒ２０・・・第
２の領域、３・・・投影レンズ、４・・・位相シフタ、
５・・・遮蔽板、し・・・光源、６・・・シリコン基板
、７・・・ステージ、２１・・・位相シフタ層。
第
２
図
入
Ｓ＝可Ｕ
第４
図
入
Ｓ−翫Ｕ
第
図
Ｓ
第７図
手続ネｍ正因（自Ｔｅ）
１、事件の表示
平成１年特ｒＦＩ！１ｍ２２３６６１号１２、発明の名
称
露光マスク、露光り法および投影露光装置３、補正をす
る者
事件との関係
（３０７） 株式会社FIG. 1 is a diagram showing a projection exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing a 70-chip exposure process using the same projection exposure apparatus, and FIG. 3 is a diagram showing a projection exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention. FIGS. 4 to 7 are diagrams showing the relationship between MTF and spatial frequency for explaining the principle of the exposure method of the present invention. 1.10... Exposure mask, 2... Light shielding film pattern,
R1, R10...first region, R2, R20...second region, 3...projection lens, 4...phase shifter,
5... Shielding plate,... Light source, 6... Silicon substrate, 7... Stage, 21... Phase shifter layer. 2nd figure S = Possible U 4th figure S - 翫U Figure S 7th procedure Nem positive cause (self Te) 1. Display of the incident 1999 special rFI! 1m223661 No. 12, Name of the invention Exposure mask, exposure method and projection exposure device 3, Relationship with the person making the correction case (307) Co., Ltd.
Claims (5)
て、 前記マスクパターンは第１のパターンと、 この第１のパターンに対し白黒反転した第２のパターン
とを具備してなることを特徴とする露光マスク。(1) In an exposure mask comprising a light-transmitting substrate and a mask pattern made of a light-blocking material disposed on the light-transmitting substrate, the mask pattern includes a first pattern, and the first pattern. 1. An exposure mask comprising: a second pattern in which black and white are reversed;
過光に対して位相をややシフトさせる位相シフト層を具
備してなることを特徴とする請求項（１）記載の露光マ
スク。(2) The exposure mask according to claim 1, wherein the second pattern includes a phase shift layer that slightly shifts the phase of light transmitted through the first pattern.
め被処理基板上にパターンを転写する露光方法において
、 第１のマスクパターンを介して投影露光す る第１の露光工程と、 第１のパターンに対して白黒反転した第２ のパターンを介し、かつ位相をややシフトさせて前記第
１の露光工程で露光のなされた領域を、投影露光する第
２の露光工程とを含む ようにしたことを特徴とする露光方法。(3) In an exposure method in which lithography light is transmitted through an exposure mask and a pattern is transferred onto a substrate to be processed, a first exposure step in which projection exposure is performed through a first mask pattern; and a second exposure step in which the area exposed in the first exposure step is exposed by projection through a second pattern in which black and white is reversed and the phase is slightly shifted. exposure method.
光源からの光を露光用マスクを介して 基板上に導く光路上に、着脱自在であってかつ露光用マ
スクパターンの透過光に対して位相をややシフトさせる
位相シフト手段を具備してなることを特徴とする投影露
光装置。(4) In a projection exposure apparatus comprising a light source, an exposure mask, and an optical system that guides light from the light source onto the substrate via the exposure mask, the light from the light source is directed onto the substrate via the exposure mask. 1. A projection exposure apparatus comprising, on an optical path leading upward, a removable phase shift means for slightly shifting the phase of light transmitted through an exposure mask pattern.
光源からの光を露光用マスクを介して 基板上に導く光路上に、着脱自在であってかつ露光用マ
スクパターンの一部からの透過光を遮蔽する遮蔽手段を
具備してなることを特徴とする投影露光装置。(5) In a projection exposure apparatus comprising a light source, an exposure mask, and an optical system that guides light from the light source onto the substrate via the exposure mask, the light from the light source is directed onto the substrate via the exposure mask. 1. A projection exposure apparatus, comprising a removable shielding means for shielding light transmitted from a part of an exposure mask pattern on an optical path leading upward.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1223661A JPH0385543A (en) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | Exposure mask, exposure method, and projection exposure device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1223661A JPH0385543A (en) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | Exposure mask, exposure method, and projection exposure device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0385543A true JPH0385543A (en) | 1991-04-10 |
Family
ID=16801669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1223661A Pending JPH0385543A (en) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | Exposure mask, exposure method, and projection exposure device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0385543A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004356633A (en) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Asml Netherlands Bv | Lithographic equipment |
| JP2006032974A (en) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | Method for reducing effects of stray light in optical lithography, devices obtained thereof and masks used therewith |
-
1989
- 1989-08-30 JP JP1223661A patent/JPH0385543A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004356633A (en) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Asml Netherlands Bv | Lithographic equipment |
| US7423730B2 (en) | 2003-05-28 | 2008-09-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| US7612867B2 (en) | 2003-05-28 | 2009-11-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| JP2006032974A (en) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | Method for reducing effects of stray light in optical lithography, devices obtained thereof and masks used therewith |
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