JPH038384A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH038384A JPH038384A JP14218889A JP14218889A JPH038384A JP H038384 A JPH038384 A JP H038384A JP 14218889 A JP14218889 A JP 14218889A JP 14218889 A JP14218889 A JP 14218889A JP H038384 A JPH038384 A JP H038384A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、情報処理や光計測器、光通信装置等の光源と
して用いる半導体レーザ装置に関する。
して用いる半導体レーザ装置に関する。
（従来の技術）
一般に、半導体レーザ装置には受光素子が組込まれて、
半導体レーザ素子の後面の反射端面から放射されるレー
ザ光を受光検出し、その検出出力によって出力レーザ光
を一定に制御する。いわゆるＡＰＣ機能の駆動が可能に
なされている。
半導体レーザ素子の後面の反射端面から放射されるレー
ザ光を受光検出し、その検出出力によって出力レーザ光
を一定に制御する。いわゆるＡＰＣ機能の駆動が可能に
なされている。
第３図は、そのような受光素子を設けた従来の半導体レ
ーザ装置を示す図で、図（ａ）は要部構成の概略を示す
側面図で、受光素子としてフォトダイオード（ＰＤと記
す）１が単体で、半導体レーザ素子２の後面出力光を受
光するように、半導体レーザ素子２とともに固定台３に
固定されており、４は電極、５は前面出力レーザ光であ
る。
ーザ装置を示す図で、図（ａ）は要部構成の概略を示す
側面図で、受光素子としてフォトダイオード（ＰＤと記
す）１が単体で、半導体レーザ素子２の後面出力光を受
光するように、半導体レーザ素子２とともに固定台３に
固定されており、４は電極、５は前面出力レーザ光であ
る。
同図（ｂ）は図（ａ）の電気回路の概略を示し、ＰＤｌ
に電源ｖ０が印加された後面の出力光５′を受光すると
、電ｇ電流工。と等しい出力電流ＩＰＤが流れる。
に電源ｖ０が印加された後面の出力光５′を受光すると
、電ｇ電流工。と等しい出力電流ＩＰＤが流れる。
（発明が解決しようとする課題）
半導体レーザ装置では、上述のように一般にＡＰＣのた
めに自己のレーザ光を検出する受光素子を有するが、高
出力半導体レーザ装置を構成する場合、前面のレーザ光
出射出力を大きくするために後面の出力が小さくなされ
、そのため受光素子としてのＰＤの出力電流（ＩＦＤ）
が小さくなり、前面の出力光を一定に自動制御する場合
に出力が不足する欠点がある。
めに自己のレーザ光を検出する受光素子を有するが、高
出力半導体レーザ装置を構成する場合、前面のレーザ光
出射出力を大きくするために後面の出力が小さくなされ
、そのため受光素子としてのＰＤの出力電流（ＩＦＤ）
が小さくなり、前面の出力光を一定に自動制御する場合
に出力が不足する欠点がある。
本発明は上記の欠点を排除する高出力の半導体レーザ装
置の提供を目的とする。
置の提供を目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は上記の目的を、半導体レーザ素子後面の出力光
の検出出力を用いて、前面の出力光を一定に制御する構
造の半導体レーザ装置において、後面の出力光の検出出
力電流を増幅する回路を設けた光検出部出力によって、
前面の出力光を制御する構成にして達成する。
の検出出力を用いて、前面の出力光を一定に制御する構
造の半導体レーザ装置において、後面の出力光の検出出
力電流を増幅する回路を設けた光検出部出力によって、
前面の出力光を制御する構成にして達成する。
（作 用）
本発明によれば、受光検出部の増幅により出力自動制御
ＡＰＣのために十分な、レーザ光の出力電流が得られ、
しかもその他の構成は従来例と同様で変化がないから、
高出力の半導体レーザ装置の形成が容易に可能になる。
ＡＰＣのために十分な、レーザ光の出力電流が得られ、
しかもその他の構成は従来例と同様で変化がないから、
高出力の半導体レーザ装置の形成が容易に可能になる。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例の半導体レーザ装置要部の受
光検出部の回路図である。
光検出部の回路図である。
６はフォトダイオード（ＰＤと記す）、７はトランジス
タ（Ｔｒと記す）、Ｖｉ＋ｅはＴｒ７のベース・エミッ
タ間電圧であり、ＰＤ６に電源電圧ｖｃｖｎＥが印加さ
れる。このときＰＤ６には後面の出力光５′により出力
電流Ｉ、。が流れる。この電流はＴｒ７のベース電流工
。どなるため、その増幅率β倍の電流がコレクタ電流■
。どなる。
タ（Ｔｒと記す）、Ｖｉ＋ｅはＴｒ７のベース・エミッ
タ間電圧であり、ＰＤ６に電源電圧ｖｃｖｎＥが印加さ
れる。このときＰＤ６には後面の出力光５′により出力
電流Ｉ、。が流れる。この電流はＴｒ７のベース電流工
。どなるため、その増幅率β倍の電流がコレクタ電流■
。どなる。
したがって、この受光検出部全体の出力電流Ｉｏは（１
＋β）ＩＰＤとなり、従来のフォトダイオード単体の場
合の（１＋β）倍の出力電流が得られることになり、Ａ
ＰＣを駆動するに十分な電流となる。
＋β）ＩＰＤとなり、従来のフォトダイオード単体の場
合の（１＋β）倍の出力電流が得られることになり、Ａ
ＰＣを駆動するに十分な電流となる。
第２図は第１図における入力光強度（横軸、ｍｗ）と出
力電流（１０）との関係を示す図で、増幅率βが２の場
合の一例で、ａが本発明、ｂは従来例の場合である。こ
の図で明らかなように、受光検出部は従来の単独のＰＤ
に比べ、（１＋β）倍の出力電流が直線性よく得られる
。
力電流（１０）との関係を示す図で、増幅率βが２の場
合の一例で、ａが本発明、ｂは従来例の場合である。こ
の図で明らかなように、受光検出部は従来の単独のＰＤ
に比べ、（１＋β）倍の出力電流が直線性よく得られる
。
すなわち、上記のような受光検出部を半導体レーザの光
検出素子とする半導体レーザ装置である。
検出素子とする半導体レーザ装置である。
（発明の効果）
以上、説明して明らかなように本発明は、ＡＰＣのため
の出力の検出を、ＰＤ出力を増幅する受光検出部によっ
て行なうから、半導体レーザ素子の前面出力を高出力と
して後面出力が小さい場合でも、出力を一定にするＡＰ
Ｃを駆動でき、しかも、はぼ従来構造のまま構成可能な
半導体レーザ装置であるから、光源に高出力レーザ光が
要求される装置の構成に用いて大きな効果が得られる。
の出力の検出を、ＰＤ出力を増幅する受光検出部によっ
て行なうから、半導体レーザ素子の前面出力を高出力と
して後面出力が小さい場合でも、出力を一定にするＡＰ
Ｃを駆動でき、しかも、はぼ従来構造のまま構成可能な
半導体レーザ装置であるから、光源に高出力レーザ光が
要求される装置の構成に用いて大きな効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例を説明する要部回路図、第２
図は本発明に用いる受光検出部の出力電流を示す図、第
３図は従来の半導体レーザ装置における受光素子を説明
する図である。 １．６・・・フォトダイオード（ＰＤ）、２・・・半導
体レーザ素子、 ３・・・固定台、 ４・・・電極、
５・・・（前面）出力光、 ５′・・・（後面）
出力光、 ７・・・トランジスタ（Ｔｒ）。 第１図 エカ電ＪＩＯ＝ （１＋ｒ３） Ｉｐ。
図は本発明に用いる受光検出部の出力電流を示す図、第
３図は従来の半導体レーザ装置における受光素子を説明
する図である。 １．６・・・フォトダイオード（ＰＤ）、２・・・半導
体レーザ素子、 ３・・・固定台、 ４・・・電極、
５・・・（前面）出力光、 ５′・・・（後面）
出力光、 ７・・・トランジスタ（Ｔｒ）。 第１図 エカ電ＪＩＯ＝ （１＋ｒ３） Ｉｐ。
Claims (1)
- 半導体レーザ素子後面の出力光の検出出力を用いて、前
面の出力光を一定に制御する構造の半導体レーザ装置に
おいて、後面の出力光の検出出力電流を増幅する回路を
設けた光検出部出力によって、前面の出力光を制御する
構成にしたことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14218889A JPH038384A (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14218889A JPH038384A (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH038384A true JPH038384A (ja) | 1991-01-16 |
Family
ID=15309434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14218889A Pending JPH038384A (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH038384A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9328224B2 (en) | 2013-09-17 | 2016-05-03 | Nike, Inc. | Dynamically crosslinked thermoplastic material process |
| US9481792B2 (en) | 2013-09-17 | 2016-11-01 | Nike, Inc. | Dynamically crosslinked thermoplastic material process |
| JP2020107595A (ja) * | 2018-12-26 | 2020-07-09 | エクセレンス オプトエレクトロニクス インコーポレイテッド | 車載用ｌｅｄ線状照明モジュール |
| US11769984B2 (en) | 2021-07-30 | 2023-09-26 | Panasonic Holdings Corporation | Laser module, laser oscillator and laser processing system |
-
1989
- 1989-06-06 JP JP14218889A patent/JPH038384A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9328224B2 (en) | 2013-09-17 | 2016-05-03 | Nike, Inc. | Dynamically crosslinked thermoplastic material process |
| US9481792B2 (en) | 2013-09-17 | 2016-11-01 | Nike, Inc. | Dynamically crosslinked thermoplastic material process |
| US9598579B2 (en) | 2013-09-17 | 2017-03-21 | Nike, Inc. | Dynamically crosslinked thermoplastic material process |
| JP2020107595A (ja) * | 2018-12-26 | 2020-07-09 | エクセレンス オプトエレクトロニクス インコーポレイテッド | 車載用ｌｅｄ線状照明モジュール |
| US11769984B2 (en) | 2021-07-30 | 2023-09-26 | Panasonic Holdings Corporation | Laser module, laser oscillator and laser processing system |
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