JPH0380198A - 窒素化合物半導体単結晶膜の成長方法 - Google Patents
窒素化合物半導体単結晶膜の成長方法Info
- Publication number
- JPH0380198A JPH0380198A JP21390089A JP21390089A JPH0380198A JP H0380198 A JPH0380198 A JP H0380198A JP 21390089 A JP21390089 A JP 21390089A JP 21390089 A JP21390089 A JP 21390089A JP H0380198 A JPH0380198 A JP H0380198A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- crystal film
- reaction
- substrate
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 title description 3
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 title description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 6
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 claims description 19
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 abstract description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 abstract 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 abstract 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 5
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 5
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 4
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000700560 Molluscum contagiosum virus Species 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 2
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 2
- VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N triethylaluminium Chemical compound CC[Al](CC)CC VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は窒素化合物半導体結晶膜の成長方法に係り、特
に該結晶膜に窒素化合物を用いた高品質な半導体結晶膜
の成長方法に関する。
に該結晶膜に窒素化合物を用いた高品質な半導体結晶膜
の成長方法に関する。
一般に半導体結晶膜の成長方法として気相法のMOCV
D法と、HVPE法の2種類が用いられている。 MOCVD法はトリメチルカリウム(TMC;)等の有
機化合物とアンモニア(N H3)を気相反応させて、
その反応生成物を950℃〜1200”C:の温度で基
板上に結晶成長させる方法である。また、HVPE法で
は塩化カリウム(GaC△)等のハロゲン化物とアンモ
ニア(N H3)とを気相反応させ950℃〜1200
℃の温度で結晶成長させる方法である。 上記方法は基板として、通常サファイア(Ad203)
のC面(0001)または、炭化ケイ素(SiC)など
か用いられることが多い。そのサファイア基板の熱膨張
係数は、?、3X10−6/degであり、エピタキシ
ャル層であるG a、 Nは、5.6XIO−6/de
gと大きく異なる。このため、950°Cの反応後成長
温度から常温までに冷却する際、膨張係数の違いから基
板とエビタキシャル層の界面に応力が発生し転位が生じ
たり、クラックが発生する欠点がある。 また、この成長温度ではGaNの分解圧が高く、成長中
にエピタキシャル層内に窒素(N)の空孔が生じる欠点
がある。このNの空孔は、ドナーとして働き、キャリア
温度は、1×1018/Cm3〜1×102[l/cI
n3と強いN型伝導を示す。従って、Ga、 Nは必然
的にN型になる。このため、ノンドープの時でさえ強い
N型を示すので、P−N接合を得ることは非常に困難で
ある。以上のことから、低温で窒化化合物半導体単結晶
膜を成長させることが望まれている。 本発明は、上記事情に臨み、基板上で歪や欠陥の少ない
良質な窒化化合物単結晶膜を400℃〜900℃の低温
度で成長させることを目的として開発されたものである
。
D法と、HVPE法の2種類が用いられている。 MOCVD法はトリメチルカリウム(TMC;)等の有
機化合物とアンモニア(N H3)を気相反応させて、
その反応生成物を950℃〜1200”C:の温度で基
板上に結晶成長させる方法である。また、HVPE法で
は塩化カリウム(GaC△)等のハロゲン化物とアンモ
ニア(N H3)とを気相反応させ950℃〜1200
℃の温度で結晶成長させる方法である。 上記方法は基板として、通常サファイア(Ad203)
のC面(0001)または、炭化ケイ素(SiC)など
か用いられることが多い。そのサファイア基板の熱膨張
係数は、?、3X10−6/degであり、エピタキシ
ャル層であるG a、 Nは、5.6XIO−6/de
gと大きく異なる。このため、950°Cの反応後成長
温度から常温までに冷却する際、膨張係数の違いから基
板とエビタキシャル層の界面に応力が発生し転位が生じ
たり、クラックが発生する欠点がある。 また、この成長温度ではGaNの分解圧が高く、成長中
にエピタキシャル層内に窒素(N)の空孔が生じる欠点
がある。このNの空孔は、ドナーとして働き、キャリア
温度は、1×1018/Cm3〜1×102[l/cI
n3と強いN型伝導を示す。従って、Ga、 Nは必然
的にN型になる。このため、ノンドープの時でさえ強い
N型を示すので、P−N接合を得ることは非常に困難で
ある。以上のことから、低温で窒化化合物半導体単結晶
膜を成長させることが望まれている。 本発明は、上記事情に臨み、基板上で歪や欠陥の少ない
良質な窒化化合物単結晶膜を400℃〜900℃の低温
度で成長させることを目的として開発されたものである
。
【従来の課題を解決する為の手段]
即ち、本発明は、窒素源としで、N H3の代わりにア
ルキルアミン化合物を用いている。アルキルアミン化合
物には、 ■ ジェルチルアミンENH(C2H5)2コ、■ ト
リエチルアミン[N (C2H5) 3コ、■ トリメ
チルアミン[N (CH3) 31等が使用できる。 これ等の、アルキルアミン化合物を窒素源に使用シテ、
低温気相反応法、MOCVD、HVPE法により、高品
質の窒化化合物単結晶膜を製造する。 窒化化合物単結晶膜は、 ■ 窒化ガリウム、 ■ 窒化アルミニウム、 ■ 窒化インジウム、 ■ もしくは、前記の少なくとも2つ以上の物質の混晶
である。 基板には、 ■ サファイア(A危203)、 ■ 炭化ケイ素(S i C)、 ■ シリコン(Si)、 ■ ガリウムヒ素(C;aAs)等を用いることができ
る。 ガリウム源、アルミニウム源、インジュウム源としては
、l・リメチルガリウム(TMG)、トリエチルガリウ
ム(TEG)、トリメチルアルミニウム(TMA△)、
トリエチルアルミニウム(TEA)、トリメチルインジ
ウム(TMT )、トリメチルインジウム(TEI)の
ような有機化合物、または、塩化ガリウム(GaC△)
、塩化アルミニウム(AM(jl)、塩化インジュウム
(In(jl)等のハロゲン化物を用いることができる
。 反応温度は、4009C〜900℃が可能であり、窒化
ガリウムでは700℃が好適であり、窒化アルミニウム
では700℃が好適であり、窒化インジュウムでは60
0℃が好適である。 また、MOCVD法における圧力は、0.01〜760
To r rの範囲で可能であり、常圧または減圧で反
応させることができる。 【実施例】 以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明する。 [実施例1コ 第1図に示すMOCVD装置を使用して気相反応させて
窒化化合物単結晶膜を製造する。 この図に示す装置は、石英反応管7の上下両端を、フラ
ンジ5.6で閉塞している。上のフランジ5を貫通して
、ガス配管8.9、lOが接続されている。ガス配管8
.9には反応ガス源が接続されている。石英反応管7の
周囲を囲む状態で、高周波誘導加熱コイル3を配設して
いる。石英反応管7め内部には、シャフト4の上端にカ
ーボンサセプタ2を設け、その上にサファイア基板1を
載せている。 第1図に示す装置を使用して、下記の条件で窒化化合物
単結晶膜を製造する。 a、基板として、サファイア基板を使用する。 b6反応ガスとして、下記の■と■とを使用する。 ■ トリメチルガリウム(T MG ’)■ シェルチ
ルアミン[N H(C21−T 5 ) 2 ]C0反
応キャリアカスとして、水素ノlス(H2)を使用する
。 上記原料を使用して、 ■ 加熱温度700 ’C1 ■ 圧カフ60Torr(常圧)で、第1図のMOCV
D装置により下記の状態で、気相反応させる。 石英反応管7の内部に、カーホンセブタ2を配置し、こ
の上にサファイア基板を配置する。」一方のガス配管8
からTMCを、カス配管9からN H(C2H5)2を
、ガス配管10からH2を各々配給して気相反応させる
。 反応方法は、反応キャリアカスとして水素(H2)を6
立/分供給しなから、700℃、760Torrに保ち
、反応ガスのTMG及びNH(C2H5)2を、各々l
Xl0−’モル分率/分、8×103モル分率/分の割
合で導入する。この条件下で30分間反応させる。 この方法により、高品質で優れた発光特性を示すCaN
単結晶膜が得られた。 [実施例2] 第2図に示すHVPE装置を使用して窒化化合物単結晶
膜を製造する。 この図に示される装置は、両端が閉塞された石英反応管
11の周囲に、抵抗加熱ヒータ12を設げている。石英
反応管11には、カス配管16.17.18が接続され
でいる。さら乙こ、石英反応管11には、操作棒13の
先端にサファイア基板14が載せられている。 第2図に示す装置を使用して、下記の条件で窒化化合物
単結晶膜を製造する。 a、基板として、サファイア基板を使用する。 b0反応ガスとして、下記の■と■とを使用する。 ■ 塩化ガリウム(C;aC△) ■ ジェルチルアミン[NH(C2H5)2コC,キャ
リアガスとして、窒素ガス(N2)を使用する。 上記原料により、加熱温度700℃で、HV PE装置
を使用して、下記の状態で気相反応させる。 石英反応管11に、上方のガス配管16からNH(C2
H5)2を配給して、ガス配管17からN2を配給する
。右側のガス配管18から塩化水素カス(HC△)を導
入し、配管先端に設置したカリウム(C;a)15と反
応させ、生成する塩化カリウム(C;aC△)を供給し
て気相反応をさせる。 反応キャリアガスとして窒素(N2)を6△/分の流量
で供給しながら800℃に保ち、反応カスのHC△及び
NH(C2H5)2を、各々1×104モル分率/分、
8×10−3モル分率/分供給する。 ガリウム(Ga)は850℃に加熱保持する。この条件
で30分間反応させる。 この方法により、高品質で優れた発光特性を示すGaN
単結晶膜が得られた。 [実施例3] 第1図に示すのと同じ構造の装置を使用して、下記の条
件で窒化化合物単結晶膜を製造する。 a、基板として、サファイア基板を使用する。 b1反応カスとして、下記の■と■とを使用する。 ■ トリメチルアルミニウム(TMA△)■ ジェルチ
ルアミン[N H(C2Hs ) 2 ]C,キャリア
カスとして水素ガス(H2)を使用する。 上記原料により、加熱温度700℃、圧力100To
r rとして、A△N単結晶膜を成長させる。 石英反応管7を減圧するために、真空ポンプ(図示せず
)を接続し、真空ポンプで内部の気体を強制的に排気す
る。 反応ガスとして、反応石英管11に供給する、TMA△
と、NH(C2H6)2とは、各々1×104モル分率
/分、8X10=モル分率/分とし、キャリアガスH2
を6危/分配給する。 得られた、A、12.N単結晶膜は高品質であった。 [実施例4] 第1図に示すのと同し構造のMOCVD装置を使用して
、下記の条件で窒化化合物単結晶膜を製造する。 a、基板として、サファイア基板を使用する。 b1反応カスとして、下記の■と■とを使用する。 ■ l・リメチルインシウム(TMI)■ ジェルチル
アミン[NH(C2T−TS) 2]C,キャリアガス
として水素カス(H2)を使用する。 上記原料により加熱温度500°C5圧カフ60Tor
rで、InN単結晶膜を成長させる。 石英反応v7に供給する反応カスは、TMrと、NH(
C2H5)2とを、各々I X 10−’モル分率/分
、8X10−3モル分率/分、キャリアカスH2を6立
/分配給する。 得られた、InN単結晶膜は高品質であった。
ルキルアミン化合物を用いている。アルキルアミン化合
物には、 ■ ジェルチルアミンENH(C2H5)2コ、■ ト
リエチルアミン[N (C2H5) 3コ、■ トリメ
チルアミン[N (CH3) 31等が使用できる。 これ等の、アルキルアミン化合物を窒素源に使用シテ、
低温気相反応法、MOCVD、HVPE法により、高品
質の窒化化合物単結晶膜を製造する。 窒化化合物単結晶膜は、 ■ 窒化ガリウム、 ■ 窒化アルミニウム、 ■ 窒化インジウム、 ■ もしくは、前記の少なくとも2つ以上の物質の混晶
である。 基板には、 ■ サファイア(A危203)、 ■ 炭化ケイ素(S i C)、 ■ シリコン(Si)、 ■ ガリウムヒ素(C;aAs)等を用いることができ
る。 ガリウム源、アルミニウム源、インジュウム源としては
、l・リメチルガリウム(TMG)、トリエチルガリウ
ム(TEG)、トリメチルアルミニウム(TMA△)、
トリエチルアルミニウム(TEA)、トリメチルインジ
ウム(TMT )、トリメチルインジウム(TEI)の
ような有機化合物、または、塩化ガリウム(GaC△)
、塩化アルミニウム(AM(jl)、塩化インジュウム
(In(jl)等のハロゲン化物を用いることができる
。 反応温度は、4009C〜900℃が可能であり、窒化
ガリウムでは700℃が好適であり、窒化アルミニウム
では700℃が好適であり、窒化インジュウムでは60
0℃が好適である。 また、MOCVD法における圧力は、0.01〜760
To r rの範囲で可能であり、常圧または減圧で反
応させることができる。 【実施例】 以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明する。 [実施例1コ 第1図に示すMOCVD装置を使用して気相反応させて
窒化化合物単結晶膜を製造する。 この図に示す装置は、石英反応管7の上下両端を、フラ
ンジ5.6で閉塞している。上のフランジ5を貫通して
、ガス配管8.9、lOが接続されている。ガス配管8
.9には反応ガス源が接続されている。石英反応管7の
周囲を囲む状態で、高周波誘導加熱コイル3を配設して
いる。石英反応管7め内部には、シャフト4の上端にカ
ーボンサセプタ2を設け、その上にサファイア基板1を
載せている。 第1図に示す装置を使用して、下記の条件で窒化化合物
単結晶膜を製造する。 a、基板として、サファイア基板を使用する。 b6反応ガスとして、下記の■と■とを使用する。 ■ トリメチルガリウム(T MG ’)■ シェルチ
ルアミン[N H(C21−T 5 ) 2 ]C0反
応キャリアカスとして、水素ノlス(H2)を使用する
。 上記原料を使用して、 ■ 加熱温度700 ’C1 ■ 圧カフ60Torr(常圧)で、第1図のMOCV
D装置により下記の状態で、気相反応させる。 石英反応管7の内部に、カーホンセブタ2を配置し、こ
の上にサファイア基板を配置する。」一方のガス配管8
からTMCを、カス配管9からN H(C2H5)2を
、ガス配管10からH2を各々配給して気相反応させる
。 反応方法は、反応キャリアカスとして水素(H2)を6
立/分供給しなから、700℃、760Torrに保ち
、反応ガスのTMG及びNH(C2H5)2を、各々l
Xl0−’モル分率/分、8×103モル分率/分の割
合で導入する。この条件下で30分間反応させる。 この方法により、高品質で優れた発光特性を示すCaN
単結晶膜が得られた。 [実施例2] 第2図に示すHVPE装置を使用して窒化化合物単結晶
膜を製造する。 この図に示される装置は、両端が閉塞された石英反応管
11の周囲に、抵抗加熱ヒータ12を設げている。石英
反応管11には、カス配管16.17.18が接続され
でいる。さら乙こ、石英反応管11には、操作棒13の
先端にサファイア基板14が載せられている。 第2図に示す装置を使用して、下記の条件で窒化化合物
単結晶膜を製造する。 a、基板として、サファイア基板を使用する。 b0反応ガスとして、下記の■と■とを使用する。 ■ 塩化ガリウム(C;aC△) ■ ジェルチルアミン[NH(C2H5)2コC,キャ
リアガスとして、窒素ガス(N2)を使用する。 上記原料により、加熱温度700℃で、HV PE装置
を使用して、下記の状態で気相反応させる。 石英反応管11に、上方のガス配管16からNH(C2
H5)2を配給して、ガス配管17からN2を配給する
。右側のガス配管18から塩化水素カス(HC△)を導
入し、配管先端に設置したカリウム(C;a)15と反
応させ、生成する塩化カリウム(C;aC△)を供給し
て気相反応をさせる。 反応キャリアガスとして窒素(N2)を6△/分の流量
で供給しながら800℃に保ち、反応カスのHC△及び
NH(C2H5)2を、各々1×104モル分率/分、
8×10−3モル分率/分供給する。 ガリウム(Ga)は850℃に加熱保持する。この条件
で30分間反応させる。 この方法により、高品質で優れた発光特性を示すGaN
単結晶膜が得られた。 [実施例3] 第1図に示すのと同じ構造の装置を使用して、下記の条
件で窒化化合物単結晶膜を製造する。 a、基板として、サファイア基板を使用する。 b1反応カスとして、下記の■と■とを使用する。 ■ トリメチルアルミニウム(TMA△)■ ジェルチ
ルアミン[N H(C2Hs ) 2 ]C,キャリア
カスとして水素ガス(H2)を使用する。 上記原料により、加熱温度700℃、圧力100To
r rとして、A△N単結晶膜を成長させる。 石英反応管7を減圧するために、真空ポンプ(図示せず
)を接続し、真空ポンプで内部の気体を強制的に排気す
る。 反応ガスとして、反応石英管11に供給する、TMA△
と、NH(C2H6)2とは、各々1×104モル分率
/分、8X10=モル分率/分とし、キャリアガスH2
を6危/分配給する。 得られた、A、12.N単結晶膜は高品質であった。 [実施例4] 第1図に示すのと同し構造のMOCVD装置を使用して
、下記の条件で窒化化合物単結晶膜を製造する。 a、基板として、サファイア基板を使用する。 b1反応カスとして、下記の■と■とを使用する。 ■ l・リメチルインシウム(TMI)■ ジェルチル
アミン[NH(C2T−TS) 2]C,キャリアガス
として水素カス(H2)を使用する。 上記原料により加熱温度500°C5圧カフ60Tor
rで、InN単結晶膜を成長させる。 石英反応v7に供給する反応カスは、TMrと、NH(
C2H5)2とを、各々I X 10−’モル分率/分
、8X10−3モル分率/分、キャリアカスH2を6立
/分配給する。 得られた、InN単結晶膜は高品質であった。
この発明の窒化化合物単結晶膜の製造方法は、窒素源と
して、アルキルアミン化合物を用いている。この発明の
方法は、低温度で高品質の窒化化合物の単結晶膜を成長
させることかできる。この11 16.17.18・・・・・・ガス配管。 ため、基板上で歪や欠陥の少ない良質な窒化化合物単結
晶膜を成長できる。
して、アルキルアミン化合物を用いている。この発明の
方法は、低温度で高品質の窒化化合物の単結晶膜を成長
させることかできる。この11 16.17.18・・・・・・ガス配管。 ため、基板上で歪や欠陥の少ない良質な窒化化合物単結
晶膜を成長できる。
第1図はこの発明の方法tこ使用するMOCVD装置の
概略断面図、 第2図はこの発明の方法に使用するHVPE装置の概略
断面図である。 1・・・・・・サファイア基板、 2・・・・・・カーボンサセプタ、 3・・・・・・高周波誘電加熱コイル、4・・・・・・
シャフト、 5.6・・・・・・フランジ、 7・・・・・・石英反応管、 8.9.10・・・・・・カス配管、 11・・・・・・石英反応管、 12−・・・・・抵抗加熱ヒーター 13・・・・・・操作棒、 14・・・・・・サファイア基板、 15・・・・・・ガリウム(Ca)、 2
概略断面図、 第2図はこの発明の方法に使用するHVPE装置の概略
断面図である。 1・・・・・・サファイア基板、 2・・・・・・カーボンサセプタ、 3・・・・・・高周波誘電加熱コイル、4・・・・・・
シャフト、 5.6・・・・・・フランジ、 7・・・・・・石英反応管、 8.9.10・・・・・・カス配管、 11・・・・・・石英反応管、 12−・・・・・抵抗加熱ヒーター 13・・・・・・操作棒、 14・・・・・・サファイア基板、 15・・・・・・ガリウム(Ca)、 2
Claims (1)
- 基板を加熱された反応環境にセットし、反応環境に反応
ガスを供給して、基板に、窒化ガリアム、窒化アルミニ
ウム、窒化インジウム、窒化ガリウムヒ素、窒化ガリウ
ムリンの何れか、あるいは、これらを2つ以上含む混晶
の単結晶膜を成長させる窒化化合物単結晶膜を成長させ
る方法において、窒素源として、アルキルアミン化合物
を用いることを特徴とする窒素化合物半導体単結晶膜の
成長方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21390089A JPH0380198A (ja) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | 窒素化合物半導体単結晶膜の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21390089A JPH0380198A (ja) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | 窒素化合物半導体単結晶膜の成長方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0380198A true JPH0380198A (ja) | 1991-04-04 |
Family
ID=16646880
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21390089A Pending JPH0380198A (ja) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | 窒素化合物半導体単結晶膜の成長方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0380198A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5689123A (en) * | 1994-04-07 | 1997-11-18 | Sdl, Inc. | III-V aresenide-nitride semiconductor materials and devices |
US6130147A (en) * | 1994-04-07 | 2000-10-10 | Sdl, Inc. | Methods for forming group III-V arsenide-nitride semiconductor materials |
JP2003517416A (ja) * | 1999-05-07 | 2003-05-27 | シービーエル テクノロジーズ インコーポレイテッド | 連続したハイドライド気相エピタキシャル法 |
US6996150B1 (en) | 1994-09-14 | 2006-02-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
JP2006308084A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-11-09 | Osaka Gas Co Ltd | 低温液化ガス貯留設備 |
JP2009184836A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii−v族化合物半導体の結晶成長方法、発光デバイスの製造方法および電子デバイスの製造方法 |
-
1989
- 1989-08-19 JP JP21390089A patent/JPH0380198A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5689123A (en) * | 1994-04-07 | 1997-11-18 | Sdl, Inc. | III-V aresenide-nitride semiconductor materials and devices |
US6100546A (en) * | 1994-04-07 | 2000-08-08 | Sdl, Inc. | III-V arsenide-nitride semiconductor |
US6130147A (en) * | 1994-04-07 | 2000-10-10 | Sdl, Inc. | Methods for forming group III-V arsenide-nitride semiconductor materials |
US6342405B1 (en) | 1994-04-07 | 2002-01-29 | Jds Uniphase Corporation | Methods for forming group III-arsenide-nitride semiconductor materials |
US6996150B1 (en) | 1994-09-14 | 2006-02-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
US8934513B2 (en) | 1994-09-14 | 2015-01-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
JP2003517416A (ja) * | 1999-05-07 | 2003-05-27 | シービーエル テクノロジーズ インコーポレイテッド | 連続したハイドライド気相エピタキシャル法 |
JP2006308084A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-11-09 | Osaka Gas Co Ltd | 低温液化ガス貯留設備 |
JP2009184836A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii−v族化合物半導体の結晶成長方法、発光デバイスの製造方法および電子デバイスの製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101547144B1 (ko) | 기상에피택시에 의한 반도체화합물 물질의 제조방법 및 장치 | |
US5587014A (en) | Method for manufacturing group III-V compound semiconductor crystals | |
US6733591B2 (en) | Method and apparatus for producing group-III nitrides | |
US9281180B2 (en) | Method for producing gallium trichloride gas and method for producing nitride semiconductor crystal | |
US6768135B2 (en) | Dual process semiconductor heterostructures | |
JPH02211620A (ja) | 化合物半導体単結晶薄膜の成長方法 | |
JP2005072561A (ja) | エピタキシャル基板、当該エピタキシャル基板の製造方法、当該エピタキシャル基板の反り抑制方法、および当該エピタキシャル基板を用いた半導体積層構造 | |
JP2005223243A (ja) | Iii族窒化物系半導体結晶の製造方法及びハイドライド気相成長装置 | |
JPH0380198A (ja) | 窒素化合物半導体単結晶膜の成長方法 | |
JPH1012555A (ja) | 窒化物系化合物半導体結晶の製造方法 | |
JP2005223126A (ja) | 単結晶形成用基板、iii族窒化物単結晶の作製方法、およびiii族窒化物単結晶 | |
KR20030077435A (ko) | Ⅲ족 내지 ⅴ족 화합물 반도체의 제조방법 | |
US20080203409A1 (en) | PROCESS FOR PRODUCING (Al, Ga)N CRYSTALS | |
JP4817042B2 (ja) | Alを含むIII族窒化物結晶の作製方法、およびAlを含むIII族窒化物結晶 | |
JPS6221758B2 (ja) | ||
JPH111396A (ja) | 窒化物系化合物半導体の製造方法 | |
JPH0754806B2 (ja) | 化合物半導体単結晶膜の成長方法 | |
JPS60207332A (ja) | 窒化ガリウムの成長方法 | |
KR100472630B1 (ko) | 복수의 질화물 기판 성장 장치 | |
KR100447414B1 (ko) | 질화갈륨 결정기판 제조방법 및 화학 기상 증착 반응기 | |
KR102086725B1 (ko) | 질화물 반도체 프리스탠딩 기판과 그 제조 장치 및 방법 | |
KR100975835B1 (ko) | 인듐을 이용한 저온에서의 나노 구조체 제조방법 | |
JP3104677B2 (ja) | Iii族窒化物結晶成長装置 | |
JPH09186091A (ja) | Iii−v族化合物半導体の製造方法 | |
KR100525725B1 (ko) | 저결함 GaN막 형성방법 |