JPH0378240A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device

Info

Publication number
JPH0378240A
JPH0378240A JP21524589A JP21524589A JPH0378240A JP H0378240 A JPH0378240 A JP H0378240A JP 21524589 A JP21524589 A JP 21524589A JP 21524589 A JP21524589 A JP 21524589A JP H0378240 A JPH0378240 A JP H0378240A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
needles
pad electrode
probe
needle
pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP21524589A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH06105736B2 (en
Inventor
Satoshi Takano
聡 高野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP21524589A priority Critical patent/JPH06105736B2/en
Publication of JPH0378240A publication Critical patent/JPH0378240A/en
Publication of JPH06105736B2 publication Critical patent/JPH06105736B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

PURPOSE:To correct the rotational deviations of a pad electrode and a probe needle by electrically connecting first, second and third pad electrodes on a chip and setting the circular extension directions of the second and third electrodes to reversely rotating direction to the contact position of the needle. CONSTITUTION:It is assumed that, when probe needles 6, 7, 8 are rotatably deviated to pad electrodes 3, 4a, 5a, the needle is, for example, rotated counterclockwise at the electrode 3 as a center. In this case, the needle 7 is disposed on the electrode 4a, but the needle 8 is removed from the electrode 5a. That is, since the needles 6, 7 are conducted, but the needles 6, 8 are not conducted. On the contrary, if it is rotatably deviated clockwise, the needles 6, 8 are conducted, but the needles 6, 7 are not conducted. The combination of conduction or nonconduction of the needles 6-8 is checked from this to know the direction of the rotational deviation of the needles 6-8. The combination signals are combined, its logic signal is input to a probe card rotating motor to be corrected.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体集積回路のテスト時におけるプローブ
針の回転ずれ検出のためのパッド電極の形状及びレイア
ウトに関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to the shape and layout of pad electrodes for detecting rotational deviation of a probe needle during testing of semiconductor integrated circuits.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第5図は従来のLSIにおけるパッド電極の配置とプロ
ーブ針との関係を示した模式図である。図において、(
1)はLSIチップ上に形成されたパッド電極、(2)
はパッド電極(1)に接触しLSIに電気信号を入出力
するためのプローブ針である。
FIG. 5 is a schematic diagram showing the relationship between the arrangement of pad electrodes and probe needles in a conventional LSI. In the figure, (
1) is a pad electrode formed on the LSI chip, (2)
is a probe needle that contacts the pad electrode (1) and inputs and outputs electrical signals to the LSI.

次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.

LSIチップをウェハ状態でテストする際には全てのパ
ッド電極(1)上にプローブ針(2)を正確に接触させ
る必要がある。パッド電極(1)とプローブ針(2)の
位置合わせには、ウェハを載せるウェハ・ステージの水
平・垂直方向の移動軸にLSIチップのX軸・Y軸を揃
え、且つパッド電極(1)とプローブ針(2)の回転角
を揃える必要がある。
When testing an LSI chip in a wafer state, it is necessary to accurately bring the probe needles (2) into contact with all pad electrodes (1). To align the pad electrode (1) and the probe needle (2), align the X and Y axes of the LSI chip with the horizontal and vertical movement axes of the wafer stage on which the wafer is placed, and align the pad electrode (1) with the probe needle (2). It is necessary to align the rotation angles of the probe needles (2).

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

従来のLSIのパッド電極及びプローブ針は第5図のよ
うに構成されていたので、パッド電極とプローブ針の位
置合わせ、特に回転角調整が困難であった。回転角を調
整し、全てのパッド電極にプローブ針が正確に位置合わ
せされて接触しているかどうかをチエツクするのは人手
による目視によって行なわれていた。しかしながらLS
Iの多ピン化に伴い、パッド電極間隔が小さくなるにつ
れて目視によるチエツクは非常に困難になってλだ。
Since the pad electrode and probe needle of a conventional LSI were constructed as shown in FIG. 5, it was difficult to align the pad electrode and the probe needle, especially to adjust the rotation angle. Adjusting the rotation angle and checking whether the probe needles are accurately aligned and in contact with all pad electrodes was done manually and visually. However, L.S.
As the number of I pins increases and the spacing between pad electrodes becomes smaller, it becomes extremely difficult to visually check λ.

回転角がごく僅かずれていてもテスト時にチップを移動
している間にパッド電極とプローブ針のずれが累積し、
プローブ針がパッド電極から外れて電気信号の入出力が
行なわれず、正常なテストが不可能になってしまう。そ
のためにチップの誤動作を招き、あるいは本来は正常に
動作するLSIチップをも不良と判定してしまい、歩留
まりを低下させていた。
Even if the rotation angle is slightly off, the misalignment between the pad electrode and the probe needle will accumulate while the chip is being moved during testing.
If the probe needle comes off the pad electrode, electrical signals cannot be input or output, making normal testing impossible. This leads to malfunction of the chip, or even an LSI chip that is normally operating is determined to be defective, resulting in a decrease in yield.

この発明は上記のような欠点を解消するためになされた
もので、パッド電極とプローブ針の回転角を調整して正
確な位1合わせを行ない、正常なテストを行なうことを
目的としている。
This invention has been made to eliminate the above-mentioned drawbacks, and its purpose is to adjust the rotation angle of the pad electrode and probe needle to achieve accurate alignment and to perform normal tests.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

この発明による半導体集積回路製雪は、パッド電極とプ
ローブ針の間の回転角を検出するためのパッド電極を有
し、回転ずれの方向を検知することによって正確な回転
角調整を可能にするものである。
The semiconductor integrated circuit snowmaking device according to the present invention has a pad electrode for detecting the rotation angle between the pad electrode and the probe needle, and enables accurate rotation angle adjustment by detecting the direction of rotational deviation. It is.

〔作用〕[Effect]

この発明による半導体集積回路袋口は、3個のパッドi
!極を用い、これらのパッド電極間の導通・非導通を調
べることによってパッド電極とプローブ針の回転ずれダ
検出するものである。
The semiconductor integrated circuit bag opening according to the present invention has three pads i.
! The rotational misalignment between the pad electrode and the probe needle is detected by checking the conduction/non-conduction between these pad electrodes using the electrode.

〔実施例〕〔Example〕

以下、この発明の一実施例について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below.

第1図は従来の集積回路製雪とプローブ針を示す模式図
である。図において、(3) 、 (4a) 、 (5
a)は回転ずれ検出用のパッド電極、(6)〜(8)は
回転ずれ検出用のプローブ針である。ここでは、プロー
ブ針(6)〜(8)の回転中心がパッド電極(3)にあ
るとする。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a conventional integrated circuit snowmaker and a probe needle. In the figure, (3), (4a), (5
a) is a pad electrode for detecting rotational deviation, and (6) to (8) are probe needles for detecting rotational deviation. Here, it is assumed that the center of rotation of the probe needles (6) to (8) is located at the pad electrode (3).

パッド電極(4a)及び(5a)はパッド電極(3)を
中心とした半径R1及びR8の円弧形状をしており、し
かもその円弧の伸長方向はパッド電極(3)を中心とし
て互いに逆回転方向である。ここでは、パッド電極(3
)、(4m)、(5m)の成す角度が直角の場合を例と
している。パッド電極(3)の大きさは図示されてぃな
い他の信号用パッド電極と同じであり、またパッド電極
(4a)及び(5a)の幅はパッド電極(3)の同一方
向の幅に等しい。パッド電極(3) 、 (4m) 、
 (5m)はLSI上で電気的に接続されている。なお
、信号入出力間のパッド電極及びプローブ針は第5図の
従来例と同じであり、ここでは省略している。
The pad electrodes (4a) and (5a) have circular arc shapes with radii R1 and R8 centered on the pad electrode (3), and the extending directions of the circular arcs are in opposite rotational directions with respect to the pad electrode (3). It is. Here, the pad electrode (3
), (4m), and (5m) are right angles. The size of the pad electrode (3) is the same as that of other signal pad electrodes not shown, and the widths of the pad electrodes (4a) and (5a) are equal to the width of the pad electrode (3) in the same direction. . Pad electrode (3), (4m),
(5m) are electrically connected on the LSI. Note that the pad electrodes and probe needles between signal input and output are the same as in the conventional example shown in FIG. 5, and are omitted here.

次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.

第1図において、プローブ針(6) 、 (7) 、 
(8)がパッド電極(3)、(4m)、(5m)に正常
に接触している場合を考える。パッド電極(3)、(4
m)、(5m)はパターン上で接続されているために、
この場合にはプローブ針(6)、 (71、(8)は全
て電気的に導通している。次にパッド電極(3)、(4
m)、(1m)に対してプローブ針(6) 、 (7)
、 (8)が回転ずれを生じている場合を第2図によっ
て説明する。ここでは例として、プローブ針がパッド電
極(3)を中心として左方向に回転した場合を考える。
In FIG. 1, probe needles (6), (7),
Consider the case where (8) is in normal contact with pad electrodes (3), (4m), and (5m). Pad electrodes (3), (4
m) and (5m) are connected on the pattern, so
In this case, the probe needles (6), (71, (8) are all electrically conductive. Next, the pad electrodes (3), (4)
m), (1m) with probe needles (6), (7)
, (8) in which rotational deviation occurs will be explained with reference to FIG. Here, as an example, consider a case where the probe needle rotates to the left around the pad electrode (3).

このときプローブ針(7)はパッド電極(4m)上にあ
るが、プローブ針(8)はパッド電極(5m)から外れ
ている。すなわちこの状態では、プローブ針(6)と(
7)は導通しているが、プローブ針(6)と(8)は導
通していない。逆に右方向への回転ずれを生じた場合に
は、プローブ針(6)と(8)は導通しているが、プロ
ーブ針(6)と(7)は導通していない。このことから
、プローブ針(aj 、 (7) 、 (8)の導通・
非導通の組み合わせを調べることにより、プローブ針+
6)、(7) 、 (8)の回転ずれの方向を知ること
ができる。
At this time, the probe needle (7) is on the pad electrode (4m), but the probe needle (8) is off the pad electrode (5m). In other words, in this state, the probe needle (6) and (
7) is electrically conductive, but probe needles (6) and (8) are not electrically conductive. Conversely, when a rotational shift occurs in the right direction, the probe needles (6) and (8) are electrically connected, but the probe needles (6) and (7) are not electrically conductive. From this, the conduction of the probe needles (aj, (7), (8)
By checking the combination of non-conduction, probe needle +
6), (7), and (8), the direction of rotational deviation can be known.

この組み合わせ信号から論理信号を合成し、この論理信
号をプローブ・カード回転用のステップ・モータに入力
することにより、回転角の補正を行なうことができる。
By synthesizing a logic signal from this combined signal and inputting this logic signal to a step motor for rotating the probe card, the rotation angle can be corrected.

ここでは、プローブ針(6) 、 (7)。Here, the probe needles (6) and (7).

(8)がパッド(3)を中心として回転するという場合
の例をあげており、パッド電極(4a)及び(5a)は
パッド電極(3)を中心とする円弧形状をとっている。
An example is given in which the pad (8) rotates around the pad (3), and the pad electrodes (4a) and (5a) have an arc shape around the pad electrode (3).

検出可能な回転角は円弧の半径及び外周長で設定するこ
とができ、円弧の半径を大きくとればとるほど精度は向
上する。
The detectable rotation angle can be set by the radius and outer circumference length of the arc, and the accuracy improves as the radius of the arc increases.

なお、上記実施例ではパッド電極(4m)、(5m)が
パッド電極(3)を中心とする円弧形状である場合につ
いて説明したが、円弧形状の代りに扇形形状であっても
よい。第3図において、  (3)、(4b)、(5b
)は回転ずれ検出用のパッド電極である、ここでは、プ
ローブ針の回転中心がパッド[極(3)にあるとする。
In the above embodiment, a case has been described in which the pad electrodes (4m) and (5m) have a circular arc shape centered on the pad electrode (3), but the pad electrodes (4m) and (5m) may have a fan shape instead of the circular arc shape. In Figure 3, (3), (4b), (5b
) is a pad electrode for detecting rotational deviation. Here, it is assumed that the center of rotation of the probe needle is at the pad [pole (3).

パッド電極(4b)及び(5b)はパッド電極(3)を
中心とした半径R1及びR2の扇形形状をしており、し
かもその扇形の伸長方向はパッド電極(3)を中心とし
て互いに逆回転方向である。ここでは、パッド電極(3
)、(4b) 、(5b)の成す角度が直角の場合を例
としている。パッド電極(3)の大きさは図示されてい
ない他の信号用パッドと同じであり、またパッド電極(
4b)及び(5b)の幅はパッド電極(3)の同一方向
の幅に等しい。パッド電極(3)、(4b)、(5b)
はLSI上で電気的に接続されている。プローブ針(6
)〜(8)は回転ずれ検出用のプローブ針である。なお
、信号入出力用のパッド電極及びプローブ針は第5図の
従来例と同じであり、ここでは省略してい&まず第3図
のようにプローブ針(al 、 (7j 、 (8)が
パッド電極(3)、(4b)、(5b)に正常に接触し
ている場合を考える。パッド電極+3+ 、 (4h)
、(5b)はパターン上で接続されているために、この
場合は第1図に示す場合と同様で説明を省略する。次に
パッド電極(3) 、 (4b) 、 (5b)に対し
てプローブ針f6)、 (7) 。
The pad electrodes (4b) and (5b) have fan-shaped shapes with radii R1 and R2 centered on the pad electrode (3), and the extending directions of the fan-shaped shapes are opposite rotation directions with respect to the pad electrode (3). It is. Here, the pad electrode (3
), (4b), and (5b) are right angles. The size of the pad electrode (3) is the same as that of other signal pads (not shown), and the size of the pad electrode (3) is the same as that of other signal pads (not shown).
The widths of 4b) and 5b are equal to the width of the pad electrode (3) in the same direction. Pad electrodes (3), (4b), (5b)
are electrically connected on the LSI. Probe needle (6
) to (8) are probe needles for detecting rotational deviation. Note that the pad electrodes and probe needles for signal input/output are the same as the conventional example shown in Fig. 5, and are omitted here. First, as shown in Fig. 3, the probe needles (al, (7j, (8)) Consider the case where the electrodes (3), (4b), and (5b) are in normal contact.Pad electrode +3+, (4h)
, (5b) are connected on the pattern, this case is the same as the case shown in FIG. 1, and the explanation will be omitted. Next, probe needles f6), (7) are applied to pad electrodes (3), (4b), (5b).

(8)が回転ずれを生じている場合を第4図によって説
明する。ここでは例として、プローブ針(6)、 (7
)。
The case where (8) has rotational deviation will be explained with reference to FIG. Here, as an example, probe needles (6), (7
).

(8)がパッド電極(3)を中心として左方向に回転し
た場合を考える。このときプローブ針(7)はパッド電
極(4b)上にあるが、プローブ針(8)はパッド電極
(5h)から外れている。すなわちこの状態では、プロ
ーブ針(6)と(7)は導通しているが、プローブ針(
6)と(8)は導通していない。逆に右方向への回転ず
れを生じた場合には、プローブ針(6)と(8)は導通
しているが、プローブ針(6)と(7)は導通していな
い。このことから、プローブ針(6)、 (71、(8
)の導通・非導通の組み合わせを調べることにより、プ
ローブ針(61、(7j 、 (s)の回転ずれの方向
を知ることができる。
Consider the case where (8) rotates to the left around the pad electrode (3). At this time, the probe needle (7) is on the pad electrode (4b), but the probe needle (8) is off the pad electrode (5h). That is, in this state, the probe needles (6) and (7) are electrically connected, but the probe needle (
6) and (8) are not electrically connected. Conversely, when a rotational shift occurs in the right direction, the probe needles (6) and (8) are electrically connected, but the probe needles (6) and (7) are not electrically conductive. From this, probe needles (6), (71, (8
) can determine the direction of rotational deviation of the probe needles (61, (7j, (s)).

この組み合わせ信号から論理信号を合成し、この論理信
号をプローブ・カード回転用のステップ・モータに人力
することにより、回転角の補正を行なうことができろ。
The rotation angle can be corrected by synthesizing a logic signal from this combined signal and manually inputting this logic signal to the step motor for rotating the probe card.

ここでは、プローブ針(6)、 (7)。Here, probe needles (6) and (7).

(8)がパッド電極(3)を中心として回転するという
場合の例をあげており、パッド電極(4b)及び(5b
)はパッド電極(3)を中心とする扇形形状をとってい
る。
(8) rotates around the pad electrode (3), and the pad electrode (4b) and (5b
) has a fan shape with the pad electrode (3) at the center.

検出可能な回転角は扇形の半径及び外周長で設定するこ
とができ、扇形の半径を大きくとればとるほど精度は向
上する。
The detectable rotation angle can be set by the radius and outer circumference length of the fan shape, and the accuracy improves as the radius of the fan shape increases.

また、上記実施例ではパッド電極(33、(4a) 。Further, in the above embodiment, the pad electrode (33, (4a)).

(5a)の成す角度及びパッド電極(3)、(4b)、
(5b)の成す角度がそれぞれ直角の場合を例に取り上
げたが、この角度は何度であってもよく、上記実施例と
同様の効果を奏する。
The angle formed by (5a) and the pad electrodes (3), (4b),
Although the case where the angles formed by (5b) are each right angle has been taken up as an example, the angles may be any number and the same effect as in the above embodiment can be obtained.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように、この発明によればLSIをテストする際
にパッド電極とプローブ針の回転ずれを検出し、これを
補正することが可能となりテストの精度を高めることが
できる。
As described above, according to the present invention, when testing an LSI, it is possible to detect rotational deviation between a pad electrode and a probe needle, and to correct this, thereby increasing the accuracy of the test.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の一実施例による半導体集積回路装置
及びプローブ針を示す模式平面図、第2図は第1図の実
施例において、パッド電極−とプローブ針の間に回転ず
れを生じた場合を示す模式平面図、第3図はこの発明の
他の実施例にょろ半導体集積回路装置及びプローブ針を
示す模式平面図、第4図は第3図の実施例において、パ
ッド電極とプローブ針の間に回転ずれを生じた場合を示
す模式平面図、第5図は従来の半導体集積回路装置及び
プローブ針を示す模式平面図を示す図である。 図において、(3) 、(4m) 、 (4b) 、 
(5m ) 、(5b)はパッド電極、+01 、 (
7)、 (8)はプローブ針である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
FIG. 1 is a schematic plan view showing a semiconductor integrated circuit device and a probe needle according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic plan view showing a semiconductor integrated circuit device and a probe needle according to an embodiment of the present invention. FIG. FIG. 3 is a schematic plan view showing a sliding semiconductor integrated circuit device and a probe needle according to another embodiment of the present invention. FIG. 4 is a schematic plan view showing a probe needle in the embodiment of FIG. FIG. 5 is a schematic plan view showing a case where a rotational deviation occurs between the two, and FIG. 5 is a schematic plan view showing a conventional semiconductor integrated circuit device and a probe needle. In the figure, (3), (4m), (4b),
(5m), (5b) are pad electrodes, +01, (
7) and (8) are probe needles. In addition, in the figures, the same reference numerals indicate the same or equivalent parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  第1のパッド電極と、この第1のパッド電極からある
間隔をもつて配置され、プローブ針の回転中心を中心と
する円弧形状に形成された第2のパッド電極と、さらに
第1のパッド電極からある間隔をもつて配置され、プロ
ーブ針の回転中心を中心とする円弧形状に形成された第
3のパッド電極を具備し、これら第1、第2及び第3の
パッド電極がチップ上で電気的に接続されており、且つ
第2、第3のパッド電極の円弧の伸長方向がプローブ針
の接触位置に対して逆回転方向であることを特徴とする
半導体集積回路装置。
a first pad electrode; a second pad electrode arranged at a certain distance from the first pad electrode and formed in an arc shape centered on the rotation center of the probe needle; The third pad electrode is arranged at a certain distance from the probe needle and is formed in an arc shape centered on the rotation center of the probe needle. 1. A semiconductor integrated circuit device, wherein the arcs of the second and third pad electrodes extend in a rotation direction opposite to the contact position of the probe needle.
JP21524589A 1989-08-21 1989-08-21 Semiconductor integrated circuit device Expired - Lifetime JPH06105736B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21524589A JPH06105736B2 (en) 1989-08-21 1989-08-21 Semiconductor integrated circuit device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21524589A JPH06105736B2 (en) 1989-08-21 1989-08-21 Semiconductor integrated circuit device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0378240A true JPH0378240A (en) 1991-04-03
JPH06105736B2 JPH06105736B2 (en) 1994-12-21

Family

ID=16669122

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21524589A Expired - Lifetime JPH06105736B2 (en) 1989-08-21 1989-08-21 Semiconductor integrated circuit device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06105736B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007509357A (en) * 2003-10-27 2007-04-12 ホルツインダストリー ライティンガー ゲゼルシャフト エム.ベー.ハー. Quality assurance method for long materials
US9046444B2 (en) 2010-12-15 2015-06-02 Kobe Steel, Ltd. Tire testing device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007509357A (en) * 2003-10-27 2007-04-12 ホルツインダストリー ライティンガー ゲゼルシャフト エム.ベー.ハー. Quality assurance method for long materials
US9046444B2 (en) 2010-12-15 2015-06-02 Kobe Steel, Ltd. Tire testing device

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06105736B2 (en) 1994-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4052793A (en) Method of obtaining proper probe alignment in a multiple contact environment
US3777260A (en) Grid for making electrical contact
JPH0695127B2 (en) IC probe device
JPS6362245A (en) Wafer prober
JP2000164620A (en) Semiconductor integrated circuit device and assembling method for semiconductor integrated circuit device
KR910007510B1 (en) Semiconductor device
JP2007335550A (en) Semiconductor device
JPH06168991A (en) Inspecting method for multi-probing semiconductor
JPH0378240A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH09107011A (en) Semiconductor device and aligning method thereof
JPS6024030A (en) Semiconductor wafer prober
JPS63128636A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH079380Y2 (en) Semiconductor wafer inspection system
JPS6046043A (en) Signal repeating plate
JPH065674A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH0258846A (en) Automatic alignment of probe card
JP2003294808A (en) Ic socket with measuring aligning function for bga type ic
JPS6030147A (en) Semiconductor wafer
JPS6276637A (en) Chip position detecting device
JPS59225538A (en) Method for inspecting semiconductor device
JP2655188B2 (en) Inspection device
JPH04320044A (en) Semiconductor device, and method and apparatus for testing semiconductor device
JPH08115958A (en) Semiconductor device
JPS63148652A (en) Wafer prober
JPH11233575A (en) Circuit board for semiconductor device measurement