JPH0377408A - マイクロ波発振回路 - Google Patents
マイクロ波発振回路Info
- Publication number
- JPH0377408A JPH0377408A JP21373589A JP21373589A JPH0377408A JP H0377408 A JPH0377408 A JP H0377408A JP 21373589 A JP21373589 A JP 21373589A JP 21373589 A JP21373589 A JP 21373589A JP H0377408 A JPH0377408 A JP H0377408A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric resonator
- oscillation circuit
- box
- recessed part
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 230000010356 wave oscillation Effects 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、誘電体共振器を有するマイクロ波発振回路に
関する。
関する。
例えば、衛星放送の受信電波を１２ＧＨｚ帯からＩＧＨ
ｚ帯に周波数変換するコンバータ内には、ローカル発振
回路としてマイクロ波発振回路が使用される。この回路
は、第２図に示すように、ＧａＡｓのＦＥＴＩのドレイ
ンＤを高周波的に接地したドレイン接地形の発振回路と
し、ゲート端子Ｇからゲート線路２の線路長がＱの位置
に円柱形の誘電体共振器３を装荷しその線路２と電磁結
合させて発振周波数を制御し、その発振出力をソース端
子Ｓ側から取り出している。４は出力整合回路、５は帰
還回路である。
ｚ帯に周波数変換するコンバータ内には、ローカル発振
回路としてマイクロ波発振回路が使用される。この回路
は、第２図に示すように、ＧａＡｓのＦＥＴＩのドレイ
ンＤを高周波的に接地したドレイン接地形の発振回路と
し、ゲート端子Ｇからゲート線路２の線路長がＱの位置
に円柱形の誘電体共振器３を装荷しその線路２と電磁結
合させて発振周波数を制御し、その発振出力をソース端
子Ｓ側から取り出している。４は出力整合回路、５は帰
還回路である。
この回路における誘電体共振器３の共振周波数ｔｏは、
それ自身の外径寸法とそれを囲む函体の高さで決定され
る。第３図において、函体１０の囲み高さをＬｌ、誘電
体共振器３の厚さをＬｏとすれば、共振周波数ｆｏは、
ＬｏとＬｌとの比で特徴付けられ、Ｌｏ ／ Ｌ、 １
＝一定であれば、ｆ。
それ自身の外径寸法とそれを囲む函体の高さで決定され
る。第３図において、函体１０の囲み高さをＬｌ、誘電
体共振器３の厚さをＬｏとすれば、共振周波数ｆｏは、
ＬｏとＬｌとの比で特徴付けられ、Ｌｏ ／ Ｌ、 １
＝一定であれば、ｆ。
は一定である。
一方、従来では第４図に示すように、片面にアースパタ
ーンｌｌａを有し他面に上記線路２等を構成するマイク
ロストリップラインｌｌｂを有する誘電体基板１１の上
面に、誘電体共振器３を支持合１２により支持している
。そして、この発振回路の左右側面ならびに上下面を函
体１０で囲っている。誘電体共振器１の下面は、アース
パターン面１１ａが函体１０に接するように取りつけて
いる。なお、上面および左右側面の函体部分は省略した
。
ーンｌｌａを有し他面に上記線路２等を構成するマイク
ロストリップラインｌｌｂを有する誘電体基板１１の上
面に、誘電体共振器３を支持合１２により支持している
。そして、この発振回路の左右側面ならびに上下面を函
体１０で囲っている。誘電体共振器１の下面は、アース
パターン面１１ａが函体１０に接するように取りつけて
いる。なお、上面および左右側面の函体部分は省略した
。
従って、前述したように共振周波数ｆｏがり。
／Ｌｌで決定されることから、その函体１０の高さＬｌ
を任意に低くすることはできず、その小型化には限界が
あった。
を任意に低くすることはできず、その小型化には限界が
あった。
本発明は以上のような点に鑑みてなされたものであり、
その目的は小型化を実現したマイクロ波発振回路を提供
することである。
その目的は小型化を実現したマイクロ波発振回路を提供
することである。
このために本発明は、誘電体共振器を使用したマイクロ
波発振回路において、上記誘電体共振器を装荷する部分
の基板に切除により凹部を形成して、該凹部に上記誘電
体共振器を装荷して構成した。
波発振回路において、上記誘電体共振器を装荷する部分
の基板に切除により凹部を形成して、該凹部に上記誘電
体共振器を装荷して構成した。
この発明において、上記基板の下面の函体部分の一部を
、上記基板の切除部分に連続して切除し、そこに上記誘
電体共振器を装荷することができる。
、上記基板の切除部分に連続して切除し、そこに上記誘
電体共振器を装荷することができる。
以下、本発明の実施例について説明する。第１図はその
一実施例を示す図である。第４図におけるものと同一の
ものには同一の符号を付した。
一実施例を示す図である。第４図におけるものと同一の
ものには同一の符号を付した。
本実施例では、誘電体基板１１の内の誘電体共振器３に
対応する部分を切り抜いて穴１１ｃを形成し、また函体
１０の内の誘電体共振器３に対応する部分を削り込んで
凹部１０ａを形成して、その凹部１０ａと穴１１ｃを対
応させ、その底に誘電体共振器３を支持台１２により支
持した。
対応する部分を切り抜いて穴１１ｃを形成し、また函体
１０の内の誘電体共振器３に対応する部分を削り込んで
凹部１０ａを形成して、その凹部１０ａと穴１１ｃを対
応させ、その底に誘電体共振器３を支持台１２により支
持した。
このとき、穴１１ｃと凹部１０ａとによる切除深さをＬ
２とし、基板１１の上面から函体１０の天井面までの距
離をＬ３とすれば、前述の囲み高さＬｌとの関係では、 Ｌ１＝Ｌ２＋Ｌ３ ・・・（
１）に設定する。この結果、囲み高さＬ３は、Ｌ３＝Ｌ
１−Ｌ２ ・・・（２）となっ
て、従来よりもＬ２だけ低くすることができる。
２とし、基板１１の上面から函体１０の天井面までの距
離をＬ３とすれば、前述の囲み高さＬｌとの関係では、 Ｌ１＝Ｌ２＋Ｌ３ ・・・（
１）に設定する。この結果、囲み高さＬ３は、Ｌ３＝Ｌ
１−Ｌ２ ・・・（２）となっ
て、従来よりもＬ２だけ低くすることができる。
このように、基板１１および函体１０の同一部分を切除
することにより、Ｌ ｏ／Ｌ １を変化させることなく
、実質的な囲み高さを従来よりもＬ２だけ低くすること
ができる。
することにより、Ｌ ｏ／Ｌ １を変化させることなく
、実質的な囲み高さを従来よりもＬ２だけ低くすること
ができる。
〔発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、発振回路の函体囲
み高さを低くすることができ、小型化が可能になるとい
う利点がある。
み高さを低くすることができ、小型化が可能になるとい
う利点がある。
第１図は本発明の一実施例の発振回路部分の断面図、第
２図は発振回路の回路パターン図、第３図は誘電体共振
器と函体との関係を示す図、第４図は従来の発振回路の
断面図である。 １・・・ＧａＡｓ形ＦＥＴ、２・・・ゲート線路、３・
・・誘電体共振器、４・・・出力整合回路、５・・・帰
還回路、１０・・・函体、１０ａ・・・凹部、１工・・
・誘電体基板、１１ｃ・・・穴、１２・・・誘電体共振
器支持台。
２図は発振回路の回路パターン図、第３図は誘電体共振
器と函体との関係を示す図、第４図は従来の発振回路の
断面図である。 １・・・ＧａＡｓ形ＦＥＴ、２・・・ゲート線路、３・
・・誘電体共振器、４・・・出力整合回路、５・・・帰
還回路、１０・・・函体、１０ａ・・・凹部、１工・・
・誘電体基板、１１ｃ・・・穴、１２・・・誘電体共振
器支持台。
Claims (2)
- （１）．誘電体共振器を使用したマイクロ波発振回路に
おいて、上記誘電体共振器を装荷する部分の基板に切除
により凹部を形成して、該凹部に上記誘電体共振器を装
荷したことを特徴とするマイクロ波発振回路。 - （２）．上記基板の下面の函体部分の一部を、上記基板
の切除部分に連続して切除し、そこに上記誘電体共振器
を装荷したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のマイクロ波発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21373589A JPH0377408A (ja) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | マイクロ波発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21373589A JPH0377408A (ja) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | マイクロ波発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0377408A true JPH0377408A (ja) | 1991-04-03 |
Family
ID=16644139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21373589A Pending JPH0377408A (ja) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | マイクロ波発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0377408A (ja) |
-
1989
- 1989-08-19 JP JP21373589A patent/JPH0377408A/ja active Pending
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