JPH0376201A - 層状厚膜抵抗器及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕 本発明は、改良された厚膜抵抗器及びその製造方法に関
し、特に本発明は、抵抗素子のための誘電体台（ｄｉｅ
ｌｅｃｔｒｉｃ　ｐｌａｔｆｏｒｍ）を有する層状厚膜
抵抗器及びその層状厚膜抵抗器を形成するための方法に
関する。

【従来の技術】

現在、セラミック回路板を用いて電子回路製品を製造す
ることが典型的に行われてしする。出口その他による米
国特許第４，４６４．２０号明細書番こ指摘されている
ように、セラミ・ｙり回路板を製造する方法は、大略二
つの型に分類することができる。即ち、グリーン（ｇｒ
ｅｅｎ）シート法及び厚膜法である。 厚膜法は、基体として焼結セラミ・ンク板を使用するこ
とから出発する。普通は焼成アルミナ基体である。導電
性ペーストをそのアルミナ基体上番こスクリーンプリン
トし、焼成して導線を形成する。 然る後、基体上に電気抵抗材料を模様状にスクリーンプ
リントし、焼成し、導線に結合された抵抗素子を形成す
る。 そのような厚膜抵抗器を製造することができる種々の型
のスクリーンプリント装置が存在する。 例えば、デ・ハルト（Ｄｅ　Ｈａｒｔ）その他による米
国特許第３，４６４，３５１号明細書を参照されたい、
その特許には次のような回路スクリーン、プリント機が
記載されている。加圧シリンダーピストン内に入れた抵
抗ペースト（厚膜プリント用インク）が絞り出し器へ供
給される１次にその絞り出し器からペーストがスクリー
ン上に塗り付けられ、そのペーストはスクリーンの開口
模様を通過して基体上に付着される。 複雑な回路では、プリントしようとする抵抗素子の近辺
にある焼成導線及び誘電体線は、スクリーンプリント機
の絞り出し器をスクリーンプリント表面よりも僅かに上
へ持ち上げることになる。 その結果、幾何学的形態及び厚さが不均一になった厚膜
抵抗器がプリントされる。その結果、幾何学的形態及び
厚さの許容誤差内のこれらの変動に応じ、抵抗値が基体
毎に変化することになる。 そのような変動を解消するか、さもなければデ・ハルト
の手動−工程回路スクリーンプリント機を改良する試み
として、米国特許第４，３３８，３５１号明細書でブル
ーム（Ｂｌｏｏｓ＋）その他は、−層均一な抵抗特性を
有する厚膜抵抗器を製造する装置及び方法を与えている
。ブルームその他は連続的循環フィードバック系統を用
いている。その系統は標準抵抗値からの偏差を検出し、
基体上にスクリーンプリントされる高抵抗材料と低抵抗
材料との比率又はそのような材料の混合物の割合を変動
させることにより連続的に組成を補正する。それは、ス
クリーンプリントされた膜厚の偏差を検出して、スクリ
ーニング機複合体の作動速度又は絞り出し器ヘッド圧力
を連続的に補正することにより、−層均一な膜厚を得る
ようにもなっている。そのような装置及び方法は一層均
一な抵抗特性を与えることになるであろうが、それは実
に複雑である。 プリントされる抵抗素子の大きさ及び幾何学的形状を制
御するため一層簡単で一層効果的な方式に対する必要性
が依然として残っている。 厚膜抵抗器装置を製造するのに誘電体層を用いることも
知られている０例えば、米国特許第３．９９８，９８０
号明細書の中でアンテス（＾ｎｔｅｓ）その他は、アル
ミナ基体上に誘電体層を付着させ、次にその誘電体層上
に重ねて導体及び厚膜抵抗層を付着させ、焼成し、包み
、そして焼鈍することにより熱プリントヘッド（ｔｈｅ
ｒｍａｌ　ｐｒｉｎｔｈｅａｄ）を製造することを記述
している。誘電体台の機能は、第一に抵抗素子のための
熱的Ｍ［ｒ台として働き、第二に抵抗体材料の高さを基
体より高くし、熱記録材料への接触を一層密接に行うこ
とができるようにすることの二つであるとして述べられ
ている。 アンテスその他は誘電体台を使用することによって大き
さ及び幾何学的形態の制御を遠戚できるとは述べておら
ず、実際アンテスその他の重ね構造ではそのような大き
さ及び幾何学的形状の制御を完全に行うことを妨げてい
る。 従って、厚膜抵抗器のプリントされた抵抗素子の大きさ
及び幾何学的形状を制御し、それによって−層均一な抵
抗特性を得る簡単で効率的な手段が依然として必要であ
る。 〔本発明の要約〕 その要求は、一体的抵抗素子の下に誘電体台を用い、プ
リントする表面の高さを直ぐそばの導線及び誘電体線よ
り高く上げることにより抵抗体の幾何学的形態を改良す
るようにした本発明にょって満足される。即ち、本発明
の層状厚膜抵抗器は、厚膜抵抗器に典型的に見出される
ようなセラミック基体、好ましくは焼成アルミナ基体の
如きセラミック基体を有するが、その基体上に直接プリ
ントされた導線及び抵抗素子を持つのではなく、一つ以
上の誘電体台が最初に形成されている。 各誘電体台（今後「誘電体台」と言う言葉は基体上に唯
一つの誘電体台しか存在していないことを意味するもの
ではない、しかし、成る場合には唯一つしか存在しなく
てもよい）は、約１０〜４０μの好ましい厚さに形成さ
れる。そのようなものとして、誘電体台の上表面は、基
体の表面より充分上に持ち上がっており、抵抗体の幾何
学的形態が改良されている。更に、この厚さの誘電体台
は基体の不均一な所を満たし、それを滑らかにしている
。典型的には基体表面は微視的には非常に粗いものであ
る。この粗さは厚さが常に変化しているため抵抗の変動
の一因になっている８台のために用いた誘電体材料は、
微視的表面の欠陥を満たすことにより抵抗体の下の表面
を滑らかにする。充分制御された厚さで付着が行われる
。このことは、直接書き込み装置を用いた場合に台を適
用するならば、特に重要になる（即ち、ダイヤモンド筆
針は、粗い基体表面の場合よりも少ない変動で台表面上
を動いて行くことができる）。 種々の方法によって誘電体台を形成することができる。 それは、厚膜誘電体インク及び既知の厚膜スクリーニン
グ法を用いてセラミック基体上にスクリーンプリントさ
れるのが好ましい、それは、ダイヤモンド筆針の後に続
くスロット又はノズルを用いた直接書き込み装置により
プリントしてもよい、別法として、それは、低温生テー
プ同時焼成法を用いるなどして、セラミック基体上に生
の誘電体テープを積層することにより形成してもよい、
それは、未焼成セラミツク基体に生のテープを適用する
か又は白領域を築き上げてから焼成するなどして、台を
基体中へ成形（ｍｏｌｄ）することにより誘電体台を形
成することもできる。 誘電体台をセラミック基体上に形成した後、導線及び抵
抗素子を形成する。この場合も厚膜プリアト法又は直接
書き込み装置により行われるのが好ましい６例えば、約
１０〜１３μ厚の導線がセラミ・ｙり基体の上及び誘電
体台の上表面の一部分の上にプリントされる。導線は台
表面の下には形成されないのが望ましい、なぜなら、そ
れらが誘電体台の下にプリントされると、抵抗体の厚さ
の不均一性が再び現れるからである。導電性抵抗器端子
が誘電体台の上表面上に形成されるのがよい。 抵抗素子の構成も臨界的である。各誘電体台は、誘電体
台の上表面と同じ広さ（即ち、誘電体台の上表面の外周
に重なったり、或は他のやり方でそれを越えて伸びてい
ることはない）の約１４〜１８μ厚の一体的抵抗素子（
即ち層状のものではない）を有すべきである。このやり
方でのみ本発明の改良された大きさ及び幾何学的形状の
制御を達成することができる。更に、同じ広さの一体的
抵抗素子は、抵抗材料の後処理（１０ちトリミング（ｔ
ｒｉ鵠ｍ１ｎｓ））が最も少なくてよいので、変動が少
ない。 次の面積抵抗の式： ％式％ 〔式中、ｒ＝面積抵抗率（材料の性質により一定になる
〉、Ｌ＝抵抗体の長さ、Ａ＝抵抗体の断面積（抵抗体の
幅×厚さ〉〕 を調べることにより、面積抵抗率を別として、抵抗値を
決定する全ての因子が幾何学的形態によって制御される
ことを知ることができる。このことは、大きさの変動が
僅かに減少しても抵抗変動に大きな改良がもたらされる
ことを意味している。 そのことが今度は電気回路構成部品が一層正確になり、
処理時間が短くなり、信頼性が改良されることになる０
本発明は、これらの事実の利点を有し、改良された厚膜
抵抗器を与える。 従って、本発明の目的は、一つの層として誘電体台を有
する層状構造を用いることにより改良された厚膜抵抗器
、及びそのような改良された厚膜抵抗器を製造するため
の方法を与えることである。 本発明の他の目的及び利点は、次の記載、図面及び特許
請求の範囲から明らかになるであろう。 〔好ましい態様についての詳細な記述〕図面に関し、そ
こには本発明に従って製造された層状厚膜抵抗器（１０
）の一部分が示されている。 図から分かるように基体（１２）は切り取られて示され
ており、好ましい態様としては複数の抵抗素子が存在す
るであろうが、第１図では唯一つしか示されていないこ
とがわかるであろう、基体（１２）は゛その上に誘電体
台（１４）が形成されているものとして示されている。 導線（１６）、（１６’）が基体（１２）及び誘電体台
（１４）の上表面の一部分の上に形成されている。抵抗
素子（１８）は、誘電体台（１４〉の上表面の上、及び
導ｍ　（１６）、（１６’　）ノｍ　ｔ　体台（１４）
ノ上表面上にある部分の上に形成されている。 基体（１２）は焼成されたアルミナ基体の如きセラミッ
ク基体であるのが好ましいが、ＳｉＮ、ＡＩＮ。 石英、鋼上の磁器、重合体基体の如き他の基体材料を用
いてもよい。 前述の如く、誘電体台（１４〉は数多くの方法によって
基体く１２）上に形成することができる。最も好ましい
方法として、プラウエア州つイルミントンのＥ、Ｉ　、
デュポン・ド・ヌマーズからのデュポン５７０４誘電体
の如き厚膜誘電体ペーストを、セラミック基体上に約１
０〜４０μの厚さにスクリーンプリント（−日録上の工
程で〉する０次にその複合体を８５０℃の最高温度で１
０分の６０分サイクル、又は８５０℃の最高温度で１０
分の３０分サイクルを用いて焼成してもよい０重合体基
体が用いられた場合、厚膜誘電体ペーストは、ペンシル
バニア州モンゴメリービルのＥＭＣＡ／ローム・アンド
・ハース社からのＰ　７１３０の如き重合体材料である
のが好ましい。 ＥＭＣＡによれば、Ｐ　７１３０はあらゆる固体及び半
固体基体及び全てのＥＭＣＡ重合体導電体及び抵抗と両
立することができる。　Ｐ７１３０は赤外線コンベアー
炉中で１７５℃で約３．５分で、又は空気循環対流型炉
で１６５℃で約３５分で炉中で硬化する。別の態様とし
て、誘電体台り１４）は、低温生テープ又は幾つかの生
テープの層を厚さ約１０〜４０μになるまで８Ｉ層する
ことにより形成してもよい、更に別の態様として、誘電
体台（１４）は、未焼成アルミナ基体中へ約１０〜４０
μ厚の台領域を成形し、次にそのアルミナ基体を焼成し
て焼結することにより形成してもよい、これらの方法の
組合せを用いて、希望の厚さまで誘電体台を積み重ねて
もよ１１１゜いずれにせよ、誘電体台を（１４）を基体
（１２）の上に形成した後、基体（１２）上及び誘電体
台（１４〉の上表面の一部の上に導線（１６）、（１６
’）をスクリーンプリントするのが好ましい、導ｍ１（
１６）、（１Ｂ’　）のための材料は特に限定的なもの
ではなく、セラミ・ツク基体が用いられた場合、厚膜回
路工業で典型的に用いられているような、金、銀、パラ
ジウム・銀、白金・金、又はパラジウム・金の合金系の
ｂｌずれかから選択してもよい、プラウエア州つイルミ
ントンのＥ、Ｉ　、デュポン・ド・ヌマーズからのデュ
ポン９４７６導電体ペーストの如き合金含有厚膜導電体
ペーストを、焼成アルミナ基体の如きセラミック基体と
共に用いてもよい、デュポン組成物９４７６は白金／パ
ラジウム／銀導電体ペーストで、ベルト炉中で８５０℃
の最高温度で５〜１０分にした６０分サイクルを用いて
焼成することができる。実際上最高温度はそのような導
電体材料の場合７６０℃〜９５０℃の範囲にすることが
できる０重合体基体を用いた場合、導電体材料はペンシ
ルバニア州モンゴメリービルのＥＭＣＡ／ローム・アン
ド・ハース社からのＰ　２４２２の如き重合体銀でもよ
い。 Ｐ　２４２２は、対流炉中で１６５℃で約３０分、赤外
線炉で１６５℃で約５〜７分で硬化する。得られた導線
（１６）、（ｔｏ’）は約１０〜１３μの厚さでよい。 抵抗素子（１８）は、次にスクリーンプリント法を用い
て形成される。セラミック基体が用いられた場合、抵抗
素子を作るのに用いられる材料は、Ｅ、Ｉ　、デュポン
・ド・ヌマーズから入手できるデュポン・ビロックス（
Ｂｉｒｏｘ）１９００系抵抗体ペーストのいずれかの如
き、Ｒｕ、　Ｐｄ、炭素、窒化タンタルを含む抵抗体ペ
ーストでもよい、ビロックス１９００抵抗体材料は、８
５０℃の最高温度で１０分間にした３０分焼成サイクル
で焼成することができる。 重合体基体を用いた場合、抵抗体材料はペンシルバニア
州モンゴメリービルのＥＭＣＡ／ローム・アンド・ハー
ス社からのＰ　３９００の如き重合体抵抗体インクでも
よい、　Ｐ３９００は赤外線炉中で２１０℃で約６分、
対流炉で２１０〜２２０℃で約１５〜２０分で硬化する
。いずれにせよ、得られた抵抗素子は約１４〜１８μの
厚さになるであろう。 次の実施例は例示的なものである。 実施例１ この例を研究するため選択された試験基体は、フォード
四輪アンチロックブレーキ（４ＷＡＬ）川原型設計板で
あった。これは、プリント表面の全ての領域中に位置し
て抵抗体が密にプリントされた大きな基体であるため選
択された。四つの試料が、誘電体台上にプリントされた
抵抗素子を有する２００個の母集団から無作為的に選択
され、セラミック基体上に直接プリントされた抵抗素子
を有する四つの試料と比較された０種々の方向及び位置
を有する五つの厚膜抵抗体を長さ及び幅の差について測
定し、それらの面積を計算し、四つの基体について平均
した０次にそれらを名目上の希望の値と比較した。 結果を次の表１に示す。 注： 次元は平方ミルである。 平均厚さ（２０試料） 名目：１２μ 誘電体台なし：　　１４．８２μ（名目値からの偏差値
＋２３．５％）（標準偏差：　２．７３μ）誘電体台あ
り：　　１２．４５μ（名目値からの偏差値＋３．７５
％〉（標準偏差：　２．３２μ）６− 誘電体台をもたない厚膜抵抗体についての面積の名目値
からの差は、＋６．３％〜＋２８％の範囲であったのに
対し、誘電体台を持つ厚膜抵抗体は、＋４．２％〜７．
７％の差であった。二つの方法についての面積測定値の
平均標準偏差の比較もかなり重要であり、セラミック基
体上に直接プリントした抵抗素子を有する厚膜抵抗体の
場合３．１８７平方ミルであるのに対し、誘電体台上に
プリントした抵抗素子を有する抵抗体の場合、０．５６
５平方ミルであった。 これら両方の試料についての厚さの測定値は、平均して
、誘電体を有する厚膜抵抗器は、少し小さい標準偏差で
希望の名目値に一層近くプリントされたことを示してい
る。厚みの形状を目で調べると、プリントした抵抗素子
の縁に沿って観察されるのが典型的な不均一性は、誘電
体台上にプリントされた抵抗素子では著しく減少してい
るが又は無くなっていることが認められた。 裸のセラミック基体上にプリントした抵抗素子を有する
厚膜抵抗器と、誘電体台上にプリントされた抵抗素子を
有するものとについても比較が行われた。目で見て二つ
の方法の間には著しい差を認めることができた。誘電体
台上にプリントされた抵抗素子を有する厚膜抵抗器の幾
何学的形態は均一に見えたが、裸のセラミック基体上に
同じ領域中にプリントした抵抗素子を有するものは形の
崩れた縁を持っていた。 実施例２ 抵抗素子の下の成る厚さの誘電体台により熱的通路が増
大するので、成る低Ω値の抵抗器について、−時的高電
圧〔負荷ダンプ（ｄｕｍｐ）　）状態で発生する熱を放
散させる能力に関して幾らか関心が持たれている。先ず
、誘電体台上にプリントされた抵抗素子を有する厚膜抵
抗器の挙動と、裸のセラミック基体上にプリントした抵
抗素子を有するものとを比較し、そして第二に、負荷ダ
ンプ状態に曝すことができる、誘電体台上にプリントさ
れた抵抗素子の大きさを定めるための設計基準を得る実
験が考えられた。 この試験は、フォード・モー、ター社で現在製造されて
いるＴＦＩ回路に従って設計された。この製品上のＲ１
２は５５Ωの抵抗器で、それは成る条件下で一時的高電
圧の電気的応力に曝すことができる。その抵抗器はデュ
ポン１６００又は６２００系抵抗体ペーストを用いてプ
リントされ、５０Ｗ／ｉｎ２の放散ができる大きさにな
っている。更に、１８Ｖツエーナーダイオードによって
回路のこの部分が保護されていた。ベースラインとして
、現在の製造工程からトリミングされていない試料を引
き出し、レーザーでトリミングし、基板ヘエボキシで付
着し、負荷ダンプ試験（フォード仕様書、＃ＥＳ−Ｅ３
　Ｅ　Ｆ−１２Ａ２９７−Ａ　Ａ　Ｒｅｖ、　Ｃ１室温
）に掛けた。 この厚膜抵抗器は、裸のアルミナ基体上にプリントされ
、レーザー（Ｌ）切削を用いてトリミングされたた抵抗
素子を有するものであり、それらは現在この試験に合格
している。試験された試料の全てがこの試料に合格した
。 次に、Ｒ１２、ダイオード及び基板だけを有する試料基
体を製造した。抵抗器の大きさは５０Ｗ／ｉｎ”から２
５Ｗ　／　ｉｎ’までＩＯＷ／ｉ’ｎ”ずつ増加させて
変化させた。全ての抵抗素子は、デュポン１９００系抵
抗体混合ペーストを用いて、１層又は２層の焼成デュポ
ン５７０４誘電体台の上にプリントされ、５５Ωヘトリ
ミングされた。これらの部品のためのトリミング深さは
誘電体台中へ約５０％であった。試料を抵抗ドリフトに
ついて測定し、トリミング末端のＳＥＭ写真を負荷ダン
プに曝す前及び曝した後の両方で撮った。 結果を下の表２に示す。 抵抗器仕様 １６００ペースト １６００ペースト １９００ペースト、トリミング無し １層誘電体 ２層誘電体 １９００ペースト、８０Ω／スクエアーに混合１層誘電
体 ２層誘電体 艮又 大きさ 聾Ｊｈユ ０ ０ ０ ０ ０ ０ Ｒ（前〉 菖Ｉυ− ５４，５６ ５４，７７ ５３，６１ ５５，１０ ５５，０２ ５５，０６ Ｒ（後〉 」エリ− ５４，５５ ５４，８７ ５３，５９ ５５，１６ ５６，５７ ５８，４３ 変化 ユ且と −０，０１ ＋０．１０ 開口 １ ０ −０．０２　　　　０ ＋０．０６　　　　　。 ＋１．５５　　　　０ ＋３．３７　　　　３ 抵抗器仕様 □−−３［ユ 大きさ　　Ｒ（前）　　Ｒ（後）　　変化　　開口／　
Ｗ　／　：　−２ゝ　ユ立Ｌ　ユ立［ユ立ＬＪｕ１９０
０ペースト、８０Ω／スクエアーに混合１層誘電体　　
　　　　　　　　　　　４０２層誘電体　　　　　　　
　　　　　　４０１９００ペースト、８０Ω／スクエア
ーに混合１層誘電体　　　　　　　　　　　　　２５２
層誘電体　　　　　　　　　　　　　２５★★ここで見
られた損傷は、１は欠陥ダイオード、２により起こされ
たことを示す。 注二　各データー点は、５５個の試料の平均値を表す。 ５５．１１ ５５．１６ ５８．３３　　　　＋１．２２　　　　　。 ５７．８０　　　　＋２．６４　　　　１５５．１３　
　　５５．１８　　　　＋０．０５　　　　０５５．０
９　　　５５．１６　　　　＋０．０７　　　　０は試
料への偶然的逆バイアス印加 抵抗器についての値の変化は、１層及び２Ｍの誘電体台
の両方について２５Ｗ／ｉｎ”の大きさにした時の対照
群に近付いていることに注意すべきである。目で調べて
見ると、典型的な損傷状態、即ちレーザートリミングし
た端から生じ、抵抗体を通って伝播している微細な亀裂
を有するトリミングした端部を示していた。 実施例３ 本発明の層状厚膜抵抗器の他の領域の検査には、それら
の熱老化安定性についての評価が含まれていた。その実
験は次のように行われた。デュポン１９００系抵抗体ペ
ースト（ＩＫ、ＩＯＫ、及び１００にΩの値を持つ）を
、１層及び２層のデュポン５７０４誘電体から形成され
た誘電体台の上にプリントした。 ｏ、ｏｓｏ”ｘ　ｏ、ｏｓｏ“、及びｏ、ｏｓｏ″ｘｏ
、ｏｓｏ“の大きさの抵抗体を、ａ）　）リミングしな
いままにしておくか、ｂ）　Ｌ切削を用いてそれらの値
の２倍にトリミングするか、又はＣ〉抵抗体幅の５０％
を単一プランジ（ｐｌｕｎｇｅ）を用いて切削した０次
に各々の・１０個の試料を１５０℃で１０００時間熱老
化させた。６枚の板の対照群を窒素中に保存し、熱老化
させなかった。 結果を下の表３に示す。 表から分かるように、抵抗体群の全てが、熱老化安定性
が僅かに増大し、ＩＯＫΩ２層群は１．０８８％の最大
の平均増加を示していた。全体的に、単一プランジ切削
試料は＋０．１８％の平均変化を示していたのに対し、
最初の値の２倍にトリミングした抵抗体は＋０．４４％
の平均差を示していた。トリミングしていない抵抗体は
、プランジ切削群と同様に挙動し、０．１８％の増加を
示していた。対照群に０．０８％の増加が観察されたが
、恐らく装置の測定誤差によるものである。上の実施例
１〜３の結果から次の結論が得られる。 １）クロスオーバー（ｃｒｏｓｓｏｖｅｒ）の近辺で、
誘電体台の上にプリントした抵抗素子を有する厚膜抵抗
体の大きさ及び厚さの均一性は、裸のセラミック基体上
にプリントした抵抗素子を有する同様な厚膜抵抗対照に
比較すると、著しく改良されている。 ２）高電圧の電気的応力状態く負荷ダンプ状態で見られ
るようなもの）に曝すことができる低Ω値の抵抗体ペー
ストを用いて作られた厚膜抵抗器は、裸のアルミナ基体
上にプリントした抵抗素子を有する５０Ｗ／ｉｎ２の厚
膜抵抗器と同様な性能を望むならば、２５Ｗ／ｉｎ２の
大きさにすべきである。 ２層の誘電体の誘電体台上にプリントした抵抗素子を有
する厚膜抵抗体は一層ドリフトする傾向があり、単一誘
電体層の上にプリントしたものよりも一層破滅的な損傷
を受けている。破滅的な損傷（５％より大きな値の変化
を起こすか、又は実際に開回路を起こした抵抗器として
定義される）が、負荷ダンプ試験中に観察された。これ
らの場合の典型的な損傷状態は、レーザートリミングし
た端から生じ、抵抗器中に伝播したひどい微細な亀裂で
ある。 ３）１５０℃１０００時間の熱老化にかけた抵抗体は抵
抗が増大する方向に僅かにドリフトした。そのドリフト
はＩＫΩ１層試料の十〇、ＯＳ％からＩＯＫΩ２層群の
１．０８８％までの範囲であった。最初の値の２倍にト
リミングした抵抗器は、単一プランジで抵抗体の５０％
をトリミングしたものよりも一層大きくドリフトした。 殆どの場合、誘電体台中の誘電体層が一つと二つの場合
について、誘電体台の上にプリントした抵抗器のドリフ
Ｉ・には差は見出されなかった。 本発明をその好ましいｉ様に関連して詳細に記述してき
たが、特許請求の範囲に規定した本発明の範囲から離れ
ることなく他の修正及び変更を行えることは明らかであ
ろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の層状厚膜抵抗器の概略的断面図であ
る。 １〇−抵抗器、　　１２−基体、　　１４−誘電体台、
１６．１６’−導線、　１８−抵抗素子。

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体、 前記基体上に形成された、前記基体の表面よりも高くな
   つた上表面を有する誘電体台、 前記誘電体台の上表面上にそれと同じ広さで存在する一
   体的抵抗素子、及び 前記基体上、及び前記一体的抵抗素子の一部と前記誘電
   体台の上表面の一部との間にある導線、を有する層状厚
   膜抵抗器。
2. （２）基体がセラミック基体である請求項１に記載の層
   状厚膜抵抗器。
3. （３）セラミック基体が焼成アルミナ基体である請求項
   ２に記載の層状厚膜抵抗器。
4. （４）誘電体台がセラミック基体中へ成形されている請
   求項２に記載の層状厚膜抵抗器。
5. （５）誘電体台が、基体上にプリントされた厚膜誘電体
   ペーストから形成されている請求項１に記載の層状厚膜
   抵抗器。
6. （６）誘電体台が、基体上に積層された生の誘電体テー
   プから形成されている請求項１に記載の層状厚膜抵抗器
   。
7. （７）誘電体台が約１０〜約４０μの厚さを持つ請求項
   １に記載の層状厚膜抵抗器。
8. （８）一体的抵抗素子が約１４〜約１８μの厚さを持つ
   請求項７に記載の層状厚膜抵抗器。
9. （９）厚膜抵抗器が、誘電体台の上及び導線を越えて直
   接厚膜抵抗体ペーストをスクリーンプリントすることに
   より形成されている請求項８に記載の層状厚膜抵抗器。
10. （１０）セラミック基体が焼成アルミナ基体であり、誘
    電体台が前記焼成アルミナ基体上に約１０〜４０μの厚
    さにプリントされた厚膜誘電体ペーストから形成され、
    一体的抵抗素子が前記誘電体台の上及び約１０〜１３μ
    の厚さの導線を越えて直接約１４〜１８μの厚さに厚膜
    抵抗体ペーストをスクリーンプリントすることにより形
    成されている請求項１に記載の層状厚膜抵抗器。
11. （１１）層状厚膜抵抗器を製造する方法において、ａ）
    基体を与え、 ｂ）前記基体上に誘電体台を形成し、前記基体の表面よ
    り高くなつた前記誘電体台の上表面を与え、 ｃ）前記基体及び前記誘電体台の上表面の一部上に導線
    をプリントし、そして ｄ）前記誘電体台の上表面と同じ広さに、前記誘電体台
    上の導線を越えて一体的抵抗素子をプリントする、 ことからなる層状厚膜抵抗器の製造方法。
12. （１２）基体がセラミック基体である請求項１１に記載
    の方法。
13. （１３）セラミック基体が焼成アルミナ基体である請求
    項１２に記載の方法。
14. （１４）誘電体台が、セラミック基体上に厚膜誘電体ペ
    ーストをプリントすることにより形成される請求項１２
    に記載の方法。
15. （１５）誘電体台が、基体上に生の誘電体テープを積層
    することにより形成されている請求項１２に記載の方法
    。
16. （１６）誘電体台が、焼成する前のセラミック基体中へ
    誘電体台を成形することにより形成される請求項１２に
    記載の方法。
17. （１７）誘電体台、導線及び一体的抵抗素子がスクリー
    ンプリントにより形成されている請求項１２に記載の方
    法。
18. （１８）誘電体台が約１０〜４０μの厚さにスクリーン
    プリントされている請求項１７に記載の方法。
19. （１９）一体的抵抗素子が約１４〜１８μの厚さにスク
    リーンプリントされている請求項１８に記載の方法。
20. （２０）導線が約１０〜１３μの厚さにスクリーンプリ
    ントされている請求項１９に記載の方法。