JPH0371656A - 単結晶マグネシアスピネル膜の形成方法 - Google Patents
単結晶マグネシアスピネル膜の形成方法Info
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- JPH0371656A JPH0371656A JP20814989A JP20814989A JPH0371656A JP H0371656 A JPH0371656 A JP H0371656A JP 20814989 A JP20814989 A JP 20814989A JP 20814989 A JP20814989 A JP 20814989A JP H0371656 A JPH0371656 A JP H0371656A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、絶縁層上に単結晶Ｓｉ膜が形成されたＳ Ｏ
Ｉ （Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎ５ｕｌａｔｏｒ）
構造の絶縁層として用いられる単結晶マグネシアスピネ
ル膜の形成方法に関する。
Ｉ （Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎ５ｕｌａｔｏｒ）
構造の絶縁層として用いられる単結晶マグネシアスピネ
ル膜の形成方法に関する。
（ロ）従来の技術
５ＯＩｔＪｌ造は、素子分離が容易である、寄生容量を
小さくできる、ラッチアップ耐性がある等の特徴を有し
、半導体集積回路の高集積化、高速化が図れるものとし
て知られており、研究開発が盛んに行われている。なか
でも、Ｓｉ基板上に単結晶絶縁膜をエピタキシャル成長
させ、その上に単結晶Ｓｉ膜をエピタキシャル成長させ
る方法は、大面積のＳＯＩ基板を作成するのに適してい
る。
小さくできる、ラッチアップ耐性がある等の特徴を有し
、半導体集積回路の高集積化、高速化が図れるものとし
て知られており、研究開発が盛んに行われている。なか
でも、Ｓｉ基板上に単結晶絶縁膜をエピタキシャル成長
させ、その上に単結晶Ｓｉ膜をエピタキシャル成長させ
る方法は、大面積のＳＯＩ基板を作成するのに適してい
る。
単結晶絶縁膜として、Ｃａ Ｆ ｓ、ＢＰ、ＳｒＯｌＭ
ｇＡ １１０４ （ＭｇＯ−Ａ １１０ ｍ）などの研
究がなされている。なかでも、マグネシアスピネル（Ｍ
ｇＯ・ＡＩ＝Ｏｓ）は、Ｓｉとの格子不整合率が０．８
％と小さく、更に残留応力も小さいことから、５Ｏ８（
Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ５ａｐｐｈｉｒｅ）に比べて高
品質なＳＯＩ基板が得られる可能性が高い。
ｇＡ １１０４ （ＭｇＯ−Ａ １１０ ｍ）などの研
究がなされている。なかでも、マグネシアスピネル（Ｍ
ｇＯ・ＡＩ＝Ｏｓ）は、Ｓｉとの格子不整合率が０．８
％と小さく、更に残留応力も小さいことから、５Ｏ８（
Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ５ａｐｐｈｉｒｅ）に比べて高
品質なＳＯＩ基板が得られる可能性が高い。
Ｍ ｇ Ａ １１０４は、ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａ
ｌ ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて、
（１００）面を主面とするＳｉ基板上にヱピタキシャル
成長させることができる。そして、成長したＭｇＡ ＋
、０１膜を、酸化性雰囲気中で熱処理することにより、
結晶性の向上が図られ、更にＭｇＡ ＋１０１／ Ｓ
ｉ界面が酸化されて絶縁特性の向上が図られることが報
告されている（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ
ｏｆ ｔｈｅ ｔｓｔｈ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｅｅ ｏ
ｎ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ
Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、Ｔｏｋｙｏ、 １９８３． ｐ
ｐ、 ３１〜３４参照）。
ｌ ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて、
（１００）面を主面とするＳｉ基板上にヱピタキシャル
成長させることができる。そして、成長したＭｇＡ ＋
、０１膜を、酸化性雰囲気中で熱処理することにより、
結晶性の向上が図られ、更にＭｇＡ ＋１０１／ Ｓ
ｉ界面が酸化されて絶縁特性の向上が図られることが報
告されている（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ
ｏｆ ｔｈｅ ｔｓｔｈ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｅｅ ｏ
ｎ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ
Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、Ｔｏｋｙｏ、 １９８３． ｐ
ｐ、 ３１〜３４参照）。
熱処理によるＭ ｇ Ａ Ｉ ｔ ０４膜の結晶性は、
高温で熱処理を行うほど向上するが、例えば１２００℃
で熱処理を行うとＭｇＡ １１０４膜の表面が荒れ、そ
の表面層の結晶性はかえって悪くなってしまう。
高温で熱処理を行うほど向上するが、例えば１２００℃
で熱処理を行うとＭｇＡ １１０４膜の表面が荒れ、そ
の表面層の結晶性はかえって悪くなってしまう。
そこで、特願昭６３−２５７４８２号では、最初１００
０℃以下の温度で熱処理を行ってＭｇＡ １１０４／
Ｓ ｉ界面に酸化膜を形成した後、１２００℃ぐらいの
温度で２時間の熱処理を行うことで、表面の荒れを防い
で結晶性の向上を図っている。
０℃以下の温度で熱処理を行ってＭｇＡ １１０４／
Ｓ ｉ界面に酸化膜を形成した後、１２００℃ぐらいの
温度で２時間の熱処理を行うことで、表面の荒れを防い
で結晶性の向上を図っている。
（ハ）発明が解決しようとする課題
しかしながら、ＳＯＩ構造の適用、即ち、下層のＳｉ基
板にデバイスを作成し、その上にＭ ｇ Ａ １ ＊０
４膜を形成し、更にそのＭ ｇ Ａ １ ＊ Ｏ＋膜上
に上層の８１層を形成してこの層にデバイスを作成する
ことを考慮した場合、１２００℃で数時間の熱処理は、
ＭｇＡ ｌｔｏ ４膜の下層のＳｉ基板に形成されたデ
バイスに悪影響を及ぼし、デバイスの特性劣化や素子破
壊を引き起こす虞があった。
板にデバイスを作成し、その上にＭ ｇ Ａ １ ＊０
４膜を形成し、更にそのＭ ｇ Ａ １ ＊ Ｏ＋膜上
に上層の８１層を形成してこの層にデバイスを作成する
ことを考慮した場合、１２００℃で数時間の熱処理は、
ＭｇＡ ｌｔｏ ４膜の下層のＳｉ基板に形成されたデ
バイスに悪影響を及ぼし、デバイスの特性劣化や素子破
壊を引き起こす虞があった。
本発明は、斯様な点に鑑みて為されたもので、下層デバ
イスへ悪影響を及ぼすことなく、結晶性の良いＭ ｇ
Ａ Ｉ ＊ Ｏ＋膜を形成するものである。
イスへ悪影響を及ぼすことなく、結晶性の良いＭ ｇ
Ａ Ｉ ＊ Ｏ＋膜を形成するものである。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明は、単結晶Ｓｉ層上に単結晶Ｍ ｇ Ａ ｌ １
０１膜を形成し、酸化性雰囲気中で、単結晶Ｍ ｇ Ａ
Ｉ ＊Ｏ１膜の表面に荒れが発生しない温度で第１の
熱処理を行い、次いで該単結晶ＭｇＡ ｔｗｏ ４膜を
第１の熱処理における温度より高い温度に瞬時的に昇温
して、第２の熱処理を短時間の間、行うものである。
０１膜を形成し、酸化性雰囲気中で、単結晶Ｍ ｇ Ａ
Ｉ ＊Ｏ１膜の表面に荒れが発生しない温度で第１の
熱処理を行い、次いで該単結晶ＭｇＡ ｔｗｏ ４膜を
第１の熱処理における温度より高い温度に瞬時的に昇温
して、第２の熱処理を短時間の間、行うものである。
（ホ）作用
第１の熱処理により、ＭｇＡｌ＊０＋とＳｉ層との界面
に、ＭｇＡＬ０４膜の表面を荒らす原因となるＳｉ原子
の移動を阻止する５ｉＯ＝膜が形成され、第２の熱処理
により、第１の熱処理で形成されたＳｉｎ、膜にてＳｉ
原子のＭｇＡ１１０１膜への移動が阻止されて、表面が
荒れることなく、Ｍ ｇ Ａ Ｉ ＊ ０４膜の結晶性
の改善がされる。これら熱処理において、ＭｇＡ Ｉ！
０１膜を形成したＳｉ層を高温に曝す時間は非常に短い
ので、このＳｉ層に悪影響は及ばない。
に、ＭｇＡＬ０４膜の表面を荒らす原因となるＳｉ原子
の移動を阻止する５ｉＯ＝膜が形成され、第２の熱処理
により、第１の熱処理で形成されたＳｉｎ、膜にてＳｉ
原子のＭｇＡ１１０１膜への移動が阻止されて、表面が
荒れることなく、Ｍ ｇ Ａ Ｉ ＊ ０４膜の結晶性
の改善がされる。これら熱処理において、ＭｇＡ Ｉ！
０１膜を形成したＳｉ層を高温に曝す時間は非常に短い
ので、このＳｉ層に悪影響は及ばない。
（へ）実施例
第１図は、本発明の一実施例の工程説明図である。
（１）は（１００）面を主面とする単結晶Ｓｉ層として
の単結晶Ｓｉ基板で、該基板（１）上に、ｒ！ｃ長温度
９２０℃とするＡ Ｉ−ＨＣＩ−ＭｇＣＬ＋−Ｃ０１Ｈ
！系の気相エピタキシャル成長方法により、成長遠度１
０ｎｍ／ｍｉｎで２０分間、ｇ厚約２００ｎｍの単結晶
ＭｇＡＬＯ＋膜（２）を形成する（第１図Ａ）。成長じ
たＭｇＡｌ＊ＣＬ膜（２）の表面は、微細な島状の凹凸
状態となっている。
の単結晶Ｓｉ基板で、該基板（１）上に、ｒ！ｃ長温度
９２０℃とするＡ Ｉ−ＨＣＩ−ＭｇＣＬ＋−Ｃ０１Ｈ
！系の気相エピタキシャル成長方法により、成長遠度１
０ｎｍ／ｍｉｎで２０分間、ｇ厚約２００ｎｍの単結晶
ＭｇＡＬＯ＋膜（２）を形成する（第１図Ａ）。成長じ
たＭｇＡｌ＊ＣＬ膜（２）の表面は、微細な島状の凹凸
状態となっている。
次いで、酸化性雰囲気として加湿窒素雰囲気中で、抵抗
加熱炉による９００℃の温度での熱処理を４時間行う。
加熱炉による９００℃の温度での熱処理を４時間行う。
すると、ＭｇＡ ｌｔｏ ＊／ Ｓ ｉ界面にＳｉＯ２
膜（３）が数百ｎｍ （およそ２００膜ｍ）形成される
（第１図Ｂ） 。この時、ＭｇＡ Ｉ−０＋ｎ’Ｊ （
２） ノ表面は、ＭｇＡ１１０４膜（２）成長時と余り
変化はない。
膜（３）が数百ｎｍ （およそ２００膜ｍ）形成される
（第１図Ｂ） 。この時、ＭｇＡ Ｉ−０＋ｎ’Ｊ （
２） ノ表面は、ＭｇＡ１１０４膜（２）成長時と余り
変化はない。
続いて、加湿窒素雰囲気中で、赤外線ランプで基板を瞬
時的に１２００℃まで昇温し、１０秒間加熱する（所謂
、Ｒ，Ｔ、Ａ （Ｒａｐｉｄｌｙ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａ
ｎｎｅａｌ）を行う〉 （第１図Ｃ〉。この結果、Ｍｇ
Ａ ＩイＯ１膜（２′）の表面は、島状の凹凸がなくな
り、非常に平坦な表面となる。
時的に１２００℃まで昇温し、１０秒間加熱する（所謂
、Ｒ，Ｔ、Ａ （Ｒａｐｉｄｌｙ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａ
ｎｎｅａｌ）を行う〉 （第１図Ｃ〉。この結果、Ｍｇ
Ａ ＩイＯ１膜（２′）の表面は、島状の凹凸がなくな
り、非常に平坦な表面となる。
これは、最初の熱処理により形成される、ＭｇＡＬＯ４
（２）とＳｉ基板（１）との界面のＳｉｎ。
（２）とＳｉ基板（１）との界面のＳｉｎ。
膜（３）が、Ｍ ｇ Ａ １ ＊ ０４膜の表面を荒ら
す原因となるＳｉ原子の移動を阻止し、次の熱処理にお
いて、表面が荒れることなく、Ｍ ｇ Ａ Ｉ １０４
膜の結晶性の改善がされると考えられる。
す原因となるＳｉ原子の移動を阻止し、次の熱処理にお
いて、表面が荒れることなく、Ｍ ｇ Ａ Ｉ １０４
膜の結晶性の改善がされると考えられる。
さて、斯様にして形成したＭｇＡ ｌｔｏ ４膜（２゛
）のＸ線回折（ＭｇＡ １ｓ０４膜（４００）のＸ線回
折）のロッキングカーブの半値幅は１．０９°で、成長
時のＭｇＡ １．０ 、膜（４００）のＸ線回折のロッ
キングカーブの半値幅は１．３７°、９００℃で４時間
の熱処理終了時では１．２３°であり、良好な結晶性が
得られている酸化雰囲気中１２００℃で２時間の熱処理
を行ったＭｇＡＬＯ＜膜（４００）の線回折のロッキン
グカーブの半値幅０．９４°と比較して遜色ない値とな
っている。即ち、結晶性が改善され、良好なものとなっ
ている。
）のＸ線回折（ＭｇＡ １ｓ０４膜（４００）のＸ線回
折）のロッキングカーブの半値幅は１．０９°で、成長
時のＭｇＡ １．０ 、膜（４００）のＸ線回折のロッ
キングカーブの半値幅は１．３７°、９００℃で４時間
の熱処理終了時では１．２３°であり、良好な結晶性が
得られている酸化雰囲気中１２００℃で２時間の熱処理
を行ったＭｇＡＬＯ＜膜（４００）の線回折のロッキン
グカーブの半値幅０．９４°と比較して遜色ない値とな
っている。即ち、結晶性が改善され、良好なものとなっ
ている。
第２図に、Ｍ ｇ Ａ ＋ １０４膜を成長させた基板
の電流−電界特性を示す。第２図において、ａはＭｇＡ
１．０ 、膜を成長させた時点のもの、ｂはａのＭｇ
Ａ ｌ ！ ０４膜に９００℃、４時間の熱処理を行っ
たもの、Ｃは本発明によるｂに更に１２００℃、１０秒
の熱処理を行ったものの電流−電界特性である。
の電流−電界特性を示す。第２図において、ａはＭｇＡ
１．０ 、膜を成長させた時点のもの、ｂはａのＭｇ
Ａ ｌ ！ ０４膜に９００℃、４時間の熱処理を行っ
たもの、Ｃは本発明によるｂに更に１２００℃、１０秒
の熱処理を行ったものの電流−電界特性である。
ｂの電流−電界特性の立ち上がりは、ａに比べ高電界側
にシフトしており、絶縁特性が向上していることが分か
る。これは、ＭｇＡ１．Ｏ，膜／ Ｓ ｉ基板界面にＳ
ｉｏ 、膜が形成されたためと考えられる。そして、
Ｃでは更に高電界側にシフトしており、より絶縁特性が
向上している。
にシフトしており、絶縁特性が向上していることが分か
る。これは、ＭｇＡ１．Ｏ，膜／ Ｓ ｉ基板界面にＳ
ｉｏ 、膜が形成されたためと考えられる。そして、
Ｃでは更に高電界側にシフトしており、より絶縁特性が
向上している。
第３図、第４図は、ＭｇＡ１＊０４膜を用いたＭＩＳダ
イオードのＩＭＨｚにおけるＣ−■特性を示すものであ
る。第３図はＳｉ基板上にＭｇＡ ］ｔ０４膜を成長さ
せただけのものによるＣ−■特性図、第４図は本発明に
よる９００℃で４時間、１２００℃で１０秒の熱処理を
行ったものによるＣ−■特性図である。
イオードのＩＭＨｚにおけるＣ−■特性を示すものであ
る。第３図はＳｉ基板上にＭｇＡ ］ｔ０４膜を成長さ
せただけのものによるＣ−■特性図、第４図は本発明に
よる９００℃で４時間、１２００℃で１０秒の熱処理を
行ったものによるＣ−■特性図である。
第３図のものでは表面準位の全電荷量は、Ｑ ｓｓ＝
１．９８Ｘ １０’ ”ｃｍ−”であり、第４図のもの
ではＱ ５ｓ＝４．６６Ｘ １０”ｃｍ−”と減少して
いる。第４図テハ、第３図に比べてフラットバンド電圧
のシフト量（バイアス電圧Ｏを基準とする）も減少して
おり、本発明により形成したＭｇＡ１＊Ｏ＋膜は、表面
準位の低減も図られている。このため、このＭｇＡｔ
＊ ０４膜上にＳｉ膜を形成したＳＯＩ構造において、
Ｓ ｉ／ Ｍ ｇ Ａ １ ！ ０４界面にバックチャ
ネルが形成されることを抑えることができる。
１．９８Ｘ １０’ ”ｃｍ−”であり、第４図のもの
ではＱ ５ｓ＝４．６６Ｘ １０”ｃｍ−”と減少して
いる。第４図テハ、第３図に比べてフラットバンド電圧
のシフト量（バイアス電圧Ｏを基準とする）も減少して
おり、本発明により形成したＭｇＡ１＊Ｏ＋膜は、表面
準位の低減も図られている。このため、このＭｇＡｔ
＊ ０４膜上にＳｉ膜を形成したＳＯＩ構造において、
Ｓ ｉ／ Ｍ ｇ Ａ １ ！ ０４界面にバックチャ
ネルが形成されることを抑えることができる。
また、デバイスを作成したＳｉ基板上にＭ ｇ Ａ ］
ｔ０４膜を形成し、更にそのＭｇＡ１＊Ｏ＜膜上にＳ
ｉ膜を形成してＳＯＩ構造を構築する場合、まず、Ｓｉ
基板上に下層のデバイスを形成した後、デバイスを保護
膜で覆い、Ｓｉ基板の単結晶面をシードとして形成した
デバイス上に単結晶Ｓｉ膜を全面に同相成長させる。そ
して、その上に本発明によるＭｇＡ １１０４膜をエピ
タキシャル成長及び熱処理を行い、そのＭｇＡｔｗｏ４
膜上に単結晶Ｓｉ膜を成長させ、最後に、その単結晶Ｓ
ｉ膜に上層のデバイスが形成される。
ｔ０４膜を形成し、更にそのＭｇＡ１＊Ｏ＜膜上にＳ
ｉ膜を形成してＳＯＩ構造を構築する場合、まず、Ｓｉ
基板上に下層のデバイスを形成した後、デバイスを保護
膜で覆い、Ｓｉ基板の単結晶面をシードとして形成した
デバイス上に単結晶Ｓｉ膜を全面に同相成長させる。そ
して、その上に本発明によるＭｇＡ １１０４膜をエピ
タキシャル成長及び熱処理を行い、そのＭｇＡｔｗｏ４
膜上に単結晶Ｓｉ膜を成長させ、最後に、その単結晶Ｓ
ｉ膜に上層のデバイスが形成される。
以上のようにＳＯＩ構造を構築する場合、本発明による
ＭｇＡ １＊Ｏ＋膜を形成する工程において、下層デバ
イスの特性劣化を引き起こすような加熱は行われない。
ＭｇＡ １＊Ｏ＋膜を形成する工程において、下層デバ
イスの特性劣化を引き起こすような加熱は行われない。
また、ＭｇＡ ＋１０１膜の存在により、ＭｇＡ １！
０４膜より下の層から上の層への不純物の拡散が防止さ
れる。
０４膜より下の層から上の層への不純物の拡散が防止さ
れる。
（ト）発明の効果
本発明は、以上の説明から明らかな如く、熱処理を２段
階に分けて行うことにより、Ｍ ｇ Ａ ｌ ｓ Ｏ４
膜の表面層の膜質を低下させることなく、ＭｇＡ １、
Ｏ１膜の表面の平坦化と結晶性の向上が図られる。そし
て、Ｍ ｇ Ａ １ ｘ Ｏ＋膜の高温への昇温加熱は
、瞬時に、短時間であるので、下層に形成されたデバイ
スの特性劣化を避けることができる。
階に分けて行うことにより、Ｍ ｇ Ａ ｌ ｓ Ｏ４
膜の表面層の膜質を低下させることなく、ＭｇＡ １、
Ｏ１膜の表面の平坦化と結晶性の向上が図られる。そし
て、Ｍ ｇ Ａ １ ｘ Ｏ＋膜の高温への昇温加熱は
、瞬時に、短時間であるので、下層に形成されたデバイ
スの特性劣化を避けることができる。
更に、斯様にして得られた単結晶ＭｇＡ Ｉｔｏ ４膜
上に良質な単結晶Ｓｉ膜を成長させることができ、良好
なデバイス特性の得られる高品質なＳＯＩ基板を得るこ
とが可能になる。
上に良質な単結晶Ｓｉ膜を成長させることができ、良好
なデバイス特性の得られる高品質なＳＯＩ基板を得るこ
とが可能になる。
第１図は本発明一実施例の工程説明図、第２図はＭｇＡ
Ｉｔｏ ＜膜の電流−電界特性図、第３図及び第４図
はＳｉ基板上に形成したＭｇＡ ｔｔｏ ４膜を用いた
ＭＩＳダイオードのＣ−■特性を示す図である。 （１）・・・単結晶Ｓｉ基板（単結晶Ｓｉ層）、（２）
、（２′）・・・単結晶ＭｇＡ１ｔ０４膜、（３）・・
・Ｓ ｉＯ＝膜。
Ｉｔｏ ＜膜の電流−電界特性図、第３図及び第４図
はＳｉ基板上に形成したＭｇＡ ｔｔｏ ４膜を用いた
ＭＩＳダイオードのＣ−■特性を示す図である。 （１）・・・単結晶Ｓｉ基板（単結晶Ｓｉ層）、（２）
、（２′）・・・単結晶ＭｇＡ１ｔ０４膜、（３）・・
・Ｓ ｉＯ＝膜。
Claims (2)
- （１）単結晶シリコン層上に単結晶マグネシアスピネル
膜を形成し、酸化性雰囲気中で、単結晶マグネシアスピ
ネル膜の表面に荒れが発生しない温度で第１の熱処理を
行い、次いで該単結晶マグネシアスピネル膜を第１の熱
処理における温度より高い温度に瞬時的に昇温して、第
２の熱処理を短時間の間、行うことを特徴とする単結晶
マグネシアスピネル膜の形成方法。 - （２）第１の熱処理の温度は１０００℃以下で、第２の
熱処理の温度は約１２００℃であることを特徴とする請
求項１記載の単結晶マグネシアスピネル膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20814989A JPH0371656A (ja) | 1989-08-10 | 1989-08-10 | 単結晶マグネシアスピネル膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20814989A JPH0371656A (ja) | 1989-08-10 | 1989-08-10 | 単結晶マグネシアスピネル膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0371656A true JPH0371656A (ja) | 1991-03-27 |
Family
ID=16551454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20814989A Pending JPH0371656A (ja) | 1989-08-10 | 1989-08-10 | 単結晶マグネシアスピネル膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0371656A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004158717A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Fujitsu Ltd | 薄膜積層体、その薄膜積層体を用いた電子装置及びアクチュエータ、並びにアクチュエータの製造方法 |
| WO2004068235A1 (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Fujitsu Limited | 光偏向素子およびその製造方法 |
-
1989
- 1989-08-10 JP JP20814989A patent/JPH0371656A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004158717A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Fujitsu Ltd | 薄膜積層体、その薄膜積層体を用いた電子装置及びアクチュエータ、並びにアクチュエータの製造方法 |
| EP1560280A1 (en) * | 2002-11-07 | 2005-08-03 | Fujitsu Limited | Thin film multilayer body, electronic device using such thin film multilayer body, actuator, and method for manufacturing actuator |
| EP1560280A4 (en) * | 2002-11-07 | 2006-01-11 | Fujitsu Ltd | THIN FILM MULTILAYER BODY, ELECTRONIC DEVICE USING SUCH BODY, CONTROL UNIT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
| WO2004068235A1 (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Fujitsu Limited | 光偏向素子およびその製造方法 |
| JPWO2004068235A1 (ja) * | 2003-01-27 | 2006-05-25 | 富士通株式会社 | 光偏向素子およびその製造方法 |
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