JPH0370180B2

JPH0370180B2 -

Info

Publication number: JPH0370180B2
Application number: JP57131350A
Authority: JP
Inventors: Hosupijiru Peetaa
Original assignee: BOODENZEBERUKU PAAKIN ERUMAA UNTO CO GmbH
Current assignee: BOODENZEBERUKU PAAKIN ERUMAA UNTO CO GmbH
Priority date: 1981-07-29
Filing date: 1982-07-29
Publication date: 1991-11-06
Also published as: JPS5837558A; EP0071091B1; DE3129833A1; US4464940A; EP0071091A1; DE3260956D1; GB2102302A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、 (a) 連結路によりガスクロマトグラフイー用分離
カラムの入口部に結合したニードル、 (b) ニードルと分離カラムとの間の連結路に接続
しているキヤリヤーガス導管、 (c) キヤリヤーガス導管中に配置された制御可能
な遮断弁、及び (d) サンプル容器中のサンプル上に形成されたヘ
ツドスペース中にサンプル容器のセルフシール
ダイヤフラムを介してニードルを刺し通すため
の装置からなるガスクロマトグラフイー用サン
プラーに関する。

密封されたサンプル容器中では、液体サンプ
ルの上部のヘツドスペースには平衡状態が生
じ、この平衡状態において個々のサンプル成分
の分圧は液体サンプル中のサンプル成分の濃度
に比例している。ヘツドスペース法により作業
するサンプラーにおいて、測定容量をサンプル
容器のヘツドスペースからガスクロマトグラフ
イー用装置の装入部に供給する。サンプル容器
中の液体サンプルの組成はこのヘツドスペース
サンプルの組成から導き出すことができる。

公知のサンプラー（西ドイツ国特許第
1284660号明細書）において、サンプル容器は
セルフシールダイヤフラムにより密封されてい
る。ガスクロマトグラフイー用装置の分離カラ
ムの入口部に連結しているニードルをこのセル
フシールダイヤフラムを通して突き刺す。更
に、この分離カラムの入口部は電磁弁により遮
断することのできるキヤリヤーガス導管と結合
している。電磁弁を開放すると、分離カラムの
入口部のキヤリヤーガス圧はキヤピラルとして
作用するニードルを介してサンプル容器のヘツ
ドスペースに伝えられ、この中で圧力が高ま
る。この際サンプル成分の分圧は変わらない。
電磁弁によるキヤリヤーガス導管の遮断後分離
カラムの入口部の圧力はなくなる。こうして、
キヤリヤーガス及びサンプル蒸気（キヤリヤー
ガス＋サンプル蒸気）がヘツドスペースからガ
スクロマトグラフイーの装置の装入部の分離カ
ラム入口部に流れる。このようにして供給され
た容量はキヤリヤーガス導管中の電磁弁が遮断
されている時間により決定される。

再現可能な結果及び十分な蒸気圧を得るため
に、サンプル容器を通常高めた温度に温度自動
調節する（西ドイツ国特許公開第2818251号公
報）。

分析の間分離カラムの入口部に加えられるべ
き、ある一定の圧力は分離カラム中のサンプル
の最適な分離を生ぜしめる。非常に揮発生のサ
ンプルを入れる場合、これを密封したサンプル
容器中で予加熱する際に圧力が生じ、この圧力
は前記最適な圧力を越えるということが起こり
うる。この現象は流れ抵抗がわずかで、かつ最
適な流れを生ぜしめるために少さな入口圧力の
みが必要であるキヤピラルカラムにおいて特に
生じる。

ヘツドスペース中にニードルを突き刺した
後、このような圧力を選択するならば、キヤリ
ヤーガスは圧力を形成するためにサンプル容器
中に流れず、はじめから蒸気は低いキヤリヤー
ガス圧に抗し、ヘツドスペースから分離カラム
に流れる。一時的に遮断した、キヤリヤーガス
導管中の電磁弁を供給の後再び開くことによつ
てもヘツドスペースからカラムへの流れをさえ
ぎることはできない。従つて、正確なサンプリ
ングは可能ではない。

従つて、本発明の課題は、高圧を形成するサ
ンプルにおいても、一方では十分に限定したサ
ンプリングを、他方では最適なキヤリヤーガス
圧での作業を可能とすることである。

本発明により、この課題は、 (e) 第１のキヤリヤーガス接続管に第１のより高
いキヤリヤーガス圧を生じさせるための装置、 (f) 第２のキヤリヤーガス接続管に第１の圧力に
くらべて低い第２のキヤリヤーガス圧を生じさ
せるための装置、及び (g) サンプリング時と分析時にキヤリヤーガス圧
を異ならせるために、前記第１及び第２のキヤ
リヤーガス接続管を選択的に前記キヤリヤーガ
ス導管と連結させる切り換え弁を有することに
より解決する。

こうして、より高い圧力でサンプル容器中での
圧力形成に作用し又はサンプル蒸気の予定前のあ
ふれを阻止することができる。引き続き、遮断弁
を閉め、サンプリングを通常の方法で行なう、す
なわち、サンプル蒸気の限定された容量を分離カ
ラム入口部へ運搬することである。サンプリング
は第１のより高いキヤリヤーガス圧を再び接続す
ることにより中断される。ニードルをサンプル容
器から抜いた後、有利にニードルの出口がレスト
リクターを介して大気と連結した時、第２の減少
したキヤリヤーガス圧に切り換え、かつこのキヤ
リヤーガス圧を最適な流れが生じうるように選択
することができる。

次に本発明の実施例を添付図面につき詳細に説
明する。

第１図：ニードルアセンブリの断面図を示す。

第２図：第１図の丸で囲んだ部分の拡大図を示
す。

第３図：ニードル、分離カラム、遮断弁及び切
り換え弁の気流回路を示す。

第１図中にはニードルを１０で表わした。この
ニードルはガスクロマトグラフイー用装置の注入
ブロツク１２中に固定されている。ニードル１０
は、注入ブロツク１２中で連結路１６と連結して
いる縦方向通路１４を有する。縦方向通路１４は
ニードルの横孔と連結している。この横孔は側面
出口開口部１８を形成する。ニードルの末端部に
は先端部２０がある。この先端部２０は末端部材
２２に存在し、これは縦方向通路１４の拡張部中
に押し入れられており、縦方向通路１４をニード
ルの末端部で閉鎖している。従つて、キヤリヤー
ガスは連結路１６から縦方向通路１４を通つて流
れ、出口開口部１８から側面より流れ出る。

ニードル１０は従来公知の装置において使用し
たニードルと比較してわずかに大きな壁厚を有す
る。従来公知の装置において、外径１mmのニード
ルを使用したが、ニードル１０は有利に外径1.5
mmである。更に、ニードル１０は出口開口部１８
の範囲で円周溝２４を有する。側面出口開口部１
８は円周溝２４の底部に開口している。円周溝の
側壁２６及び２８は、円周溝２４が外方向にひろ
がつているように斜めに切られている。円周溝の
縁は丸くされ、みがかれている。

ハウジング３０はハウジング孔３２を有する。
ハウジング孔３２は相互に離れて配置された環状
溝３４，３６により囲まれており、その中にシー
ル環３８もしくは４０が、ｏ−環の形で支持され
ている。シール環３８及び４０の間で、ハウジン
グ孔３２から側面出口通路４２が分枝している。
出口通路４２はレストリクター４４を通つて大気
と連結している。この目的のために出口通路４２
は、ハウジング孔３２に平行な盲孔４６中にはニ
ードル弁として構成されている調節可能なレスト
リクター４４が設置されている。

ニードル１０はハウジング孔３２を通つて伸び
る。シール環３８はニードル１０の外側面に密着
しており、ニードル１０とハウジング孔３２の間
の密封に作用する。ハウジング３０はニードルに
平行に二重矢印４８により示したように可動性で
ある。第１図に示した静位置において、出口開口
部１８はシール３８と４０の間にある。出口開口
部１８は円周溝２４を介して出口通路４２と連結
している。

セルフシールダイヤフラムによりシールされた
サンプル容器５０（第３図）をハウジング３０に
対して下から押すならば、ハウジング３０は固定
したニードル１０に対して上方に押される。ニー
ドル１０はその先端部２０によりサンプル容器の
ダイヤフラムを通して突き刺さる。シール環３６
はニードル１０の出口開口部１８の側を通過す
る。出口開口部１８はダイヤフラムを通つてサン
プル容器中に入る。連結路１６は縦方向通路１４
及び出口開口部１８を介して全く制限なしにサン
プル容器のヘツドスペースと結合している。

このニードルアセンブリの構造は公開されてい
ない西ドイツ国特許出願第P3109616.6号明細書の
課題である。

連結路１６はニードル１０とガスクロマトグラ
フイー用分離カラム５４の入口部５２とを結合し
ている。連結路１６中にはキヤリヤーガス導管５
６がニードル１０と分離カラム５４の間で開口し
ている。キヤリヤーガス導管５６中には制御可能
な、ここでは電磁弁として構成された遮断弁５８
が配置されている。装置６０は第１の、より高い
キヤリヤーガス圧を第１のキヤリヤーガス接続管
６２に生じさせるために備えられており、かつ装
置６４は第２の、第１の圧力より減少させたキヤ
リヤーガス圧を第２のキヤリヤーガス接続管６６
に生じさせるために備えられている。同様に電磁
弁として構成されている切り換え弁６８により、
選択的に第１及び第２のキヤリヤーガス接続管６
２又は６６はキヤリヤーガス導管と結合可能であ
る。

第３図中に記載された回路配置においてはキヤ
リヤーガス接続管６２の高められた圧力は分離カ
ラム５４の入口部５２に作用する。この高めた圧
力は連結路１６及びニードル１０を介してサンプ
ル容器５０のヘツドスペースに伝わる。装置６０
からキヤリヤーガス接続管６２に加えられた圧力
は、揮発生サンプルにおいてもキヤリヤーガス圧
に抗してサンプル容器５０から連結路１６中にサ
ンプルの流れが生じることができない程高い。弁
５８を遮断することによりサンプリングが行なわ
れる：分離カラムの入口部５２での圧力がなくな
るので、サンプル容器５０のヘツドスペースから
サンプル蒸気がニードル１０及び連結路１６を通
つて分離カラム５４に流れる。サンプリングを終
了させるために弁５８を再び開く。ニードル１０
をサンプル容器５０から引き抜き、第１図に記載
した位置にする。同時に切り換え弁６８を切り換
え、装置６４からキヤリヤーガス接続管６６を介
して、分離カラム５４の作業に最適な減少させた
第２のキヤリヤーガス圧を分離カラム５４の入口
部にかける。供給されたサンプルをこの圧力で分
離カラム５４を通して搬送する。ニードル１０並
びに出口通路４２及びレストリクター４４を介し
て洗浄流を流し、これを直前に供給したサンプル
の残りをシステムから取り除く。

【図面の簡単な説明】

添付図面は本発明の一実施例を示し、第１図は
ニードルアセンブリの断面図を示し、第２図は第
１図の丸で囲んだ部分の拡大図を示し、第３図は
ニードル、分離カラム、遮断弁及び切り換え弁の
気流回路を示す。１０…ニードル、１２…注入ブロツク、１４…
縦方向通路、１６…連結部、１８…出口開口部、
２０…先端部、２２…末端部材、２４…円周溝、
３０…ハウジング、３２…ハウジング孔、３４，
３６…環状溝、３８，４０…シール環、４２…出
口通路、４４…レストリクター、４６…盲孔、４
８…二重矢印、５０…サンプル容器、５２…入口
部、５４…分離カラム、５６…キヤリヤーガス導
管、５８…遮断弁、６０，６４…装置、６２…第
１のキヤリヤーガス接続管、６６…第２のキヤリ
ヤーガス接続管、６８…切り換え弁。

Claims

【特許請求の範囲】１ (a) 連結路１６によりガスクロマトグラフイ
ー用分離カラム５４の入口部５２に結合したニ
ードル１０、 (b) ニードル１０と分離カラム５４との間で連結
路１６に接続しているキヤリヤーガス導管５
６、 (c) キヤリヤーガス導管５６中に配置された制御
可能な遮断弁５８、及び (d) サンプル容器５０中のサンプル上に形成され
たヘツドスペース中にサンプル容器５０のセル
フシールダイヤフラムを介してニードル１０を
刺し通すための装置からなるガスクロマトグラ
フイー用サンプラーにおいて、 (e) 第１のキヤリヤーガス接続管６２に第１のよ
り高いキヤリヤーガス圧を生じさせるための装
置６０、 (f) 第２のキヤリヤーガス接続管６６に第１の圧
力にくらべて低い第２のキヤリヤーガス圧を生
じさせるための装置６４、及び (g) サンプリング時と分析時にキヤリヤーガス圧
を異ならせるために、前記の第１及び第２のキ
ヤリヤーガス接続管６２，６６を選択的に前記
キヤリヤーガス導管５６と連結させる切り換え
弁６８を有することを特徴とするガスクロマト
グラフイー用サンプラー。