JPH036881A - 基板上の配線形成法と修正法 - Google Patents
基板上の配線形成法と修正法Info
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- JPH036881A JPH036881A JP1141675A JP14167589A JPH036881A JP H036881 A JPH036881 A JP H036881A JP 1141675 A JP1141675 A JP 1141675A JP 14167589 A JP14167589 A JP 14167589A JP H036881 A JPH036881 A JP H036881A
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- naphthalene
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- Pending
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Landscapes
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、レーザー等の制御された局部的なエネルギー
線等により、基板上に導電体配線を形成するか、既に基
板上にある配線の断線欠陥を修正すること等、例えば表
示装置における基板上の配線の欠陥修正等に利用される
基板上の配線形成法と修正法に関する。
線等により、基板上に導電体配線を形成するか、既に基
板上にある配線の断線欠陥を修正すること等、例えば表
示装置における基板上の配線の欠陥修正等に利用される
基板上の配線形成法と修正法に関する。
従来の技術
従来、簡略な、しかも精密な基板上の配線形成法はなか
った。
った。
レーザー化学蒸着法（ＣＶＤ法）（薄膜ハンドブック日
本学術振興会薄膜筒１３１ 委員会場）が考えられるが
、通常は減圧装置を要する。
本学術振興会薄膜筒１３１ 委員会場）が考えられるが
、通常は減圧装置を要する。
発明が解決しようとする課題
減圧装置やこれに類する複雑な装置を要しない簡略な、
しかも精密な配線形成法を提供する。
しかも精密な配線形成法を提供する。
課題を解決するための手段
本発明は前述のような課題を解決するために、主として
炭素を含む分子、特にベンゼン環を含む分子からなる固
形物層を局部的に炭化してなることを特数とする基板上
の配線形成法を提供するものである。
炭素を含む分子、特にベンゼン環を含む分子からなる固
形物層を局部的に炭化してなることを特数とする基板上
の配線形成法を提供するものである。
炭化する手段としては、レーザー光、特にＹＡＧレーザ
ーが望ましい、またレーザー光の基板への吸収は微少な
のが望ましい。
ーが望ましい、またレーザー光の基板への吸収は微少な
のが望ましい。
ベンゼン環を含む固形物層としては、エポキシ樹脂また
はポリイミド樹脂またはナフタレンが望ましい。
はポリイミド樹脂またはナフタレンが望ましい。
本発明はまた、前述の方法で基板上の配線の断線を修復
または、修正する方法を提供するものである。
または、修正する方法を提供するものである。
作用
本発明は、炭素を含む固形物層をレーザー光等で炭化す
ることにより基板上の配線形成法ないし修正法を提供す
るものである。これは、固形物層を基板に塗り付け、大
気中でレーザー光等を照射。
ることにより基板上の配線形成法ないし修正法を提供す
るものである。これは、固形物層を基板に塗り付け、大
気中でレーザー光等を照射。
炭化させるだけで良い。
実施例
硬化剤であるメクフェニレン・ジアミンとビスフェノー
ルＡレジンを所定の割合で混練し、ガラス基板Ａ上に塗
布、加熱硬化させた。また市販のポリイミドレジン、Ｐ
ＩＱをもうひとつのガラス基板Ｂ上に塗布、加熱硬化さ
せた。さらに試薬のナフタレンをさらに別のガラス基板
Ｃ上に積載し、加熱溶解させて、ナフタレン層を得た。
ルＡレジンを所定の割合で混練し、ガラス基板Ａ上に塗
布、加熱硬化させた。また市販のポリイミドレジン、Ｐ
ＩＱをもうひとつのガラス基板Ｂ上に塗布、加熱硬化さ
せた。さらに試薬のナフタレンをさらに別のガラス基板
Ｃ上に積載し、加熱溶解させて、ナフタレン層を得た。
次に３ＫＨｚの繰り返し周波数のＹＡＧレーザー光を基
板上に集束、走査した。走査の軌跡に沿って、黒く炭化
した線が認められた。線幅２０ミクロンで長さが２００
ミクロンの炭化した線の両端の電気抵抗は約２００オー
ムであった。
板上に集束、走査した。走査の軌跡に沿って、黒く炭化
した線が認められた。線幅２０ミクロンで長さが２００
ミクロンの炭化した線の両端の電気抵抗は約２００オー
ムであった。
この手法を使って、基板の上の配線の断線を電気的に接
続し得た。
続し得た。
発明の効果
本発明は、基板上の配線の形成、修正のみならず、液晶
パネルで液晶を充填して後、表示電極の断線等の修正に
も効果を発揮する。
パネルで液晶を充填して後、表示電極の断線等の修正に
も効果を発揮する。
Claims (7)
- （１） 主として炭素を含む分子からなる固形物層を局
部的に炭化してなることを特徴とする基板上の配線形成
法 - （２） ベンゼン環を含む固形物層を局部的に炭化して
なることを特徴とする請求項（１）記載の基板上の配線
形成法。 - （３） 主として炭素を含む分子からなる固形物層を形
成し、次にこれを局部的にレーザー光で炭化することを
特徴とする請求項（１）記載の基板上の配線形成法。 - （４） 基板のレーザー光の吸収が微少であることを特
徴とする請求項（３）記載の基板上の配線形成法。 - （５） 前記レーザーがＹＡＧレーザーであることを特
徴とする請求項（３）記載の基板上の配線形成法。 - （６） ベンゼン環を含む固形物がエポキシ樹脂または
ポリイミド樹脂またはナフタレンからなることを特徴と
する請求項（２）記載の基板上の配線形成法。 - （７） 主として炭素を含む分子からなる固形物層を局
部的に炭化してなることを特徴とする基板上の配線修正
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1141675A JPH036881A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 基板上の配線形成法と修正法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1141675A JPH036881A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 基板上の配線形成法と修正法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH036881A true JPH036881A (ja) | 1991-01-14 |
Family
ID=15297587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1141675A Pending JPH036881A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 基板上の配線形成法と修正法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH036881A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007057992A1 (ja) | 2005-11-17 | 2007-05-24 | Hideo Hotoda | 自転車 |
-
1989
- 1989-06-02 JP JP1141675A patent/JPH036881A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007057992A1 (ja) | 2005-11-17 | 2007-05-24 | Hideo Hotoda | 自転車 |
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