JPH036847A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH036847A JPH036847A JP14333689A JP14333689A JPH036847A JP H036847 A JPH036847 A JP H036847A JP 14333689 A JP14333689 A JP 14333689A JP 14333689 A JP14333689 A JP 14333689A JP H036847 A JPH036847 A JP H036847A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 35
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000010445 mica Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- 239000010680 novolac-type phenolic resin Substances 0.000 claims description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 14
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 12
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 abstract description 2
- -1 2-(dimethylamino)methylphenol quaternary ammonium salt Chemical class 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 4
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 3
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- RXYPXQSKLGGKOL-UHFFFAOYSA-N 1,4-dimethylpiperazine Chemical compound CN1CCN(C)CC1 RXYPXQSKLGGKOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MLAZAKLBWAQRPR-UHFFFAOYSA-M (3-benzyl-2-methylpentan-2-yl)-tributylazanium;chloride Chemical compound [Cl-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)C(C)(C)C(CC)CC1=CC=CC=C1 MLAZAKLBWAQRPR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-2-methylimidazole Chemical compound CC1=NC=CN1CC1=CC=CC=C1 FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUIQBJHUESBZNU-UHFFFAOYSA-N 2-[(dimethylazaniumyl)methyl]phenolate Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1O FUIQBJHUESBZNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 2-diethylaminoethanol Chemical compound CCN(CC)CCO BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQAMFDRRWURCFQ-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-1h-imidazole Chemical compound CCC1=NC=CN1 PQAMFDRRWURCFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC=N1 BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMNWJTDAUWBXFJ-UHFFFAOYSA-N 3,3,4-trimethylheptane-2,2-diamine Chemical compound CCCC(C)C(C)(C)C(C)(N)N WMNWJTDAUWBXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N N,N-dimethylaniline Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=C1 JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 1
- WOWHHFRSBJGXCM-UHFFFAOYSA-M cetyltrimethylammonium chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C WOWHHFRSBJGXCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 101150100265 cif-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 229960002887 deanol Drugs 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005007 epoxy-phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半田浸漬時の耐クラツク性に優れた半導体
装置に関するものである。
装置に関するものである。
[従来の技術]
トランジスタ、IC,LSI等の半導体素子は、機械的
強度、耐湿性等の観点からセラミックパッケージもしく
はプラスチックパッケージ等により封止され、半導体装
置化されている。上記セラミックパッケージは、構成材
料そのものが耐熱性を有し、耐透湿性にも優れているた
め、高温度。
強度、耐湿性等の観点からセラミックパッケージもしく
はプラスチックパッケージ等により封止され、半導体装
置化されている。上記セラミックパッケージは、構成材
料そのものが耐熱性を有し、耐透湿性にも優れているた
め、高温度。
高湿度に対して強く信顧性の高い封止が可能である。し
かしながら、構成材料が比較的高価なものであることと
、量産性に劣る欠点があるため、最近では上記プラスチ
ックパッケージを用いた樹脂封止が主流になっている。
かしながら、構成材料が比較的高価なものであることと
、量産性に劣る欠点があるため、最近では上記プラスチ
ックパッケージを用いた樹脂封止が主流になっている。
この種の樹脂封止には、従来からエポキシ樹脂組成物が
使用されており、良好な成績を収めている。
使用されており、良好な成績を収めている。
しかしながら、最近では、半導体分野の技術革新により
パッケージも小形化、薄形化する傾向にあり、かつパッ
ケージ実装時に表面実装が行われている。このような表
面実装では、パッケージ全体を半田浸漬したり、ハンダ
リフロー炉により加熱したりするため大きな熱衝撃をう
ける。その結果、例えば第3図に示すように、パッケー
ジに、エポキシ樹脂組成物に含有されるシリカ粉末(無
機質充填剤)1表面に沿ってクラック5が生じるという
現象が発生している。図において、2は封止樹脂である
。このようなりラック5の発生による半導体素子の破壊
やクラツク5沿面からの水分浸入による半導体素子の腐
食により、半導体装置の信転性が著しく低下してしまう
という問題が生している。
パッケージも小形化、薄形化する傾向にあり、かつパッ
ケージ実装時に表面実装が行われている。このような表
面実装では、パッケージ全体を半田浸漬したり、ハンダ
リフロー炉により加熱したりするため大きな熱衝撃をう
ける。その結果、例えば第3図に示すように、パッケー
ジに、エポキシ樹脂組成物に含有されるシリカ粉末(無
機質充填剤)1表面に沿ってクラック5が生じるという
現象が発生している。図において、2は封止樹脂である
。このようなりラック5の発生による半導体素子の破壊
やクラツク5沿面からの水分浸入による半導体素子の腐
食により、半導体装置の信転性が著しく低下してしまう
という問題が生している。
この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、半
田浸漬時における耐クラツク性に優れた半導体装置の提
供をその目的とする。
田浸漬時における耐クラツク性に優れた半導体装置の提
供をその目的とする。
〔問題点を解決するための手段]
上記の目的を達成するため、この発明の半導体装置は、
下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成
物を用いて半導体素子を封止するという構成をとる。
下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成
物を用いて半導体素子を封止するという構成をとる。
(A)軟化点50〜130℃のノボラック型エポキシ樹
脂。
脂。
(B)軟化点50〜130℃のノボラック型フェノール
樹脂。
樹脂。
(C)平均粒径5〜40μmのマイカ。
すなわち、この発明者は、半田浸漬においてクラックの
生じない封止樹脂を得るために一連の研究を重ねた。そ
の結果、特定の軟化点を有するエポキシ樹脂およびフェ
ノール樹脂を用い、さらに補強材として平均粒径が特定
範囲のマイカを配合すると、パッケージ成形時にマイカ
が成形型内のエポキシ樹脂組成物の流れ方向に配向して
クシツクの発生進行を抑制しうろことを見出しこの発明
に到達した。
生じない封止樹脂を得るために一連の研究を重ねた。そ
の結果、特定の軟化点を有するエポキシ樹脂およびフェ
ノール樹脂を用い、さらに補強材として平均粒径が特定
範囲のマイカを配合すると、パッケージ成形時にマイカ
が成形型内のエポキシ樹脂組成物の流れ方向に配向して
クシツクの発生進行を抑制しうろことを見出しこの発明
に到達した。
この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、特定のノボラ
ック型エポキシ樹脂(A成分)と、特定のノボラック型
フェノール樹脂(B成分)と、特定のマイカ(C成分)
とを用いて得られるものであり、通常、粉末状もしくは
それを打錠したタブレット状になっている。
ック型エポキシ樹脂(A成分)と、特定のノボラック型
フェノール樹脂(B成分)と、特定のマイカ(C成分)
とを用いて得られるものであり、通常、粉末状もしくは
それを打錠したタブレット状になっている。
上記A成分の特定のノボラック型エポキシ樹脂は、軟化
点が50〜130℃のものであれば、特に制限するもの
ではなく、例えばクレゾールノボラック、フェノールノ
ボラ゛ンク等適宜に選択することができる。特に、クレ
ゾールノボラックが好ましく、なかでもエポキシ当量1
80〜250の範囲のものが好適に用いられる 上記A成分とともに用いるB成分の特定のノボラック型
フェノール樹脂は、上記エポキシ樹脂の硬化剤として作
用するものであり、軟化点50〜130℃のものを用い
る必要がある。例えば、上記軟化点を有するフェノール
ノボラック、クレゾールノボラック等が好適に用いられ
る。
点が50〜130℃のものであれば、特に制限するもの
ではなく、例えばクレゾールノボラック、フェノールノ
ボラ゛ンク等適宜に選択することができる。特に、クレ
ゾールノボラックが好ましく、なかでもエポキシ当量1
80〜250の範囲のものが好適に用いられる 上記A成分とともに用いるB成分の特定のノボラック型
フェノール樹脂は、上記エポキシ樹脂の硬化剤として作
用するものであり、軟化点50〜130℃のものを用い
る必要がある。例えば、上記軟化点を有するフェノール
ノボラック、クレゾールノボラック等が好適に用いられ
る。
上記特定のノボラ・ンク型エポキシ樹脂(A成分)と特
定のノボラック型フェノール樹脂(B成分)との配合比
は、上記A成分中のエポキシ基1当量当たりB成分中の
水酸基が0.5〜2.0当量となるように配合すること
が好適である。
定のノボラック型フェノール樹脂(B成分)との配合比
は、上記A成分中のエポキシ基1当量当たりB成分中の
水酸基が0.5〜2.0当量となるように配合すること
が好適である。
上記A成分およびB成分とともに用いられるC成分の特
定のマイカとしては、特に限定するものではな〈従来公
知のものを用いることができるが、平均粒径5〜40μ
mのものを用いなければならない。
定のマイカとしては、特に限定するものではな〈従来公
知のものを用いることができるが、平均粒径5〜40μ
mのものを用いなければならない。
上記C成分の特定のマイカの含有量は、エポキシ樹脂組
成物全体の5〜60重量%(以下「%」と略す)の範囲
に設定することが好適である。より好適なのは5〜50
%である。すなわち、C成分の特定のマイカの含有量が
5%未満になると得られるエポキシ樹脂組成物で樹脂封
止された半導体装置の充分な耐半田クラック性が得られ
ず、逆に60%を超えるとエポキシ樹脂組成物の溶融粘
度が上昇し良好な封止樹脂が得られにく(なる傾向がみ
られるからである。
成物全体の5〜60重量%(以下「%」と略す)の範囲
に設定することが好適である。より好適なのは5〜50
%である。すなわち、C成分の特定のマイカの含有量が
5%未満になると得られるエポキシ樹脂組成物で樹脂封
止された半導体装置の充分な耐半田クラック性が得られ
ず、逆に60%を超えるとエポキシ樹脂組成物の溶融粘
度が上昇し良好な封止樹脂が得られにく(なる傾向がみ
られるからである。
なお、この発明に用いるエポキシ樹脂組成物には、通常
、上記A−C成分以外に従来から用いられている各種の
硬化促進剤が単独でもしくは併せて用いられる。
、上記A−C成分以外に従来から用いられている各種の
硬化促進剤が単独でもしくは併せて用いられる。
上記各種の硬化促進剤としては、下記に示す三級アミン
、四級アンモニウム塩、イミダゾール類およびホウ素化
合物等が好適なものとしてあげられる。
、四級アンモニウム塩、イミダゾール類およびホウ素化
合物等が好適なものとしてあげられる。
三級アミン
トリエタノールアミン、テトラメチルヘキサンジアミン
、トリエチレンジアミン、ジメチルアニリン、ジメチル
アミノエタノール、ジエチルアミノエタノール、2,4
.6−(ジメチルアミノメチル)フェノール、N、N’
−ジメチルピペラジン、ピリジン、ピコリン、1,8
−ジアザ−ビシクロ(5,4,Q)ウンデセン−7、ベ
ンジルジメチルアミン、2−(ジメチルアミノ)メチル
フェノール 四級アンモニウム塩 ドデシルトリメチルアンモニウムアイオダイド、セチル
トリメチルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチル
テトラブチルアンモニウムクロライド、ステアリルトリ
メチルアンモニウムクロライド イミダゾール類 2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミタソール
、2−エチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチル
イミダゾール、■−シアノエチルー2−ウンデシルイミ
ダゾール ホウ素化合物 テトラフェニルボロン、テトラフェニルボレート、N−
メチルモルホリンテトラフェニルボレート また、必要に応じて、上記成分原料以外に、無機質充填
剤、三酸化アンチモン、ハロゲン系化合物等の難燃剤や
顔料、シランカップリング剤等のカップリング剤等その
他の添加剤を用いることができる。
、トリエチレンジアミン、ジメチルアニリン、ジメチル
アミノエタノール、ジエチルアミノエタノール、2,4
.6−(ジメチルアミノメチル)フェノール、N、N’
−ジメチルピペラジン、ピリジン、ピコリン、1,8
−ジアザ−ビシクロ(5,4,Q)ウンデセン−7、ベ
ンジルジメチルアミン、2−(ジメチルアミノ)メチル
フェノール 四級アンモニウム塩 ドデシルトリメチルアンモニウムアイオダイド、セチル
トリメチルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチル
テトラブチルアンモニウムクロライド、ステアリルトリ
メチルアンモニウムクロライド イミダゾール類 2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミタソール
、2−エチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチル
イミダゾール、■−シアノエチルー2−ウンデシルイミ
ダゾール ホウ素化合物 テトラフェニルボロン、テトラフェニルボレート、N−
メチルモルホリンテトラフェニルボレート また、必要に応じて、上記成分原料以外に、無機質充填
剤、三酸化アンチモン、ハロゲン系化合物等の難燃剤や
顔料、シランカップリング剤等のカップリング剤等その
他の添加剤を用いることができる。
上記無機質充填剤としては、特に限定するものではなく
、−iに用いられる石英ガラス粉末、タルク、シリカ粉
末、アルミナ粉末等が適宜用いられる。
、−iに用いられる石英ガラス粉末、タルク、シリカ粉
末、アルミナ粉末等が適宜用いられる。
この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、例えばつぎの
ようにして製造することができる。すなわち、前記A−
C成分と、必要に応じて上記各種の硬化促進剤およびそ
の他の添加剤を適宜配合し、この配合物をミキシングロ
ール機等の混練機にかけて加熱状態で混練して半硬化状
のエポキシ樹脂組成物を作製する。ついで、これを室温
に冷却したのち公知の手段によって粉砕し、必要に応じ
て打錠するという一連の工程により製造することができ
る。
ようにして製造することができる。すなわち、前記A−
C成分と、必要に応じて上記各種の硬化促進剤およびそ
の他の添加剤を適宜配合し、この配合物をミキシングロ
ール機等の混練機にかけて加熱状態で混練して半硬化状
のエポキシ樹脂組成物を作製する。ついで、これを室温
に冷却したのち公知の手段によって粉砕し、必要に応じ
て打錠するという一連の工程により製造することができ
る。
このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の
封止は特に限定するものではなく、例えばトランスファ
ー成形等の公知のモールド方法により行うことができる
。
封止は特に限定するものではなく、例えばトランスファ
ー成形等の公知のモールド方法により行うことができる
。
このようにして得られる半導体装置は、第1図に示すよ
うに、成形型のゲート部分4から型内に特定のマイカを
含むエポキシ樹脂組成物を流入する場合、上記マイカは
エポキシ樹脂組成物の流れ方向(矢印Aで示す)に配向
する性質を有するため、クラック5aの進行が抑制され
る。したがって、それぞれが特定の軟化点を有するノボ
ラック型エポキシ樹脂およびノボラック型フェノール樹
脂の作用と相俟って優れた耐半田クラック性を備えてい
る。図において、6は封止樹脂、7はリードフレーム、
8は半導体素子、9はボンディングワイヤー 11はグ
イボンドパッドである。このクラック5aの進行が抑制
される状態を、第2図に模式的に示す。すなわち、封止
樹脂6中のマイカ10の沿面距離が長いためクラック5
aが発生してもその進行が抑制される。
うに、成形型のゲート部分4から型内に特定のマイカを
含むエポキシ樹脂組成物を流入する場合、上記マイカは
エポキシ樹脂組成物の流れ方向(矢印Aで示す)に配向
する性質を有するため、クラック5aの進行が抑制され
る。したがって、それぞれが特定の軟化点を有するノボ
ラック型エポキシ樹脂およびノボラック型フェノール樹
脂の作用と相俟って優れた耐半田クラック性を備えてい
る。図において、6は封止樹脂、7はリードフレーム、
8は半導体素子、9はボンディングワイヤー 11はグ
イボンドパッドである。このクラック5aの進行が抑制
される状態を、第2図に模式的に示す。すなわち、封止
樹脂6中のマイカ10の沿面距離が長いためクラック5
aが発生してもその進行が抑制される。
以上のように、この発明の半導体装置は、゛特定の軟化
点を有するノボラック型エポキシ樹脂と特定の軟化点を
有するノボラック型フェノール樹脂と、さらに特定のマ
イカを含む特殊なエポキシ樹脂組成物を用いて樹脂封止
されているため、半田実装における過酷な条件下におい
てもパッケージクラックを生じることがなく高い信顛性
を有するものである。
点を有するノボラック型エポキシ樹脂と特定の軟化点を
有するノボラック型フェノール樹脂と、さらに特定のマ
イカを含む特殊なエポキシ樹脂組成物を用いて樹脂封止
されているため、半田実装における過酷な条件下におい
てもパッケージクラックを生じることがなく高い信顛性
を有するものである。
〔実施例1〜26、比較例1.2]
後記の第1表に示す原料を同表に示す割合で配合し、こ
の配合物を120℃の熱ロール機で3分間混練した。つ
いで、これを冷却したのち粉砕し目的とする粉末状のエ
ポキシ樹脂組成物を得た( 以 下 余 白 ) 上記実施例および比較例で得られた粉末状のエポキシ樹
脂組成物を用い、シリコンチップからなる半導体素子を
トランスファー成形(成形条件:圧カフ0kg/cif
l、温度175℃1時間2分)でモールドすることによ
り半導体装置を各10個作製した。
の配合物を120℃の熱ロール機で3分間混練した。つ
いで、これを冷却したのち粉砕し目的とする粉末状のエ
ポキシ樹脂組成物を得た( 以 下 余 白 ) 上記実施例および比較例で得られた粉末状のエポキシ樹
脂組成物を用い、シリコンチップからなる半導体素子を
トランスファー成形(成形条件:圧カフ0kg/cif
l、温度175℃1時間2分)でモールドすることによ
り半導体装置を各10個作製した。
このようにして作製された半導体装置を用いて耐半田ク
ラック性試験を行いクシツクの生じた個数を調べた。そ
の結果を後記の第2表に示した。
ラック性試験を行いクシツクの生じた個数を調べた。そ
の結果を後記の第2表に示した。
なお、上記試験方法を下記に示す。
(耐半田クラック性試験)
まず、半導体装置を85℃×85%RH下に一定時間放
置して取り出した後、260℃の半田浴に30秒間浸漬
した。このような一連の工程を経たものについて、目視
によりクラック発生の有無を二周ぺた。
置して取り出した後、260℃の半田浴に30秒間浸漬
した。このような一連の工程を経たものについて、目視
によりクラック発生の有無を二周ぺた。
(以下余白)
第2表の結果から、比較例品はわずか吸湿時間12時間
でIO個中通半数にクラックが生じ、48時間では全て
のものにクラックが生じている。
でIO個中通半数にクラックが生じ、48時間では全て
のものにクラックが生じている。
それに比べて実施例品は48時間放置しても殆どがクラ
ックを生じず、耐半田クラック性が向上していることが
わかる。
ックを生じず、耐半田クラック性が向上していることが
わかる。
第1図はこの発明におけるクラック抑制状態の説明図、
第2図はこの封止樹脂中のクラック抑制状態を説明する
模式図、第3図は従来例のクラック発生状態を説明する
模式図である。 6・・・封止樹脂 10・・・マイカ
第2図はこの封止樹脂中のクラック抑制状態を説明する
模式図、第3図は従来例のクラック発生状態を説明する
模式図である。 6・・・封止樹脂 10・・・マイカ
Claims (2)
- (1)下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹
脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置
。 (A)軟化点50〜130℃のノボラック型エポキシ樹
脂。 (B)軟化点50〜130℃のノボラック型フェノール
樹脂。 (C)平均粒径5〜40μmのマイカ。 - (2)下記の(A)〜(C)成分を含有する半導体封止
用エポキシ樹脂組成物。 (A)軟化点50〜130℃のノボラック型エポキシ樹
脂。 (B)軟化点50〜130℃のノボラック型フェノール
樹脂。 (C)平均粒径5〜40μmのマイカ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14333689A JPH036847A (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14333689A JPH036847A (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH036847A true JPH036847A (ja) | 1991-01-14 |
Family
ID=15336415
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14333689A Pending JPH036847A (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH036847A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5167427A (en) * | 1990-05-24 | 1992-12-01 | Takata Corporation | Air bag device having engagement portions to facilitate attachment of the cover to the retainer |
US5201541A (en) * | 1991-06-19 | 1993-04-13 | General Motors Corporation | Occupant restraint module |
-
1989
- 1989-06-05 JP JP14333689A patent/JPH036847A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5167427A (en) * | 1990-05-24 | 1992-12-01 | Takata Corporation | Air bag device having engagement portions to facilitate attachment of the cover to the retainer |
US5201541A (en) * | 1991-06-19 | 1993-04-13 | General Motors Corporation | Occupant restraint module |
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