JPH0365262U - - Google Patents
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- JPH0365262U JPH0365262U JP12805789U JP12805789U JPH0365262U JP H0365262 U JPH0365262 U JP H0365262U JP 12805789 U JP12805789 U JP 12805789U JP 12805789 U JP12805789 U JP 12805789U JP H0365262 U JPH0365262 U JP H0365262U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- zener diode
- built
- power mos
- type region
- fet
- Prior art date
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- Pending
Links
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Description
第1図は、この考案の一実施例のツエナーダイ
オード内蔵パワーMOS FETにおける双方向
性ツエナーダイオードの一部を上から見た断面図
、第2図は、従来のツエナーダイオード内蔵パワ
ーMOS FETの斜視断面図、第3図は、従来
の双方向性ツエナーダイオードの一部を上から見
た断面図である。 1……基本セル、2……ベース層、3……ウエ
ル層、4……ポリシリゲート、5……Siサブス
トレート、6……エピタキシヤル部、7……ソー
スアルミ、8……ゲートアルミ、9……双方向性
ツエナーダイオード、10……酸化膜。
オード内蔵パワーMOS FETにおける双方向
性ツエナーダイオードの一部を上から見た断面図
、第2図は、従来のツエナーダイオード内蔵パワ
ーMOS FETの斜視断面図、第3図は、従来
の双方向性ツエナーダイオードの一部を上から見
た断面図である。 1……基本セル、2……ベース層、3……ウエ
ル層、4……ポリシリゲート、5……Siサブス
トレート、6……エピタキシヤル部、7……ソー
スアルミ、8……ゲートアルミ、9……双方向性
ツエナーダイオード、10……酸化膜。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 ゲート保護用ツエナーダイオードを内蔵したパ
ワーMOS FETにおいて、 ゲート保護用ツエナーダイオードのP型領域部
とN型領域部の接合部を非平面状にしたことを特
徴とするツエナーダイオード内蔵パワーMOS
FET。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12805789U JPH0365262U (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12805789U JPH0365262U (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0365262U true JPH0365262U (ja) | 1991-06-25 |
Family
ID=31675789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12805789U Pending JPH0365262U (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0365262U (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004055796A (ja) * | 2002-07-19 | 2004-02-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
EP1702768A2 (en) | 2001-05-23 | 2006-09-20 | Araya Industrial Co., Ltd. | Hub for wheel and wheel being equipped with said hub |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6350070A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-02 | Matsushita Electronics Corp | 縦型mos電界効果トランジスタ |
-
1989
- 1989-10-31 JP JP12805789U patent/JPH0365262U/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6350070A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-02 | Matsushita Electronics Corp | 縦型mos電界効果トランジスタ |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP1702768A2 (en) | 2001-05-23 | 2006-09-20 | Araya Industrial Co., Ltd. | Hub for wheel and wheel being equipped with said hub |
JP2004055796A (ja) * | 2002-07-19 | 2004-02-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |