JPH036461A - 加速度センサ - Google Patents

加速度センサ

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JPH036461A
JPH036461A JP14050789A JP14050789A JPH036461A JP H036461 A JPH036461 A JP H036461A JP 14050789 A JP14050789 A JP 14050789A JP 14050789 A JP14050789 A JP 14050789A JP H036461 A JPH036461 A JP H036461A
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JP
Japan
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circuit
piezoelectric
conductive layer
linear expansion
vibrator
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JP14050789A
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English (en)
Inventor
Tomonobu Tomita
冨田 知伸
Fumio Ota
文夫 太田
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Mitsubishi Petrochemical Co Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Petrochemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は圧電振動子を用いて加速度を検出する加速度セ
ンサに係り、特に、温度変化や電圧変動、電磁ノイズな
どの影響を受けに<<、車両搭載用として優れた低周波
用の加速度センサに関する。
(先行技術〕 加速度は変位の2重微分で得られるので、低周波になる
ほど大きな変位でも実際の加速度は小さくなってくる。
例えば160 Hz  、 10μmの変位で加速度は
I G 、 0.16H2では10mの変位量でIGと
なる。低周波の振動測定を行う場合、実際の変位はせい
ぜい1m以下であり、例えば1.6 Hzでは、0.1
 Gで、l cmの変位となる。
従って、0,1〜10Hzの振動を測定するためには0
.1〜0.OIGの小さな加速度を測定できるものでな
ければならない。
本発明者等は低周波用の加速度センサを実願昭63−1
03602号として既に提案した。この加速度センサは
、圧電振動子を導電性樹脂、断熱体及び熱伝導体により
順次被覆し、これを絶縁性基台に取付けると共に、導電
性樹脂と導電性の熱伝導体との間に、外部誘導障害防止
用コンデンサを接続してなるもので、このように構成す
ることにより、圧電振動子を導電性樹脂により電磁シー
ルドしているので、電気的ノイズに影響されず、また断
熱体と熱伝導体により外部からの加熱あるいは冷却によ
る温度変化を大幅に緩和できるばかりでなく、絶縁性基
台により圧電振動子を被測定物から電気的に絶縁してい
るので、静電誘導やアース間電位などの誘導障害を受け
にくいと共に、導電性樹脂と導電性の熱伝導体との間に
外部誘導障害防止用コンデンサを接続しているので、外
部高周波ノイズをバイパスさせることができるため、低
周波低加速度の計測もより一層高精度に行うことができ
るという作用効果を奏する。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら」−記先行例にあっては、外部高周波ノイ
ズをバイパスさせるため、導電性樹脂と導電性の熱伝導
体との間に外部誘導障害防止用コンデンサを接続する必
要があり、それだけ構造が煩雑になるという課題がある
ばかりでなく、圧電振動子の出力を別設した信号処理、
信号安定化電子回路にケーブルにより接続することにな
り、構造が小形、コンパクトにできず、圧電振動子と電
子回路間で外部誘導障害を受りるおそれがあり、また、
圧電体がこれよりも線膨張率の小さい材料によって保持
されていないので、センサ感度の温度依存性を一定にで
きないという課題もある。
〔発明の概要〕
本発明センサは上記の課題を解決するため、図示のよう
に圧電体1の両面に電極を設けて圧電振動子6を構成し
、この圧電振動子6を線膨張率の小さな回路基板7の一
面に接着し、この回路基板7の他面に信号処理電子回路
8を形成せしめ、全体を、内部導電層10.断熱層9及
び外部導電層11の3層で被覆してなる構成としたもの
である。
本発明では電子回路8中に外部誘導障害防止用コンデン
サを組込むことによりそれだけ構造が簡便になり、該コ
ンデンサの設置に苦慮することがないばかりでなく、圧
電振動子6の出力を信号処理電子回路8に接続するに際
してケーブルを別設する必要もないので、構造が小形、
コンパクトにでき、圧電振動子6と電子回路8間で外部
誘導障害を受けるおそれがないし、また圧電体1がこれ
より線膨張率の小さい材料によって保持されているので
、センサ感度の温度依存性を一定にできることになる。
〔発明の詳細な説明〕
以下図面に基いて本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明センサの一実施例の構成を示す概略断面
図、第2図は本実施例の外観を示す斜視図、第3図は本
実施例における構成の説明用斜視図である。
第3図ta+ 、 (bl 、第4図中、1は圧電体で
ある。
圧電体1としては体積固有抵抗が20℃で10′2〜1
0′6Ωcmの範囲にある、厚さ10〜500μmの圧
電樹脂シートである。
例えば、高分子圧電体では、PVDF=ポリフッカビニ
リデン樹脂やP (VDCN/VCA)=ポリ (ビニ
リデンシアナイド/酢酸ビニル)共重合樹脂などであり
、高分子複合系では、PZT−チタン酸ジルコン酸鉛・
POM−ポリアセタール樹脂・NBR−アクリルニトリ
ル・ブタジェン共重合ゴム・カーボンからなる組成物の
圧電体である。ゴムは加硫することで耐久性を向上でき
る。
PCT−カルシウム置換型チタン酸鉛、u−POM−ウ
レタン変性ポリアセタール樹脂からなる組成物の圧電体
でもよい。
圧電体の両面には、蒸着、スパッタ、導電塗料の印刷等
の手段に依って電極が設けられて圧電振動子6が構成さ
れるが、例えば、圧電体1の一面に一対の正、負電極2
,3を設け、他面に中立電極4を設けた構造の圧電振動
子6 (第3図参照)にすると、焦電性を減じるのに効
果がある。この効果は、正、負電極2,3の面積を等し
くすると更に高められる。
また、圧電体1の一面の中心側に正電極2を。
外側に負電極3を配置すると、電気ノイズ低減に効果が
ある。
尚、内側正電極2と外側負電極3の間には、電気的絶縁
帯が設けられることは勿論である。
この圧電振動子6ば線膨張率の小さい回路基板7の一面
に接着されており、この回路基板7の他面には信号処理
電子回路8が形成されている。
回路基板7としては、線膨張率が5xlO−5/’c以
下で高い剛性を有するガラスエポキシ樹脂、セラミック
(アルミナ、シリコンウェーハーなと)、金属等が用い
られる。
圧電体1上の正、負電極2,3を電子回路8に接続する
ために、接続回路が形成される。接続回路は、ワイヤー
ボンデングによるリード線の接続、蒸着やスパッタ等に
よる薄膜形成、厚膜回路印刷、導電塗装等の方法で形成
される。
回路形成に先だって、圧電体1の端面に露出している中
立電極4と電気的に短絡するのを避けるため、当該部分
は絶縁体12でコートされる。そして圧電振動子6の正
、負電極2.3は、それぞれ回路基板7の一面に形成さ
れた正、負電極用パターン15 、16に、正、負電極
用リードパターン1314で接続され、(第3図参照)
、更にこれらの正負電極用パターン15 、16はスル
ーポール17 、18で回路基板7の他面に形成された
信号処理電子回路8に接続されている。24は負電極用
パターン16と一体に形成された回路基準電位電極であ
る。
信号処理電子回路8は、例えば第1図示のように回路基
板7,7aに分けて形成してもよ<、19は当該電子回
路8を構成する部品である。
信号処理電子回路8は例えば第4図示のようにインピー
ダンス変換部20.フィルタ部21.ミューティング部
22、増幅部23および電源回路30より構成されてい
る。
インピーダンス変換部20の電界効果トランジスタQ1
に1〜100GΩのゲート抵抗Rを挿入することで、焦
電性による出力のドリフトが低減され、温度変化に対し
て安定した出力が得られる。
フィルタ部21の定数は、最低測定周波数によって決定
されるバイパス・フィルタのカッ1−オフ周波数から算
出される。
フィルタ部21の後段にはミューティング部22を接続
し、電源投入直後の出力立ち上がりを早くする。
回路基板7の振動子6側には回路基準電位電極24を設
け、高インピーダンスの圧電体1を電磁ノイズから保護
する。
センサ外との接続線(電源線、信号線など)には貫通コ
ンデンサ25 、26 、27を挿入し、外部高岡ノイ
ズが回路部に入らないように保護する。
増幅部23には温度補償回路28が組み合わせられ、環
境温度の変化に対して安定な感度が得られると共に利得
調整回路29も設けられ、これにより出力信号■、の大
きさが調整される。
電源回路30は耐逆電圧用素子を挿入、異常な逆方向電
圧に対して回路を保護する。
また、瞬低・瞬断対策用回路を挿入し、異常な電圧の低
下や切断に対して回路の動作を保護する。
32 、33はそれぞれケーブル及びコネクタである。
以上の構成によると、圧電体1が、自身よりも線膨張率
の小さい材料の回路基板7によって保持されるので、モ
ンサ感度の温度依存性を一定にすることができる。
基板7上には、振動子6を固定しない側に部品19を実
装するなど、ハイブリッド化した電子回路8を形成する
ことができる。
回路基板7,7aは更にきょう体と固定される。
固定に際して、シリコン樹脂、ウレタン樹脂などの軟質
接着剤を用いると、両者の線膨張率差による歪を吸収で
きる利点がある。
第5図は本発明における電子回路30の一例を示す接続
図で、6は圧電振動子、Vcは回路基準電位、R1はソ
ース抵抗、Vc(は電圧端、Rはゲート抵抗、Q、はイ
ンピーダンス変換用電界効果トランジスタ、T、は直流
電圧阻止用コンデンサCIと抵抗R2とよりなる第1時
定数回路、T2は直流電圧阻止用コンデンサC2と抵抗
R3とよりなる第2時定数回路で、これらの第1.第2
時定数回路T + 、 T 2はフィルタ部を構成する
。A I’ 、 A zは初段、後段アンプ、R3’ 
、R,+  、Rh  、R7は0 それぞれ利得調整回路29を構成する初段、後段アンプ
A +  、 A zのゲイン設定用抵抗で、温度補償
回路28は図示していない。Q2.Q、はそれぞれ抵抗
R2,R5に並列に抵抗した第1.第2スイツチング用
電界効果トランジスタ、Dl、D2はダイオード、Mc
はミューティング回路22である。
ミューティング回路Mcより出力される電界効果トラン
ジスタQ2.Q3のオン、オフ用信号M + 。
M2は第6図示のように電源投入直後同時に出力される
が、停止する時期については先にMlが停止し、一定期
間後M2が停止するように形成される。
電源投入直後、基準電位Vcより高電圧に設定されたミ
ューティング信号M、、M、がミューティング回路Mc
よりダイオードDI、D2に印加すると、電界効果トラ
ンジスタQ2.Q、はダイオードリーク電流によりゲー
ト、ソース間電圧VCS−〇■となり、オンする。一定
期間1..12の後ミューティング信号M、、M、が基
準電位Vcより電界効果トランジスタピンチオフ電圧以
下に低くなると電界効果トランジスタQ、、Q、はそれ
ぞれオフする。ここで電界効果トランジスタQ2゜Q、
のオン設定時間tI+t2は1.<12に設定される。
このような構成において電源を投入すると、インピーダ
ンス変換用電界効果トランジスタQ1およびアンプA、
、A2に電源電圧Vccが印加される。同時に、ミュー
ティング回路Mcが作動し第1時定数回路T1の抵抗R
2に並列に接続されたスイッチング用電界効果トランジ
スタQ2がダイオードD、を介してミューティング信号
M1により設定時間t1オンし、その後オフせしめられ
る。
また、第2時定数回路T2の抵抗R5に並列に接続され
たスイッチング用電界効果トランジスタQ3もダイオー
ドD2を介してミューティング信号M2により設定時間
t2オンし、その後オフせしめられる。
本動作により第1時定数回路T、にて、1.期間Rz=
OΩとなり直流阻止用コンデンサC1は速やかに所定の
電圧迄充電される。t1期間後第1 2 1時定数回路T1は正規の時定数にてインピーダンス変
換されたセンサ検出信号出力Vsを初段アンプA、へ伝
達する。
同様に、第2時定数回路T2にて、t2期期間1#OΩ
となり、直流阻止用コンデンサC2は基準電位Vcに対
する初段アンプA1の直流オフセント電圧変動に対し速
やかに充電される。t2期間後第2時定数回路T2は正
規の時定数にて初段アンプA1にて増幅されたセンサ検
出信号出力■を後段アンプA2へ伝達する。
上記の動作結果、センサアンプ出力信号Voは、電源投
入後t2期間、基準電位Vcとなり、その後安定したセ
ンサ検出信号増幅出力信号となり、入力応答の七トリン
グ時間送れを短くすることが可能となる。
例えば、低域カットオフ周波数を0.1 Hz程度に設
定した場合、本発明センサアンプでは、出力安定に必要
となる時間は、約6秒となる。
圧電振動子6.及び回路基板7,7aは内部導電層10
.断熱層9及び外部導電層11よりなるきょう体31内
に収納される。32は各貫通コンデンサ25〜27に接
続されたケーブル、33はケーブル32に接続されたコ
ネクタである。
振動子6および電子回路8を電磁ノイズから保護するた
めに全体は内部導電層10で囲まれ、導電層10は電子
回路8の信号グランドと接続される。
内部導電層10は、カーボンもしぐは/およびカーボン
ファイバーを混合した導電樹脂、樹脂メツキ、導電塗装
などで形成される。
また、フェライト混合により、併せて高周波もシールド
することができる。
圧電体lの焦電効果によって出力ゼロドリフトの起こる
のを防止するために、断熱層9で全体が囲まれる。断熱
層9は、ヒダのついた樹脂成型体や、発泡樹脂体などで
形成される。
また、高周波電磁波の影響を除去するために、貫通コン
デンサ25〜27の接地端子と接続した、外部導電層1
1が金属などで形成され被測定物に接地される。
本発明を具体的に示すと、圧電体lとして、PI3 4 (VDCN/VCA)−ポリ (ビニリデンシアナイド
/酢酸ビニル)共重合樹脂を用いた。
この圧電体1を、厚さ20μm直径19酊の円板状に形
成した。
圧電体1の一面に直径13.5φの正電極2、内径14
φ外形19φの負電極3を、他面には全面に中立電極4
を導電塗料の印刷によって設は振動子6とした。
振動子6を、ハイブリッド化された電子回路8を搭載し
た厚さ0.8 ++++ 、 23m1角のアルミナ基
板にエポキシ系接着剤を用いて接着した。
ハイブリッド化された電子回路8には、接続回路と、信
号処理回路と、電源回路とを設けた。
前記の基板を、導電性樹脂層10と、絶縁性を有する断
熱性樹脂層9と、金属層11の3層からなるきょう体3
1に納め、本発明のセンサを完成させた。
上述の説明より理解されるように本発明によれば、圧電
体1の両面に電゛極を設けて圧電振動子6を構成し、こ
の圧電振動子6を線膨張率の小さな回路基板7の一面に
接着し、この回路基板7の他面に信号処理電子回路8を
形成せしめ、全体を、内部導電層10.断熱層9及び外
部導電層11の3層で被覆してなるので、焦電性による
出力のドリフトを低減でき、温度変化に対して安定した
出力V。
を得ることができる。また、圧電体1よりも線膨張率の
小さい回路基板7により圧電振動子6を保持したので、
センサ感度の温度依存性を一定にすることができると共
に回路基板7を内部導電層10゜断熱層9及び外部導電
層11の3層に固定するに際し軟質接着剤を用いること
により回路基板7と3層の線膨張率差による歪を吸収で
きる。更に振動子6及び回路基板7の全体が、電子回路
8の信号グランドに接続された内部導電層10により被
覆されているので、電磁ノイズから保護することができ
るばかりでなく、貫通コンデンサ25〜27の接地端子
に外部導電層11を接続することにより高周波電磁波の
影響を除去することができる。また、電子回路8中に外
部誘導障害防止用コンデンサを組込むことによりそれだ
け構造が簡便になり、小形。
コンパクトにできる等の効果を奏する。
5 6
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明センサの一実施例の構成を示す図、第4
図は本実施例における信号処理電子回路の一構成例を示
す接続図、第5図は本発明における電子回路の一例を示
す接続図、第6図はその動作説明図である。 1・・・・・・圧電体、2.3・・・・・・正、負電極
、4・・・・・・中立電極、6・・・・・・圧電振動子
、7,7a・・・・・・回路基板、8・・・・・・信号
処理電子回路、9・・・・・・断熱層、1o。 11・・・・・・内、外部導電層。 7 458− 手 続 補 正 書 (方式) %式% 発明の名称 加速度センサ 3゜ 補正をする者 事件との関係  特許出願人 605 三菱油化株式会社 4゜ 代 理 人 住 所 口143東京都大田区山王2丁目1番8号平成1年9月
26日 (発送口)

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)圧電体1の両面に電極を設けて圧電振動子6を構
    成し、この圧電振動子6を線膨張率の小さな回路基板7
    の一面に接着し、この回路基板7の他面に信号処理電子
    回路8を形成せしめ、全体を、内部導電層10,断熱層
    9及び外部導電層11の3層で被覆してなる加速度セン
    サ。
  2. (2)圧電振動子6は圧電体1の一面に一対の正,負電
    極2,3を設け、その他面に中立電極4を設けてなる請
    求項第1項記載の加速度センサ。
  3. (3)信号処理電子回路8は、圧電振動子6の出力に、
    インピーダンス変換部20,フィルタ部21,増幅部2
    3をこの順に接続し、フィルタ部21と増幅部23間に
    、ミューテイング部22を接続すると共に、これら各部
    を作動せしめる電源回路30を設け、増幅部23の出力
    及び電源回路30の入力、信号グランドにそれぞれ貫通
    コンデンサ26,25,27を接続せしめてなる請求項
    第1項,第2項のいずれかに記載の加速度センサ。
JP14050789A 1989-06-02 1989-06-02 加速度センサ Pending JPH036461A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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