JPH0364460A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPH0364460A JPH0364460A JP19884789A JP19884789A JPH0364460A JP H0364460 A JPH0364460 A JP H0364460A JP 19884789 A JP19884789 A JP 19884789A JP 19884789 A JP19884789 A JP 19884789A JP H0364460 A JPH0364460 A JP H0364460A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、複数のターゲラ1へによる成膜、特に、基板
上に多層膜を形成することトこ適した薄膜形成装置に関
する。
上に多層膜を形成することトこ適した薄膜形成装置に関
する。
[従来の技術]
基板に薄膜を形成するにあたり、目的に応して、1種類
のターゲット・だけでなく、数種類のターゲッ1へを用
いた多層膜を形成することが多くある。
のターゲット・だけでなく、数種類のターゲッ1へを用
いた多層膜を形成することが多くある。
ところで、従来用いられているほとんどの薄膜形成装置
は、ターゲットを1種類しか備えていない。このために
、多層膜を形成する場合、ターゲットごとに異なる装置
で成膜を行うので、複数個の薄膜形成装置が必要であっ
た。
は、ターゲットを1種類しか備えていない。このために
、多層膜を形成する場合、ターゲットごとに異なる装置
で成膜を行うので、複数個の薄膜形成装置が必要であっ
た。
しかし、上記多層膜の形成方法は、装置間での基板の入
れ替え作業に手間がかかり、作業効率を低下する。また
、入れ替え作業の間に、基板の温度が変化して、膜に残
留応力が生してしまい、膜物性を劣化する。その上、入
れ替え作業の間に、異物が混入しやすい等の問題もあっ
た。
れ替え作業に手間がかかり、作業効率を低下する。また
、入れ替え作業の間に、基板の温度が変化して、膜に残
留応力が生してしまい、膜物性を劣化する。その上、入
れ替え作業の間に、異物が混入しやすい等の問題もあっ
た。
上記問題を解決するために、マグネトロンスパッタに用
いるターゲットと対向式スパッタに用いるターゲットと
を備えており、前記二つのターゲットを異なるターイソ
1〜電極として配置する%’l Il’A形戊装形成、
特開昭62−21.1374号公報に開示されている。
いるターゲットと対向式スパッタに用いるターゲットと
を備えており、前記二つのターゲットを異なるターイソ
1〜電極として配置する%’l Il’A形戊装形成、
特開昭62−21.1374号公報に開示されている。
」1記薄膜形成装置は、同一装置内に二つのターゲラ1
−電極を備えているので異なる装置間で基板を入れ替え
る工程数が減り、作業効率か1−:かる。
−電極を備えているので異なる装置間で基板を入れ替え
る工程数が減り、作業効率か1−:かる。
さらに、基板の入れ替え作業に伴って生じる膜の物性の
劣化が改善され、また、異物の混入も減少する。
劣化が改善され、また、異物の混入も減少する。
[発明が解決しようとする課題]
L記薄膜形成装置は、均一な膜分布を得るために、基板
を、各ターケラト電極に対向する所定位置に移動してか
らスパッタリングを行っている。
を、各ターケラト電極に対向する所定位置に移動してか
らスパッタリングを行っている。
しかし、基板がターゲラ1へ電極間を移動する間に、基
板温度は変化してしまう。その結果、膜に残留応力が生
し、膜物性は劣化する。
板温度は変化してしまう。その結果、膜に残留応力が生
し、膜物性は劣化する。
特に、多層膜を形成する場合には、基板はターゲット電
極間を複数回にわたって移動する。この移動のたびに、
膜物性は劣化していくため、優れた膜物性を持った多層
膜を得ることは困難である。
極間を複数回にわたって移動する。この移動のたびに、
膜物性は劣化していくため、優れた膜物性を持った多層
膜を得ることは困難である。
また、複数のターゲットを成lIに材料として用いるた
めに、ターゲット電極の数を増していくと、装置は大型
化する。薄膜形成装置は、通常、クリーンルームに設置
されるので、装置が大きくなり取付は面積が増すと、ク
リーンルームの効率的な;) ^ 利用の妨げになる。
めに、ターゲット電極の数を増していくと、装置は大型
化する。薄膜形成装置は、通常、クリーンルームに設置
されるので、装置が大きくなり取付は面積が増すと、ク
リーンルームの効率的な;) ^ 利用の妨げになる。
本発明の目的は、基板温度の変動が小さく、膜が受ける
応力の少ない、成膜特性に優れた薄膜形成装置を提供す
ることにある。
応力の少ない、成膜特性に優れた薄膜形成装置を提供す
ることにある。
また、複数のターゲット・を備えても装置は大型化しな
い薄膜形成装置を提仇することにある。
い薄膜形成装置を提仇することにある。
[課題を解決するための手段]
本発明の目的は、
複数のターゲットを成膜材料として備え、スパッタリン
グにより基板上に成膜を行う薄膜形成装置に、t9いて
、1)η記複数のターゲットを、各々、電気的に独立し
て保持する複数のターゲット電極部を有し、前記複数の
ターゲット電極部を、接地側と、ターゲットをスパッタ
する際に用いられるスパッタ用電源側とに切り換えるこ
とができる切り換え機構を有し、前記複数のターゲラ1
へ電極部は一つのターゲット電極として配置されている
ことを特徴とする薄膜形成装置によって達成される。
グにより基板上に成膜を行う薄膜形成装置に、t9いて
、1)η記複数のターゲットを、各々、電気的に独立し
て保持する複数のターゲット電極部を有し、前記複数の
ターゲット電極部を、接地側と、ターゲットをスパッタ
する際に用いられるスパッタ用電源側とに切り換えるこ
とができる切り換え機構を有し、前記複数のターゲラ1
へ電極部は一つのターゲット電極として配置されている
ことを特徴とする薄膜形成装置によって達成される。
前記ターゲット電極は、一つのターゲット電極部を中心
として、他のターゲット電極部が中心とするターゲット
電極部の周囲を聞む構成となっていることが好ましい。
として、他のターゲット電極部が中心とするターゲット
電極部の周囲を聞む構成となっていることが好ましい。
薄膜形成装置は、成膜中に、ターゲットの周縁部に電界
集中が生し、ターゲットに対して手相・なスパッタを起
こしやすい。このため、ターゲットの周縁部にアースシ
ールドを設ける必要がある。
集中が生し、ターゲットに対して手相・なスパッタを起
こしやすい。このため、ターゲットの周縁部にアースシ
ールドを設ける必要がある。
本発明の薄膜形成装置では、ターゲットの周縁部に電界
集中を防ぐために、複数の前記ターゲット電極部は、各
々、中心側にて隣接する他のターゲット電極部の外周綾
部を、それに触れることなく覆うようにするとよい。
集中を防ぐために、複数の前記ターゲット電極部は、各
々、中心側にて隣接する他のターゲット電極部の外周綾
部を、それに触れることなく覆うようにするとよい。
本発明に用いられる切り換え機構は、ターゲット電極部
を接地電位とスパッタ用電源とに切り換えできる機構を
有していれば、どのような機構のものであってもよい。
を接地電位とスパッタ用電源とに切り換えできる機構を
有していれば、どのような機構のものであってもよい。
例えば、各ターゲラ1、電極部を一つの共通な電源と接
地電位とに切り換えることができる機構、あるいは、各
ターゲット電極部を各々異なる電源と接地電位とに切り
換えることができる機構等がある。
地電位とに切り換えることができる機構、あるいは、各
ターゲット電極部を各々異なる電源と接地電位とに切り
換えることができる機構等がある。
薄膜形成装置に備わった複数のターゲラ)へ電極部の形
状は、基板に一様にスパッタ粒子を照射して、均一な1
摸を作ることができるならば、どのような形状でもよい
。
状は、基板に一様にスパッタ粒子を照射して、均一な1
摸を作ることができるならば、どのような形状でもよい
。
複数のターゲット電極部は、同軸配置されることが好ま
しい。また、本発明の薄膜形成装置は、スパッタ方式と
して、成j摸迭度が速いマグネl−ロン方式を用いるこ
とか好ましい。
しい。また、本発明の薄膜形成装置は、スパッタ方式と
して、成j摸迭度が速いマグネl−ロン方式を用いるこ
とか好ましい。
基板上に作られる膜の膜厚は、例えば、ターゲノトと基
板との厘離を変化させる、各ターケラ1〜電極への投入
電力またはその時間を制御する等の方法を用いて変える
ことができる。なかでも、投入電力またはその時間を制
御して膜厚を変えるとよい。
板との厘離を変化させる、各ターケラ1〜電極への投入
電力またはその時間を制御する等の方法を用いて変える
ことができる。なかでも、投入電力またはその時間を制
御して膜厚を変えるとよい。
[作 用]
本発明の薄膜形成装置は、複数のターゲット電極部が一
つのターゲット電極に配置されているので、スパッタリ
ングを行う所定の位置に基板を移動しなくとも、異なる
ターゲットから発するスパッタ粒子を基板に照射するこ
とができる。このため、ターゲラ1−電極間で基板を移
動させる必要はなく、基板温度を一定に保つことができ
る。その結果、膜に残留応力は発生せず、膜物性にすく
れた膜を製造することができる。また、装置から基板の
出し入れをすることがないので、異物の混入もない。
つのターゲット電極に配置されているので、スパッタリ
ングを行う所定の位置に基板を移動しなくとも、異なる
ターゲットから発するスパッタ粒子を基板に照射するこ
とができる。このため、ターゲラ1−電極間で基板を移
動させる必要はなく、基板温度を一定に保つことができ
る。その結果、膜に残留応力は発生せず、膜物性にすく
れた膜を製造することができる。また、装置から基板の
出し入れをすることがないので、異物の混入もない。
さらに、ターゲット電極が−っのため、装置の小型化が
可能である。
可能である。
本発明の薄膜形成装置は、一つのターゲット電極部を中
心として、他のターゲット電極部が前記中心とするター
ゲット電極部の周囲を囲む構成とすることができるので
、基板」−にムラなく均一にスパッタ粒子を照射できる
。
心として、他のターゲット電極部が前記中心とするター
ゲット電極部の周囲を囲む構成とすることができるので
、基板」−にムラなく均一にスパッタ粒子を照射できる
。
前記ターゲット電極部は、中心側にてIIA接する他の
ターゲット電極部の外周縁部を、それに触れることなく
覆うこともできるので、ターゲラ1−ffl極部はター
ゲット電極部のアースシールドとして働き、成膜中に、
ターゲットの外周縁部に電界集中は生しない。その上、
ターゲット電極部とターゲット−電極部の間に別途、ア
ースシールドを設ける必要がないので、装置を小型化で
きる。
ターゲット電極部の外周縁部を、それに触れることなく
覆うこともできるので、ターゲラ1−ffl極部はター
ゲット電極部のアースシールドとして働き、成膜中に、
ターゲットの外周縁部に電界集中は生しない。その上、
ターゲット電極部とターゲット−電極部の間に別途、ア
ースシールドを設ける必要がないので、装置を小型化で
きる。
[実施例]
以下、本発明の詳細な説明するが、本発明はこれに限定
されるものではない。
されるものではない。
第1図を用いて、2種類のターゲット電極部を備えた本
発明の薄膜形成装置を説明する。
発明の薄膜形成装置を説明する。
上記薄膜形成装置は、チャンバー20に、基板4を基板
ホルダ3に装着あるいは脱着する予備室2と、スパッタ
リングを行う成膜室]の2室を持つ。成膜室1には、タ
ーゲット電極とターグツl−9を固定するバッキングプ
レート8とからなる第1のターゲット電極部70を中心
として、ターゲラ1−11とターゲット・11を固定す
るターゲット支持リング10とからなる第2のターゲッ
ト電極部80と、アースシールド15とが同軸配置され
ている。
ホルダ3に装着あるいは脱着する予備室2と、スパッタ
リングを行う成膜室]の2室を持つ。成膜室1には、タ
ーゲット電極とターグツl−9を固定するバッキングプ
レート8とからなる第1のターゲット電極部70を中心
として、ターゲラ1−11とターゲット・11を固定す
るターゲット支持リング10とからなる第2のターゲッ
ト電極部80と、アースシールド15とが同軸配置され
ている。
第1のターケラ)〜電極部70の図面」二の下部には、
第1のターゲット・電極部70を接地側あるいは図示さ
れていないスパッタ用電源(RF電″tA)側に接続す
る電力導入バー21と、電力導入バー21を陳動するパ
ー暉動部17とからなる切り換え機構50が設けられて
いる。
第1のターゲット・電極部70を接地側あるいは図示さ
れていないスパッタ用電源(RF電″tA)側に接続す
る電力導入バー21と、電力導入バー21を陳動するパ
ー暉動部17とからなる切り換え機構50が設けられて
いる。
さらに、第2のターゲット・電極部8oの図面上の下部
には、第2のターゲット電極部8oを接地側あるいは図
示されていないスパッタ用電源(RF電源)側に接続す
る電力導入バー22と、電力導入バー22を原動するバ
ー暉動部18とからなる切り換え機構60が設けられて
いる。
には、第2のターゲット電極部8oを接地側あるいは図
示されていないスパッタ用電源(RF電源)側に接続す
る電力導入バー22と、電力導入バー22を原動するバ
ー暉動部18とからなる切り換え機構60が設けられて
いる。
また、本実施例の薄膜形成装置け、図示していないが、
一般的な薄膜形成装置?゛Lと同様に、真空ポンプおよ
びガス配管を右している。そして、装置の一部あるいは
全体は、チャンバー20内に収納保持されている。
一般的な薄膜形成装置?゛Lと同様に、真空ポンプおよ
びガス配管を右している。そして、装置の一部あるいは
全体は、チャンバー20内に収納保持されている。
第1のターゲット電極部7oは円形であり、第2のター
グツl−電極部8oとアースシールド15は環状である
。第2のターケラ1〜電極部8oは、第1のターゲット
電極部70を同ヂ)D状に取り囲んでいる。さらに、ア
ースシールド15は、第2のターゲット電極部8oを同
軸状に四んている。すなわち、第1のターゲット電極部
7oど、第2のターゲット電極部8oと、アースシール
ド15とは同心円状になっている。
グツl−電極部8oとアースシールド15は環状である
。第2のターケラ1〜電極部8oは、第1のターゲット
電極部70を同ヂ)D状に取り囲んでいる。さらに、ア
ースシールド15は、第2のターゲット電極部8oを同
軸状に四んている。すなわち、第1のターゲット電極部
7oど、第2のターゲット電極部8oと、アースシール
ド15とは同心円状になっている。
さらに、第1のターゲット−電極部70と、第2のター
ゲット電極部80と、アースシールド15とは段状に配
置されており、第1のターゲット電極部70が底部側と
なる。
ゲット電極部80と、アースシールド15とは段状に配
置されており、第1のターゲット電極部70が底部側と
なる。
第1のターゲット電極部70は、絶縁物13によりチャ
ンバー20と絶縁されている。第2のターゲット電極部
80は、絶縁物13によりチャンバー20および第1の
ターゲット電極部7oから絶縁されている。
ンバー20と絶縁されている。第2のターゲット電極部
80は、絶縁物13によりチャンバー20および第1の
ターゲット電極部7oから絶縁されている。
第二のターゲット電極部80は、第一のターゲット電極
部70の外周縁部を、それに触れることなく覆うように
突出部を持つ。アースシールド15は、第二のターゲッ
ト電極部80の外周縁部を、それに触れることなく覆う
ように突出部を持つ。
部70の外周縁部を、それに触れることなく覆うように
突出部を持つ。アースシールド15は、第二のターゲッ
ト電極部80の外周縁部を、それに触れることなく覆う
ように突出部を持つ。
バッキングプレート8は、バー暉動部17に支持されて
いる電力導入バー21と接続している。
いる電力導入バー21と接続している。
図示されていないスパッタ用電源と接続している電力導
入部」−6は、M!Aa部13部上3てアースカバー5
に固定されている。′電力導入バー21は、バー關動部
17により開動され、バッキングプレ−ト8を電力導入
部16のいずれかに接続する。
入部」−6は、M!Aa部13部上3てアースカバー5
に固定されている。′電力導入バー21は、バー關動部
17により開動され、バッキングプレ−ト8を電力導入
部16のいずれかに接続する。
これにより、第一のターゲラ1へ電極部70の電417
は、接地側あるいはスパッタ用電源側に切り換えられる
。
は、接地側あるいはスパッタ用電源側に切り換えられる
。
同様に、ターゲット支持リング10は、電力導入バー2
2と接続されている。電力導入バー22は、バー睡動部
18によって即動され、ターゲット支持リング10をア
ースカバー5または電力導入部16のいずれかに接続し
て、第2のターゲット電極部80の電位を接地側あるい
はスパッタ用電源側に切り換える。
2と接続されている。電力導入バー22は、バー睡動部
18によって即動され、ターゲット支持リング10をア
ースカバー5または電力導入部16のいずれかに接続し
て、第2のターゲット電極部80の電位を接地側あるい
はスパッタ用電源側に切り換える。
ターゲット支持リング10の内部には、マクネトロンス
パッタを行うための磁界発生部として、マグネ1−ロン
磁石14が組込まれている。
パッタを行うための磁界発生部として、マグネ1−ロン
磁石14が組込まれている。
基板ホルダ3は、図示されていない駒動部により開動さ
れる搬送系7により、予備室2と成膜室上のスパッタリ
ングを行う所定位置との間を移動する。内室を仕切るデ
ー1〜介6は、グー1〜j↑叶動1 装置12により開閉する。
れる搬送系7により、予備室2と成膜室上のスパッタリ
ングを行う所定位置との間を移動する。内室を仕切るデ
ー1〜介6は、グー1〜j↑叶動1 装置12により開閉する。
スパッタリングを行う所定位置の図面上の上部には、基
板温度の調節に用いるヒーター19が設置されている。
板温度の調節に用いるヒーター19が設置されている。
成lIK室】に備えられたシャッタ23は、第1図にお
いては、紙面に対して垂直方向に移動して基板ホルダ3
とターゲット9および同11とではさまれた放電空間を
2分割する。
いては、紙面に対して垂直方向に移動して基板ホルダ3
とターゲット9および同11とではさまれた放電空間を
2分割する。
ガスは、ガス導入口24より成膜室1に挿入される。
第2図に、第1図の薄膜形成装置の2種類のターゲyh
電極およびアースシールド15の平面図を示す。
電極およびアースシールド15の平面図を示す。
実線aはターゲット11の内周、破線すはターゲット9
の円周、実線Cはアースシールド15の内周、破線dは
ターゲット11の外周、実線eはアースシールド15の
外周である。
の円周、実線Cはアースシールド15の内周、破線dは
ターゲット11の外周、実線eはアースシールド15の
外周である。
実線aと破線すで挟まれた部分は、ターゲット11の突
出部がターゲット9の周縁部を覆っている部分である。
出部がターゲット9の周縁部を覆っている部分である。
2−
実線Cと破線dで挟まれた部分は、アースシールド15
の突出部がターゲット・11の周縁部を覆っている部分
である。
の突出部がターゲット・11の周縁部を覆っている部分
である。
第↓図に示す実施例の諮膜形成装置の作用およびこれを
用いた多JF71模の?J造方a;について説明する。
用いた多JF71模の?J造方a;について説明する。
基板4の装着あるいは脱着は、予備室2て行われる。こ
れにより、成膜室1は、常に高真空に保たれ、膜特性の
安定化の向上に寄与する。
れにより、成膜室1は、常に高真空に保たれ、膜特性の
安定化の向上に寄与する。
搬送系7は、基板4を装着して基板ホルダ3を、所定の
位置まで搬送する。基板4の温度は、ヒーター19によ
って一定に保たれる。
位置まで搬送する。基板4の温度は、ヒーター19によ
って一定に保たれる。
まず、基板」二に、ターゲット9から発するスパッタ粒
子により成膜する。
子により成膜する。
この時、切り換え機構50は、バー暉動部17が電力導
入バー2↓を電力導入部16に接続することにより、集
土のターゲット−電極部70を電源側に接続する。そし
て、切り換え機構60は、バー邸動部工8が電力導入バ
ー22をアースカバー5に接続することにより、第2の
ターゲッ1〜電極部80を接地側に接続する。
入バー2↓を電力導入部16に接続することにより、集
土のターゲット−電極部70を電源側に接続する。そし
て、切り換え機構60は、バー邸動部工8が電力導入バ
ー22をアースカバー5に接続することにより、第2の
ターゲッ1〜電極部80を接地側に接続する。
ガス導入rI] 24よりガスを導入し、シャッタ23
を開いて、電力導入部]−6を介して、高周波電力を第
1のターゲット電極部70に投入することによって、基
板4の表面に成膜することができる。
を開いて、電力導入部]−6を介して、高周波電力を第
1のターゲット電極部70に投入することによって、基
板4の表面に成膜することができる。
接地電位と接続した第2のターゲット電極部80は、集
土のターゲット電極部70の周縁部を触れることなく覆
っているので、アースシールドとして働いている。この
ため、第1のターゲット電極部70の外周縁部に電界集
中が起こらないので、第1のターゲット電極部70は均
一なスパッタリングを行うことができる。
土のターゲット電極部70の周縁部を触れることなく覆
っているので、アースシールドとして働いている。この
ため、第1のターゲット電極部70の外周縁部に電界集
中が起こらないので、第1のターゲット電極部70は均
一なスパッタリングを行うことができる。
次に、基板に第2のターゲソト@、極部80から発する
スパッタ粒子により成膜する。
スパッタ粒子により成膜する。
切り換え機構50と切り換え機構60の動きは、前述し
た動作と逆となる。切り換えは、瞬時に行うことができ
る。従って、異なる種類のターゲット−について、はと
んど連続的に成膜することができる。しかも、基板を移
動しなくとも、第2のターゲット電極部80からスパッ
タ粒子を基板に照射できるので、基板温度は変動しない
。
た動作と逆となる。切り換えは、瞬時に行うことができ
る。従って、異なる種類のターゲット−について、はと
んど連続的に成膜することができる。しかも、基板を移
動しなくとも、第2のターゲット電極部80からスパッ
タ粒子を基板に照射できるので、基板温度は変動しない
。
第2のターゲット電極部80の周りには、マグネトロン
磁石]4によりマグネトロン磁界が作られる。マグネ1
ヘロン磁界は、第2のターゲラ1へ電極部80の周りに
高密度のプラズマを閉じ込めたエロージョンエリアを形
成する。スパッタ粒子はエロージョンエリアから発し、
基板に照射される。
磁石]4によりマグネトロン磁界が作られる。マグネ1
ヘロン磁界は、第2のターゲラ1へ電極部80の周りに
高密度のプラズマを閉じ込めたエロージョンエリアを形
成する。スパッタ粒子はエロージョンエリアから発し、
基板に照射される。
マグネI・ロン方式は、或1151.速度を−」二げる
ことはできるか、エロージョンエリアしか、スパッタに
寄与しないので、ターゲット・全体の使用効率が悪い。
ことはできるか、エロージョンエリアしか、スパッタに
寄与しないので、ターゲット・全体の使用効率が悪い。
この場合には、エロージョンエリアにそうようにターゲ
ラ1−の形を設定することで、使用効率を改善するとよ
い。本実施例における第二のターゲット電極部80は、
その−例である。
ラ1−の形を設定することで、使用効率を改善するとよ
い。本実施例における第二のターゲット電極部80は、
その−例である。
上述のようにして、基板上に2層の膜を形J戊できる。
さらに、2層以上の多層膜を形成する0、77には、上
記操作を繰り返して行えばよい。
記操作を繰り返して行えばよい。
本実施例のH膜形成装置では、第1−のターケラh電極
部70と第2のターゲット電極部80に1妾5 続されるスパッタ用電源を共通にしているので、装置が
小さくてすむ。
部70と第2のターゲット電極部80に1妾5 続されるスパッタ用電源を共通にしているので、装置が
小さくてすむ。
第3図を用いて、3種類のターゲラ1へ電極部を備えた
、本発明の薄膜形成装置の他の実施例について説明する
。
、本発明の薄膜形成装置の他の実施例について説明する
。
第3図は、薄膜形成装置のターゲットへ電極部を示した
ものであり、図示していない成膜室と予備室の構成は第
■図に示すものと同しである。
ものであり、図示していない成膜室と予備室の構成は第
■図に示すものと同しである。
本実施例は、第1図に示した薄膜形成装置の第2のター
ゲラ1へ電極部80とアースシール1〜15との間に、
ターゲット26とターゲット支持リング25とからなる
第3のターゲット電極部9oを設けている。
ゲラ1へ電極部80とアースシール1〜15との間に、
ターゲット26とターゲット支持リング25とからなる
第3のターゲット電極部9oを設けている。
第1−1第2および第3のターゲット電極部は、それぞ
れ、接地電位に保たれている接点あるいはスパッタ用電
源に接続した接点に切り換えることができる、切り換え
機構28,29.30と接続している。
れ、接地電位に保たれている接点あるいはスパッタ用電
源に接続した接点に切り換えることができる、切り換え
機構28,29.30と接続している。
第1のターゲット−電極部70は切り換え機構28を介
してスパッタ用電源31と、第2のター6ゲ ツト パッタ用電源32と、第3のターゲット電極部90は切
り換え機構30を介してスパッタ用電源33と接続てき
る。これら3個のスパッタ用電源の出力は、ターゲット
の種類、スパッタリングの速度等の目的にあわせて、任
意に1凋整することができる。
してスパッタ用電源31と、第2のター6ゲ ツト パッタ用電源32と、第3のターゲット電極部90は切
り換え機構30を介してスパッタ用電源33と接続てき
る。これら3個のスパッタ用電源の出力は、ターゲット
の種類、スパッタリングの速度等の目的にあわせて、任
意に1凋整することができる。
第2のターゲット電極部80は集土のターゲット電極部
70の外周縁部を覆い、第3のターゲット電極部90は
第2のターゲーソI−電極部80の外周縁部を覆い、さ
らに、アースシール1−15は第3のターゲット電極部
90の外周縁部を覆っている。
70の外周縁部を覆い、第3のターゲット電極部90は
第2のターゲーソI−電極部80の外周縁部を覆い、さ
らに、アースシール1−15は第3のターゲット電極部
90の外周縁部を覆っている。
こうして、第2のターゲット−電極部80は第1のター
ゲラ1へ電極部70のアースシール1−となることがで
き、第3のターゲット電極部90は第2のターゲット電
極部80のアースシールIくとなることができる。
ゲラ1へ電極部70のアースシール1−となることがで
き、第3のターゲット電極部90は第2のターゲット電
極部80のアースシールIくとなることができる。
ターゲット9に絶縁体を、ターゲットへ3. 1および
同26に金属を用いて、多層膜の成膜を行った場合の、
本装置の操作について説明する。
同26に金属を用いて、多層膜の成膜を行った場合の、
本装置の操作について説明する。
基板4にターゲラ1へ9を用いた絶縁膜を形成するには
、切り換え機構28をスパッタ用電源3L側に切り換え
、切り換え機構29と切り換え機構3oを接地側に切り
換える。スパッタ用電源31により、第1のターゲット
電極部70に電圧を印加して、基板4に絶縁膜を形成す
る。絶縁膜の膜厚は、−例を挙げれば、0.01μm〜
0.1μm程度とすることができる。
、切り換え機構28をスパッタ用電源3L側に切り換え
、切り換え機構29と切り換え機構3oを接地側に切り
換える。スパッタ用電源31により、第1のターゲット
電極部70に電圧を印加して、基板4に絶縁膜を形成す
る。絶縁膜の膜厚は、−例を挙げれば、0.01μm〜
0.1μm程度とすることができる。
絶縁膜形成後、切り換え機構30は接地側に保持してお
き、切り換え機構28を接地側に、切り換え機構29を
スパッタ用電源32側に各々直ちに、切り換えた後、タ
ーケラト土1をスパッタして、金属膜が形成される。こ
の金属膜の膜厚も、例えば、絶縁膜と同程度どすること
ができる。
き、切り換え機構28を接地側に、切り換え機構29を
スパッタ用電源32側に各々直ちに、切り換えた後、タ
ーケラト土1をスパッタして、金属膜が形成される。こ
の金属膜の膜厚も、例えば、絶縁膜と同程度どすること
ができる。
金属膜形成後、切り換え機構28は接地側のままで、切
り換え機構29を接地側に切り換え、切り換え機構30
をスパッタ用型i32側に切り換えた後、ターゲット2
6をスパッタする。基板4には、絶g膜、金属膜、金属
膜の順に多層膜が形成される。
り換え機構29を接地側に切り換え、切り換え機構30
をスパッタ用型i32側に切り換えた後、ターゲット2
6をスパッタする。基板4には、絶g膜、金属膜、金属
膜の順に多層膜が形成される。
さらに、以上の操作のくり返しによって、基板4− J
−には絶縁膜、金属膜、金F(膜の層構成を繰り返した
、多層膜か形成されることになる、。
−には絶縁膜、金属膜、金F(膜の層構成を繰り返した
、多層膜か形成されることになる、。
多層膜の成分、膜厚、層11ffi等は、口内とする多
層膜によって任意である。
層膜によって任意である。
また、本実施例の薄膜形成装置は、2つのターゲットを
同時にスパッタすることによって、2押類のターゲット
の混合膜、合金膜、化身物IEl’+等をつくることが
できる。この時、ターゲy1〜′社極部に印加する電源
の電圧を調整することによって、2種類のターケラトの
組成比を変えることか出来る。特に本実施例ては、ター
ゲタ+−ru電極部どに電源が備わっているために、竜
IE変動が生しない安定した電力をターゲット電極部に
供給できる。
同時にスパッタすることによって、2押類のターゲット
の混合膜、合金膜、化身物IEl’+等をつくることが
できる。この時、ターゲy1〜′社極部に印加する電源
の電圧を調整することによって、2種類のターケラトの
組成比を変えることか出来る。特に本実施例ては、ター
ゲタ+−ru電極部どに電源が備わっているために、竜
IE変動が生しない安定した電力をターゲット電極部に
供給できる。
[発明の効果]
本発明の薄膜形成装置は、複数のターゲット電極部を一
つのターゲラ1へ電極として配置しているので、基板を
移動しなくとも、異なる押類のターイソ1〜を連続的に
成膜することができろ。このた9 めに、膜が残留応力を受けることがなく、膜物性に優れ
ており、また、不純物の混入もない。
つのターゲラ1へ電極として配置しているので、基板を
移動しなくとも、異なる押類のターイソ1〜を連続的に
成膜することができろ。このた9 めに、膜が残留応力を受けることがなく、膜物性に優れ
ており、また、不純物の混入もない。
ターゲット電極が一つであるため、装置の小型化が可能
であり、クリーンルームの有効利用が可能である。
であり、クリーンルームの有効利用が可能である。
また、一つのターゲット電極を中心として、他のターゲ
ット電極部が中心とするターゲット電極部の周囲を囲む
構成とすることにより、基板上に形成される膜の分布を
均一にできる。
ット電極部が中心とするターゲット電極部の周囲を囲む
構成とすることにより、基板上に形成される膜の分布を
均一にできる。
さらに、この場合、ターゲット電極部は、中心側にて隣
接する他のターゲット電極部の外周縁部をそれに角虫れ
ることなく覆うこともできる。このため、ターゲットの
周縁部に電界が集中することがなく、ターゲット面に対
して均一・なスパッタを行うこともできる。
接する他のターゲット電極部の外周縁部をそれに角虫れ
ることなく覆うこともできる。このため、ターゲットの
周縁部に電界が集中することがなく、ターゲット面に対
して均一・なスパッタを行うこともできる。
第1図は本発明の−・実施例の要部断面図、第2図は第
1図におけるアースシールドと2つのターゲットの平面
図、第3図は本発明の他の実施例のターゲット電極の要
部断面図である。 0
1図におけるアースシールドと2つのターゲットの平面
図、第3図は本発明の他の実施例のターゲット電極の要
部断面図である。 0
Claims (5)
- 1.複数のターゲットを成膜材料として備え、スパッタ
リングにより基板上に成膜を行う薄膜形成装置において
、 前記複数のターゲットを、各々、電気的に独立して保持
する複数のターゲット電極部を有し、前記複数のターゲ
ット電極部を、接地側と、ターゲットをスパッタする際
に用いられるスパッタ用電源側とに切り換えることがで
きる切り換え機構を有し、 前記複数のターゲット電極部は一つのターゲット電極と
して配置されていることを特徴とする薄膜形成装置。 - 2.前記ターゲット電極は、一つのターゲット電極部を
中心として、他のターゲット電極部が中心とするターゲ
ット電極部の周囲を囲む構成となっていることを特徴と
する請求項1記載の薄膜形成装置。 - 3.前記複数のターゲット電極部は、各々、中心側にて
隣接する他のターゲット電極部の外周縁部を、それに触
れることなく覆うことを特徴とする請求項2記載の薄膜
形成装置。 - 4.前記複数のターゲット電極部は、同軸配置されるこ
とを特徴とする請求項1,2または3記載の薄膜形成装
置。 - 5.前記複数のターゲット電極部のうち少なくとも1つ
には、マグネトロンスパッタを行うための磁界発生部が
設けられたことを特徴とする請求項1,2,3または4
記載の薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19884789A JPH0364460A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19884789A JPH0364460A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0364460A true JPH0364460A (ja) | 1991-03-19 |
Family
ID=16397900
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19884789A Pending JPH0364460A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0364460A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007031816A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
US7678239B2 (en) * | 2003-07-25 | 2010-03-16 | Oerlikon Solar Ip Ag, Trubbach | Sliding anode magnetron sputtering source |
JP2010065251A (ja) * | 2008-09-09 | 2010-03-25 | Shinmaywa Industries Ltd | シートプラズマ成膜装置 |
JP2013080956A (ja) * | 2006-02-15 | 2013-05-02 | Lam Research Corporation | 複数の容量および誘導プラズマ源を備えたプラズマ処理リアクタ |
TWI401333B (zh) * | 2005-07-29 | 2013-07-11 | Ulvac Inc | Sputtering apparatus and sputtering method |
US8507105B2 (en) | 2005-10-13 | 2013-08-13 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Thermal spray coated rolls for molten metal baths |
WO2023074052A1 (ja) * | 2021-10-26 | 2023-05-04 | 株式会社アルバック | 成膜方法 |
-
1989
- 1989-07-31 JP JP19884789A patent/JPH0364460A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7678239B2 (en) * | 2003-07-25 | 2010-03-16 | Oerlikon Solar Ip Ag, Trubbach | Sliding anode magnetron sputtering source |
JP2007031816A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
TWI401334B (zh) * | 2005-07-29 | 2013-07-11 | Ulvac Inc | Sputtering apparatus and sputtering method |
TWI401333B (zh) * | 2005-07-29 | 2013-07-11 | Ulvac Inc | Sputtering apparatus and sputtering method |
US8507105B2 (en) | 2005-10-13 | 2013-08-13 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Thermal spray coated rolls for molten metal baths |
JP2013080956A (ja) * | 2006-02-15 | 2013-05-02 | Lam Research Corporation | 複数の容量および誘導プラズマ源を備えたプラズマ処理リアクタ |
US8906197B2 (en) | 2006-02-15 | 2014-12-09 | Lam Research Corporation | Plasma processing chamber having electrodes for cleaning chamber |
JP2010065251A (ja) * | 2008-09-09 | 2010-03-25 | Shinmaywa Industries Ltd | シートプラズマ成膜装置 |
WO2023074052A1 (ja) * | 2021-10-26 | 2023-05-04 | 株式会社アルバック | 成膜方法 |
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