JPH0362517A - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理装置Info
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- JPH0362517A JPH0362517A JP1074316A JP7431689A JPH0362517A JP H0362517 A JPH0362517 A JP H0362517A JP 1074316 A JP1074316 A JP 1074316A JP 7431689 A JP7431689 A JP 7431689A JP H0362517 A JPH0362517 A JP H0362517A
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- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 25
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
- C23F4/04—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00 by physical dissolution
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
-
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- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
- H01J37/32678—Electron cyclotron resonance
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、電子サイクロトロン共鳴現象を利用して生成
したプラズマを用いて、基板表面のエツチング、基板へ
の薄膜形成等の表面処理を行なう半導体デバイス等の製
造プロセスに使用されるマイクロ波プラズ了処理装置に
関する。
したプラズマを用いて、基板表面のエツチング、基板へ
の薄膜形成等の表面処理を行なう半導体デバイス等の製
造プロセスに使用されるマイクロ波プラズ了処理装置に
関する。
（従来の技術）
従来のこの種の装置として２つの例が知られている。第
１の例は、第３図に示す特開昭５６−１５５５３５号公
報所載の発明である。ここに示されたマイクロ波プラズ
マ処理技術は、コイル３を用いて所定の強さの磁場が印
加されたプラズマ発生室１内に、マイクロ波発生器６よ
り導波管５、マイクロ波導入窓４を経由してマイクロ波
を導入し電子サイクロトロン共鳴現象を起こし、これに
より発生したエネルギーでガス導入系７から導入された
プラズマ発生室１内のガスをプラズマ化（９）し、プラ
ズマ引出し窓１４からプラズマ流を前記磁場の作る発散
磁界を利用して基板処理室２内に引出し、そのイオンの
衝撃によって、基板ホルダー１０上に載置した基板１５
をエツチングするものである。１２はガス排気系である
。
１の例は、第３図に示す特開昭５６−１５５５３５号公
報所載の発明である。ここに示されたマイクロ波プラズ
マ処理技術は、コイル３を用いて所定の強さの磁場が印
加されたプラズマ発生室１内に、マイクロ波発生器６よ
り導波管５、マイクロ波導入窓４を経由してマイクロ波
を導入し電子サイクロトロン共鳴現象を起こし、これに
より発生したエネルギーでガス導入系７から導入された
プラズマ発生室１内のガスをプラズマ化（９）し、プラ
ズマ引出し窓１４からプラズマ流を前記磁場の作る発散
磁界を利用して基板処理室２内に引出し、そのイオンの
衝撃によって、基板ホルダー１０上に載置した基板１５
をエツチングするものである。１２はガス排気系である
。
第２の例は、第４図に示す特開昭６０−１３４４２３号
公報所載の発明である。ここに示されたマイクロ波プラ
ズマ処理技術では、第４図に示すような、勾配をもった
磁場が印加されたプラズマ発生室が使用されており、導
波管５、取入れ窓４を経由し石英ペルジャー１３を通し
てマイクロ波が導入される方式である。このチャンバー
１３内のプラズマ発生室１はマイクロ波空洞共振器の条
件に適合するようには槽底されておらず、基板ホルダー
１０はプラズマ発生室１内に設置され、プラズマ発生室
は処理室を兼ねるという特徴をもつ。
公報所載の発明である。ここに示されたマイクロ波プラ
ズマ処理技術では、第４図に示すような、勾配をもった
磁場が印加されたプラズマ発生室が使用されており、導
波管５、取入れ窓４を経由し石英ペルジャー１３を通し
てマイクロ波が導入される方式である。このチャンバー
１３内のプラズマ発生室１はマイクロ波空洞共振器の条
件に適合するようには槽底されておらず、基板ホルダー
１０はプラズマ発生室１内に設置され、プラズマ発生室
は処理室を兼ねるという特徴をもつ。
この基板ホルダー１０の設置位置は、前記公報では明か
でないが、この装置の詳細を紹介する「日経マイクロデ
バイスＪ （１９８８，６月号、ＰＯ２）および「Ｓ
ＥＭＩテクノロジーシンポジウムＪ （Ｈ３８８Ｐ１
３３−Ｐ］４４） によれば、マイクロ波周波数２．
４５ＧＨｚに対し電子サイクロトロン共鳴点となる８７
５ガウスの位置から２ｃｍはど離れた８００ガウス以下
の所となっていることが明かである。
でないが、この装置の詳細を紹介する「日経マイクロデ
バイスＪ （１９８８，６月号、ＰＯ２）および「Ｓ
ＥＭＩテクノロジーシンポジウムＪ （Ｈ３８８Ｐ１
３３−Ｐ］４４） によれば、マイクロ波周波数２．
４５ＧＨｚに対し電子サイクロトロン共鳴点となる８７
５ガウスの位置から２ｃｍはど離れた８００ガウス以下
の所となっていることが明かである。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし、−上述した従来の技術において、第１の例では
、基板上のエツチング形状を観察すると、第５図に示す
ように、ａは基板中心、ｂは１００φの基板周辺、Ｃは
１５０φの基板周辺の付近のエツチング形状を示すもの
であるが、基板中心付近ａにおけるエツチング形状は垂
直になるが、基板周辺部に向かうにつれてエツチングの
傾斜が大きくなっていくことが明かになった。この傾向
は大口径の基板をエツチングする場合に顕著に表れてく
る。その理由は次の通りである。
、基板上のエツチング形状を観察すると、第５図に示す
ように、ａは基板中心、ｂは１００φの基板周辺、Ｃは
１５０φの基板周辺の付近のエツチング形状を示すもの
であるが、基板中心付近ａにおけるエツチング形状は垂
直になるが、基板周辺部に向かうにつれてエツチングの
傾斜が大きくなっていくことが明かになった。この傾向
は大口径の基板をエツチングする場合に顕著に表れてく
る。その理由は次の通りである。
即ち、プラズマ発生室内で生成されたプラズマは発散磁
界により基板方向へ引き出されるが、エツチング形状は
イオンの入射方向に大きく依存するが、エツチングに寄
与するイオンは基板の周辺部では基板に斜めに入射する
ことになるため、基板周辺部付近では内側に傾斜したエ
ツチング形状を示すに至る。またこの発明の装置ではイ
オン電流密度が低くなって、そのため、結果的にイオン
エネルギーが大きくなり、下地に対してダメージが入る
可能性がある。
界により基板方向へ引き出されるが、エツチング形状は
イオンの入射方向に大きく依存するが、エツチングに寄
与するイオンは基板の周辺部では基板に斜めに入射する
ことになるため、基板周辺部付近では内側に傾斜したエ
ツチング形状を示すに至る。またこの発明の装置ではイ
オン電流密度が低くなって、そのため、結果的にイオン
エネルギーが大きくなり、下地に対してダメージが入る
可能性がある。
さらに長い距離イオンを引き出すためにイオンの散乱が
起こり、散乱したイオンによるサイドエツチングが大き
いものになる。
起こり、散乱したイオンによるサイドエツチングが大き
いものになる。
以上のことから、この第１の従来技術には、基板表面の
全面において均一なエツチング形状が得られないこと、
イオンエネルギーが大きいこと、サイドエツチングが入
りやすいことなどの問題があった。
全面において均一なエツチング形状が得られないこと、
イオンエネルギーが大きいこと、サイドエツチングが入
りやすいことなどの問題があった。
また第２の従来例においても； これは第１の従来例に
比べるとイオン電流密度はかなり大きく取れるが、その
基板設置位置が電子サイクロトロン共鳴点からはずれて
いるため、第６図に示すように基板に入射するイオンエ
ネルギーが大きくなり、基板に高いバイアス電圧を加え
ても、異方性が遠戚できないという問題があった。
比べるとイオン電流密度はかなり大きく取れるが、その
基板設置位置が電子サイクロトロン共鳴点からはずれて
いるため、第６図に示すように基板に入射するイオンエ
ネルギーが大きくなり、基板に高いバイアス電圧を加え
ても、異方性が遠戚できないという問題があった。
（発明の従来技術に対する相違点）
上述した従来の電子サイクロトロン共鳴エツチング装置
に対し、本発明は高イオン電流密度、低イオンエネルギ
ー 異方性エツチングを実現するために、電子サイクロ
トロン共鳴点の限定された極く近傍位置に基板を設置し
てエツチングを行なうという相違点を有する。
に対し、本発明は高イオン電流密度、低イオンエネルギ
ー 異方性エツチングを実現するために、電子サイクロ
トロン共鳴点の限定された極く近傍位置に基板を設置し
てエツチングを行なうという相違点を有する。
（問題点を解決するための手段）
本発明は上記目的を遠戚するために次のように槽底され
ている。即ち、プラズマ発生室内でマイクロ波により発
生する電場と、該電場に直交する磁場とによって起こる
電子サイクロトロン共鳴現象を利用して処理ガスをプラ
ズマ化し、このプラズマ中の電子サイクロトロン共゛鳴
点の極く近傍、磁場強度で±３．０％の範囲の部分に基
板を設置してこれを処理する。この槽底をとるによって
、基板表面に垂直な磁力線のもとて基板を処理できるた
めイオンの入射角度がほぼ垂直となり、イオン電流密度
も大きく、イオン温度の最も低い位置で高速で低ダメー
ジの異方性エツチングが実現できることが判明した。
ている。即ち、プラズマ発生室内でマイクロ波により発
生する電場と、該電場に直交する磁場とによって起こる
電子サイクロトロン共鳴現象を利用して処理ガスをプラ
ズマ化し、このプラズマ中の電子サイクロトロン共゛鳴
点の極く近傍、磁場強度で±３．０％の範囲の部分に基
板を設置してこれを処理する。この槽底をとるによって
、基板表面に垂直な磁力線のもとて基板を処理できるた
めイオンの入射角度がほぼ垂直となり、イオン電流密度
も大きく、イオン温度の最も低い位置で高速で低ダメー
ジの異方性エツチングが実現できることが判明した。
第７図、第８図に、本発明を適用した場合のエツチング
処理の結果を示す。第７図は２．４５ＧＨ２のマイクロ
波を導入してＥＣＲプラズマを発生させたものであり、
従って８７５ガウスが共鳴点となっている。この結果が
示すように、エツチング形状は８５０〜９００ガウスの
範囲においてのみほぼ９０’ の実用値が得られている
。また、第８図にはこの基板にＲＦバイアス（例えば、
１３．５６ＭＨｚ）を印加した場合の結果であって、セ
ルフバイアス電圧に対するとエツチング形状の変化を示
しである。この結果から、従来のものに比べ本発明では
セルフバイアス電圧の如何によらず常に９０” の形状
が得られ優れ゛ていることがわかる。また高周波を印加
することでは、−層高速なエツチングができる。即ち従
来技術に比べて低い高周波バイアス電圧の印加で高速の
異方性エツチングが実現できる。
処理の結果を示す。第７図は２．４５ＧＨ２のマイクロ
波を導入してＥＣＲプラズマを発生させたものであり、
従って８７５ガウスが共鳴点となっている。この結果が
示すように、エツチング形状は８５０〜９００ガウスの
範囲においてのみほぼ９０’ の実用値が得られている
。また、第８図にはこの基板にＲＦバイアス（例えば、
１３．５６ＭＨｚ）を印加した場合の結果であって、セ
ルフバイアス電圧に対するとエツチング形状の変化を示
しである。この結果から、従来のものに比べ本発明では
セルフバイアス電圧の如何によらず常に９０” の形状
が得られ優れ゛ていることがわかる。また高周波を印加
することでは、−層高速なエツチングができる。即ち従
来技術に比べて低い高周波バイアス電圧の印加で高速の
異方性エツチングが実現できる。
（実施例１）
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。第３図と同
じ部材には同じ符号を付して説明を省略する。
じ部材には同じ符号を付して説明を省略する。
本装置は、電子サイクロトロン共鳴によってプラズマを
生成するプラズマ発生室１と、基板搬送室２−とが互い
に隣接するように構成されている。
生成するプラズマ発生室１と、基板搬送室２−とが互い
に隣接するように構成されている。
このプラズマ生成基１は、マイクロ波の電界強度を高め
、放電の効率を高めるため、マイクロ波空洞共振器の条
件に適合する形状に構成されている。
、放電の効率を高めるため、マイクロ波空洞共振器の条
件に適合する形状に構成されている。
そして、プラズマ発生室１の外周には空芯ソレノイド３
が周設されている。またこのプラズマ発生室１には、プ
ラズマを生成するためのガスを導入するガス導入系７を
備えるとともに、石英ガラス、セラミックス等の絶縁物
からなる導入窓４が設けられている。
が周設されている。またこのプラズマ発生室１には、プ
ラズマを生成するためのガスを導入するガス導入系７を
備えるとともに、石英ガラス、セラミックス等の絶縁物
からなる導入窓４が設けられている。
そして、該導入窓４を介してマイクロ波電源６から導波
管５を通して送られてきたマイクロ波がプラズマ発生室
１内に導入されるようになっている。また上記プラズマ
発生室１内には、マイクロ波の周波数が２．４５ＧＨｚ
の場合は、磁場強度が８７５ガウス±３．０％の位置に
基板ホルダー１０が設置されている。
管５を通して送られてきたマイクロ波がプラズマ発生室
１内に導入されるようになっている。また上記プラズマ
発生室１内には、マイクロ波の周波数が２．４５ＧＨｚ
の場合は、磁場強度が８７５ガウス±３．０％の位置に
基板ホルダー１０が設置されている。
処理されるべき基板１５は、図示しない搬送機構により
外部から基板搬送室２内に搬入され基板ホルダー１０上
に載置される。また基板ホルダー１０に高周波電源１１
からコンデンサー１１０を通し゛Ｃ高周波電圧を印加て
きる構成になっている。
外部から基板搬送室２内に搬入され基板ホルダー１０上
に載置される。また基板ホルダー１０に高周波電源１１
からコンデンサー１１０を通し゛Ｃ高周波電圧を印加て
きる構成になっている。
（実施例２）
第２図は、本発明の実施例２の断面図である。
本装置では、電子サイクロトロン共鳴によってプラズマ
を生成するプラズマ発生室１内は、マイクロ波空洞共振
器の条件に構成されておらず、石英ペルジャー１３の全
面からマイクロ波を導入するものである。そして、ブラ
ズ′マ発生室１の外周には、プラズマ発生室１からはガ
スを導入できないので、基板搬送室２内にガス導入ロア
が設けられている。また上記プラズマ発生室１内には、
磁場強度が８７５ガウス±３．０％となる位置に基板ホ
ルダー１０が設置され、この基板ホルダー１０には高周
波を印加てきる構成になっている。
を生成するプラズマ発生室１内は、マイクロ波空洞共振
器の条件に構成されておらず、石英ペルジャー１３の全
面からマイクロ波を導入するものである。そして、ブラ
ズ′マ発生室１の外周には、プラズマ発生室１からはガ
スを導入できないので、基板搬送室２内にガス導入ロア
が設けられている。また上記プラズマ発生室１内には、
磁場強度が８７５ガウス±３．０％となる位置に基板ホ
ルダー１０が設置され、この基板ホルダー１０には高周
波を印加てきる構成になっている。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明は、マイクロ波プラズマ処
理装置において、基板の処理を電子サイクロトロン共鳴
点て行なうことにより、高速、低損傷、異方性、エツチ
ングを実現できる効果がある。
理装置において、基板の処理を電子サイクロトロン共鳴
点て行なうことにより、高速、低損傷、異方性、エツチ
ングを実現できる効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例を示すマイクロ波プラズ
マ処理装置の概略の正面断面図。 第２図は第２の実施例の同様の図。 第３図は従来の装置の同様の図。 第４図は従来の装置の第２の例の同様の図。 第５図は従来の装置による工・ツチング形状。 第６図は磁場強度によるプラズマ中のイオン温度、イオ
ン電流密度。 第７，８図は本発明を適用したときのエツチング形状を
示す。 １・・・プラズマ発生室、２・・・基板搬送室、３・・
・空芯ソレノイドコイル、４・・・マイクロ波導入窓、
５・・・導波管、６・・・マイクロ波電源、７・・・ガ
ス導入口、８−マイクロ波（２，４５ＧＨｚ）、９・・
・電子サイクロトロン共鳴点、ＩＯ・・・−Ｘ板ホルダ
ー １１・・・高周波バイアス電源、１４・・・プラズ
マ引出し窓、１５・・・基板。
マ処理装置の概略の正面断面図。 第２図は第２の実施例の同様の図。 第３図は従来の装置の同様の図。 第４図は従来の装置の第２の例の同様の図。 第５図は従来の装置による工・ツチング形状。 第６図は磁場強度によるプラズマ中のイオン温度、イオ
ン電流密度。 第７，８図は本発明を適用したときのエツチング形状を
示す。 １・・・プラズマ発生室、２・・・基板搬送室、３・・
・空芯ソレノイドコイル、４・・・マイクロ波導入窓、
５・・・導波管、６・・・マイクロ波電源、７・・・ガ
ス導入口、８−マイクロ波（２，４５ＧＨｚ）、９・・
・電子サイクロトロン共鳴点、ＩＯ・・・−Ｘ板ホルダ
ー １１・・・高周波バイアス電源、１４・・・プラズ
マ引出し窓、１５・・・基板。
Claims (2)
- （１）プラズマ発生室内でマイクロ波により発生する電
場と、該電場に直交する磁場とによって起こる電子サイ
クロトロン共鳴現象を利用して処理ガスをプラズマ化し
、該プラズマを設置された基板に照射して基板を処理す
るマイクロ波プラズマ処理装置において、基板の処理を
、電子サイクロトロン共鳴点、あるいはその地点から磁
場強度で±３．０％の範囲内で行なうことを特徴とする
マイクロ波プラズマ処理装置。 - （２）基板設置電極に高周波バイアス電圧を印加するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のマイクロ波
プラズマ処理装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1074316A JPH0362517A (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| KR1019900003814A KR930005012B1 (ko) | 1989-03-27 | 1990-03-21 | 마이크로파 플라스마 에칭방법 및 장치 |
| US07/497,077 US5013401A (en) | 1989-03-27 | 1990-03-21 | Microwave plasma etching method and apparatus |
| EP90105666A EP0390004B1 (de) | 1989-03-27 | 1990-03-26 | Verfahren und Vorrichtung zum Mikrowellen-Plasmaätzen |
| DE59009845T DE59009845D1 (de) | 1989-03-27 | 1990-03-26 | Verfahren und Vorrichtung zum Mikrowellen-Plasmaätzen. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1074316A JPH0362517A (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0362517A true JPH0362517A (ja) | 1991-03-18 |
Family
ID=13543594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1074316A Pending JPH0362517A (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5013401A (ja) |
| EP (1) | EP0390004B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0362517A (ja) |
| KR (1) | KR930005012B1 (ja) |
| DE (1) | DE59009845D1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0512677A2 (en) * | 1991-04-04 | 1992-11-11 | Hitachi, Ltd. | Plasma treatment method and apparatus |
| US5242539A (en) * | 1991-04-04 | 1993-09-07 | Hitachi, Ltd. | Plasma treatment method and apparatus |
| JPH05243186A (ja) * | 1992-02-18 | 1993-09-21 | Nec Corp | マイクロ波プラズマ処理方法 |
| US5368685A (en) * | 1992-03-24 | 1994-11-29 | Hitachi, Ltd. | Dry etching apparatus and method |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2602336B2 (ja) * | 1989-11-29 | 1997-04-23 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置 |
| US5628883A (en) * | 1991-06-18 | 1997-05-13 | Japan Vilene Co. Ltd. | Method for generating and activating plasma process of treatment using same, and apparatus therefor |
| KR0156011B1 (ko) * | 1991-08-12 | 1998-12-01 | 이노우에 아키라 | 플라즈마 처리장치 및 방법 |
| US5366586A (en) * | 1992-02-03 | 1994-11-22 | Nec Corporation | Plasma formation using electron cyclotron resonance and method for processing substrate by using the same |
| JP3362432B2 (ja) * | 1992-10-31 | 2003-01-07 | ソニー株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| DE4317623C2 (de) * | 1993-05-27 | 2003-08-21 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren und Vorrichtung zum anisotropen Plasmaätzen von Substraten und dessen Verwendung |
| US5468341A (en) * | 1993-12-28 | 1995-11-21 | Nec Corporation | Plasma-etching method and apparatus therefor |
| US5910452A (en) * | 1996-05-13 | 1999-06-08 | Winbond Electronics Corporation | Method for reducing antenna effect during plasma etching procedure for semiconductor device fabrication |
| DE19829760B4 (de) * | 1998-07-03 | 2006-10-12 | Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. | Koaxialer Mikrowellenapplikator zur Erzeugung eines Plasmas mit automatischer oder manueller Anpassung |
| US6504159B1 (en) | 1999-09-14 | 2003-01-07 | International Business Machines Corporation | SOI plasma source ion implantation |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63148634A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-21 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| JPS63217620A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1159012A (en) * | 1980-05-02 | 1983-12-20 | Seitaro Matsuo | Plasma deposition apparatus |
| JPS56155535A (en) * | 1980-05-02 | 1981-12-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Film forming device utilizing plasma |
| JPH0693447B2 (ja) * | 1983-12-23 | 1994-11-16 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| JPH0697660B2 (ja) * | 1985-03-23 | 1994-11-30 | 日本電信電話株式会社 | 薄膜形成方法 |
| JP2603217B2 (ja) * | 1985-07-12 | 1997-04-23 | 株式会社日立製作所 | 表面処理方法及び表面処理装置 |
| EP0275965B1 (en) * | 1987-01-19 | 1995-05-31 | Hitachi, Ltd. | Plasma operation apparatus |
| DE3705666A1 (de) * | 1987-02-21 | 1988-09-01 | Leybold Ag | Einrichtung zum herstellen eines plasmas und zur behandlung von substraten darin |
| EP0284436B1 (en) * | 1987-03-27 | 1993-07-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate-treating apparatus |
| EP0290036B1 (en) * | 1987-05-08 | 1995-04-12 | Hitachi, Ltd. | Plasma treatment apparatus |
-
1989
- 1989-03-27 JP JP1074316A patent/JPH0362517A/ja active Pending
-
1990
- 1990-03-21 KR KR1019900003814A patent/KR930005012B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-03-21 US US07/497,077 patent/US5013401A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-26 EP EP90105666A patent/EP0390004B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-26 DE DE59009845T patent/DE59009845D1/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63148634A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-21 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| JPS63217620A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0512677A2 (en) * | 1991-04-04 | 1992-11-11 | Hitachi, Ltd. | Plasma treatment method and apparatus |
| US5242539A (en) * | 1991-04-04 | 1993-09-07 | Hitachi, Ltd. | Plasma treatment method and apparatus |
| JPH05243186A (ja) * | 1992-02-18 | 1993-09-21 | Nec Corp | マイクロ波プラズマ処理方法 |
| US5368685A (en) * | 1992-03-24 | 1994-11-29 | Hitachi, Ltd. | Dry etching apparatus and method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0390004B1 (de) | 1995-11-08 |
| US5013401A (en) | 1991-05-07 |
| EP0390004A2 (de) | 1990-10-03 |
| KR930005012B1 (ko) | 1993-06-11 |
| DE59009845D1 (de) | 1995-12-14 |
| EP0390004A3 (de) | 1991-08-07 |
| KR900014639A (ko) | 1990-10-24 |
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