JPH0361841A - X線吸収スペクトル測定用アタッチメント - Google Patents
X線吸収スペクトル測定用アタッチメントInfo
- Publication number
- JPH0361841A JPH0361841A JP1196649A JP19664989A JPH0361841A JP H0361841 A JPH0361841 A JP H0361841A JP 1196649 A JP1196649 A JP 1196649A JP 19664989 A JP19664989 A JP 19664989A JP H0361841 A JPH0361841 A JP H0361841A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- sample
- rays
- electron beam
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 title claims description 21
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 53
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 16
- 238000000441 X-ray spectroscopy Methods 0.000 claims description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000002083 X-ray spectrum Methods 0.000 abstract 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 61
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 3
- 238000004998 X ray absorption near edge structure spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000192 extended X-ray absorption fine structure spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005264 electron capture Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004846 x-ray emission Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、例えば走査電子顕微鏡などの電子線照射装
置に組み込んでE X A F S (Extende
d Xray Absorption Fine 5t
ructure)、 X A N E S (X−ra
y’Absorption Near Edge 5t
ructure)等の解析を行うX線吸収スペクトル測
定用アタッチメントに関するものである。
置に組み込んでE X A F S (Extende
d Xray Absorption Fine 5t
ructure)、 X A N E S (X−ra
y’Absorption Near Edge 5t
ructure)等の解析を行うX線吸収スペクトル測
定用アタッチメントに関するものである。
[従来の技術]
始めに従来のX線吸収スペクトル測定装置について説明
する。
する。
X線を用いる物質の構造解析を行う方法としては、従来
からX線回折法が広く行われている。このX線回折法は
原子配列に従うX線の回折現象を利用するものであり、
それ故測定対象が結晶性のある物質に限定されてしまう
という欠点がある。
からX線回折法が広く行われている。このX線回折法は
原子配列に従うX線の回折現象を利用するものであり、
それ故測定対象が結晶性のある物質に限定されてしまう
という欠点がある。
これに対し、近年物質の構造解析を行う方法としてX線
吸収スペクトルを測定する方法が行われるようになって
きている。
吸収スペクトルを測定する方法が行われるようになって
きている。
このX線吸収スペクトルを測定する方法としては、
■物質のX線吸収端のエネルギー値から、数10eVの
範囲内で現れるKossel構造〔以下、これをX A
N E S (X−ray Absorption
NearEdge 5tructure)と言う〕を調
べ、主に吸収端位置での微妙なスペクトルの相違から物
質の状態分析を行う方法。
範囲内で現れるKossel構造〔以下、これをX A
N E S (X−ray Absorption
NearEdge 5tructure)と言う〕を調
べ、主に吸収端位置での微妙なスペクトルの相違から物
質の状態分析を行う方法。
■物質のX線吸収端から更に高エネルギー側1000e
Vまでの範囲内で現れるX線吸収連続微細構造〔以下、
これをE X A F S (ExtendedX−r
ay Absorption Fine 5truct
ure)と言う〕を調べ、物質の状態分析や構造解析を
行う方法。
Vまでの範囲内で現れるX線吸収連続微細構造〔以下、
これをE X A F S (ExtendedX−r
ay Absorption Fine 5truct
ure)と言う〕を調べ、物質の状態分析や構造解析を
行う方法。
の二つに大別される。
X線吸収スペクトル測定方法は、物質の原子とX線との
励起現象に基づく、X線のエネルギー吸収に関するもの
であるため、結晶性物質に限定されることはなく、非結
晶性物質の測定にも有効であり、特にEXAFS解析に
より、結晶性、非結晶性の金属1合金、絶縁物、半導体
などの固体内の電子状態の解析や構造解析を行えること
が実証されているや 上記のようなEXAFSやXANESなどの解析を行う
従来の装置としては、第6図に示すものがあった。第6
図は従来のX線吸収スペクトル測定装置の構成の概略を
示す図で、図において(7)は薄膜の試料、(10〉は
X線、(42〉はX線源、(43)はX線分光検出器で
ある。
励起現象に基づく、X線のエネルギー吸収に関するもの
であるため、結晶性物質に限定されることはなく、非結
晶性物質の測定にも有効であり、特にEXAFS解析に
より、結晶性、非結晶性の金属1合金、絶縁物、半導体
などの固体内の電子状態の解析や構造解析を行えること
が実証されているや 上記のようなEXAFSやXANESなどの解析を行う
従来の装置としては、第6図に示すものがあった。第6
図は従来のX線吸収スペクトル測定装置の構成の概略を
示す図で、図において(7)は薄膜の試料、(10〉は
X線、(42〉はX線源、(43)はX線分光検出器で
ある。
従来のX線吸収スペクトル測定装置は第6図に示すよう
に、X線管球を用いたX線源(42)からX線(10)
を放射し、試料(7)へ照射して、試料(7)を透過し
たX線(10〉をX線分光検出器(43)で検出するよ
うになっている。
に、X線管球を用いたX線源(42)からX線(10)
を放射し、試料(7)へ照射して、試料(7)を透過し
たX線(10〉をX線分光検出器(43)で検出するよ
うになっている。
X線吸収スペクトルを測定するためには大容量のX線強
度を必要とするため、X線源(42)には大出力のX線
管球が用いられる。
度を必要とするため、X線源(42)には大出力のX線
管球が用いられる。
また近年では大容量のX線強度を確保するため、粒子加
速器を用いることによる、或は線形加速器と電子蓄積リ
ングとを用いることによる、シンクロトロン放射光(高
速電子が磁場中で円運動を行うときに放出する光で、可
視光からX線までの広い範囲の連続スペクトルを持つ)
をX線吸収スペクトル測定装置のX線源として利用する
ことが試みられている。
速器を用いることによる、或は線形加速器と電子蓄積リ
ングとを用いることによる、シンクロトロン放射光(高
速電子が磁場中で円運動を行うときに放出する光で、可
視光からX線までの広い範囲の連続スペクトルを持つ)
をX線吸収スペクトル測定装置のX線源として利用する
ことが試みられている。
[発明が解決しようとする課題]
上記のような従来のX線吸収スペクトル測定装置は以上
のように構成されているので、X線源としてX線管球を
使用する装置においては、X線管球から広範囲に拡散さ
れるX線の広がりと、試料とX線発生源とを接近させる
ことが困難であるという理由により、大容量のX線管球
を使用しても試料に照射される単位面積当たりのX線強
度を十分に確保することが難しく、精度のよい測定デー
タを得るためには数日から数週間かかることがある。ま
たX線照射領域の拡大により、試料サイズを大きくせざ
るを得なく、且つ試料を透過したX線を分光する分光結
晶のサイズも大きくせざるを得ない。更に長時間X線源
を安定させておくことが難しいため装置の自動運転を行
うことが困難である。
のように構成されているので、X線源としてX線管球を
使用する装置においては、X線管球から広範囲に拡散さ
れるX線の広がりと、試料とX線発生源とを接近させる
ことが困難であるという理由により、大容量のX線管球
を使用しても試料に照射される単位面積当たりのX線強
度を十分に確保することが難しく、精度のよい測定デー
タを得るためには数日から数週間かかることがある。ま
たX線照射領域の拡大により、試料サイズを大きくせざ
るを得なく、且つ試料を透過したX線を分光する分光結
晶のサイズも大きくせざるを得ない。更に長時間X線源
を安定させておくことが難しいため装置の自動運転を行
うことが困難である。
またシンクロトロン放射光をX線源として利用する場合
には、美大な費用と設置スペースとが必要になる。
には、美大な費用と設置スペースとが必要になる。
更に従来の装置では、その構成上、X線吸収スペクトル
を測定するという単独の機能を備えた独立の装置とせざ
るを得ない等の問題点があった。
を測定するという単独の機能を備えた独立の装置とせざ
るを得ない等の問題点があった。
この発明はかかる課題を解決するためになされたもので
、電子線照射装置に組み込んで電子線照射装置が備えて
いる機能の一部を利用することにより、電子線照射装置
の本来有する機能を損なうことなく、X線の吸収スペク
トルを容易に測定することができ、装置を小型、安価に
して、且つ自動運転により精度のよい測定データを得る
ことができるX線吸収スペクトル測定用アタッチメント
を提供することを目的としている。
、電子線照射装置に組み込んで電子線照射装置が備えて
いる機能の一部を利用することにより、電子線照射装置
の本来有する機能を損なうことなく、X線の吸収スペク
トルを容易に測定することができ、装置を小型、安価に
して、且つ自動運転により精度のよい測定データを得る
ことができるX線吸収スペクトル測定用アタッチメント
を提供することを目的としている。
〔課題を解決するための手段]
この発明にかかるX線吸収スペクトル測定用アタッチメ
ントは、電子線照射装置に組み込んで、この電子線照射
装置の電子線発生部および試料ステージを利用し、電子
線励起によるX線を発生させるX線発生源とし、このX
線発生源と試料とX線分光結晶と検出器とが同一真空体
内に配設されるような構成としたものである。
ントは、電子線照射装置に組み込んで、この電子線照射
装置の電子線発生部および試料ステージを利用し、電子
線励起によるX線を発生させるX線発生源とし、このX
線発生源と試料とX線分光結晶と検出器とが同一真空体
内に配設されるような構成としたものである。
[作用コ
この発明においては、電子線照射装置に組み込んで、こ
の電子線照射装置の電子線発生部および試料ステージを
利用し2電子線励起によるX線を発生させるX線発生源
とし、このXl1発生源と試料とX線分光結晶と検出器
とが同一真空体内に配設されるような構成としたので、
電子線照射装置本来の機能を損なうことなく、電子線照
射装置で精度よいX線吸収スペクトルを測定することが
可能となる。
の電子線照射装置の電子線発生部および試料ステージを
利用し2電子線励起によるX線を発生させるX線発生源
とし、このXl1発生源と試料とX線分光結晶と検出器
とが同一真空体内に配設されるような構成としたので、
電子線照射装置本来の機能を損なうことなく、電子線照
射装置で精度よいX線吸収スペクトルを測定することが
可能となる。
[実施例コ
以下、この発明の実施例を図面を用いて説明する。第1
図はこの発明の一実施例であるX線吸収スペクトル測定
用アタッチメントの構成の概略を示す断面図で、この装
置は大別して(1)のX線発生源、(2)の試料部、(
3)のX線分光検出部、(4〉の制御部とから構成され
、図において(7〉は試料、(9)はX線発生用のター
ゲット、(11)はターゲット設置台、(12)は電子
線遮蔽フィルタ、(13)は試料台、(14)はX線分
光結晶、(15)は分光結晶駆動ユニット、(16〉は
スリット、(17〉はX線検出器、(18)はX線検出
器駆動ユニ・ソト、(19)は分光結晶駆動ユニット(
15)を制御するための制御回路1 、 (20)はX
線検出器駆動ユニット(18)を制御するための制御回
路2、(21)はX線計測回路、(22〉はCP Uや
インタフェースで構成された処理装置、(23)は表示
部である。
図はこの発明の一実施例であるX線吸収スペクトル測定
用アタッチメントの構成の概略を示す断面図で、この装
置は大別して(1)のX線発生源、(2)の試料部、(
3)のX線分光検出部、(4〉の制御部とから構成され
、図において(7〉は試料、(9)はX線発生用のター
ゲット、(11)はターゲット設置台、(12)は電子
線遮蔽フィルタ、(13)は試料台、(14)はX線分
光結晶、(15)は分光結晶駆動ユニット、(16〉は
スリット、(17〉はX線検出器、(18)はX線検出
器駆動ユニ・ソト、(19)は分光結晶駆動ユニット(
15)を制御するための制御回路1 、 (20)はX
線検出器駆動ユニット(18)を制御するための制御回
路2、(21)はX線計測回路、(22〉はCP Uや
インタフェースで構成された処理装置、(23)は表示
部である。
第2図は第1図に示すアタッチメントが組み込まれる対
象となる電子線照射装置の一つである走査電子顕微鏡(
SEM)の構成の概略を示す図で、図において(5)は
電子線照射装置本体、(6)は走査電子顕微鏡としての
画像処理部を示し、(8〉は電子線、〈30)は電子銃
、(31)は表面観察試料、(32〉は試料台、(33
)は発生した二次電子、(34)は二次電子検出器、(
35)は走査コイル、(36)は真空排気装置、(37
〉はCRTである。
象となる電子線照射装置の一つである走査電子顕微鏡(
SEM)の構成の概略を示す図で、図において(5)は
電子線照射装置本体、(6)は走査電子顕微鏡としての
画像処理部を示し、(8〉は電子線、〈30)は電子銃
、(31)は表面観察試料、(32〉は試料台、(33
)は発生した二次電子、(34)は二次電子検出器、(
35)は走査コイル、(36)は真空排気装置、(37
〉はCRTである。
第2図は電子線照射装置の一例として、走査電子顕微鏡
を示しているが、電子プローブマイクロアナライザ(E
PMA)、透過電子顕微鏡(TEM)、走査透過電子顕
微鏡(STEM)など、電子線照射装置本体(5〉を有
する装置であれば、同様にこの発明によるアタッチメン
トの組み込みが可能である。
を示しているが、電子プローブマイクロアナライザ(E
PMA)、透過電子顕微鏡(TEM)、走査透過電子顕
微鏡(STEM)など、電子線照射装置本体(5〉を有
する装置であれば、同様にこの発明によるアタッチメン
トの組み込みが可能である。
第3図は第1図に示すこの発明によるアタッチメントを
、第2図に示す電子線照射装置(5)に組み込んだ状態
を説明するための図で1、第1図、第2図と同一符号は
同一部分を示す。
、第2図に示す電子線照射装置(5)に組み込んだ状態
を説明するための図で1、第1図、第2図と同一符号は
同一部分を示す。
第3図に示すように、この発明によるアタッチメントは
、電子線照射装置(5)本体の表面観察試料(31)お
よび試料台(32)を、X線発生源(1)に示すX線発
生用のターゲット(9)およびターゲット設置台(11
)と交換し、試料部(2) 、 X線分光検出部(3)
を取り付ける。なお説明の便宜のため試料部(2)とX
線分光検出部(3)とを別々の装置としているが、通常
これらは−・体の装置として構成される。このようにX
線発生源(1)、試料部(2)X線分光検出部(3)を
電子線照射装置(5〉に組み込み、真空排気装置(36
)を作動させて内部を真空にし、X線発生源(1)と試
料(7〉とX線分光結晶(14)とX線検出器(17)
とを同一真空状態とし、このアタッチメントの動作状態
とする。
、電子線照射装置(5)本体の表面観察試料(31)お
よび試料台(32)を、X線発生源(1)に示すX線発
生用のターゲット(9)およびターゲット設置台(11
)と交換し、試料部(2) 、 X線分光検出部(3)
を取り付ける。なお説明の便宜のため試料部(2)とX
線分光検出部(3)とを別々の装置としているが、通常
これらは−・体の装置として構成される。このようにX
線発生源(1)、試料部(2)X線分光検出部(3)を
電子線照射装置(5〉に組み込み、真空排気装置(36
)を作動させて内部を真空にし、X線発生源(1)と試
料(7〉とX線分光結晶(14)とX線検出器(17)
とを同一真空状態とし、このアタッチメントの動作状態
とする。
次に動作について説明する。電子銃(30〉で電子線(
8〉を発生させ、電磁レンズ(図示せず)により数μm
以下に細く絞り、X線発生用のターゲット(9)へ照射
する。この電子線(8)をターゲット(9)へ照射する
場合、走査電子顕微鏡としての画像処理部(6)により
、ターゲット(9)の表面観察を二次電子像で観察しな
がら行うことができる。
8〉を発生させ、電磁レンズ(図示せず)により数μm
以下に細く絞り、X線発生用のターゲット(9)へ照射
する。この電子線(8)をターゲット(9)へ照射する
場合、走査電子顕微鏡としての画像処理部(6)により
、ターゲット(9)の表面観察を二次電子像で観察しな
がら行うことができる。
なお二次電子検出器(34)の替わりに、反射電子検出
器(図示せず〉を設け、反射電子像により、ターゲット
(9)の表面観察を行うこととしてもよい。
器(図示せず〉を設け、反射電子像により、ターゲット
(9)の表面観察を行うこととしてもよい。
電子線(8)が照射されることにより、電子線励起によ
りターゲット(9)からはX線(10)が発生し、発生
したX線(10)は電子線遮蔽フィルタ(12)を介し
試料(7)に照射される。
りターゲット(9)からはX線(10)が発生し、発生
したX線(10)は電子線遮蔽フィルタ(12)を介し
試料(7)に照射される。
この電子線遮蔽フィルタ(12)は、ターゲット(9〉
の表面から反射した高エネルギーの電子(反射電子)が
、X線検出器(17〉に入り込むことによる、ノイズの
発生を防止するものであり、実施例ではX線を透過し易
く、且つ電子線を遮蔽する遮蔽用薄膜を用いているが、
電子捕獲用の磁石や静電偏向板などを用いてもよく、ま
た試料(7〉とX線分光結晶(14)との間、あるいは
X線分光結晶(14)とXI!検出器(17)との間に
設けることとしてもよい。
の表面から反射した高エネルギーの電子(反射電子)が
、X線検出器(17〉に入り込むことによる、ノイズの
発生を防止するものであり、実施例ではX線を透過し易
く、且つ電子線を遮蔽する遮蔽用薄膜を用いているが、
電子捕獲用の磁石や静電偏向板などを用いてもよく、ま
た試料(7〉とX線分光結晶(14)との間、あるいは
X線分光結晶(14)とXI!検出器(17)との間に
設けることとしてもよい。
試料(7〉に照射されたX線(10)は、試料(7)特
有の吸収を受けてから試料(7〉を透過し、X線分光結
晶(工4)に入射する。X線分光結晶(14)ではBr
aggの回折条件であるnλ=2d−sinθ(n:反
射次数、λ:X線の波長、d:分光結晶の面間隔、θ:
Xllの入射角度)で回折され、分光された後、スリッ
ト(16)を介してX線検出器(17)に入射され、X
a検出器(17〉で電気信号に変換されて、X線計測回
路(21)によりX線強度が計測される。
有の吸収を受けてから試料(7〉を透過し、X線分光結
晶(工4)に入射する。X線分光結晶(14)ではBr
aggの回折条件であるnλ=2d−sinθ(n:反
射次数、λ:X線の波長、d:分光結晶の面間隔、θ:
Xllの入射角度)で回折され、分光された後、スリッ
ト(16)を介してX線検出器(17)に入射され、X
a検出器(17〉で電気信号に変換されて、X線計測回
路(21)によりX線強度が計測される。
なお、X線分光結晶(14)は分光結晶駆動ユニッ)(
15)で駆動され、制御回路1(19)によりその駆動
が制御され、またX線検出器(17〉はX線検出器駆動
ユニット(18〉で駆動され、その駆動が制御回路2
(20)により制御されるようになっており、各制御回
路(19) 、 (20>はそれぞれ処理装置(22)
内のCPUからの指令により制御を行っており、種々の
回折条件を自動的に設定できるようになっている。また
X&l計測回路(21)で計測されるX線の強度は、C
PUを用いてデータ処理が行えるようになっており、装
置全体の自動運転を制御部(4)により可能にしている
。
15)で駆動され、制御回路1(19)によりその駆動
が制御され、またX線検出器(17〉はX線検出器駆動
ユニット(18〉で駆動され、その駆動が制御回路2
(20)により制御されるようになっており、各制御回
路(19) 、 (20>はそれぞれ処理装置(22)
内のCPUからの指令により制御を行っており、種々の
回折条件を自動的に設定できるようになっている。また
X&l計測回路(21)で計測されるX線の強度は、C
PUを用いてデータ処理が行えるようになっており、装
置全体の自動運転を制御部(4)により可能にしている
。
以上のようにこの発明では、電子線照射装置に組み込ん
で、この電子線照射装置の電子線発生部および試料ステ
ージを利用し、電子線励起によるX線を発生させるX線
源とし、このX線発生源と試料とX線分光結晶と検出器
とが同一真空体内に配設されるように構成したので、電
子線照射装置を有効に活用できると共に、サイクロトロ
ン放射光を利用する場合やX線管球を利用する場合に比
べてX線源を小型、省エネルギー化することができる。
で、この電子線照射装置の電子線発生部および試料ステ
ージを利用し、電子線励起によるX線を発生させるX線
源とし、このX線発生源と試料とX線分光結晶と検出器
とが同一真空体内に配設されるように構成したので、電
子線照射装置を有効に活用できると共に、サイクロトロ
ン放射光を利用する場合やX線管球を利用する場合に比
べてX線源を小型、省エネルギー化することができる。
またX線発生源(1〉と試料部(2)とX線分光検出部
(3)とを同一真空体内に設けることで、X線発生源(
1)と試料(7)との距離を10mm〜20mm以内の
近距離におくことができ、X線(10)の拡散による広
がりを防止することができ、試料(7)に照射される単
位面積当たりのX線強度を高められ、測定する試料(7
)を小さくすることができ、更に微少部分の測定も可能
となる。
(3)とを同一真空体内に設けることで、X線発生源(
1)と試料(7)との距離を10mm〜20mm以内の
近距離におくことができ、X線(10)の拡散による広
がりを防止することができ、試料(7)に照射される単
位面積当たりのX線強度を高められ、測定する試料(7
)を小さくすることができ、更に微少部分の測定も可能
となる。
試料(7〉を小さくすることができるので試料(7)の
保持が容易となり、また試料を小さくすることができる
ことは、薄膜試料(7)の厚さを均一にすることが容易
となり、薄膜試料(7〉に生じやすいピンホールの発生
を容易に防止できる利点がある。
保持が容易となり、また試料を小さくすることができる
ことは、薄膜試料(7)の厚さを均一にすることが容易
となり、薄膜試料(7〉に生じやすいピンホールの発生
を容易に防止できる利点がある。
第4図はこの発明の第2の実施例を示す図で、図におい
て第1図、第2図と同一符号は同−又は相当部分を示し
、(38)はターゲット駆動装置、(39)はターゲッ
ト駆動ユニットである。第4図に示す実施例では、ター
ゲット(9)を真空内で駆動できるようにターゲット駆
動装置(38)を設けたものであり、このターゲット駆
動装置(38)はCPUがらの指令によりターゲット駆
動ユニット(39)で制御されながら、ターゲット(9
)を、電子線(8)の照射方向をZ軸とするX−Y平面
上で適宜に移動させることができるようになっており、
ターゲット(9)の表面に電子線(8)が長時間照射さ
れることによるコンタミネーションの生成によりX線発
全効率が低下するのを防止することができる。
て第1図、第2図と同一符号は同−又は相当部分を示し
、(38)はターゲット駆動装置、(39)はターゲッ
ト駆動ユニットである。第4図に示す実施例では、ター
ゲット(9)を真空内で駆動できるようにターゲット駆
動装置(38)を設けたものであり、このターゲット駆
動装置(38)はCPUがらの指令によりターゲット駆
動ユニット(39)で制御されながら、ターゲット(9
)を、電子線(8)の照射方向をZ軸とするX−Y平面
上で適宜に移動させることができるようになっており、
ターゲット(9)の表面に電子線(8)が長時間照射さ
れることによるコンタミネーションの生成によりX線発
全効率が低下するのを防止することができる。
第5図はこの発明の第3の実施例を示す図で、図におい
て第1図、第2図と同一符号は同−又は相当部分を示し
、(40)は試料ステージ、(41)は試料駆動装置で
ある。この第2の実施例では、CPUで試料駆動装置(
41〉を制御して、X線(10)の−波長(エネルギー
)ごとに試料(7〉の出し入れを、X線(10)に対し
交互に行うようにしたものであり、電子線(8)の変動
やターゲット(9)表面に形成されたコンタミネーショ
ンにより、試料(7)に照射されるX線(10〉の強度
が変動し、設定条件に変動があった場合でも、その変動
による計測誤差の発生を防止するようにしたものである
。
て第1図、第2図と同一符号は同−又は相当部分を示し
、(40)は試料ステージ、(41)は試料駆動装置で
ある。この第2の実施例では、CPUで試料駆動装置(
41〉を制御して、X線(10)の−波長(エネルギー
)ごとに試料(7〉の出し入れを、X線(10)に対し
交互に行うようにしたものであり、電子線(8)の変動
やターゲット(9)表面に形成されたコンタミネーショ
ンにより、試料(7)に照射されるX線(10〉の強度
が変動し、設定条件に変動があった場合でも、その変動
による計測誤差の発生を防止するようにしたものである
。
即ち、試料(7)をX線<10)の−波長ごとにX線(
10)に対して交互に出し入して、試料(7)を透過し
たX線強度(I)と、試料(7〉がない場合のX線強度
(工0)とを交互に測定し、その強度比の自然対数μx
=Jfl (Io /I )を取ることにより、X線強
度の変動分をキャンセルするようにしたものである。な
お、μはX線の線吸収係数、Xは試料(7)の厚さを示
す。
10)に対して交互に出し入して、試料(7)を透過し
たX線強度(I)と、試料(7〉がない場合のX線強度
(工0)とを交互に測定し、その強度比の自然対数μx
=Jfl (Io /I )を取ることにより、X線強
度の変動分をキャンセルするようにしたものである。な
お、μはX線の線吸収係数、Xは試料(7)の厚さを示
す。
尚この発明による装置は、CPUを内蔵した制御部(4
)により装置全体の動作が自動運転されるようになって
おり、第5図に示すように試料駆動装置(41)を用い
て試料(7〉を駆動させた場合のドリフトによる影響を
回避するため、試料(7)の駆動後、測定開始までの間
は所定の待機時間を設けたり、分析精度を向上させるた
めに測定点数やX線計測数を増加させるなどの動作も、
制御部(4)により自動運転で行えることは言うまでも
ない。
)により装置全体の動作が自動運転されるようになって
おり、第5図に示すように試料駆動装置(41)を用い
て試料(7〉を駆動させた場合のドリフトによる影響を
回避するため、試料(7)の駆動後、測定開始までの間
は所定の待機時間を設けたり、分析精度を向上させるた
めに測定点数やX線計測数を増加させるなどの動作も、
制御部(4)により自動運転で行えることは言うまでも
ない。
[発明の効果]
この発明は以上説明したように、電子線照射装置の電子
線発生部および試料ステージを利用し、電子線励起によ
るxiを発生させるX線源とし、このX線源と試料とX
線分光結晶と検出器とが同一真空体内に配設されるよう
に構成したので、電子線照射装置を有効に活用できると
共に、X線の拡散による広がりを防止し、X線源と試料
とを接近させることができ、分析精度を向上することが
できると共に、装置を小型で安価なものとし、X線源や
試料の制御を容易にして、コンピュータを用いた自動運
転に適した装置とすることができるという効果がある。
線発生部および試料ステージを利用し、電子線励起によ
るxiを発生させるX線源とし、このX線源と試料とX
線分光結晶と検出器とが同一真空体内に配設されるよう
に構成したので、電子線照射装置を有効に活用できると
共に、X線の拡散による広がりを防止し、X線源と試料
とを接近させることができ、分析精度を向上することが
できると共に、装置を小型で安価なものとし、X線源や
試料の制御を容易にして、コンピュータを用いた自動運
転に適した装置とすることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す図、第2図はこの発
明のアタッチメントを組み込む電子線照射装置の構成を
示す図、第3図はこの発明の動作を示す図、第4図はこ
の発明の第2の実施例を示す図、第5図はこの発明の第
3の実施例を示す図、第6図は従来の装置を示す図。 (1)はX線発生源、(2)は試料部、(3)はX線分
光検出部、(4)は制御部、(5)は電子線照射装置本
体、(6)は走査電子顕微鏡としての画像処理部、(7
〉は試料、(8〉は電子線、(9)はX線発生用のター
ゲット、(10)はX線、(11)はターゲット設置台
、(12)は電子線遮蔽フィルタ、(13)は試料台、
(14)はX線分光結晶、(15)は分光結晶駆動ユニ
ット、(16)はスリット、(17)はX線検出器、(
18〉はX線検出器駆動ユニット、(19)は制御回路
1、(20)は制御回路2、(21)はX線計測回路、
(22〉は処理装置、(23)は表示部、(30)は電
子銃、(31)は表面観察試料、(32)は試料台、(
33〉は発生した二次電子、(34〉は二次電子検出器
、(35)は走査コイル、(36〉は真空排気装置、(
37)はCRT、(38〉はターゲット駆動装置、(3
9)はターゲット駆動ユニット、(4o)は試料ステー
ジ、(41)は試料駆動装置。 なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示すものと
する。 3も 第 図 40:試料ステージ 41:試料駆動装置 駆動装置 第 図
明のアタッチメントを組み込む電子線照射装置の構成を
示す図、第3図はこの発明の動作を示す図、第4図はこ
の発明の第2の実施例を示す図、第5図はこの発明の第
3の実施例を示す図、第6図は従来の装置を示す図。 (1)はX線発生源、(2)は試料部、(3)はX線分
光検出部、(4)は制御部、(5)は電子線照射装置本
体、(6)は走査電子顕微鏡としての画像処理部、(7
〉は試料、(8〉は電子線、(9)はX線発生用のター
ゲット、(10)はX線、(11)はターゲット設置台
、(12)は電子線遮蔽フィルタ、(13)は試料台、
(14)はX線分光結晶、(15)は分光結晶駆動ユニ
ット、(16)はスリット、(17)はX線検出器、(
18〉はX線検出器駆動ユニット、(19)は制御回路
1、(20)は制御回路2、(21)はX線計測回路、
(22〉は処理装置、(23)は表示部、(30)は電
子銃、(31)は表面観察試料、(32)は試料台、(
33〉は発生した二次電子、(34〉は二次電子検出器
、(35)は走査コイル、(36〉は真空排気装置、(
37)はCRT、(38〉はターゲット駆動装置、(3
9)はターゲット駆動ユニット、(4o)は試料ステー
ジ、(41)は試料駆動装置。 なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示すものと
する。 3も 第 図 40:試料ステージ 41:試料駆動装置 駆動装置 第 図
Claims (2)
- (1)電子線励起によりX線を発生させるX線発生用の
ターゲットを持つX線発生源と、このX線発生源により
発生させたX線の照射方向に試料を配置する試料部と、
試料を透過したX線を分光して検出するためのX線分光
結晶と検出器とを持つX線分光検出部と、装置全体を制
御する制御部とを備え、 電子線照射装置の電子線発生部と同一真空体内に上記X
線発生源と上記試料と上記X線分光結晶と上記検出器と
が配設されるように、該電子線照射装置へ上記X線発生
源と上記試料部と上記X線分光検出部とが組み込まれ、
該電子線照射装置の電子線発生部で発生する電子線によ
り上記X線発生源を励起してX線を発生させることを特
徴とするX線吸収スペクトル測定用アタッチメント。 - (2)上記同一真空体内で上記X線発生用のターゲット
を駆動するターゲット駆動手段を備えたことを特徴とす
る請求項第1項記載のX線吸収スペクトル測定用アタッ
チメント。(3)上記同一真空体内に照射される上記X
線の照射方向に上記試料を配置、除去する動作を所定間
隔で連続して行う試料駆動手段を備え、 該試料を透過したX線の強度をI、該試料が除去されて
いる場合のX線強度をI_0とした場合の強度比の自然
対数μx=l_n(10/I)(μ:X線の線吸収係数
、x:試料の厚さ)によりX線吸収スペクトルを測定す
ることを特徴とする請求項第1項又は第2項記載のX線
吸収スペクトル測定用アタッチメント。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1196649A JPH0361841A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | X線吸収スペクトル測定用アタッチメント |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1196649A JPH0361841A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | X線吸収スペクトル測定用アタッチメント |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0361841A true JPH0361841A (ja) | 1991-03-18 |
Family
ID=16361289
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1196649A Pending JPH0361841A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | X線吸収スペクトル測定用アタッチメント |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0361841A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101806758A (zh) * | 2010-04-16 | 2010-08-18 | 谢加地 | 一种籽晶检测方法及其装置 |
JP2015090311A (ja) * | 2013-11-06 | 2015-05-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | X線計測装置 |
CN105902280A (zh) * | 2016-06-09 | 2016-08-31 | 张金山 | 防干扰暗室扫描装置 |
-
1989
- 1989-07-31 JP JP1196649A patent/JPH0361841A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101806758A (zh) * | 2010-04-16 | 2010-08-18 | 谢加地 | 一种籽晶检测方法及其装置 |
JP2015090311A (ja) * | 2013-11-06 | 2015-05-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | X線計測装置 |
CN105902280A (zh) * | 2016-06-09 | 2016-08-31 | 张金山 | 防干扰暗室扫描装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3135920B2 (ja) | 表面分析方法および装置 | |
US7680243B2 (en) | X-ray measurement of properties of nano-particles | |
US3919548A (en) | X-Ray energy spectrometer system | |
Graczyk et al. | Scanning electron diffraction attachment with electron energy filtering | |
US6442236B1 (en) | X-ray analysis | |
US5594246A (en) | Method and apparatus for x-ray analyses | |
US20030080292A1 (en) | System and method for depth profiling | |
US6479818B1 (en) | Application of x-ray optics to energy dispersive spectroscopy | |
JPH0361841A (ja) | X線吸収スペクトル測定用アタッチメント | |
Drummond et al. | Four classes of selected area XPS (SAXPS): an examination of methodology and comparison with other techniques | |
JP5684032B2 (ja) | 荷電粒子線分析装置および分析方法 | |
JPH0361840A (ja) | X線吸収スペクトル測定装置 | |
EP0697109B1 (en) | X-ray spectrometer with a grazing take-off angle | |
JP4051427B2 (ja) | 光電子分光装置及び表面分析法 | |
JP2728627B2 (ja) | 波長分散型x線分光装置 | |
JPH0712763A (ja) | 表面分析方法及び表面分析装置 | |
JP3339267B2 (ja) | X線分析方法およびx線分析装置 | |
Patthey et al. | Design of an electron spectrometer for automated photoelectron diffractogram imaging over π steradians | |
JP2002062270A (ja) | 電子線を用いた表面分析装置における面分析データ表示方法 | |
JPH06283585A (ja) | 半導体評価装置 | |
KR100429830B1 (ko) | X-선 전자 분광 분석장치 | |
JPH0692946B2 (ja) | 隔膜表面の構造を検査する方法及び装置 | |
JP2507484B2 (ja) | 偏光全反射蛍光x線構造解析装置 | |
JP2000097889A (ja) | 試料分析方法および試料分析装置 | |
JPH0560702A (ja) | X線を用いた断層像撮像方法及び装置 |