JPH0356877A - 電子ビーム装置 - Google Patents
電子ビーム装置Info
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- JPH0356877A JPH0356877A JP1192023A JP19202389A JPH0356877A JP H0356877 A JPH0356877 A JP H0356877A JP 1192023 A JP1192023 A JP 1192023A JP 19202389 A JP19202389 A JP 19202389A JP H0356877 A JPH0356877 A JP H0356877A
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 50
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
電子ビーム装置に関し、
試料の測定個所にコンタミネーションが付着し，ていて
も正確な端子位置の測定結果を得ることができる電子ビ
ーム装置を目的とし、 試料にパルス電圧を印加する手段と、及び、試料パルス
に同期した電子ビームを試料の測定個所に照射する手段
と、を含み、試料の測定個所から得られる２次電子信号
を測定する電子ビーム装置において、ラインスキャンを
行うときの試料の測定個所について、パルス電圧がＬレ
ベルの位相及びパルス電圧がＨレベルの位相で交互に２
次電子信号をサンプリングし、２つの２次電子信号の差
を求めるように構成する。
も正確な端子位置の測定結果を得ることができる電子ビ
ーム装置を目的とし、 試料にパルス電圧を印加する手段と、及び、試料パルス
に同期した電子ビームを試料の測定個所に照射する手段
と、を含み、試料の測定個所から得られる２次電子信号
を測定する電子ビーム装置において、ラインスキャンを
行うときの試料の測定個所について、パルス電圧がＬレ
ベルの位相及びパルス電圧がＨレベルの位相で交互に２
次電子信号をサンプリングし、２つの２次電子信号の差
を求めるように構成する。
本発明は、電子ビーム装置に関するものである。
電子ビーム装置は、試料の測定個所に対して、該試料の
試料パルスに同期した電子ビームを照射し、該試料の測
定個所から得られる２次電子信号を測定するものである
。この電子ビーム装置の使用時に、試料の測定個所、例
えばＬＳＩの測定端子にコンタミネーションが付着して
いると、該測定端子からの２次電子信号の放出量が少な
いため、正確な測定結果を得ることができない。そこで
、試料の測定個所にコンタミネーションが付着している
場合にも正確な測定結果を得ることができる電子ビーム
装置が望まれている。
試料パルスに同期した電子ビームを照射し、該試料の測
定個所から得られる２次電子信号を測定するものである
。この電子ビーム装置の使用時に、試料の測定個所、例
えばＬＳＩの測定端子にコンタミネーションが付着して
いると、該測定端子からの２次電子信号の放出量が少な
いため、正確な測定結果を得ることができない。そこで
、試料の測定個所にコンタミネーションが付着している
場合にも正確な測定結果を得ることができる電子ビーム
装置が望まれている。
ＬＳＩを製造した場合に、製品の信頼性を高めるために
試験を行う必要がある。この試験のために、電子ビーム
装置が使用されており、該電子ビーム装置においては、
真空部と大気部とを分ける隔壁として基板を配置し、該
基板の大気部側に試験されるべきＬＳＩを設置し、ＬＳ
Ｉの個々の入出力ビンと電気的に接続された測定端子を
基板の真空部側に設置する。そして、測定端子に電子ビ
一ムを照射することにより該測定端子表面に現れる電圧
を測定し、これにより、測定端子に接続されたＬＳＩの
入出力ピンの信号を測定するようにしている。
試験を行う必要がある。この試験のために、電子ビーム
装置が使用されており、該電子ビーム装置においては、
真空部と大気部とを分ける隔壁として基板を配置し、該
基板の大気部側に試験されるべきＬＳＩを設置し、ＬＳ
Ｉの個々の入出力ビンと電気的に接続された測定端子を
基板の真空部側に設置する。そして、測定端子に電子ビ
一ムを照射することにより該測定端子表面に現れる電圧
を測定し、これにより、測定端子に接続されたＬＳＩの
入出力ピンの信号を測定するようにしている。
このような電子ビーム装置においては、ＬＳＩの特性測
定に先立ち、予め端子位置を正確に検出しておくため、
電子ビームでラインスキャンして端子のラインスキャン
像を得て２値化し端子位置を検出し電子ビームの偏向座
標を求める処理を行なう。すなわち、第４図に示される
ように、測定端子像に対応してラインプロファイルが得
られ、このラインプロファイルから２値化結果を得てい
る。
定に先立ち、予め端子位置を正確に検出しておくため、
電子ビームでラインスキャンして端子のラインスキャン
像を得て２値化し端子位置を検出し電子ビームの偏向座
標を求める処理を行なう。すなわち、第４図に示される
ように、測定端子像に対応してラインプロファイルが得
られ、このラインプロファイルから２値化結果を得てい
る。
電子ビーム装置を用いて長時間の測定を行なうと、照射
した電子ビームにより測定端子にコンタミネーションと
呼ばれる汚れ（炭化水素）が付着する。第５図に示され
るように、測定端子にコンタミネーションが付着すると
、該コンタミネーションの付着した部分１０では、２次
電子信号の放出量が少ないため、ＳＥＭ（走査型電子顕
微鏡）像等を観察すると暗く見える。従って、ラインス
キャンしてラインプロファイルを得ても、正しい測定端
子像にならず、それゆえ、２値化しても正しい２値化結
果を得られない。
した電子ビームにより測定端子にコンタミネーションと
呼ばれる汚れ（炭化水素）が付着する。第５図に示され
るように、測定端子にコンタミネーションが付着すると
、該コンタミネーションの付着した部分１０では、２次
電子信号の放出量が少ないため、ＳＥＭ（走査型電子顕
微鏡）像等を観察すると暗く見える。従って、ラインス
キャンしてラインプロファイルを得ても、正しい測定端
子像にならず、それゆえ、２値化しても正しい２値化結
果を得られない。
本発明の目的は、試料の測定個所にコンタミネーション
が付着していても正確な端子位置の測定結果を得ること
ができる電子ビーム装置を提供することにある。
が付着していても正確な端子位置の測定結果を得ること
ができる電子ビーム装置を提供することにある。
本発明は、試料（２０）にパルス電圧を印加する手段（
２６）と、及び、試料パルスに同期した電子ビーム（１
４）を試料（２０）の測定個所（２２）に照射する手段
（１２）と、を含み、試料（２０）の測定個所（２２）
から得られる２次電子信号を測定する電子ビーム装置に
おいて、ラインスキャンを行うときの試料（２０）の測
定個所（２２）について、パルス電圧がＬレベルの位相
及びパルス電圧がＨレベルの位相で交互に２次電子信号
をサンプリングし、２つの２次電子信号の差を求めるよ
うに構成する。
２６）と、及び、試料パルスに同期した電子ビーム（１
４）を試料（２０）の測定個所（２２）に照射する手段
（１２）と、を含み、試料（２０）の測定個所（２２）
から得られる２次電子信号を測定する電子ビーム装置に
おいて、ラインスキャンを行うときの試料（２０）の測
定個所（２２）について、パルス電圧がＬレベルの位相
及びパルス電圧がＨレベルの位相で交互に２次電子信号
をサンプリングし、２つの２次電子信号の差を求めるよ
うに構成する。
本発明においては、ラインスキャンを行うときの試料（
２０）の測定個所（２２）について、パルス電圧がＬレ
ベルの位相で２次電子信号を得て、及び、パルス電圧が
Ｈレベルの位相で２次電子信号を得て、このようにして
得られた２つの２次電子信号の差を求めている。
２０）の測定個所（２２）について、パルス電圧がＬレ
ベルの位相で２次電子信号を得て、及び、パルス電圧が
Ｈレベルの位相で２次電子信号を得て、このようにして
得られた２つの２次電子信号の差を求めている。
以下、第１図に基づいて、本発明の原理による電子ビー
ム装置のタイムチャートについて説明する。
ム装置のタイムチャートについて説明する。
汚れの付着した測定端子に電子ビームを照射すると、汚
れに電荷がたまる。このとき、測定端子にパルス電圧が
印加されていると、パルス電圧の変化に応じて汚れの電
荷も変化する。そこで、パルス電圧がＬレベルのときに
２次電子信号を測定し、及び、パルス電圧がＨレベルの
ときに２次電子信号を測定し、このようにＬレベル、Ｈ
レベルで交互に２次電子信号を測定して２つの２次電子
信号の差を求めると、汚れによる電荷が一方向に累積さ
れることなく汚れ（コンタミネーション）の影響が軽減
され、パルス電圧の印加されている部分のコントラスト
が強く現れる。
れに電荷がたまる。このとき、測定端子にパルス電圧が
印加されていると、パルス電圧の変化に応じて汚れの電
荷も変化する。そこで、パルス電圧がＬレベルのときに
２次電子信号を測定し、及び、パルス電圧がＨレベルの
ときに２次電子信号を測定し、このようにＬレベル、Ｈ
レベルで交互に２次電子信号を測定して２つの２次電子
信号の差を求めると、汚れによる電荷が一方向に累積さ
れることなく汚れ（コンタミネーション）の影響が軽減
され、パルス電圧の印加されている部分のコントラスト
が強く現れる。
以下、図面に基づいて本発明の好適な実施例を説明する
。
。
第２図には、本発明の実施例による電子ビーム装置の回
路が示されている。
路が示されている。
第２図において、符号１２は、電子ビーム１４を照射す
るＥＢ（電子ビーム）鏡筒であり、ＥＢ鏡筒１２におい
て、真空部と大気部とを分ける隔壁として基板１６が配
置されている。基板ｌ６の大気部側には、ソケット１８
を介して、試験されるべきＬＳＩ２０が配置され、基板
１６の真空部側には、測定端子２２〜２２が配置されて
おり、該測定端子２２〜２２は、前記ＬＳｆ２０の入出
力ビン２４〜２４に電気的に接続される。
るＥＢ（電子ビーム）鏡筒であり、ＥＢ鏡筒１２におい
て、真空部と大気部とを分ける隔壁として基板１６が配
置されている。基板ｌ６の大気部側には、ソケット１８
を介して、試験されるべきＬＳＩ２０が配置され、基板
１６の真空部側には、測定端子２２〜２２が配置されて
おり、該測定端子２２〜２２は、前記ＬＳｆ２０の入出
力ビン２４〜２４に電気的に接続される。
なお、ＬＳ１２０には、ＬＳＩ駆動回路２６から入出力
ピン２４〜２４を介して、パルス電圧（試料パルスクロ
ック）２８が供給される。
ピン２４〜２４を介して、パルス電圧（試料パルスクロ
ック）２８が供給される。
ＥＢ鏡筒１２内には、電子銃３０、電子レンズ３２、偏
向器３４、及びスキャンコイル３６が配置され、偏向器
３４、スキャンコイル３６は、それぞれ、ＥＢパルス用
パルスドライバ３８、スキャンコイルドライバ４０によ
り作動させられる。
向器３４、及びスキャンコイル３６が配置され、偏向器
３４、スキャンコイル３６は、それぞれ、ＥＢパルス用
パルスドライバ３８、スキャンコイルドライバ４０によ
り作動させられる。
符号４２は、ラインスキャン像測定回路を示し、該ライ
ンスキャン像測定回路４２において、ＥＢパルス照射位
相制御回路４４は、走査制御回路４６により指定された
位相で、かつ、ＬＳＩ駆動回路２６のパルス電圧（試料
パルスクロック）２８に同期したＥＢパルストリガ４８
を、前記ＥＢパルス用パルスドライバ３８に供給する。
ンスキャン像測定回路４２において、ＥＢパルス照射位
相制御回路４４は、走査制御回路４６により指定された
位相で、かつ、ＬＳＩ駆動回路２６のパルス電圧（試料
パルスクロック）２８に同期したＥＢパルストリガ４８
を、前記ＥＢパルス用パルスドライバ３８に供給する。
また、偏向座標制御回路５０は、走査制御回路４６によ
り指定されたＥＢ偏向座標データ５２を、前記スキャン
コイルドライバ４０に供給する。
り指定されたＥＢ偏向座標データ５２を、前記スキャン
コイルドライバ４０に供給する。
ＬＳＩ２０に接続された測定端子２２〜２２に電子ビー
ム１４を照射すると、該測定端子２２〜２２から２次電
子が得られ、この２次電子は、検出回路５４により検出
される。検出回路５４からの２次電子信号データ５６は
、切換器５８を介して、バッファ６０あるいは６２のい
ずれか一方に格納される。なお、切換器５８は、走査制
御回路４６からの切換制御信号６３により制御され、パ
ルス電圧２８の位相に対応したバッファ６０、６２のい
ずれかに、２次電子信号データ５６を格納する。例えば
、パルス電圧２８のＬレベルに対応した２次電子信号デ
ータ５６がバッファ６０に格納され、パルス電圧２８の
Ｈレベルに対応した２次電子信号データ５６がバッファ
６２に格納される。
ム１４を照射すると、該測定端子２２〜２２から２次電
子が得られ、この２次電子は、検出回路５４により検出
される。検出回路５４からの２次電子信号データ５６は
、切換器５８を介して、バッファ６０あるいは６２のい
ずれか一方に格納される。なお、切換器５８は、走査制
御回路４６からの切換制御信号６３により制御され、パ
ルス電圧２８の位相に対応したバッファ６０、６２のい
ずれかに、２次電子信号データ５６を格納する。例えば
、パルス電圧２８のＬレベルに対応した２次電子信号デ
ータ５６がバッファ６０に格納され、パルス電圧２８の
Ｈレベルに対応した２次電子信号データ５６がバッファ
６２に格納される。
そして、１つの偏向座標について１回だけ、バッファ６
０のデータとバッファ６２のデータとの差が求められ、
これが、ラインスキャンデータメモリ６６において、走
査制御回路４６からのバッファアドレス制御信号６４に
より指定された偏向座標に対応するアドレスに供給され
る。
０のデータとバッファ６２のデータとの差が求められ、
これが、ラインスキャンデータメモリ６６において、走
査制御回路４６からのバッファアドレス制御信号６４に
より指定された偏向座標に対応するアドレスに供給され
る。
？に、第３図には、本発明の実施例による電子ビーム装
置のフローチャートが示されている。
置のフローチャートが示されている。
第３図において、ステップ１００でスタートし、ステッ
プ１０２で、位相＝０１偏向座標＝（ｘ１ｙ）・・・ス
キャン中心座標とし、ステップ１０４で試料パルス（パ
ルス電圧）の印加が要求され、ステップ１０６でＸ＝Ｘ
−Ｘ ％ ７−７ ７， ”’Ｗ スキャン開始座標を設定する。
プ１０２で、位相＝０１偏向座標＝（ｘ１ｙ）・・・ス
キャン中心座標とし、ステップ１０４で試料パルス（パ
ルス電圧）の印加が要求され、ステップ１０６でＸ＝Ｘ
−Ｘ ％ ７−７ ７， ”’Ｗ スキャン開始座標を設定する。
ステップ１０８、１１０で測定１がなされ、すなわち、
位相＝φ（，エＶ）で２次電子信号を測定する（ Ｓ
ｅ （ｖ，ｖ ））。
位相＝φ（，エＶ）で２次電子信号を測定する（ Ｓ
ｅ （ｖ，ｖ ））。
更に、ステップ１１２、１１４で測定２がなされ、すな
わち、位相＝φ で２次電子信号を（ｙ＝ｖ ） 測定する（ Ｓ ｅ （Ｖ■））。
わち、位相＝φ で２次電子信号を（ｙ＝ｖ ） 測定する（ Ｓ ｅ （Ｖ■））。
ステップ１１６で偏向座標（ｘ，ｙ）のス十ｙｄにされ
る。ステップ１２０でスキャンが終了していないと、ス
テップ１０８に戻り、スキャンが終了していると、ステ
ップ１２２に進み、フローが終了する。
る。ステップ１２０でスキャンが終了していないと、ス
テップ１０８に戻り、スキャンが終了していると、ステ
ップ１２２に進み、フローが終了する。
以上説明したように、本発明によれば、試料の測定個所
にコンタミネーションが付着している場合であっても、
正確な測定結果を得ることができる。従って、コンタミ
ネーションの影響の少ないラインスキャン像を得ること
ができ、後の２値化等の処理を容易に行うことが可能と
なる。
にコンタミネーションが付着している場合であっても、
正確な測定結果を得ることができる。従って、コンタミ
ネーションの影響の少ないラインスキャン像を得ること
ができ、後の２値化等の処理を容易に行うことが可能と
なる。
第１図は本発明の原理説明図、
第２図は本発明の実施例による電子ビーム装置の回路図
、 第３図は実施例のフローチャート図、 第４図は汚れの無い試料の測定結果を示すタイムチャー
ト図、 第５図は汚れの付いた試料の測定結果を示すタイムチャ
ート図である。 １２・・・ＥＢ（電子ビーム）鏡筒 １４・・・電子ビーム ２０・・・ＬＳＩ（試料） ２２〜２２・・・測定端子 ２６・・・ＬＳＩ駆動回路 ２８・・・パルス電圧 ３０・・・電子銃 ３２・・・電子レンズ ３４・・・偏向器 ３６・・・スキャンドライバ ３８・・・ＥＢパルス用パルスドライバ４０・・・スキ
ャンコイルドライバ ４２・・・ラインスキャン像測定回路 ４４・・・ＥＢパルス照射位相制御回路４６・・・走査
制御回路 ５０・・・偏向座標制御回路 ５４・・・２次電子検出回路 ５８・・・切換器 ６０、６２・・・バッファ ６６・・・ラインスキャンデータメモリ１００〜１２２
・・・ステップ 第 ４ 図 コ／タミネーソツノ ｒ 第 ５ 図
、 第３図は実施例のフローチャート図、 第４図は汚れの無い試料の測定結果を示すタイムチャー
ト図、 第５図は汚れの付いた試料の測定結果を示すタイムチャ
ート図である。 １２・・・ＥＢ（電子ビーム）鏡筒 １４・・・電子ビーム ２０・・・ＬＳＩ（試料） ２２〜２２・・・測定端子 ２６・・・ＬＳＩ駆動回路 ２８・・・パルス電圧 ３０・・・電子銃 ３２・・・電子レンズ ３４・・・偏向器 ３６・・・スキャンドライバ ３８・・・ＥＢパルス用パルスドライバ４０・・・スキ
ャンコイルドライバ ４２・・・ラインスキャン像測定回路 ４４・・・ＥＢパルス照射位相制御回路４６・・・走査
制御回路 ５０・・・偏向座標制御回路 ５４・・・２次電子検出回路 ５８・・・切換器 ６０、６２・・・バッファ ６６・・・ラインスキャンデータメモリ１００〜１２２
・・・ステップ 第 ４ 図 コ／タミネーソツノ ｒ 第 ５ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 試料（２０）にパルス電圧を印加する手段（２６）と
、及び、試料パルスに同期した電子ビーム（１４）を試
料（２０）の測定個所（２２）に照射する手段（１２）
と、を含み、試料（２０）の測定個所（２２）から得ら
れる２次電子信号を測定する電子ビーム装置において、 ラインスキャンを行うときの試料（２０）の測定個所（
２２）について、パルス電圧がＬレベルの位相及びパル
ス電圧がＨレベルの位相で交互に２次電子信号をサンプ
リングし、２つの２次電子信号の差を求めることを特徴
とする電子ビーム装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1192023A JPH0356877A (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 電子ビーム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1192023A JPH0356877A (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 電子ビーム装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0356877A true JPH0356877A (ja) | 1991-03-12 |
Family
ID=16284314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1192023A Pending JPH0356877A (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 電子ビーム装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0356877A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5659246A (en) * | 1994-05-17 | 1997-08-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetic sensor having an engaging portion |
-
1989
- 1989-07-25 JP JP1192023A patent/JPH0356877A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5659246A (en) * | 1994-05-17 | 1997-08-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetic sensor having an engaging portion |
| US5689182A (en) * | 1994-05-17 | 1997-11-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetic sensor with bobbin, sleeve and terminal bed for detecting a change in magnetic flux |
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