JPH0350751A - Semiconductor estimating equipment - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To automatically set a microscope to a defective part by a method wherein, when a defective part to be observed is specified and input through an inputting means, an operating means calculates the distance from a reference point to the specified defective part and outputs the results to the microscope, which the drives a sample stage according to the data. CONSTITUTION:A computer 3 is provided with function as an operating means. Based on an input, specified through a key board 5, concerning to a defective dot to be observed in a memory to be measured, each of the distance, in the X axis direction and the Y axis direction, from the corner part of a predetermined rectangular memory to be measured to the defective dot is calculated and outputted to a microscope 6. Based on an output, fed from the computer 3, corresponding with the distance, a sample stage mounting the memory to be measured is driven in the X axis direction and Y axis direction. Consequently, the specific defective dot can be observed with the microscope 6. The defective dot to be observed is specified in this manner by moving a cursor through the key board 5, while viewing indications on a display 4. By such arrangement, the sample stage of the microscope 6 is moved, and the microscope 6 can be automatically set to the specific defective dot.

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、メモリなどの半導体素子の良否を評価するた
めの半導体評価装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor evaluation device for evaluating the quality of semiconductor elements such as memories.

［従来の技術］ 第２図は、従来例の半導体評価装置の概略構成図である
。この半導体評価装置は、メモリの良否を評価するため
のものである。ｌはメモリ用のテスタであり、このテス
タｌは、図示しない被測定メモリのパッドにプロービン
グし、テストプログラムに従ってテスト用の信号を入力
し、前記被測定メモリからの出力信号の電圧レベルおよ
びタイミングが所望の通り発生しているかなどを判定し
、その結果を不良位置表示装置２に出力する。[Prior Art] FIG. 2 is a schematic diagram of a conventional semiconductor evaluation device. This semiconductor evaluation device is for evaluating the quality of memory. 1 is a memory tester, and this tester 1 probes a pad of the memory under test (not shown), inputs a test signal according to a test program, and checks the voltage level and timing of the output signal from the memory under test. It is determined whether the defect occurs as desired, and the result is output to the defective position display device 2.

不良位置表示装置２では、被測定メモリのすべてのビッ
トを表示ドツトに対応させて表示し、テスタｌの出力に
基づいて、不良ビットに対応する表示ドツトの輝度を他
の表示ドツトに比べて高くして表示する。さらに、この
表示内容をプリンタ８によって印字出力する。The defective position display device 2 displays all bits of the memory under test in correspondence with display dots, and makes the brightness of the display dot corresponding to the defective bit higher than other display dots based on the output of the tester 1. and display it. Furthermore, this display content is printed out by the printer 8.

次に、被測定メモリを顕微鏡６゜にセットし、検査者は
、プリンタ８で印字されたデータに基づいて、不良のド
ツトの位置を、被測定メモリの基準点からＸ軸方向、Ｙ
軸方向にパターンを数えることにより特定し、その位置
に顕微鏡６゜を合わせて不良ドツトを観察して不良原因
を解析するようにしている。Next, the memory to be measured is set at 6 degrees of the microscope, and the inspector locates the defective dot in the X-axis direction and Y-axis from the reference point of the memory to be measured based on the data printed by the printer 8.
The defective dots are identified by counting patterns in the axial direction, and the defective dots are observed by aligning the microscope at 6 degrees to analyze the cause of the defective dots.

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、このような従来例の半導体評価装置では
、被測定メモリの不良ドツトの位置を特定して顕微鏡で
観察する際に、検査者が、被測定メモリの基準点からＸ
軸方向、Ｙ軸方向にパターンを数えて顕微鏡を合わせる
必要があり、そのために時間がかかるとともに、数え間
違いが生じるなどの問題があった。[Problems to be Solved by the Invention] However, in such a conventional semiconductor evaluation device, when identifying the position of a defective dot in the memory under test and observing it with a microscope, the inspector must set the standard of the memory under test. point to X
It is necessary to count the patterns in the axial direction and the Y-axis direction and align the microscope, which is time consuming and causes problems such as counting errors.

本発明は、上述の点に鑑みて為されたものであって、顕
微鏡で半導体の不良位置を観察する際に、自動的に顕微
鏡を不良位置に合わせるようにした半導体評価装置を提
供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned points, and an object of the present invention is to provide a semiconductor evaluation device that automatically adjusts a microscope to the defective position when observing the defective position of a semiconductor using a microscope. purpose.

［課題を解決するための手段］ 本発明では、上述の目的を達成するために、被測定半導
体の良否を判定するテスタと、このテスタの出力に基づ
いて、前記被測定半導体の各箇所を表示ドツトに対応さ
せて良否のパターンで表示する不良位置表示装置と、前
記被測定半導体の不良箇所を観察するための顕微鏡とを
備える半導体評価装置において、前記被測定半導体の観
察しようとする不良箇所を指定入力するための入力手段
と、前記不良位置表示装置の表示内容に対応するデータ
が与えられ、前記入力手段による不良箇所の指定入力に
基づいて、被測定半導体の予め定められている基準点か
ら前記不良箇所までの距離を演算して前記顕微鏡に出力
する演算手段とを備え、前記顕微鏡は、前記被測定半導
体装載置された試料ステージを、前記演算手段の出力に
基づいて駆動する駆動制御部を有している。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above-mentioned object, the present invention includes a tester that determines the quality of a semiconductor under test, and displays each location of the semiconductor under test based on the output of this tester. In a semiconductor evaluation device that includes a defective position display device that displays a pass/fail pattern in correspondence with dots and a microscope for observing a defective point in the semiconductor to be measured, the defective point to be observed in the semiconductor to be measured is An input means for inputting a designation and data corresponding to the display contents of the defective position display device are provided, and based on the input of designation of the defective location by the input means, from a predetermined reference point of the semiconductor to be measured. a calculation means for calculating the distance to the defective location and outputting it to the microscope, the microscope having drive control for driving the sample stage on which the semiconductor device to be measured is mounted based on the output of the calculation means; It has a department.

［作用］ 上記構成によれば、入力手段によって観察しようとする
不良箇所を指定入力することにより、演算手段では、被
測定半導体の予め定められている基準点から指定された
不良箇所までの距離を演算して顕微鏡に出力し、顕微鏡
では、そのデータに基づいて、試料ステージが駆動され
るので、従来例のように、検査者が、被測定半導体の基
準点からＸ軸方向、Ｙ軸方向にパターンを数えて顕微鏡
を不良箇所に合わせる必要がなく、自動的に顕微鏡を不
良箇所に合わせることができる。[Operation] According to the above configuration, by specifying and inputting the defective point to be observed using the input means, the calculation means calculates the distance from the predetermined reference point of the semiconductor to be measured to the specified defective point. The data is calculated and output to the microscope, and the microscope drives the sample stage based on the data, so the inspector can move from the reference point of the semiconductor to be measured in the X-axis and Y-axis directions, as in the conventional example. There is no need to count patterns and align the microscope with the defective area; the microscope can be automatically aligned with the defective area.

［実施例］ 以下、図面によって本発明の実施例について、詳細に説
明する。[Examples] Examples of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第１図は、本発明の一実施例の半導体評価装置の概略構
成図であり、第２図の従来例に対応する部分には、同一
の参照符を付す。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a semiconductor evaluation device according to an embodiment of the present invention, and parts corresponding to the conventional example in FIG. 2 are given the same reference numerals.

この半導体評価装置は、メモリの良否を評価するための
ものであり、メモリ用のテスタｌは、図示しない被測定
メモリのパッドにブロービングし、テストプログラムに
従ってテスト用の信号を入力し、前記被測定メモリから
の出力信号の電圧レベルおよびタイミングか所望の通り
発生しているかなどを判定し、その結果を不良位置表示
装置２に出力する。This semiconductor evaluation device is for evaluating the quality of a memory, and a memory tester l blows a pad of a memory to be measured (not shown), inputs a test signal according to a test program, and It is determined whether the voltage level and timing of the output signal from the measurement memory are occurring as desired, and the results are output to the defective position display device 2.

不良位置表示装置２では、被測定メモリのすべてのビッ
トを表示ドツトに対応させて表示し、テスタｌの出力に
基づいて、不良ビットに対応する表示ドツトの輝度を他
の表示ドツトに比べて高くして表示する。すなわち、被
測定メモリの各ビットを良否のパターンで表示する。The defective position display device 2 displays all bits of the memory under test in correspondence with display dots, and makes the brightness of the display dot corresponding to the defective bit higher than other display dots based on the output of the tester 1. and display it. That is, each bit of the memory under test is displayed in a pass/fail pattern.

以」二の構成は、第２図の従来例と同様である。The second configuration is the same as the conventional example shown in FIG.

この実施例の半導体評価装置では、被測定メモリの不良
ドツトの位置を特定して顕微鏡で観察する際に、検査者
が、被測定メモリの基準点からＸ軸方向、Ｙ軸方向にパ
ターンを数えるといった手間を省くために、次のように
構成している。In the semiconductor evaluation apparatus of this embodiment, when identifying the position of a defective dot in the memory under test and observing it with a microscope, the inspector counts patterns in the X-axis direction and the Y-axis direction from the reference point of the memory under test. In order to save time and effort, it is configured as follows.

すなわち、この実施例の半導体評価装置は、不良位置表
示装置２の表示内容に対応するデータが与えられるコン
ピュータ３と、このコンピュータ３からの表示データに
基づいて、不良位置表示装置２と同様の表示を行う表示
装置４と、この表示装置４の表示内容を見ながら被測定
メモリの観察しようとする不良ドツトをカーソルの移動
により指定入力する入力手段としてのキーボード５とを
備えており、さらに、被測定メモリの不良ドツトを観察
するための顕微鏡６は、コンピュータ３から出力される
後述のデータに基づいて試料ステージを駆動する駆動制
御部７が設けられている。That is, the semiconductor evaluation device of this embodiment includes a computer 3 to which data corresponding to the display content of the defective position display device 2 is given, and a display similar to that of the defective position display device 2 based on the display data from the computer 3. A keyboard 5 is provided as an input means for specifying and inputting a defective dot to be observed in the memory under test by moving a cursor while looking at the display contents of the display device 4. A microscope 6 for observing defective dots in the measurement memory is provided with a drive control section 7 that drives a sample stage based on data output from the computer 3, which will be described later.

コンピュータ３は、キーボード５による被測定メモリの
観察しようとする不良ドツトの指定入力に基づいて、被
測定メモリの予め定められている基準点、例えば、矩形
の被測定メモリの隅部から前記不良ドツトまでのＸ軸方
向およびＹ軸方向の各距離を演算して顕微鏡６に出力す
る演算手段としての機能を備えている。この演算に必要
なデータは、予めコンピュータ３のメモリに格納されて
いる。Based on the designation input of the defective dot to be observed in the memory under test using the keyboard 5, the computer 3 detects the defective dot from a predetermined reference point of the memory under test, for example, a corner of a rectangular memory under test. It has a function as a calculation means that calculates each distance in the X-axis direction and the Y-axis direction and outputs it to the microscope 6. The data necessary for this calculation is stored in the memory of the computer 3 in advance.

顕微鏡６は、コンピュータ３からの前記距離に対応する
出力に基づいて、被測定メモリの載置された試料ステー
ジをＸ軸方向、Ｙ軸方向に駆動し、これによって、顕微
鏡６によって、指定された不良ドツトを観察できること
になる。The microscope 6 drives the sample stage on which the memory to be measured is mounted in the X-axis direction and the Y-axis direction based on the output corresponding to the distance from the computer 3, and thereby the microscope 6 This makes it possible to observe defective dots.

このように、表示装置４の表示を見ながらキーボード５
によりカーソルを移動して観察しようとする不良ドツト
を指定することにより、顕微鏡６の試料ステージが動い
て顕微鏡６が指定された不良ドツトに自動的に合うこと
になる。In this way, while looking at the display on the display device 4,
By moving the cursor and specifying the defective dot to be observed, the sample stage of the microscope 6 moves and the microscope 6 automatically aligns with the specified defective dot.

上述の実施例では、半導体メモリについて説明したけれ
ども、本発明は、半導体メモリに限るものではなく、他
の半導体素子の評価にも同様に適用できるのは勿論であ
る。Although the above-described embodiments have been described with reference to semiconductor memories, the present invention is of course not limited to semiconductor memories, and can of course be similarly applied to the evaluation of other semiconductor devices.

［発明の効果］ 以上のように本発明によれば、入力手段によって観察し
ようとする不良箇所を指定入力することにより、演算手
段では、被測定半導体の予め定められている基準点から
指定された不良箇所までの距離を演算して顕微鏡に出力
し、顕微鏡では、そのデータに基づいて、試料ステージ
が駆動されるので、従来例のように、検査者が、被測定
半導体の基準点からＸ軸方向、Ｙ軸方向にペターンを数
えて顕微鏡を不良箇所に合わせる必要がなく、自動的に
顕微鏡を不良箇所に合わせることができる。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, by inputting a designation of a defective part to be observed using the input means, the calculation means can detect the designated defective part from a predetermined reference point of the semiconductor to be measured. The distance to the defective part is calculated and output to the microscope, and the microscope drives the sample stage based on the data.As in the conventional example, the inspector can move the X-axis from the reference point of the semiconductor to be measured. There is no need to count patterns in the Y-axis direction and align the microscope with the defective area, and the microscope can be automatically aligned with the defective area.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図は本発明の一実施例の半導体評価装置の概略構成
図、第２図は従来例の概略構成図である。 ｌ・・・テスタ、２・・・不良位置表示装置、３・・・
コンピュータ（演算手段）、６・・・顕微鏡。FIG. 1 is a schematic diagram of a semiconductor evaluation device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic diagram of a conventional example. l... Tester, 2... Defective position display device, 3...
Computer (calculating means), 6...Microscope.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] （１）被測定半導体の良否を判定するテスタと、このテ
スタの出力に基づいて、前記被測定半導体の各箇所を表
示ドットに対応させて良否のパターンで表示する不良位
置表示装置と、前記被測定半導体の不良箇所を観察する
ための顕微鏡とを備える半導体評価装置において、 前記被測定半導体の観察しようとする不良箇所を指定入
力するための入力手段と、 前記不良位置表示装置の表示内容に対応するデータが与
えられ、前記入力手段による不良箇所の指定入力に基づ
いて、被測定半導体の予め定められている基準点から前
記不良箇所までの距離を演算して前記顕微鏡に出力する
演算手段とを備え、前記顕微鏡は、前記被測定半導体が
載置された試料ステージを、前記演算手段の出力に基づ
いて駆動する駆動制御部を有することを特徴とする半導
体評価装置。(1) A tester for determining the quality of the semiconductor to be measured; a defective position display device for displaying a pass/fail pattern by associating each location of the semiconductor to be measured with display dots based on the output of the tester; A semiconductor evaluation apparatus comprising a microscope for observing a defective part of the semiconductor to be measured, comprising: an input means for specifying and inputting a defective part to be observed in the semiconductor to be measured; and an input means corresponding to display contents of the defective position display device. calculation means for calculating the distance from a predetermined reference point of the semiconductor to be measured to the defective point based on the input specifying the defective point by the input means, and outputting the result to the microscope; A semiconductor evaluation device, wherein the microscope includes a drive control section that drives a sample stage on which the semiconductor to be measured is mounted based on an output of the calculation means.