JPH0346317A - Aligner of wafer and multiple exposure of wafer - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ウェハにマスクパターンを露光するための装置および方
法に関し。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Summary] This invention relates to an apparatus and method for exposing a mask pattern to a wafer.
同一のウェハに複数種のマスクパターンヲ露光する工程
のスループットを向上可能とすることを目的とし。The purpose is to improve the throughput of the process of exposing multiple types of mask patterns on the same wafer.
露光光学系と、複数のウェハを該露光光学系に逐一送出
するウェハ供給系とを有するウェハ露光装置に、該複数
のウェハを収納可能なバッファ機構および該露光光学系
において露光された該複数のウェハを該バッファ機構を
経由して該ウェハ供給系に転送する転送径路とを設け、
該露光光学系において該複数のウェハに対し第１のマス
クパターンを露光したのち、該複数のウェハを該バッフ
ァ機構に収納し、該バッファ機構に収納された該複数の
ウェハを該転送径路を通じて該ウェハ供給系に転送した
のち、該露光光学系において該複数のウェハに対し第２
のマスクパターンを露光することから構成される。A wafer exposure apparatus having an exposure optical system and a wafer supply system that feeds a plurality of wafers one by one to the exposure optical system, and a buffer mechanism capable of storing the plurality of wafers and the plurality of wafers exposed in the exposure optical system. a transfer path for transferring the wafer to the wafer supply system via the buffer mechanism;
After exposing the plurality of wafers with a first mask pattern in the exposure optical system, the plurality of wafers are stored in the buffer mechanism, and the plurality of wafers stored in the buffer mechanism are transferred through the transfer path. After transferring the wafers to the wafer supply system, the exposure optical system performs a second
The method consists of exposing a mask pattern to light.
本発明は、ウェハにマスクパターンを露光する方法、と
くに同一ウェハに複数種のマスクパターンを多重露光す
るための搬送系および制御方法に関する。The present invention relates to a method of exposing a wafer with a mask pattern, and more particularly to a transport system and control method for multiple exposure of a plurality of types of mask patterns on the same wafer.
［従来の技術］
ウェハ表面に塗布形成されたレジスト層に複数種のマス
クパターンを露光する場合がある。例えば、チップ領域
の面積が大きく、−回の露光ではこの領域全体に所定パ
ターンを投影できない場合には、このチップ領域を分割
し、それぞれの分割領域にパターンを投影する。このと
き、各分割領域に投影するパターンが異なる場合には、
マスクを交換して所定パターンを投影することになる。[Prior Art] A resist layer coated on a wafer surface is sometimes exposed to a plurality of types of mask patterns. For example, if the area of a chip region is large and a predetermined pattern cannot be projected onto the entire region with -times of exposure, the chip region is divided and a pattern is projected onto each divided region. At this time, if the patterns projected on each divided area are different,
The mask is replaced and a predetermined pattern is projected.
あるいは、−枚のウェハ上には、製品となる半導体装置
チップに混在するようにしてモニタチップが形成される
。このモニタチップは、ＷＡ品チップでは測定できない
特定の特性を測定する目的で形成されるものであり、そ
のパターンは製品チップにおけるパターンと同一ではな
い。したがって。Alternatively, a monitor chip is formed on the negative wafer so as to be mixed with semiconductor device chips that become products. This monitor chip is formed for the purpose of measuring specific characteristics that cannot be measured with a WA chip, and its pattern is not the same as the pattern on the product chip. therefore.
この場合にも、それぞれのチップ領域に所定のパターン
を投影するために、マスクを交換する必要がある。In this case as well, it is necessary to replace the mask in order to project a predetermined pattern onto each chip area.
すなわち、現像前のレジスト層に対して異種のマスクパ
ターンを多重露光するのである。３種あるいはそれ以上
のマスクパターンが上記のように多重露光される場合も
ある。That is, the resist layer before development is exposed multiple times to different types of mask patterns. Three or more types of mask patterns may be exposed multiple times as described above.
第５図は従来の露光装置の構成および動作を説明するた
めのブロック図である。FIG. 5 is a block diagram for explaining the configuration and operation of a conventional exposure apparatus.
露光装置は大別して、露光光学系とウェハ搬送系とから
成る。ウェハ搬送系は、レジストが塗布された複数のウ
ェハを露光光学系ｌに逐一供給するセンダー２と、マス
クパターンが露光されたウェハを収納し、これを外部に
取り出すためのレシーバ３と、センダー２から送出され
たウェハ５が載置されるステージ４とから成る。The exposure apparatus is roughly divided into an exposure optical system and a wafer transport system. The wafer transport system includes a sender 2 that supplies a plurality of wafers coated with resist to an exposure optical system l one by one, a receiver 3 that stores wafers on which a mask pattern has been exposed and takes them out to the outside, and a sender 2. and a stage 4 on which the wafer 5 sent out from the stage 4 is placed.
複数のウェハが収納された容器（カセット）６がセンダ
ー２に装着され、これからウェハ５が一枚ずつステージ
４に載置される。ここで方位調整（プリアライメント）
が行われたウェハ５を載置したステージ４が露光光学系
ｌ内に移動される。A container (cassette) 6 containing a plurality of wafers is attached to the sender 2, and the wafers 5 are placed on the stage 4 one by one. Here, adjust the direction (pre-alignment)
The stage 4 on which the wafer 5 has been placed is moved into the exposure optical system l.
露光光学系ｌ内において、ウェハ５の位置調整が行われ
る。一方、マスクライブラリ７から所定マスクが抽出さ
れ、露光光学系１に装着され、マスクパターンの露光が
行われる。ステージ４が露光光学系１外に移動され、露
光済みのウェハ５が。The position of the wafer 5 is adjusted within the exposure optical system l. On the other hand, a predetermined mask is extracted from the mask library 7, is attached to the exposure optical system 1, and exposure of the mask pattern is performed. The stage 4 is moved outside the exposure optical system 1, and the exposed wafer 5 is removed.
ステージ４からレシーバ３に装着されているカセット６
に収納される。露光が終了した所定数のウェハ５が充填
されたカセット６はレシーバ３から取り外され、空のカ
セット６がレシーバ３に装着される。一方、センダー２
から空になったカセット６が取り外され、所定数のウェ
ハ５が充填されたカセット６が装着される。Cassette 6 attached to receiver 3 from stage 4
will be stored in. The cassette 6 filled with a predetermined number of exposed wafers 5 is removed from the receiver 3, and an empty cassette 6 is attached to the receiver 3. On the other hand, sender 2
The empty cassette 6 is removed from the cassette 6, and a cassette 6 filled with a predetermined number of wafers 5 is installed.
上記従来の露光装置においては、ウェハ５はセンダー２
からレシーバ３に一方向に流れるだけである。このため
、ウェハ５に複数種のマスクパターンを露光する場合に
は、露光光学系ｌ内にウェハ５を留めた状態で、露光が
終了したマスクを次のマスクと交換しては露光する手順
を採らざるを得ない。したがって、多重露光を行う場合
には。In the conventional exposure apparatus described above, the wafer 5 is transferred to the sender 2.
It only flows in one direction from to the receiver 3. Therefore, when exposing multiple types of mask patterns to the wafer 5, the wafer 5 is kept in the exposure optical system l, and the exposed mask is replaced with the next mask, and then exposed. I have no choice but to take it. Therefore, when performing multiple exposures.
ウェハごとにマスクの交換を要し、露光工程のスループ
ットが低下する問題があった。ちなみに。There was a problem in that the mask had to be replaced for each wafer, reducing the throughput of the exposure process. By the way.
マスクを交換しないで複数のウェハに対して露光を行う
場合には、約６０秒間隔でウェハが供給される。これに
対してマスクの交換に要する時間は３０ないし６０秒で
ある。したがって、スルーブツトは多重度にほぼ逆比例
して低下する。When exposing a plurality of wafers without replacing the mask, the wafers are supplied at approximately 60 second intervals. In contrast, the time required to replace the mask is 30 to 60 seconds. Therefore, the throughput decreases in almost inverse proportion to the degree of multiplicity.
本発明は上記のような多重露光におけるマスクの交換頻
度を低減することにより露光工程のスル−プットを向上
することを目的とする。An object of the present invention is to improve the throughput of the exposure process by reducing the frequency of mask replacement in multiple exposures as described above.
（課題を解決するための手段〕
上記目的は、露光光学系と、複数のウェハを該露光光学
系に逐一供給するウェハ供給系と、前記複数のウェハを
収納可能なバッファ機構と、該露光光学系によりマスク
パターンを露光された前記複数のウェハを該バッファ機
構を経由して該ウェハ供給系に転送する転送径路とを備
えたことを特徴とする本発明に係るウェハ露光装置、お
よび。(Means for Solving the Problems) The above object is to provide an exposure optical system, a wafer supply system that supplies a plurality of wafers one by one to the exposure optical system, a buffer mechanism capable of storing the plurality of wafers, and an exposure optical system. A wafer exposure apparatus according to the present invention, further comprising a transfer path for transferring the plurality of wafers exposed with a mask pattern by the system to the wafer supply system via the buffer mechanism.
露光光学系と、複数のウェハを該露光光学系に逐一供給
するウェハ供給系とを有するウェハ露光装置に、該複数
のウェハを収納可能なバッファ機構および該露光光学系
において露光された該複数のウェハを該バッファ機構を
経由して該ウェハ供給系に転送する転送径路とを設け、
該露光光学系において該複数のウェハに対し第１のマス
クパターンを露光したのち、該複数のウェハを該バッフ
ァ機構に収納し、該バッファ機構に収納された該複数の
ウェハを該転送径路を通じて該ウェハ供給系に転送した
のち、該露光光学系において該複数のウェハに対し第２
のマスクパターンを露光することを特徴とする本発明に
係るウェハ多重露光方法によって達成される。A wafer exposure apparatus having an exposure optical system and a wafer supply system that supplies a plurality of wafers one by one to the exposure optical system, a buffer mechanism capable of storing the plurality of wafers, and a buffer mechanism capable of storing the plurality of wafers and the plurality of wafers exposed in the exposure optical system. a transfer path for transferring the wafer to the wafer supply system via the buffer mechanism;
After exposing the plurality of wafers with a first mask pattern in the exposure optical system, the plurality of wafers are stored in the buffer mechanism, and the plurality of wafers stored in the buffer mechanism are transferred through the transfer path. After transferring the wafers to the wafer supply system, the exposure optical system performs a second
This is achieved by the wafer multiple exposure method according to the present invention, which is characterized by exposing a mask pattern of .
第１図は本発明の原理図であって、第１のマスクパター
ンを露光されたウェハを一時的に収納するバッファ機構
１１と、露光済みのウェハをバッファ機構１１を通じて
ウェハ供給系に転送する閉じた径路（転送径路） １２
とを設けることにより、露光光学系ｌとマスクライブラ
リ７間におけるマスクの交換を１０ツトのウェハ（前記
カセット６に収納された複数のウェハ）単位で行うよう
にする。FIG. 1 is a diagram showing the principle of the present invention, which includes a buffer mechanism 11 that temporarily stores a wafer exposed with a first mask pattern, and a closing mechanism that transfers the exposed wafer to a wafer supply system through the buffer mechanism 11. Transfer route (transfer route) 12
By providing this, masks can be exchanged between the exposure optical system 1 and the mask library 7 in units of 10 wafers (a plurality of wafers stored in the cassette 6).
前記カセット６には９通常、２５〜５０枚程度のウェハ
が収納されている。したがって、ウェハー枚当たりのマ
スクの交換に要する平均時間は従来の■／２５〜１１５
０になり、スループントが向上される。The cassette 6 normally stores about 25 to 50 wafers. Therefore, the average time required to replace the mask per wafer is from 1/25 to 115
0, and the throughput is improved.
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
以下の図面において、既掲の図面におけるのと同じ部分
には同一符号を付しである。In the following drawings, the same parts as in the previously shown drawings are designated by the same reference numerals.
第２図は本発明の一実施例の構成および動作を説明する
ためのブロックである。第２図に示すように１本発明の
露光装置には、ｎ先光学系ｌにおいて露光されたウェハ
５を収容可能なバッファ機構１１と、露光されたウェハ
５をバッファ機構１１を通じてセンダー２（ウェハ供給
系）に転送するための転送径路１２が設けられている。FIG. 2 is a block diagram for explaining the configuration and operation of an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 2, the exposure apparatus of the present invention includes a buffer mechanism 11 capable of accommodating the wafer 5 exposed in the n-point optical system l, and a sender 2 (wafer A transfer path 12 is provided for transferring to a supply system).
バッファ機構１１には空のカセット１３が装着されてい
る。An empty cassette 13 is attached to the buffer mechanism 11.
従来と同様に、複数のウェハ５がセンダー２から露光光
学系１に逐一供給され、ここで所定のマスクパターンが
露光されるが８本発明においては。As in the prior art, a plurality of wafers 5 are supplied one by one from the sender 2 to the exposure optical system 1, where a predetermined mask pattern is exposed.
１０ツトのウェハ、すなわち、センダー２に装着されて
いるカセット６内のすべてのウェハ５．に対する第１の
マスクパターンの露光が終了するまで、ウェハ５の供給
および露光が繰り返される。10 wafers, that is, all wafers in the cassette 6 loaded in the sender 2. The supply and exposure of the wafer 5 are repeated until the exposure of the first mask pattern is completed.
露光が終了したウェハ５は、バッファ１ｆｌ１１ニオけ
る空のカセッ）１３に順次収納される。The exposed wafers 5 are sequentially stored in empty cassettes 13 containing a buffer 1fl11.
１０ツトのウェハの露光が終了すると、空になったカセ
ット６がセンダー２の外部に取り出される。そして、カ
セッ１−１３が転送径路１２を通じて転送され、センダ
ー２に装着される。同時に、露光光学系ｌにおける第１
のマスクは、マスクライブラリ７に格納されている第２
のマスクと交換される。そののち、センダー２に転送さ
れたカセット１３内に収納されている。第１のマスクパ
ターンを露光済みの複数のウェハ５が、上記と同様にし
てステージ４を介して露光光学系１に逐一供給され第２
のマスクパターンが露光される。When the exposure of ten wafers is completed, the empty cassette 6 is taken out of the sender 2. Then, the cassette 1-13 is transferred through the transfer path 12 and attached to the sender 2. At the same time, the first
The mask is the second mask stored in the mask library 7.
will be replaced with a mask. Thereafter, it is stored in the cassette 13 which is transferred to the sender 2. A plurality of wafers 5 that have been exposed with the first mask pattern are supplied one by one to the exposure optical system 1 via the stage 4 in the same manner as described above, and the wafers 5 are exposed to the second mask pattern.
mask pattern is exposed.
のちに第３のマスクパターンを露光する場合には、第２
のマスクパターンの露光が終了したウェハ５は、バッフ
ァ機構１１に装着されている空のカセッ）１３に順次収
納され、二〇カセッ目３が転送径路１２を通じてセンダ
ー２に転送され、カセット１３に収納されている。第２
のマスクパターンを露光済みのウェハ５に対して、上記
と同様にして第３のマスクパターンの露光が行われる。When exposing the third mask pattern later, the second
The wafers 5 on which the exposure of the mask pattern has been completed are sequentially stored in empty cassettes 13 attached to the buffer mechanism 11, and the 20th cassette 3 is transferred to the sender 2 through the transfer path 12 and stored in the cassette 13. has been done. Second
The wafer 5 that has been exposed to the third mask pattern is exposed to the third mask pattern in the same manner as described above.
一方、第２または第３のマスクパターンの露光後に第３
または第４のマスクパターンの露光を行わない場合には
、露光が終了したウェハ５はステージ４からレシーバ３
に送られ、ここに装着されている空のカセット６に収容
される。On the other hand, after the exposure of the second or third mask pattern, the third
Alternatively, if the fourth mask pattern is not exposed, the exposed wafer 5 is transferred from the stage 4 to the receiver 3.
and is stored in an empty cassette 6 installed there.
上記の動作の制御は第３図に示すフローチャートの手順
に従って行われる。前記露光光学系１にマスク（ｊ）を
セットし、これが多重霧光される全マスクのうちの最終
マスク（ｊ ｏ）でないことが確認されると、露光され
たウェハがバッファ機構１１に装着されているカセット
１３に収納されるように。Control of the above operations is performed according to the procedure of the flowchart shown in FIG. A mask (j) is set in the exposure optical system 1, and when it is confirmed that this is not the final mask (j o) among all the masks subjected to multiple fog light, the exposed wafer is mounted on the buffer mechanism 11. so that it is stored in cassette 13.
また、カセット１３が転送径路１２を通じてセンダー２
に転送されるようにウェハの搬送径路を切り換える。次
いで露光光学系工にウェハ（ｉ）を供給し。Also, the cassette 13 is sent to the sender 2 through the transfer path 12.
Switch the wafer transport path so that the wafer is transferred to Next, the wafer (i) is supplied to an exposure optical system engineer.
これにマスク（ｊ）のパターンを露光したのち、ウェハ
（ｉ）を前記バッファ機構１１に装着されているカセッ
ト１３に収納する。After exposing the pattern of the mask (j) to the wafer (i), the wafer (i) is stored in a cassette 13 attached to the buffer mechanism 11.
次いで、ウェハ（ｉ）が前記カセット６における最終の
ウェハ（五〇）かどうを判定する。この判定は。Next, it is determined whether wafer (i) is the last wafer (50) in the cassette 6. This judgment is.
例えば７通常、センダー２に設けられている容量センサ
を用いて行うことができる。ウェハ（五〇）でない場合
には１次のウェハ（ｉ＋１）を露光光学系１に供給し、
これに対してマスク（ｊ）のパターンを露光する。ウェ
ハ（１０）である場合には、ウェハ（ｉ。）を露光後に
、露光光学系１におけるマスク（ｊ）を１次のマスク（
ｊ＋１）に交換する。For example, this can be done using a capacitive sensor that is normally provided in the sender 2. If it is not the wafer (50), supply the primary wafer (i+1) to the exposure optical system 1,
To this, the pattern of mask (j) is exposed. In the case of a wafer (10), after exposing the wafer (i.), the mask (j) in the exposure optical system 1 is changed to the primary mask (
j+1).
上記を繰り返し、マスクが最終マスク（ｊｏ）であるこ
とが検出された場合、露光されたウェハがレシーバ３に
装着されているカセット６に収納されるようにウェハ搬
送径路を切り換え、露光光学系１にウェハ（ｉ）を供給
して、マスク（ｊｏ）のパターンを露光し、ウェハ（ｉ
）を前記レシーバ３におけるカセット６に収納する。そ
して、最終のウェハ（１０）が露光されたことが検出し
て、露光工程を終了する。このとき、未露光の複数のウ
ェハが収納された次のカセットをセンダー２に装着する
よう指示する。When the above process is repeated and it is detected that the mask is the final mask (JO), the wafer transport path is switched so that the exposed wafer is stored in the cassette 6 attached to the receiver 3, and the exposure optical system 1 The wafer (i) is exposed to light to expose the pattern of the mask (jo), and the wafer (i) is exposed to light.
) is stored in the cassette 6 in the receiver 3. Then, it is detected that the last wafer (10) has been exposed, and the exposure process ends. At this time, an instruction is given to load the next cassette containing a plurality of unexposed wafers into the sender 2.
第４図は本発明の別の実施例の構成および動作を説明す
るためのブロック図である。本実施例においては、セン
ダー２に装着さたカセット６に収納されている複数のウ
ェハ５は、ステージ４に逐−送られ、露光光学系１にお
いて露光されたのち。FIG. 4 is a block diagram for explaining the configuration and operation of another embodiment of the present invention. In this embodiment, a plurality of wafers 5 stored in a cassette 6 attached to a sender 2 are sequentially sent to a stage 4 and exposed in an exposure optical system 1.
レシーバ３に送られ、ここに装着されているカセット６
に収納される。センダー２におけるカセット６内のすべ
てのウェハ５の露光が終了すると。Cassette 6 sent to receiver 3 and installed here
will be stored in. When exposure of all wafers 5 in the cassette 6 in the sender 2 is completed.
露光光学系１に装着されているマスクは、マスクライブ
ラリ７に格納されている次のマスクと交換される。次い
で、レシーバ３におけるカセット６に収納されている露
光が終了した複数のウェハ５は、ステージ４に逐−送ら
れ、露光光学系１において上記衣のマスクパターンを露
光されたのち。The mask attached to the exposure optical system 1 is replaced with the next mask stored in the mask library 7. Next, the plurality of exposed wafers 5 housed in the cassette 6 in the receiver 3 are sent one by one to the stage 4, and are exposed to the mask pattern of the coating in the exposure optical system 1.
センダー２に送られ、ここに装着されている空になった
カセット６に収納される。上記を繰り返してすべての所
要マスクパターンの露光が終了したウェハ５が収納され
たカセット６が、センダー２またはレシーバ３から外部
に取り出される。It is sent to the sender 2 and stored in an empty cassette 6 installed there. By repeating the above steps, the cassette 6 containing the wafers 5 on which all required mask patterns have been exposed is taken out from the sender 2 or the receiver 3.
本実施例においては、レシーバ３がバッファ機構として
機能し、レシーバ３からセンダー２に向かう破線が、ウ
ェハをバッファ機構から供給系に転送する転送径路を構
成している。本実施例によれば、センダー２とレシーバ
３とを区別せず、レシーバ３に未露光のウェハを収納し
たカセットを装着して露光を行うことも可能である。In this embodiment, the receiver 3 functions as a buffer mechanism, and the broken line from the receiver 3 to the sender 2 constitutes a transfer path for transferring the wafer from the buffer mechanism to the supply system. According to this embodiment, it is also possible to perform exposure by attaching a cassette containing unexposed wafers to the receiver 3 without distinguishing between the sender 2 and the receiver 3.
本発明によれば、複数のマスクパターンを多重露光する
露光工程におけるマスクの交換頻度が低減され、該露光
工程のスループットを向上可能とする効果がある。According to the present invention, the frequency of mask replacement in an exposure process in which a plurality of mask patterns are exposed multiple times is reduced, and the throughput of the exposure process can be improved.
第１図は本発明の原理図。
第２図は本発明の露光装置の構成および動作説明図。
第３図は第２図における動作の制御手順を示すフローチ
ャート
第４図は本発明の別の実施例の構成および動作説明図。
第５図は従来の露光装置の構成および動作説明図
である。
図において。
１は露光光学系、 ２はセンダー
３はレシーバ、 ４はステージ。
５はウェハ、 ６と１３はカセ・ント。
７はマスクライブラリ、 １０はウェハ供給系１１は
バッファ機構、 １２は転送径路である。
本だ明の星工里臣明闇
鼾１図
木だ明の露、を鰻ｉの溝底あよへ動侶託明２夢
図
第２０１；ｂ′ける動作の制瀞乎順１示すフロー＋Ｙ−
ト茅３０FIG. 1 is a diagram showing the principle of the present invention. FIG. 2 is an explanatory diagram of the configuration and operation of the exposure apparatus of the present invention. FIG. 3 is a flowchart showing the control procedure of the operation in FIG. 2; FIG. 4 is an explanatory diagram of the configuration and operation of another embodiment of the present invention. FIG. 5 is an explanatory diagram of the configuration and operation of a conventional exposure apparatus. In fig. 1 is an exposure optical system, 2 is a sender, 3 is a receiver, and 4 is a stage. 5 is a wafer, 6 and 13 are cassettes. 7 is a mask library, 10 is a wafer supply system 11 is a buffer mechanism, and 12 is a transfer path. Book Akira's star craftsman Riomi Akira Dark Snoring 1 Diagram Wood Akira's dew to the bottom of the eel i's groove 2 Dream map 201; +Y-
Tomo 30
Claims (2)
系と、 前記複数のウェハを収容可能なバッファ機構と、該露光
光学系によりマスクパターンを露光された前記複数のウ
ェハを該バッファ機構を経由して該ウェハ供給系に転送
する転送径路 とを備えたことを特徴とするウェハ露光装置。(1) an exposure optical system; a wafer supply system that supplies a plurality of wafers one by one to the exposure optical system; a buffer mechanism capable of accommodating the plurality of wafers; and a plurality of wafers exposed to a mask pattern by the exposure optical system. a transfer path for transferring the wafers to the wafer supply system via the buffer mechanism.
一供給するウェハ供給系とを有するウェハ露光装置に、
該複数のウェハを収納可能なバッファ機構および該露光
光学系において露光された該複数のウェハを該バッファ
機構を経由して該ウェハ供給系に転送する転送径路とを
設け、該露光光学系において該複数のウェハに対し第１
のマスクパターンを露光したのち、該複数のウェハを該
バッファ機構に収納し、該バッファ機構に収納された該
複数のウェハを該転送径路を通じて該ウェハ供給系に転
送したのち、該露光光学系において該複数のウェハに対
し第２のマスクパターンを露光することを特徴とするウ
ェハ多重露光方法。(2) A wafer exposure apparatus having an exposure optical system and a wafer supply system that supplies a plurality of wafers one by one to the exposure optical system,
A buffer mechanism that can accommodate the plurality of wafers and a transfer path that transfers the plurality of wafers exposed in the exposure optical system to the wafer supply system via the buffer mechanism are provided. First for multiple wafers
After exposing the mask pattern, the plurality of wafers are stored in the buffer mechanism, and the plurality of wafers stored in the buffer mechanism are transferred to the wafer supply system through the transfer path, and then A wafer multiple exposure method characterized by exposing the plurality of wafers with a second mask pattern.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1183364A JPH0346317A (en) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | Aligner of wafer and multiple exposure of wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1183364A JPH0346317A (en) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | Aligner of wafer and multiple exposure of wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0346317A true JPH0346317A (en) | 1991-02-27 |
Family
ID=16134472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1183364A Pending JPH0346317A (en) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | Aligner of wafer and multiple exposure of wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0346317A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1059565A2 (en) * | 1999-06-09 | 2000-12-13 | Asm Lithography B.V. | Lithographic projection method |
| KR100549555B1 (en) * | 1999-06-09 | 2006-02-03 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | Lithographic projection method |
| WO2019091662A1 (en) * | 2017-11-09 | 2019-05-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
-
1989
- 1989-07-14 JP JP1183364A patent/JPH0346317A/en active Pending
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| EP1059565A2 (en) * | 1999-06-09 | 2000-12-13 | Asm Lithography B.V. | Lithographic projection method |
| EP1059565A3 (en) * | 1999-06-09 | 2003-08-06 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection method |
| KR100549555B1 (en) * | 1999-06-09 | 2006-02-03 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | Lithographic projection method |
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| CN111328383A (en) * | 2017-11-09 | 2020-06-23 | Asml荷兰有限公司 | Lithographic apparatus and method |
| US11226568B2 (en) | 2017-11-09 | 2022-01-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
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