JPH0344923A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH0344923A JPH0344923A JP18074189A JP18074189A JPH0344923A JP H0344923 A JPH0344923 A JP H0344923A JP 18074189 A JP18074189 A JP 18074189A JP 18074189 A JP18074189 A JP 18074189A JP H0344923 A JPH0344923 A JP H0344923A
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- JP
- Japan
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- etching
- magnetic field
- electrodes
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Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 17
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体製造装置に関し、特にドライエツチン
グ装置に関する。
グ装置に関する。
従来のドライエツチング装置は、平行平板型反応性イオ
ンエツチング装置（以下、ＲＩＥと呼ぶ）と呼ばれる、
平行に置いた電極に高周波を印加して、プラズマを発生
させエツチングを行なうものが主流であった。この方式
ではエツチング速度を上げるためには高周波の出力を上
げなければならず、そうするとエツチングダメージが大
きくなり、問題となっていた。そこで出力をあまり上げ
ずに高密度なプラズマを得るために、補助電極を設けた
一般にトライオード型ＲＩＥと呼ばれる装置や磁場を組
み合わせた一般にマグネトロン型ＲＩＥと呼ばれる装置
が登場してきた。
ンエツチング装置（以下、ＲＩＥと呼ぶ）と呼ばれる、
平行に置いた電極に高周波を印加して、プラズマを発生
させエツチングを行なうものが主流であった。この方式
ではエツチング速度を上げるためには高周波の出力を上
げなければならず、そうするとエツチングダメージが大
きくなり、問題となっていた。そこで出力をあまり上げ
ずに高密度なプラズマを得るために、補助電極を設けた
一般にトライオード型ＲＩＥと呼ばれる装置や磁場を組
み合わせた一般にマグネトロン型ＲＩＥと呼ばれる装置
が登場してきた。
第１図は、平行平板型ＲＩＥの構造で、第２図は、トラ
イオード型ＲＩＥの構造の一例で、第３図は、マグネト
ロン型ＲＩＥの構造の一例である。
イオード型ＲＩＥの構造の一例で、第３図は、マグネト
ロン型ＲＩＥの構造の一例である。
例えば、ガスとしてＳＦ６を用い、それぞれ最適と思わ
れる条件（族１９表２１表３）で窒化シリコンをエツチ
ングするとエツチング速度は、それソｔ’Ｌ、２２００
，３３５０．３５００人／ ｍ ｉｎとなる。
れる条件（族１９表２１表３）で窒化シリコンをエツチ
ングするとエツチング速度は、それソｔ’Ｌ、２２００
，３３５０．３５００人／ ｍ ｉｎとなる。
表
１
表２
〔発明が解決しようとする課題及び目的〕しかし、従来
の技術では、まだエツチング速度が十分高いわけでなく
、これから集積度が上がり、工程が増え、スルーブツト
が問題になってきたときに、十分対応できる装置ではな
いという課題を有している。
の技術では、まだエツチング速度が十分高いわけでなく
、これから集積度が上がり、工程が増え、スルーブツト
が問題になってきたときに、十分対応できる装置ではな
いという課題を有している。
そこで本発明は、この様な課題を解決するもので、その
目的とするところは、エツチング速度を上げ、スループ
ットを高め、更に均一性を向上させることにある。
目的とするところは、エツチング速度を上げ、スループ
ットを高め、更に均一性を向上させることにある。
本発明の半導体製造装置は、平行に置かれた平板型の電
極のどちらかにウェハをおいて、電極に高周波を印加し
てエツチングをするドライエツチング装置において、平
行平板の電極の他に補助電極を設け、更にその回りに回
転磁界を有することを特徴とする。
極のどちらかにウェハをおいて、電極に高周波を印加し
てエツチングをするドライエツチング装置において、平
行平板の電極の他に補助電極を設け、更にその回りに回
転磁界を有することを特徴とする。
以上、本発明について、実施例に基づき詳細に説明する
。
。
第４図は、本発明の半導体製造装置の概略図の一例で、
平行にある電極（４０１）の他に補助電極（４０２）が
あり、更に回転磁石（４０３）を有するものである。こ
の他に補助電極を側面に設けたものや、磁場を得るのに
ソレノイドコイルを用いたものがある。
平行にある電極（４０１）の他に補助電極（４０２）が
あり、更に回転磁石（４０３）を有するものである。こ
の他に補助電極を側面に設けたものや、磁場を得るのに
ソレノイドコイルを用いたものがある。
第４図の装置を用い、ガスとしてＳＦ６を用い、最適と
思われる条件（表４）で窒化シリコンをエツチングする
と、表５のような特性が得られる。
思われる条件（表４）で窒化シリコンをエツチングする
と、表５のような特性が得られる。
表４
表５
以上のように、
本発明の装置を用いれば、
従来
の装置の
１゜
５倍程度のエツチング速度が得られ
なお、本実施例では、ＳＦ６を用いた窒化シリコンのエ
ツチングに関してのみ述べたが、これに限るものでなく
、他のガスを用い、他のものをエツチングしても、同様
に従来の装置よりも高いエツチング速度が１号られる。
ツチングに関してのみ述べたが、これに限るものでなく
、他のガスを用い、他のものをエツチングしても、同様
に従来の装置よりも高いエツチング速度が１号られる。
又、この装置で磁石を回転させたのは、磁場を均一に発
生させ、プラズマを均一にし、エツチングの均一性を高
めるためである。
生させ、プラズマを均一にし、エツチングの均一性を高
めるためである。
以上述べたように、本発明の半導体製造装置を用いれば
、従来の装置よりも１． ５倍程度のエツチング速度が
得られ、しかも均一性が向上する。
、従来の装置よりも１． ５倍程度のエツチング速度が
得られ、しかも均一性が向上する。
第１図は従来の平行平板型ＲＩＥの構造を示す図である
。 第２図は従来のトライオード型ＲＩＥの構造を示す図で
ある。 第３図は従来のマグネトロン型ＲＩＥの構造を示す図で
ある。 第４図は本発明のドライエツチング装置の構造を示す図
である。 １０１．２０１，３０１，４０１・・・電極２０２．４
０２・・・補助電極 ３０３．４０３・・・磁石 １０４．２０４，３０４，４０４・・・反応室１０５．
２０５，３０５，４０５・・・ウェハ１０６．２０６，
３０６，４０６・・・高周波１０７．２０７，３０７，
４０７・・・ガス導入口１０８．２０８，３０８，４０
８・・・ガス排気口以上 出南ヒ、セイコーエプソン株式会社
。 第２図は従来のトライオード型ＲＩＥの構造を示す図で
ある。 第３図は従来のマグネトロン型ＲＩＥの構造を示す図で
ある。 第４図は本発明のドライエツチング装置の構造を示す図
である。 １０１．２０１，３０１，４０１・・・電極２０２．４
０２・・・補助電極 ３０３．４０３・・・磁石 １０４．２０４，３０４，４０４・・・反応室１０５．
２０５，３０５，４０５・・・ウェハ１０６．２０６，
３０６，４０６・・・高周波１０７．２０７，３０７，
４０７・・・ガス導入口１０８．２０８，３０８，４０
８・・・ガス排気口以上 出南ヒ、セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 平行に置かれた平板型の電極のどちらかにウェハをおい
て、電極に高周波を印加してエッチングをするドライエ
ッチング装置において、平行平板の電極の他に補助電極
を設け、更にその回りに回転磁界を有することを特徴と
する半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18074189A JPH0344923A (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18074189A JPH0344923A (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0344923A true JPH0344923A (ja) | 1991-02-26 |
Family
ID=16088503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18074189A Pending JPH0344923A (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0344923A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6139552A (en) * | 1998-05-13 | 2000-10-31 | K. K. Hollyx | Bone jointer and a bone jointer fixing tool |
| JP2004505661A (ja) * | 2000-08-09 | 2004-02-26 | ハンソン，ヘンリク | 骨折における骨の断片の固定のための固定手段装置 |
-
1989
- 1989-07-13 JP JP18074189A patent/JPH0344923A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6139552A (en) * | 1998-05-13 | 2000-10-31 | K. K. Hollyx | Bone jointer and a bone jointer fixing tool |
| US6224606B1 (en) * | 1998-05-13 | 2001-05-01 | K. K. Hollyx | Bone jointer and a bone jointer fixing tool |
| JP2004505661A (ja) * | 2000-08-09 | 2004-02-26 | ハンソン，ヘンリク | 骨折における骨の断片の固定のための固定手段装置 |
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