JPH0342488B2 - - Google Patents
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- JPH0342488B2 JPH0342488B2 JP18503084A JP18503084A JPH0342488B2 JP H0342488 B2 JPH0342488 B2 JP H0342488B2 JP 18503084 A JP18503084 A JP 18503084A JP 18503084 A JP18503084 A JP 18503084A JP H0342488 B2 JPH0342488 B2 JP H0342488B2
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- conductors
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、コンデンサを構成する材料、特に
絶縁膜および導電体に関するものである。
絶縁膜および導電体に関するものである。
従来、コンデンサを構成する絶縁膜としては、
酸化被膜や蒸着膜などが、導電体としては、金属
板や蒸着膜などが使われていた。
酸化被膜や蒸着膜などが、導電体としては、金属
板や蒸着膜などが使われていた。
しかし従来のコンデンサは、絶縁膜の厚さが、
104Å以上と厚いために、大容量のコンデンサと
することが、きわめて難しかつた。コンデンサの
容量は、絶縁膜の厚さの逆数に比例するため、薄
ければ薄いほど容量が大きくなるが、今までの絶
縁膜の作り方では、薄くすることが難しく、また
薄くした場合には、ピンホールや不純物による導
電部分の影響により、絶縁膜として十分な特性を
もつものとすることが、出来なかつた。コンデン
サの特性として望まれるものは、小型、大容量、
高対圧、高絶縁性、高周波特性、などであるが、
従来のコンデンサの絶縁膜では、膜厚が厚く、ピ
ンホール、不純物による導電部が多く、膜厚が不
均一であるため、小型、大容量、高耐圧、高絶縁
性のものが出来なかつた。
104Å以上と厚いために、大容量のコンデンサと
することが、きわめて難しかつた。コンデンサの
容量は、絶縁膜の厚さの逆数に比例するため、薄
ければ薄いほど容量が大きくなるが、今までの絶
縁膜の作り方では、薄くすることが難しく、また
薄くした場合には、ピンホールや不純物による導
電部分の影響により、絶縁膜として十分な特性を
もつものとすることが、出来なかつた。コンデン
サの特性として望まれるものは、小型、大容量、
高対圧、高絶縁性、高周波特性、などであるが、
従来のコンデンサの絶縁膜では、膜厚が厚く、ピ
ンホール、不純物による導電部が多く、膜厚が不
均一であるため、小型、大容量、高耐圧、高絶縁
性のものが出来なかつた。
また導電体として、金属板をもちいたものは、
小型化しにくく、蒸着膜等の膜をもちいたもの
は、製造効率がよくなかつた。
小型化しにくく、蒸着膜等の膜をもちいたもの
は、製造効率がよくなかつた。
そこで本発明は従来のこのような欠点を解決す
るため、薄く、ピンホールや、不純物による導電
部がなく、膜厚が均一な絶縁膜でコンデンサを形
成し、さらに小型で製造効率の高いコンデンサと
することを目的としている。
るため、薄く、ピンホールや、不純物による導電
部がなく、膜厚が均一な絶縁膜でコンデンサを形
成し、さらに小型で製造効率の高いコンデンサと
することを目的としている。
上記問題点を解決するためにこの発明は、絶縁
膜としてラングミユア・プロジエツト膜（以下、
LB膜という）を用いるようにした。
膜としてラングミユア・プロジエツト膜（以下、
LB膜という）を用いるようにした。
〔作用〕
上記のように絶縁膜にLB膜を使用したコンデ
ンサは、LB膜のもつ、超薄膜、ピンホールがな
い、不純物による導電部がない、膜厚が均一であ
る等の特性のため、小型、大容量、高耐圧、高絶
縁性であるコンデンサとすることができ、さらに
導電体を高分子導電体あるいはLB膜で構成すれ
ば、より小型で、製造効率のよいコンデンサとす
ることができる。
ンサは、LB膜のもつ、超薄膜、ピンホールがな
い、不純物による導電部がない、膜厚が均一であ
る等の特性のため、小型、大容量、高耐圧、高絶
縁性であるコンデンサとすることができ、さらに
導電体を高分子導電体あるいはLB膜で構成すれ
ば、より小型で、製造効率のよいコンデンサとす
ることができる。
以下に本発明の実施例を図面にもとづいて説明
する。第１図、第２図は、本発明によるコンデン
サの構成概念図である。
する。第１図、第２図は、本発明によるコンデン
サの構成概念図である。
第１図において、LB膜２、（たとえばアラキン
酸カドニウム）は導電体１および１′の間に設け
られ、さらにそれらの両側はモールド材３および
３′に被われ、導電体１および１′からはリード線
４および４′が出ている。第２図は、第１図の断
面図である。
酸カドニウム）は導電体１および１′の間に設け
られ、さらにそれらの両側はモールド材３および
３′に被われ、導電体１および１′からはリード線
４および４′が出ている。第２図は、第１図の断
面図である。
導電体は、金属あるいは有機導電体の薄膜が使
用される。またリード線は、金、銀白金等が使用
され、モールド材は、エポキシ系、ポリイミド
系、ポリアミド系等のモールド材が使用される。
用される。またリード線は、金、銀白金等が使用
され、モールド材は、エポキシ系、ポリイミド
系、ポリアミド系等のモールド材が使用される。
絶縁膜をLB膜で構成することにより、膜厚を
数百Åオーダーにすることが出来、その容量を数
十倍以上にすることが出来た。またピンホールや
不純物による導電部がなくなり、高絶縁性のコン
デンサとなつた。またLB膜２の膜厚が均一であ
ることもてつだつて、耐圧が向上した。
数百Åオーダーにすることが出来、その容量を数
十倍以上にすることが出来た。またピンホールや
不純物による導電部がなくなり、高絶縁性のコン
デンサとなつた。またLB膜２の膜厚が均一であ
ることもてつだつて、耐圧が向上した。
本発明による具体的実施例の断面図を第３図
に、その平面図を第４図に示す。
に、その平面図を第４図に示す。
この例では、絶縁膜にLB膜絶縁膜を用いる他、
導電体もLB膜導電体を用いている。この例につ
いて、製法も含めて説明する。
導電体もLB膜導電体を用いている。この例につ
いて、製法も含めて説明する。
基板６はガラス基板が用いられ、この基板６面
上にLB膜導電体５（この例では銅フタロシアニ
ンLB膜）が形成されている。LB膜の形成は、
LB膜形成法として知られている垂直引き上げ付
着法で形成している。
上にLB膜導電体５（この例では銅フタロシアニ
ンLB膜）が形成されている。LB膜の形成は、
LB膜形成法として知られている垂直引き上げ付
着法で形成している。
LB膜導電体５の上に、さらにLB膜絶縁膜７が
形成される。この形成も垂直引き上げ付着法によ
り行なわれ、イミドLB膜をLB膜導電体５の一部
が露出すように引き上げ法にて形成し、ポリイミ
ドLB膜として成膜する。
形成される。この形成も垂直引き上げ付着法によ
り行なわれ、イミドLB膜をLB膜導電体５の一部
が露出すように引き上げ法にて形成し、ポリイミ
ドLB膜として成膜する。
同様にして、LB膜絶縁膜７上に前記したLB膜
導電体５と同じ材質のLB膜導電体５′が形成され
る。
導電体５と同じ材質のLB膜導電体５′が形成され
る。
その後、エポキシ系樹脂のモールド材３，３′
で所定箇所を被覆し、露出しているLB膜導電体
５，５′に、リード電極を導電接着剤にて固定す
ることによりコンデンサを作製している。
で所定箇所を被覆し、露出しているLB膜導電体
５，５′に、リード電極を導電接着剤にて固定す
ることによりコンデンサを作製している。
この例では、LB膜絶縁膜７は、１層５Åのポ
リイミド膜を20層成膜したものを使用し、約100
Åの厚さで、従来のコンデンサの絶縁膜に対し1/
１００以下の厚さとなつている。LB膜導電体５，
５′も20層ほど積層して形成しており、両者間に
電圧を印加し容量と耐電圧を測定したところ、ほ
ぼ1μFの容量と、20Vの耐圧であつた。基板の大
きさは、３×５cmであり、コンデンサの面積は基
板面積の約６割である。
リイミド膜を20層成膜したものを使用し、約100
Åの厚さで、従来のコンデンサの絶縁膜に対し1/
１００以下の厚さとなつている。LB膜導電体５，
５′も20層ほど積層して形成しており、両者間に
電圧を印加し容量と耐電圧を測定したところ、ほ
ぼ1μFの容量と、20Vの耐圧であつた。基板の大
きさは、３×５cmであり、コンデンサの面積は基
板面積の約６割である。
この例では、導電体および絶縁膜をLB膜で構
成するため、LB膜製造装置をもちいて連続的に
製造できるので、製造効率が非常によくなつた。
また、導電体、絶縁膜の厚さを薄くできるので、
大容量とすることができ、また同性能のコンデン
サとしては小型にすることができた。LB膜では
ピンホールや不純物のない膜で、なおかつ均一な
厚さの膜とするこができるので、高耐圧、高絶縁
性のコンデンサとすることも、できるようになつ
た。また、２つの導電体のうち、どちらか一方の
導電体のみにLB膜を用いることも可能である。
成するため、LB膜製造装置をもちいて連続的に
製造できるので、製造効率が非常によくなつた。
また、導電体、絶縁膜の厚さを薄くできるので、
大容量とすることができ、また同性能のコンデン
サとしては小型にすることができた。LB膜では
ピンホールや不純物のない膜で、なおかつ均一な
厚さの膜とするこができるので、高耐圧、高絶縁
性のコンデンサとすることも、できるようになつ
た。また、２つの導電体のうち、どちらか一方の
導電体のみにLB膜を用いることも可能である。
第５図は導電体を高分子導電体で構成した例
で、LB膜絶縁膜７は、高分子導電体８および高
分子導電体８′の間に設けられ、さらにそのまわ
りをモールド材３によつて被われている。
で、LB膜絶縁膜７は、高分子導電体８および高
分子導電体８′の間に設けられ、さらにそのまわ
りをモールド材３によつて被われている。
この例では、高分子導電体８，８′は、グラフ
アイト粉の入つたエポキシ系高分子導電体を印刷
することにより形成される。この実施例のよう
に、導電体を高分子導電体にすれば、LB膜絶縁
膜７と高分子導電体８および８′との密着性が良
くなり、機械的強度が増し、絶縁膜ギヤツプが均
一となる。
アイト粉の入つたエポキシ系高分子導電体を印刷
することにより形成される。この実施例のよう
に、導電体を高分子導電体にすれば、LB膜絶縁
膜７と高分子導電体８および８′との密着性が良
くなり、機械的強度が増し、絶縁膜ギヤツプが均
一となる。
本発明は以上説明したように、絶縁膜をLB膜
にすることにより、小型、大容量、高耐圧、高絶
縁性のコンデンサとすることができる。
にすることにより、小型、大容量、高耐圧、高絶
縁性のコンデンサとすることができる。
第１図は、コンデンサの正面図、第２図は第１
図の断面図、第３図は導電体および絶縁膜をLB
膜で構成したコンデンサの断面図、第４図は第３
図の正面図、第５図は導電体を高分子導電体で構
成したコンデンサの断面図である。 １および１′……導電体、２……ラングミユ
ア・プロジツド膜（LB膜）、３および３′……モ
ールド材、４および４′……リード線、５および
５′……LB膜導電体、６……基板、７……LB膜
絶縁膜、８および８′……高分子導電体。
図の断面図、第３図は導電体および絶縁膜をLB
膜で構成したコンデンサの断面図、第４図は第３
図の正面図、第５図は導電体を高分子導電体で構
成したコンデンサの断面図である。 １および１′……導電体、２……ラングミユ
ア・プロジツド膜（LB膜）、３および３′……モ
ールド材、４および４′……リード線、５および
５′……LB膜導電体、６……基板、７……LB膜
絶縁膜、８および８′……高分子導電体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ２つの導電体と、これらの導電体の間に設け
られた１つ以上の絶縁膜を有するコンデンサにお
いて、前記絶縁膜としてラングミユア・プロジエ
ツト膜を用いることを特徴とするコンデンサ。 ２ 前記導電体の少なくとも１つをラングミユ
ア・プロジエツト膜で構成したことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のコンデンサ。 ３ 前記導電体の少なくとも１つを高分子導電体
で構成したことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18503084A JPS6163009A (ja) | 1984-09-04 | 1984-09-04 | コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18503084A JPS6163009A (ja) | 1984-09-04 | 1984-09-04 | コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6163009A JPS6163009A (ja) | 1986-04-01 |
| JPH0342488B2 true JPH0342488B2 (ja) | 1991-06-27 |
Family
ID=16163552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18503084A Granted JPS6163009A (ja) | 1984-09-04 | 1984-09-04 | コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6163009A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62229722A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | ナイルス部品株式会社 | 薄膜絶縁体の構造 |
| JPS62232168A (ja) * | 1986-04-01 | 1987-10-12 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 耐熱性ポリイミド薄膜を含む電気・電子デバイス |
| JPH0831398B2 (ja) * | 1988-03-25 | 1996-03-27 | 松下電器産業株式会社 | コンデンサ |
-
1984
- 1984-09-04 JP JP18503084A patent/JPS6163009A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6163009A (ja) | 1986-04-01 |
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