JPH0340750U - - Google Patents

Description

【図面の簡単な説明】

第１図はこの考案の一実施例のイオン注入装置
の回転デイスクの基本的な構成を示す平面図、第
２図は第１図の切断面線−から見た断面図、
第３図は第１図に示された回転デイスクの周縁部
近傍の構成を拡大して示す分解斜視図、第４図１
は台座１０の平面図、第４図２はその側面図、第
４図３は第４図１の切断面線−から見た断面
図、第５図は従来技術の基本的な構成を示す断面
図である。 １０……台座、１１……取付凹所、１２……回
転デイスク本体、１５……静電吸着用電極、１６
，１７……冷媒路。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) イオン注入装置においてイオンを注入すべ
   き注入対象物を支持する回転デイスクであつて、 表面が球面状に加工され、前記注入対象物がそ
   の表面に密着される台座と、 表面に前記台座が取り付けられる取付凹所を形
   成した回転デイスク本体とを備えたことを特徴と
   するイオン注入装置の回転デイスク。 (2) 前記台座の表面近傍に静電吸着用電極を埋
   設したことを特徴とする請求項(1)記載のイオン
   注入装置の回転デイスク。 (3) 前記台座および回転デイスク本体に冷却媒
   体が流される冷媒路をそれぞれ形成し、各冷媒路
   が前記台座を前記回転デイスクの前記取付凹所に
   取り付けた状態で相互に連通するようにしたこと
   を特徴とする請求項(1)または(2)記載のイオン注
   入装置の回転デイスク。