JPH0339488A - 無電解錫めっき方法 - Google Patents
無電解錫めっき方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子部品に半田付は性を付与するために無電
解錫又は錫合金めっき皮膜を形成する場合などに採用さ
れる無電゛解錫又は錫合金めっき方法に関する。
解錫又は錫合金めっき皮膜を形成する場合などに採用さ
れる無電゛解錫又は錫合金めっき方法に関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕従来よ
り、プリント基板、チップ部品等の電子部品に良好な半
田付は牲を付与するために錫又は錫合金めっきを施すこ
とが行なわれている。
り、プリント基板、チップ部品等の電子部品に良好な半
田付は牲を付与するために錫又は錫合金めっきを施すこ
とが行なわれている。
この際、電子部品相互がぶつかり合ったりする場合など
に部品に傷が付くことを防止し、強度アップを計るため
に部品に下地めっきとしてニッケルめっきを施すことが
望まれ、電子部品にニッケルめっき皮膜を形成した後、
その上に錫又は錫合金めっきを行なうことが要望される
。
に部品に傷が付くことを防止し、強度アップを計るため
に部品に下地めっきとしてニッケルめっきを施すことが
望まれ、電子部品にニッケルめっき皮膜を形成した後、
その上に錫又は錫合金めっきを行なうことが要望される
。
従来、このようにニッケル又はニッケル合金めっき皮膜
が形成された被めっき物に錫又は錫合金皮膜を形成する
方法としては、ペースト法、電気めっき法が採用されて
いる。しかし、電子部品においては、最近の部品の細密
化、微小化に伴い、これらの方法では錫又は錫合金皮膜
を均一に形成することが困難である。
が形成された被めっき物に錫又は錫合金皮膜を形成する
方法としては、ペースト法、電気めっき法が採用されて
いる。しかし、電子部品においては、最近の部品の細密
化、微小化に伴い、これらの方法では錫又は錫合金皮膜
を均一に形成することが困難である。
このため、錫又は錫合金皮膜を無電解めっき法により形
成することが望まれているが、従来の無電解錫又は錫合
金めっき浴はニッケル又はニッケル合金上には直接析出
反応が開始しないため、無電解めっき法を採用していな
いのが現状である。
成することが望まれているが、従来の無電解錫又は錫合
金めっき浴はニッケル又はニッケル合金上には直接析出
反応が開始しないため、無電解めっき法を採用していな
いのが現状である。
本発明はかかる事情を改善するためになされたもので、
被めっき物に強度アップ等のために形成したニッケル又
はニッケル合金めっき皮膜に対し無電解錫又は錫合金め
っきを施す方法を提供することを目的とする。
被めっき物に強度アップ等のために形成したニッケル又
はニッケル合金めっき皮膜に対し無電解錫又は錫合金め
っきを施す方法を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段及び作用〕本発明者は、上
記目的を達成するため種々検討を行なった結果、被めっ
き物にニッケル又はニッケル合金めっき皮膜を形成した
上に銅又は銅合金めっき皮膜を形成して、無電解錫又は
錫合金めっきを行なうことにより1通常の無電解錫又は
錫合金めっき浴は銅又は銅合金めっき皮膜に対してはめ
っき反応がスタートするので、ニッケル又はニッケル合
金めっき皮膜上に支障なく無電解錫又は錫合金めっき皮
膜を形成することができ、従って電子部品の細密化、微
小化にも十分対応して良好な半田付は性を付与すること
ができると共に、ニッケル、ニッケル合金めっき皮膜の
形成により強度アップを計ることができることを知見し
、本発明をなすに至ったものである。
記目的を達成するため種々検討を行なった結果、被めっ
き物にニッケル又はニッケル合金めっき皮膜を形成した
上に銅又は銅合金めっき皮膜を形成して、無電解錫又は
錫合金めっきを行なうことにより1通常の無電解錫又は
錫合金めっき浴は銅又は銅合金めっき皮膜に対してはめ
っき反応がスタートするので、ニッケル又はニッケル合
金めっき皮膜上に支障なく無電解錫又は錫合金めっき皮
膜を形成することができ、従って電子部品の細密化、微
小化にも十分対応して良好な半田付は性を付与すること
ができると共に、ニッケル、ニッケル合金めっき皮膜の
形成により強度アップを計ることができることを知見し
、本発明をなすに至ったものである。
それ故、本発明は、被めっ−き物に直接又は下地めっき
皮膜を介してニッケル又はニッケル合金めっき皮膜を形
成した後、その上に銅又は銅合金めっき皮膜を形成し1
次いで該銅又は銅合金めっき皮膜上に無電解錫又は錫合
金めっきを施すことを特徴とする無電解錫又は錫合金め
っき方法を提供する。
皮膜を介してニッケル又はニッケル合金めっき皮膜を形
成した後、その上に銅又は銅合金めっき皮膜を形成し1
次いで該銅又は銅合金めっき皮膜上に無電解錫又は錫合
金めっきを施すことを特徴とする無電解錫又は錫合金め
っき方法を提供する。
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明は、各種電子部品などに対し適用されるが、その
材質は特に制限されず、めっき可能なものであればよい
。
材質は特に制限されず、めっき可能なものであればよい
。
本発明においては、まず被めっき物をその種類に応じた
前処理を施し、次いで直接又は適宜な下地めっき皮膜を
形成した後、ニッケル又はニッケル合金めっき皮膜を形
成する。この場合、ニッケル、ニッケル合金めっきは電
気めっきでも無電解めっきでもよく、公知のめっき浴を
用いてその通常のめっき条件でめっきを施すことができ
るが、細密、微小部分に対してめっきを行なう場合は無
電解ニッケル又はニッケル合金めっき法を採用すること
が好ましい、なお、ニッケル合金としては。
前処理を施し、次いで直接又は適宜な下地めっき皮膜を
形成した後、ニッケル又はニッケル合金めっき皮膜を形
成する。この場合、ニッケル、ニッケル合金めっきは電
気めっきでも無電解めっきでもよく、公知のめっき浴を
用いてその通常のめっき条件でめっきを施すことができ
るが、細密、微小部分に対してめっきを行なう場合は無
電解ニッケル又はニッケル合金めっき法を採用すること
が好ましい、なお、ニッケル合金としては。
ニッケルーコバルト、ニッケルー鉄などを挙げることが
でき、またニッケル又はニッケル合金めっき皮膜の膜厚
は通常0.5〜5μである。
でき、またニッケル又はニッケル合金めっき皮膜の膜厚
は通常0.5〜5μである。
次に5本発明は上記ニッケル又はニッケル合金めっき皮
膜上に銅又は銅合金めっき皮膜を形成する。この銅、銅
合金めっき皮膜の形成も、電気めっき、無電解めっきの
いずれの方法でもよく、公知のめっき浴を用いてその通
常のめっき条件でめっきすることができるが、細密、微
小部分に対しては無電解めっき法が好適に採用される。
膜上に銅又は銅合金めっき皮膜を形成する。この銅、銅
合金めっき皮膜の形成も、電気めっき、無電解めっきの
いずれの方法でもよく、公知のめっき浴を用いてその通
常のめっき条件でめっきすることができるが、細密、微
小部分に対しては無電解めっき法が好適に採用される。
なお、銅合金としては銅−亜鉛、銅−錫等が挙げられる
。
。
また、銅、銅合金めっき皮膜の膜厚は1〜5−とするこ
とが好ましい。
とが好ましい。
本発明においては、このようにニッケル又はニッケル合
金めっき皮膜上に銅又は銅合金めっき皮膜を形成した後
、無電解錫又は錫合金めっきを行なう。
金めっき皮膜上に銅又は銅合金めっき皮膜を形成した後
、無電解錫又は錫合金めっきを行なう。
この場合、めっき浴としては公知のもの、特に酸性浴を
使用し、その通常の条件を採用してめっきすることがで
きるが、特に本出願人が先に特願昭63−21184号
及び特願平1−37538号で提案しためっき浴、即ち
置換又は未置換のアルカンスルホン酸、ヒドロキシアル
カンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸及びナフタレンス
ルホン酸から選ばれる1種以上の有機スルホン酸、これ
らスルホン酸の2価の錫塩、チオ尿素、水溶性ジルコニ
ウム塩を含有してなる無電解錫めっき浴、及び、2価の
錫イオンと、有機スルホン酸、有機カルボン酸及びホウ
フッ酸から選ばれる1種以上の酸と、チオ尿素と、過塩
素酸及び過塩素酸化合物から選ばれる1種以上の化合物
とを含有してなる無電解錫めっき浴が好適に使用される
。
使用し、その通常の条件を採用してめっきすることがで
きるが、特に本出願人が先に特願昭63−21184号
及び特願平1−37538号で提案しためっき浴、即ち
置換又は未置換のアルカンスルホン酸、ヒドロキシアル
カンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸及びナフタレンス
ルホン酸から選ばれる1種以上の有機スルホン酸、これ
らスルホン酸の2価の錫塩、チオ尿素、水溶性ジルコニ
ウム塩を含有してなる無電解錫めっき浴、及び、2価の
錫イオンと、有機スルホン酸、有機カルボン酸及びホウ
フッ酸から選ばれる1種以上の酸と、チオ尿素と、過塩
素酸及び過塩素酸化合物から選ばれる1種以上の化合物
とを含有してなる無電解錫めっき浴が好適に使用される
。
ここで、前者の浴において、有機スルホン酸としては、
メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホ
ン酸、2−プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、2
−ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、クロルプロ
パンスルホン酸、2−ヒドロキシエタン−l−スルホン
酸、2−ヒドロキシプロパン−1−スルホン酸、2−ヒ
ドロキシブタン−1−スルホン酸、2−ヒドロキシペン
タンスルホン酸、アリルスルホン酸、2−スルホ酢酸、
2−又は3−スルホプロピオン酸、スルホこはく酸、ス
ルホマレイン酸、スルホフマル酸、ベンゼンスルホン酸
、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、ニトロベ
ンゼンスルホン酸、スルホ安息香酸、スルホサルチル酸
、ベンズアルデヒドスルホン酸、p−フェノールスルホ
ン酸などを挙げることができる。
メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホ
ン酸、2−プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、2
−ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、クロルプロ
パンスルホン酸、2−ヒドロキシエタン−l−スルホン
酸、2−ヒドロキシプロパン−1−スルホン酸、2−ヒ
ドロキシブタン−1−スルホン酸、2−ヒドロキシペン
タンスルホン酸、アリルスルホン酸、2−スルホ酢酸、
2−又は3−スルホプロピオン酸、スルホこはく酸、ス
ルホマレイン酸、スルホフマル酸、ベンゼンスルホン酸
、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、ニトロベ
ンゼンスルホン酸、スルホ安息香酸、スルホサルチル酸
、ベンズアルデヒドスルホン酸、p−フェノールスルホ
ン酸などを挙げることができる。
上記有機スルホン酸の使用量は、めっき浴IQ当り20
〜300g、特に50−150gとすることが好ましく
、また2価の錫塩は錫イオンとして10〜50g、特に
10〜30gとすることが好ましい、この場合、有機ス
ルホン酸と2価の錫イオンとの割合は1〜10:1、特
に3〜7:1程度とすることが好適である。なお、有機
スルホン酸の2価の錫塩は、過剰の有機スルホン酸を用
い、これに他の2価の錫塩を添加して、めっき浴中で有
機スルホン酸の2価の錫塩を形成することができる。
〜300g、特に50−150gとすることが好ましく
、また2価の錫塩は錫イオンとして10〜50g、特に
10〜30gとすることが好ましい、この場合、有機ス
ルホン酸と2価の錫イオンとの割合は1〜10:1、特
に3〜7:1程度とすることが好適である。なお、有機
スルホン酸の2価の錫塩は、過剰の有機スルホン酸を用
い、これに他の2価の錫塩を添加して、めっき浴中で有
機スルホン酸の2価の錫塩を形成することができる。
また、前者の浴において、チオ尿素の使用量はめっき浴
IQ当り30〜130g、特に50〜110gとするこ
とが好ましい。更に、該浴には水溶性ジルコニウム塩が
添加されるが、水溶性ジルコニウム塩の添加により均一
で微細な粒子の析出皮膜を形成することができる。この
場合、水溶性ジルコニウム塩としては硝酸ジルコニウム
、ジルコニウムアセチルアセトネート等を用いることが
でき、その使用量はジルコニウムイオンとして10 ”
1000 mg / 11、特に50〜200mg/
11!とすることが有効である。
IQ当り30〜130g、特に50〜110gとするこ
とが好ましい。更に、該浴には水溶性ジルコニウム塩が
添加されるが、水溶性ジルコニウム塩の添加により均一
で微細な粒子の析出皮膜を形成することができる。この
場合、水溶性ジルコニウム塩としては硝酸ジルコニウム
、ジルコニウムアセチルアセトネート等を用いることが
でき、その使用量はジルコニウムイオンとして10 ”
1000 mg / 11、特に50〜200mg/
11!とすることが有効である。
なお、このめっき浴は酸性であり、特にpH0,2〜1
.5、より望ましくは0.5〜0.9であることが好ま
しい。また、このめっき浴を用いて無電解錫めっきを行
なう場合、その温度は60〜90℃、特に65〜80℃
が好ましく、このめっき浴を使用することにより、均一
で微密な粒子からなる緻密な皮膜を形成することができ
る。
.5、より望ましくは0.5〜0.9であることが好ま
しい。また、このめっき浴を用いて無電解錫めっきを行
なう場合、その温度は60〜90℃、特に65〜80℃
が好ましく、このめっき浴を使用することにより、均一
で微密な粒子からなる緻密な皮膜を形成することができ
る。
一方、後者の浴において、有機スルホン酸としては上述
したものと同様のものが使用でき、また有機カルボン酸
としては、酒石酸、リンゴ酸、クエン酸、コハク酸、グ
ルコン酸などが使用される。
したものと同様のものが使用でき、また有機カルボン酸
としては、酒石酸、リンゴ酸、クエン酸、コハク酸、グ
ルコン酸などが使用される。
これら酸の使用量は、特に制限されないが、20〜30
0 g / Q、特に50〜150g/氾とすることが
好ましく、また酸と2価の錫イオンとの割合は1〜10
:1、特に3〜7:1とすることが好適である。なお、
2価の錫イオンを供給する錫源としては種々選択し得、
例えば酸化錫、塩化錫、硫酸錫、更に有機スルホン酸錫
、有機カルボン酸錫、ホウフッ化錫などを挙げることが
できる。なお、浴中の2価の錫イオン量は10〜50g
/Q、特に10〜30 g / Qとすることが好まし
い。
0 g / Q、特に50〜150g/氾とすることが
好ましく、また酸と2価の錫イオンとの割合は1〜10
:1、特に3〜7:1とすることが好適である。なお、
2価の錫イオンを供給する錫源としては種々選択し得、
例えば酸化錫、塩化錫、硫酸錫、更に有機スルホン酸錫
、有機カルボン酸錫、ホウフッ化錫などを挙げることが
できる。なお、浴中の2価の錫イオン量は10〜50g
/Q、特に10〜30 g / Qとすることが好まし
い。
更に、この浴にはチオ尿素が添加されるが、その使用量
はめっき浴1氾当り30〜130g、特に50〜110
gとすることが好ましい。また、上記の成分に加え、過
塩素酸又は過塩素酸化合物が添加され、これによりめっ
き浴が安定化されると共に、析出速度がアップするもの
である。この場合、過塩素酸化合物としては、過塩素酸
アンモニウム、過塩素酸ナト′リウム、過塩素酸カリウ
ム、過塩素酸リチウム、過塩素酸テトラエチルアンモニ
ウム、過塩素酸テトラブチルアンモニウム等が用いられ
る。これら過塩素酸、過塩素酸化合物の使用量は1〜3
00g/息、特に10−180g/Qとすることが好ま
しい。
はめっき浴1氾当り30〜130g、特に50〜110
gとすることが好ましい。また、上記の成分に加え、過
塩素酸又は過塩素酸化合物が添加され、これによりめっ
き浴が安定化されると共に、析出速度がアップするもの
である。この場合、過塩素酸化合物としては、過塩素酸
アンモニウム、過塩素酸ナト′リウム、過塩素酸カリウ
ム、過塩素酸リチウム、過塩素酸テトラエチルアンモニ
ウム、過塩素酸テトラブチルアンモニウム等が用いられ
る。これら過塩素酸、過塩素酸化合物の使用量は1〜3
00g/息、特に10−180g/Qとすることが好ま
しい。
なお、このめっき浴は酸性であり、特にpH0,1〜1
.5であることが好ましい。また、このめっき浴を用い
て無電解錫めっきを行なう場合。
.5であることが好ましい。また、このめっき浴を用い
て無電解錫めっきを行なう場合。
その温度は40〜75℃、特に65〜70℃が好ましい
。この酸性無電解錫めっき浴は安定で、不溶性錫化合物
が生成し難く、また析出速度が大きいものである。
。この酸性無電解錫めっき浴は安定で、不溶性錫化合物
が生成し難く、また析出速度が大きいものである。
次に、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明は下記の実施例に制限されるものではない。
明は下記の実施例に制限されるものではない。
〔実施例1〕
常法により前処理したプリント基板に下記組成の電気ニ
ッケルめっき浴を用いてニッケルめっき皮膜を形成した
後、下記組成の無電解銅めっき浴を用いて銅めっき皮膜
を形威し、更にその上に下記組成の無電解錫めっき浴を
用いて錫めっき皮膜を形成した。
ッケルめっき浴を用いてニッケルめっき皮膜を形成した
後、下記組成の無電解銅めっき浴を用いて銅めっき皮膜
を形威し、更にその上に下記組成の無電解錫めっき浴を
用いて錫めっき皮膜を形成した。
電 二・ケルめっき
組成
硫酸ニッケル 280g/Q塩化ニッケル
40 g / Qホウ酸
40 g / Q市販−次光沢剤
工0−/立市販二次光沢剤 1tQ/
12pH4,2 めっき条件 陰極電流密度 2A/dad” 温度 50℃ 時間 8分 膜厚 3μ 朋徊逍4 組成 硫酸銅 5 g / Qロシェ
ル塩 25 g / Q水酸化ナトリ
ウム 5 g/Qホルマリン 1.10−フェナントロリン H めっき条件 温度 50℃ 時間 20分 膜厚 3P 都4眺吐 組成 10−/氾 10■/Q 2 メタンスルホン酸 100g/J2チオ尿素
80 g / n硝酸ジルコニウム
100■/氾pH0,8 めっき条件 温度 70℃ 時間 10分 膜厚 1μ 以上のめっき工程において、銅めっき皮膜上に無電解錫
めっき皮膜が容易に析出した。これに対し、ニッケルめ
っき皮膜上には直接無電解錫めっき皮膜が析出しなかっ
た。
40 g / Qホウ酸
40 g / Q市販−次光沢剤
工0−/立市販二次光沢剤 1tQ/
12pH4,2 めっき条件 陰極電流密度 2A/dad” 温度 50℃ 時間 8分 膜厚 3μ 朋徊逍4 組成 硫酸銅 5 g / Qロシェ
ル塩 25 g / Q水酸化ナトリ
ウム 5 g/Qホルマリン 1.10−フェナントロリン H めっき条件 温度 50℃ 時間 20分 膜厚 3P 都4眺吐 組成 10−/氾 10■/Q 2 メタンスルホン酸 100g/J2チオ尿素
80 g / n硝酸ジルコニウム
100■/氾pH0,8 めっき条件 温度 70℃ 時間 10分 膜厚 1μ 以上のめっき工程において、銅めっき皮膜上に無電解錫
めっき皮膜が容易に析出した。これに対し、ニッケルめ
っき皮膜上には直接無電解錫めっき皮膜が析出しなかっ
た。
なお、得られた無電解錫めっき皮膜の外観は均一な銀白
色を示し、顕微鏡で11察したところ1粒子は微細で均
一であった。
色を示し、顕微鏡で11察したところ1粒子は微細で均
一であった。
〔実施例2〕
常法により前処理したチップコンデンサに下記m戊の無
電解ニッケルめっき浴を用いてニッケルめっき皮膜を形
成した後、下記組成の無電解銅めっき浴を用いて銅めっ
き皮膜を形成し、更にその上に下記組成の無電解錫めっ
き浴を用いて錫めっき皮膜を形成した。
電解ニッケルめっき浴を用いてニッケルめっき皮膜を形
成した後、下記組成の無電解銅めっき浴を用いて銅めっ
き皮膜を形成し、更にその上に下記組成の無電解錫めっ
き浴を用いて錫めっき皮膜を形成した。
4!!電 ニッケルめっき
組成
硫酸ニッケル 30 g / Q次亜リ
ン酸ナトリウム 20 g / nクエン酸ナト
リウム 20 g / Qグリシン
20 g / QPb
1■/QpH4,5 めっき条件 温度 90℃ 時間 10分 膜厚 3゜ 鮎も徨4 組成 硫酸銅 ロシェル塩 水酸化ナトリウム ホルマリン l、10−フェナントロリン H めっき条件 温度 50℃ 時間 20分 膜厚 3p 魁徊眺址 組成 ホウフッ化錫(Sn”+として) ホウフッ酸 5g/Q 25g/Q 5g/Q 10d/Q 10mg/党 2 20 g / D 50 g / Q チオ尿素 80 g / 12過塩
素酸アンモニウム 10 g / QpH0,2 めっき条件 温度 70℃ 時間 10分 膜厚 14 以上のめっき工程において、綱めっき皮膜上に無電解錫
めっき皮膜が容易に析出した。これに対し、ニッケルめ
っき皮膜上には直接無電解錫めっき皮膜が析出しなかっ
た。
ン酸ナトリウム 20 g / nクエン酸ナト
リウム 20 g / Qグリシン
20 g / QPb
1■/QpH4,5 めっき条件 温度 90℃ 時間 10分 膜厚 3゜ 鮎も徨4 組成 硫酸銅 ロシェル塩 水酸化ナトリウム ホルマリン l、10−フェナントロリン H めっき条件 温度 50℃ 時間 20分 膜厚 3p 魁徊眺址 組成 ホウフッ化錫(Sn”+として) ホウフッ酸 5g/Q 25g/Q 5g/Q 10d/Q 10mg/党 2 20 g / D 50 g / Q チオ尿素 80 g / 12過塩
素酸アンモニウム 10 g / QpH0,2 めっき条件 温度 70℃ 時間 10分 膜厚 14 以上のめっき工程において、綱めっき皮膜上に無電解錫
めっき皮膜が容易に析出した。これに対し、ニッケルめ
っき皮膜上には直接無電解錫めっき皮膜が析出しなかっ
た。
なお、得られた無電解錫めっき皮膜の外観は均一な銀白
色を示し、顕微鏡で観察したところ、粒子は微細で均一
であった。
色を示し、顕微鏡で観察したところ、粒子は微細で均一
であった。
Claims (1)
- 1.被めっき物に直接又は下地めっき皮膜を介してニッ
ケル又はニッケル合金めっき皮膜を形成した後、その上
に銅又は銅合金めっき皮膜を形成し、次いで該銅又は銅
合金めっき皮膜上に無電解錫又は錫合金めっきを施すこ
とを特徴とする無電解錫又は錫合金めっき方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1173229A JP2833026B2 (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | 無電解錫めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1173229A JP2833026B2 (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | 無電解錫めっき方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0339488A true JPH0339488A (ja) | 1991-02-20 |
JP2833026B2 JP2833026B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=15956541
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1173229A Expired - Fee Related JP2833026B2 (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | 無電解錫めっき方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2833026B2 (ja) |
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- 1989-07-05 JP JP1173229A patent/JP2833026B2/ja not_active Expired - Fee Related
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