JPH0339021B2 - - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 96
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 30
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 29
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 15
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 12
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 4
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011133 lead Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 9
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- WDQNIWFZKXZFAY-UHFFFAOYSA-M fentin acetate Chemical compound CC([O-])=O.C1=CC=CC=C1[Sn+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WDQNIWFZKXZFAY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910003455 mixed metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、多層光学フイルタが、少なくとも１
つの銀層および外方へこれに続いて配置された酸
化すずから成る反射防止層を有し、その際反射防
止層は、所定の反射防止層酸素分圧（Ｅ分圧）お
よび所定の反射防止層散布速度（Ｅ散布速度）で
マグネトロン陰極スパツタリングにより形成され
る、多層光学フイルタを有する透明な基体にコー
テイングを行う方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention provides that a multilayer optical filter has at least one
a silver layer and an antireflection layer of tin oxide disposed outwardly, the antireflection layer having a predetermined antireflection layer oxygen partial pressure (E partial pressure) and a predetermined antireflection The present invention relates to a method for coating a transparent substrate with a multilayer optical filter formed by magnetron cathode sputtering at a layer spread rate (E spread rate).
銀層は、種々の方法で取付けることができ、例
えば実際にはマグネトロン陰極スパツタリングに
よつて行われる。反対防止層は、例えばリアクテ
イブマグネトロン陰極スパツタリングによつて取
付けられる。この方法は、必要ではないがほとん
どの場合、通過ゲート装置を用いて行われる。基
体は、ガラス板またはプラスチツク板であつても
よい。薄い銀層は、赤外線ビームに関する大きな
反射率に関連して大きな光透過量の点で優れてお
り、かつそれにより例えば窓の熱線阻止を改善す
るため種々の用途を有する。銀層のこれら選択特
性は、基体から離れた方の銀層の面に、1.7以上
の屈折率を有する誘電体材料から成る可視領域に
合わせた反射防止層を配置すると、さらに改善で
きる。このようなフイルタの別の実施形態によれ
ば、透明基体と銀層の間に別の誘電体層が設けら
れており、この層は、付着媒体として使われ、か
つ1/4波長の層として形成した際、付加的になお
反射防止効果も生じる。それ故に初めに述べたよ
うな処置の枠内において、基体と銀層の間に１つ
または複数の別の金属酸化物層が取付けられるよ
うになつている。反射防止層は、１つまたは複数
の付加的なマスキングミラー層を有することもで
きる。さらに初めに述べた処置の枠内において、
付着強度を改善するため、透明基体と銀層の間お
よび金属酸化物層と銀層の間に、例えばクロム、
ニツケル、チタン、クロム・ニツケル合金から成
る金属層または合金層を配置するようになつてい
る。そのためわずかな原子層の厚さしかない公知
の極めて薄い層で十分である（ドイツ連邦共和国
特許出願公開第2144242号明細書参照）。マグネト
ロンスパツタリング（米国特許第4013532号明細
書）においては、高いコーテイング速度の点で優
れている真空法が使われる。この方法によれば、
銀層と比較して比較的厚い反射防止層の製造が特
に経済的に可能である。その際反射防止層の製造
のため、特に酸化すずを問題とする場合、リアク
テイブマグネトロンスパツタリング法が適用され
る。酸素を含むガス雰囲気中で金属または合金タ
ーゲツトがスパツタリングされ、その際反応過程
により基体上に金属酸化物または混合金属酸化物
の層が生じ、この層は、誘電体反射防止層として
働く。次に用語を簡単にするため、ここで定義す
る略語について説明する。すなわちＥ分圧とは、
反射防止層酸素分圧を表わし、Ｅ散布速度とは反
射防止層散布速度を表わす。 The silver layer can be applied in various ways, for example in practice by magnetron cathode sputtering. The anti-opposition layer is applied, for example, by reactive magnetron cathode sputtering. This method is most often, but not necessarily, performed using a pass gate device. The substrate may be a glass plate or a plastic plate. Thin silver layers are distinguished by a large amount of light transmission in conjunction with a large reflectance for infrared radiation and thus have various uses, for example for improving the thermal protection of windows. These selective properties of the silver layer can be further improved by arranging, on the side of the silver layer remote from the substrate, a visible-range antireflection layer made of a dielectric material with a refractive index of 1.7 or more. According to another embodiment of such a filter, a further dielectric layer is provided between the transparent substrate and the silver layer, which layer is used as an adhesion medium and is applied as a quarter-wave layer. When formed, an additional antireflection effect also occurs. Therefore, within the framework of the procedure mentioned at the beginning, one or more further metal oxide layers are applied between the substrate and the silver layer. The antireflection layer can also have one or more additional masking mirror layers. Furthermore, within the framework of the measures mentioned at the beginning,
To improve the adhesion strength, e.g. chromium,
A metal or alloy layer made of nickel, titanium, or chromium-nickel alloy is arranged. For this purpose, the known extremely thin layers having a thickness of only a few atomic layers are sufficient (see DE 21 44 242). In magnetron sputtering (US Pat. No. 4,013,532), a vacuum method is used, which is advantageous in terms of high coating speed. According to this method,
It is particularly economically possible to produce relatively thick antireflection layers compared to silver layers. In order to manufacture the antireflection layer, a reactive magnetron sputtering method is applied, especially when tin oxide is a problem. A metal or alloy target is sputtered in an oxygen-containing gas atmosphere, the reaction process producing a layer of metal oxide or mixed metal oxide on the substrate, which layer acts as a dielectric antireflection layer. Next, to simplify terminology, abbreviations defined here will be explained. In other words, the E partial pressure is
It represents the oxygen partial pressure of the antireflection layer, and the E dispersion rate represents the antireflection layer dispersion rate.
初めに述べたような経験的に周知の方法を実施
する際、酸素を含んぞ反応性プラズマ中において
銀層に反射防止層を取付けることにより銀層の赤
外線反射特性が悪化することがわかつた。すなわ
ち酸化すず層を取付ける前に90％の赤外線反射率
であつた銀層の赤外線反射率は、10％ないし40％
の値に低下する。赤外線反射率の損失は、あらか
じめいくらか厚く銀層を取付けておくことによつ
て少なくとも部分的に補償できるが、この処置に
よれば可視スペクトル範囲における透過率に損失
が生じ、それにより同様にこのようなフイルタの
効率が悪化する。反射防止層に関するコーテイン
グ処理による銀層のこの変化の原因はわかつてい
ない。 When carrying out the empirically known method described at the outset, it has been found that applying an antireflection layer to a silver layer in an oxygen-containing reactive plasma deteriorates the infrared reflective properties of the silver layer. In other words, the infrared reflectance of the silver layer, which had an infrared reflectance of 90% before attaching the tin oxide layer, is 10% to 40%.
decreases to the value of The loss in infrared reflectance can be at least partially compensated for by pre-applying a somewhat thicker silver layer, but this procedure also results in a loss in transmittance in the visible spectral range, which similarly filter efficiency deteriorates. The cause of this change in the silver layer due to the coating process with respect to the antireflection layer is not known.
本発明の課題は、銀層の赤外線反射特性の悪化
がもはや生じることのないように、しかもリアク
テイブマグネトロン陰極スパツタリングにより反
射防止層の取付けを行つた場合にさえ生じること
のないように、初めに述べた方法を改善すること
にある。 The object of the present invention is to first of all ensure that a deterioration of the infrared reflection properties of the silver layer no longer occurs, even when applying the antireflection layer by reactive magnetron cathode sputtering. The aim is to improve the method described.
この課題を解決するため、本発明は次のことを
示している。すなわち銀層上にマグネトロン陰極
スパツタリングにより、まず反射防止層よりも薄
い金属酸化物の保護層を取付け、しかもＥ分圧よ
りも低い保護層酸素分圧（Ｓ分圧）およびＥ散布
速度よりも低い保護層散布速度（Ｓ散布速度）で
取付け、またその後保護層上に反射防止層を取付
ける。本発明の有利な実施形によれば、金属酸化
物保護層はリアクテイブマグネトロン陰極スパツ
タリングにより取付けられる。その際金属酸化物
保護層は、すず、インジウム、すずをドーピング
したインジウム、鉛、亜鉛、チタン、タンタルの
うち１つの物質から成るターゲツトによつて形成
でき、かつ酸化すず、酸化インジウム、酸化すず
をドーピングした酸化インジウム、酸化鉛、酸化
亜鉛、酸化チタンおよび酸化タンタルから成る。
本発明の別の提案は次のような特徴を有する。す
なわち金属酸化物層は、例えば酸化すず、酸化イ
ンジウム、酸化すずをドーピングした酸化インジ
ウム、酸化鉛、酸化亜鉛、酸化チタンまたは酸化
タンタルのうち１つの物質から成る金属酸化物タ
ーゲツトを用いたマグネトロン陰極スパツタリン
グによつて形成される。 In order to solve this problem, the present invention shows the following. That is, a protective layer of a metal oxide thinner than the antireflection layer is first attached on the silver layer by magnetron cathode sputtering, and the protective layer oxygen partial pressure (S partial pressure) is lower than the E partial pressure and lower than the E dispersion rate. Attach the protective layer at the spraying speed (S spraying speed), and then attach the antireflection layer on top of the protective layer. According to an advantageous embodiment of the invention, the metal oxide protective layer is applied by reactive magnetron cathode sputtering. In this case, the metal oxide protective layer can be formed by a target consisting of one of the following substances: tin, indium, tin-doped indium, lead, zinc, titanium, tantalum, and tin oxide, indium oxide, tin oxide. Consists of doped indium oxide, lead oxide, zinc oxide, titanium oxide and tantalum oxide.
Another proposal of the invention has the following features. That is, the metal oxide layer can be formed by magnetron cathode sputtering using a metal oxide target consisting of one of the following materials: tin oxide, indium oxide, indium oxide doped with tin oxide, lead oxide, zinc oxide, titanium oxide or tantalum oxide. formed by.
本発明の枠内において反射防止層については、
前記構造の光学フイルタを有する基体のコーテイ
ングの際に通常の層厚で作業を行う。保護層の厚
さおよびＳ分圧およびＳ散布速度は、広い範囲に
可変である。標準値は次のような特徴を有する。
すなわち保護層は、Ｅ分圧またはＥ散布速度の
高々0.5倍のＳ分圧およびＳ散布速度で取付けら
れる。細部において本発明は次のことを示してい
る。すなわち50Åないし300Åの層厚の銀層上に、
20Åないし100Åの厚さの保護層を取付け、かつ
この保護層上に、250Åないし600Åの厚さに酸化
すずから成る反射防止層を取付ける。これに関連
して本発明の有利な実施形は次のような特徴を有
する。すなわち保護層は、３×10-4ｍbarまたは
それ以下のＳ分圧および８Å／secまたはそれ以
下のＳ散布速度で取付けられ、また反射防止層
は、７×10-4ｍbarまたはそれ以上のＥ分圧およ
び20Å／secまたはそれ以上の、例えば35Å／sec
ないし40Å／secのＥ散布速度で取付けられる。 Regarding the antireflection layer within the framework of the present invention,
The usual layer thicknesses are used when coating substrates with optical filters of the above structure. The thickness of the protective layer and the S partial pressure and S application rate can be varied within a wide range. The standard value has the following characteristics.
That is, the protective layer is applied at an S partial pressure and S application rate that is at most 0.5 times the E partial pressure or E application rate. In detail the invention shows that: That is, on a silver layer with a layer thickness of 50 Å to 300 Å,
A protective layer with a thickness of 20 Å to 100 Å is applied, and an antireflection layer of tin oxide with a thickness of 250 Å to 600 Å is applied on top of this protective layer. In this connection, advantageous embodiments of the invention have the following features. That is, the protective layer is applied with an S partial pressure of 3 x 10 -4 mbar or less and a S application rate of 8 Å/sec or less, and the antireflection layer is applied with an E of 7 x 10 -4 mbar or more. partial pressure and 20 Å/sec or more, e.g. 35 Å/sec
It can be installed with an E spray rate of 40 Å/sec.
本発明は次のような知識を前提としている。す
なわち公知の処理の枠内において反射防止層を取
付ける際、例えばリアクテイブマグネトロン陰極
スパツタリングの際の反応プラズマによつて原子
粒子が銀層の最上層にとじ込められ、これら粒子
が、初めに述べた妨害層変化を引き起こす。本発
明の教示によれば、おどろくべきことに銀層の損
傷は完全に防止できる。保護層は、反射防止層の
取付けによる銀層の損傷を防止する。おどろくべ
きことにこのことは、保護層の取付けの際および
反射防止層の取付けの際にリアクテイブマグネト
ロン陰極スパツタリングを行つた場合にさえ有効
である。保護層の保護作用のためにはすでに20Å
の層厚で十分であることがわかつた。通過ゲート
装置に本発明による方法を適用した際保護層を取
付けるための陰極を銀陰極と反射防止層用の陰極
との間に配置すると有利であり、その際コーテイ
ングすべき基体は、順にこれらスパツタリング位
置を通過する。本発明は、通過法による動作に限
定されるものではない。すなわち保護層と反射防
止層は同一陰極により順に取付けてもよく、その
際コーテイングパラメータは、保護層を取付けた
後に反射防止層取付けのための要件に合わせて設
定変更しなければならない。保護層を製造する際
一般にスパツタリングに適当な金属または合金の
ターゲツトを使用する。しかし酸化物ターゲツト
を使用してもよい。これら酸化物ターゲツトで
は、金属ターゲツトにおけるものより低い散布速
度はあるが、保護層に必要な数Å／secの速度は
容易に得られる。酸化物ターゲツトを使用すれ
ば、可視光に対して妨害となる残留吸収のない酸
化物層を形成するため必要なコーテイング室内の
酸素圧力は、金属ターゲツトを使用した場合より
も低いという利点が得られる。それにより銀層の
損傷を防ぐため、許容最大酸素圧力に対する安全
度が高まる。 The present invention is based on the following knowledge. That is, when applying the antireflection layer within the framework of known processes, atomic particles are trapped in the top layer of the silver layer by the reactive plasma, for example during reactive magnetron cathode sputtering, and these particles are Causes disturbance layer changes. According to the teachings of the present invention, damage to the silver layer can surprisingly be completely prevented. The protective layer prevents damage to the silver layer due to the application of the antireflection layer. Surprisingly, this is true even when reactive magnetron cathode sputtering is used during the application of the protective layer and during the application of the antireflection layer. Already 20 Å for the protective effect of the protective layer
It was found that a layer thickness of . When applying the method according to the invention to pass gate devices, it is advantageous to arrange the cathode for applying the protective layer between the silver cathode and the cathode for the antireflection layer, the substrate to be coated being in turn coated with these sputtering layers. Pass the position. The invention is not limited to operation by the pass method. That is, the protective layer and the anti-reflection layer may be applied one after the other with the same cathode, the coating parameters then having to be adjusted to the requirements for applying the anti-reflection layer after the protective layer has been applied. In producing the protective layer, a suitable metal or alloy target is generally used for sputtering. However, oxide targets may also be used. Although these oxide targets have lower dispersion rates than those for metal targets, the rates of several Å/sec required for the protective layer are easily obtained. The advantage of using an oxide target is that the oxygen pressure required in the coating chamber is lower than with a metal target to form an oxide layer with no residual absorption that interferes with visible light. . This increases the degree of safety with respect to the maximum permissible oxygen pressure in order to prevent damage to the silver layer.
次に本発明の実施例について説明する。 Next, examples of the present invention will be described.
比較例
マグネトロン陰極スパツタリング用の陰極を備
えた真空コーテイング装置内に、４mmの厚さ、
200cm×100cmの寸法のフロートガラス板を挿入し
た。基体表面は、４×10-2ｍbarの圧力でグロー
清掃した。続いてコーテイングを行うため必要な
値に圧力を下げた。コーテイングは、フロートガ
ラス板が一定速度で125cm×23cmの寸法を有する
線陰極のところを通過するようにして行つた。コ
ーテイングのため３つの陰極を使用し、これら陰
極は、銀、すず、および90％のInと10％のSnの
組成のインジウムすず合金から成るターゲツトを
有する。Comparative Example: In a vacuum coating device equipped with a cathode for magnetron cathode sputtering, a 4 mm thick,
A float glass plate with dimensions of 200 cm x 100 cm was inserted. The substrate surface was glow cleaned at a pressure of 4 x 10 -2 mbar. The pressure was then reduced to the required value for coating. The coating was carried out in such a way that the float glass plate was passed at a constant speed over a wire cathode having dimensions of 125 cm x 23 cm. Three cathodes are used for the coating, which have targets consisting of silver, tin, and an indium-tin alloy with a composition of 90% In and 10% Sn.
次のような層を順に取付けた。 The following layers were installed in sequence:
・すずのリアクテイブスパツタリングによる330
Åの酸化すず層
・90％のInと10％すずの合金のリアクテイブスパ
ツタリングによる40Åの厚さの酸化すずドーピ
ング酸化インジウム層
（これら２つの層は、いつしよになつてガラス
担体と銀層の間に配置された第１の反射防止層を
形成し、この反射防止層は付着層としても働く。）
・アルゴンの雰囲気中の銀のスパツタリングによ
る80Åの厚さの銀層
続いて銀層上にすずターゲツトのリアクテイブ
スパツタリングにより400Åの厚さの酸化すず層
を取付けた。散布速度は35Å／secである。スパ
ツタリングは、Ar／N2／O2の雰囲気で行い、そ
の際Ｅ分圧は、1.4×10-3ｍbarであつた。・330 by Suzu's reactive sputtering
A 40 Å thick tin oxide layer and a 40 Å thick tin oxide doped indium oxide layer by reactive sputtering of an alloy of 90% In and 10% Tin. 80 Å thick silver layer by sputtering silver in an argon atmosphere followed by a silver layer. A 400 Å thick layer of tin oxide was applied on top by reactive sputtering of a tin target. The spraying rate is 35 Å/sec. Sputtering was carried out in an Ar/N 2 /O 2 atmosphere, with an E partial pressure of 1.4×10 -3 mbar.
引続きコーテイングの空気側からビームを入射
してコーテイングした板の赤外線反射率を測定
し、8μｍの波長で12％の反射率が得られた。
5500Åにおける板の透過率は51％であつた。 Subsequently, the infrared reflectance of the coated plate was measured by entering the beam from the air side of the coating, and a reflectance of 12% was obtained at a wavelength of 8 μm.
The transmittance of the plate at 5500 Å was 51%.
実施例 １
比較例と同様にまずフロートガラス板上に、
330Åの酸化すず層、40Åの酸化すずドーピング
酸化インジウム層、および80Åの銀層を取付け
た。続いてすずターゲツトのリアクテイブスパツ
タリングにより、30Åの厚さのSnO2層を取付け
た。スパツタリングは、１×10-4ｍbarのＳ分圧
におけるAr／N2／O2の雰囲気で、３Å／secの
Ｓ散布速度で行つた。Example 1 As in the comparative example, first, on a float glass plate,
A 330 Å tin oxide layer, a 40 Å tin oxide doped indium oxide layer, and an 80 Å silver layer were installed. A 30 Å thick SnO2 layer was then applied by reactive sputtering with a tin target. Sputtering was carried out in an atmosphere of Ar/N 2 /O 2 at a S partial pressure of 1×10 −4 mbar with an S sparge rate of 3 Å/sec.
これに続いて1.4×10-3ｍbarのＥ分圧における
Ar／N2／O2の雰囲気で、35Å／secの散布速度
で別の酸化すず層によるコーテイングを行つた。 Following this, at an E partial pressure of 1.4×10 -3 mbar
Coating with another tin oxide layer was carried out in an Ar/N 2 /O 2 atmosphere at a sparging rate of 35 Å/sec.
コーテイングの空気側からコーテイングした板
の赤外線反射率を測定し、λ＝8μｍにおいて92
％の反射率が得られた。5500Åにおける透過率は
84％であつた。 The infrared reflectance of the coated plate was measured from the air side of the coating, and 92
% reflectance was obtained. The transmittance at 5500Å is
It was 84%.
実施例 ２
比較例と同様にまず330Åの酸化すず層、40Å
の酸化すずドーピング酸化インジウム層、および
80Åの厚さの銀層を取付けた。続いて90％のInと
10％のSnの合金のリアクテイブスパツタリング
により、30Åの酸化すずドーピング酸化インジウ
ム層を取付けた。Ｓ散布速度は２Å／sec、かつ
Ar／N2／O2の雰囲気のＳ分圧は８×10-5ｍbar
であつた。Example 2 As in the comparative example, first a 330 Å tin oxide layer, then a 40 Å
tin oxide doped indium oxide layer, and
A silver layer with a thickness of 80 Å was installed. followed by 90% In and
A 30 Å tin oxide doped indium oxide layer was applied by reactive sputtering of a 10% Sn alloy. The S dispersion rate is 2 Å/sec, and
The S partial pressure in the Ar/N 2 /O 2 atmosphere is 8×10 -5 mbar.
It was hot.
これに続いて1.5×10-3ｍbarのＥ分圧における
Ar／N2／O2の雰囲気で、35Å／secのＥ散布速
度で360Åの厚さの酸化すず層によるコーテイン
グを行つた。 Following this, at an E partial pressure of 1.5×10 -3 mbar
Coating with a 360 Å thick tin oxide layer was carried out in an Ar/N 2 /O 2 atmosphere with an E sparge rate of 35 Å/sec.
コーテイングした板のλ＝8μｍにおける赤外
線反射率は92％、かつ5500Åにおける透過率は
84.5％であつた。 The infrared reflectance of the coated plate at λ = 8 μm is 92%, and the transmittance at 5500 Å is
It was 84.5%.
図には、コーテイングした板のスペクトル透過
率曲線と反射率曲線が示されており、これらはコ
ーテイングの空気側から測定したものである。ス
ペクトル曲線によれば、コーテイングした板が非
常に良好なフイルタ特性を有することがわかる。
人間の目の明るさ感度に関連して83％の光透過率
を有する可視領域において透過率の高い範囲に近
赤外における反射率の高い範囲が続いており、そ
の際遠赤外において92％の反射率に達する。 The figure shows the spectral transmittance and reflectance curves of the coated plate, measured from the air side of the coating. The spectral curves show that the coated plate has very good filter properties.
A high transmittance range in the visible region with a light transmittance of 83%, related to the brightness sensitivity of the human eye, is followed by a high reflectance range in the near infrared, with a light transmittance of 92% in the far infrared. reaches a reflectance of
図は、本発明によりコーテイングしたガラス板
の透過率と反射率を示す図である。
The figure shows the transmittance and reflectance of a glass plate coated according to the invention.
Claims (1)
および外方へこれに続いて配置された酸化すずか
ら成る反射防止層を有し、その際反射防止層は、
所定の反射防止層酸素分圧（Ｅ分圧）および所定
の反射防止層散布速度（Ｅ散布速度）でマグネト
ロン陰極スパツタリングにより形成される、多層
光学フイルタを有する透明な基体にコーテイング
を行う方法において、 銀層上にマグネトロン陰極スパツタリングによ
り、まず反射防止層よりも薄い金属酸化物の保護
層を取付け、しかもＥ分圧よりも低い保護層酸素
分圧（Ｓ分圧）およびＥ散布速度よりも低い保護
層散布速度（Ｓ散布速度）で取付け、またその後
保護層上に反射防止層を取付けることを特徴とす
る、透明な基体にコーテイングを行う方法。 ２ 金属酸化物保護層をリアクテイブマグネトロ
ン陰極スパツタリングによつて取付ける、特許請
求の範囲第１項記載の方法。 ３ すず、インジウム、すずをドーピングしたイ
ンジウム、鉛、亜鉛、チタン、タンタルのうち１
つの物質から成るターゲツトにより金属酸化物保
護層を形成する、特許請求の範囲第２項記載の方
法。 ４ 酸化すず、酸化インジウム、酸化すずをドー
ピングした酸化インジウム、酸化鉛、酸化亜鉛、
酸化チタンまたは酸化タンタルのうち１つの物質
から成る金属酸化物ターゲツトにより金属酸化物
保護層を形成する、特許請求の範囲第１項記載の
方法。 ５ 保護層をＳ分圧およびＳ散布速度で取付け、
これらＳ分圧とＳ散布速度が、Ｅ分圧またはＥ散
布速度の高々ほぼ0.5倍である、特許請求の範囲
第１項〜第４項の１つに記載の方法。 ６ 50Åないし300Åの層厚を有する銀層上に、
20Åないし100Åの厚さに保護層を取付け、この
保護層上に、250Åないし600Åの厚さに反射防止
層を取付ける、特許請求の範囲第１項〜第５項の
１つに記載の方法。 ７ 保護層を、３×10-4ｍbarまたはそれ以下の
Ｓ分圧および８Å／secまたはそれ以下のＳ散布
速度で取付け、かつ反射防止層を７×10-4ｍbar
またはそれ以上のＥ分圧および20Å／secまたは
それ以上、例えば35Å／secないし40Å／secのＥ
散布速度で取付ける、特許請求の範囲第６項記載
の方法。Claims: 1. A multilayer optical filter having an antireflection layer consisting of at least one silver layer and subsequently disposed outwardly of tin oxide, the antireflection layer comprising:
A method for coating a transparent substrate with a multilayer optical filter formed by magnetron cathode sputtering at a predetermined antireflection layer oxygen partial pressure (E partial pressure) and a predetermined antireflection layer application rate (E application rate), A protective layer of a metal oxide thinner than the antireflection layer is first applied by magnetron cathode sputtering on the silver layer, and the protective layer oxygen partial pressure (S partial pressure) is lower than the E partial pressure and the protection layer is lower than the E spraying rate. A method of coating a transparent substrate, characterized in that it is applied at a layer spread rate (S spread rate) and that an antireflection layer is subsequently applied on top of the protective layer. 2. The method of claim 1, wherein the metal oxide protective layer is applied by reactive magnetron cathode sputtering. 3 One of tin, indium, tin-doped indium, lead, zinc, titanium, and tantalum
3. The method of claim 2, wherein the metal oxide protective layer is formed by a target consisting of two materials. 4 Tin oxide, indium oxide, indium oxide doped with tin oxide, lead oxide, zinc oxide,
2. The method of claim 1, wherein the metal oxide protective layer is formed by a metal oxide target consisting of one of titanium oxide or tantalum oxide. 5 Attach the protective layer at S partial pressure and S spray rate,
5. A method according to claim 1, wherein the S partial pressure and the S sparging rate are at most approximately 0.5 times the E partial pressure or the E sparging rate. 6. On a silver layer with a layer thickness of 50 Å to 300 Å,
6. A method according to claim 1, wherein a protective layer is applied to a thickness of 20 Å to 100 Å, and an antireflection layer is applied to a thickness of 250 Å to 600 Å on top of this protective layer. 7. The protective layer is applied with an S partial pressure of 3 x 10 -4 mbar or less and an S application rate of 8 Å/sec or less, and the antireflection layer is applied at a S partial pressure of 3 x 10 -4 mbar or less and an antireflection layer of 7 x 10 -4 mbar.
or more E partial pressure and E of 20 Å/sec or more, such as 35 Å/sec to 40 Å/sec.
7. The method of claim 6, wherein the method is installed at a spreading rate.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3310916 | 1983-03-25 | ||
| DE3310916.8 | 1983-03-25 | ||
| DE3316548.3 | 1983-05-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59184745A JPS59184745A (en) | 1984-10-20 |
| JPH0339021B2 true JPH0339021B2 (en) | 1991-06-12 |
Family
ID=6194652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59054600A Granted JPS59184745A (en) | 1983-03-25 | 1984-03-23 | Method of coating transparent substrate |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59184745A (en) |
| ZA (1) | ZA842139B (en) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU561315B2 (en) * | 1984-10-29 | 1987-05-07 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Sputtering films of metal alloy oxide |
| US4716086A (en) * | 1984-12-19 | 1987-12-29 | Ppg Industries, Inc. | Protective overcoat for low emissivity coated article |
| JPS6237052U (en) * | 1985-08-23 | 1987-03-05 | ||
| JPH07111482B2 (en) * | 1986-11-21 | 1995-11-29 | 日本板硝子株式会社 | Multi-layer antireflection film |
| JPH03287757A (en) * | 1990-04-02 | 1991-12-18 | Toyoda Gosei Co Ltd | Production of colored product and colored product |
| EP1482332B1 (en) | 1998-05-15 | 2010-11-03 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | Infrared absorption filter |
| KR100444332B1 (en) | 1999-12-20 | 2004-08-16 | 도요 보세키 가부시키가이샤 | Infrared absorption filter |
-
1984
- 1984-03-22 ZA ZA842139A patent/ZA842139B/en unknown
- 1984-03-23 JP JP59054600A patent/JPS59184745A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59184745A (en) | 1984-10-20 |
| ZA842139B (en) | 1984-10-31 |
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