JPH0334316A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
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- JPH0334316A JPH0334316A JP16950689A JP16950689A JPH0334316A JP H0334316 A JPH0334316 A JP H0334316A JP 16950689 A JP16950689 A JP 16950689A JP 16950689 A JP16950689 A JP 16950689A JP H0334316 A JPH0334316 A JP H0334316A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造に用いられるドライエツチン
グ装置に関し、特にＥＢレジストのスカムを取り除くデ
スカムプロセスの選択機構に関する。
グ装置に関し、特にＥＢレジストのスカムを取り除くデ
スカムプロセスの選択機構に関する。
従来、電子ビーム露光装置を用いたマスク基板上のレジ
ストパターン形戊においては、高感度でプロセス安定性
が良い等の理由から被照射部分が後の現像工程で残るい
わゆるネガ型電子ビームレジストが多く用いられている
。
ストパターン形戊においては、高感度でプロセス安定性
が良い等の理由から被照射部分が後の現像工程で残るい
わゆるネガ型電子ビームレジストが多く用いられている
。
ところがこのレジストは一般に電子ビーム照射後も真空
中で重合が進行する、いわゆる後重合効果や、露光時基
板からの電子ビームの後方散乱や有機溶剤を用いた現像
時に生じるレジストの膨潤等の影響を受けて、レジスト
パターンにスカムと呼ばれるひげ状の形状が発生しレジ
ストパターンプロファイルの劣化が生じる。そのため、
このスカムを除去する為にデスカムと呼ばれるプラズマ
処理が必要となる。このデスカム方法ではプラズマ発生
装置としてバレル型あるいは平行平板型が用いられて処
理が行なわれていた。
中で重合が進行する、いわゆる後重合効果や、露光時基
板からの電子ビームの後方散乱や有機溶剤を用いた現像
時に生じるレジストの膨潤等の影響を受けて、レジスト
パターンにスカムと呼ばれるひげ状の形状が発生しレジ
ストパターンプロファイルの劣化が生じる。そのため、
このスカムを除去する為にデスカムと呼ばれるプラズマ
処理が必要となる。このデスカム方法ではプラズマ発生
装置としてバレル型あるいは平行平板型が用いられて処
理が行なわれていた。
デスカムプロセスは使用するレジストに対して個有のも
のであり、いくつものレジストを使用する場合、使用さ
れるドライエツチング装置は、レジストの種類だけデス
カムプロセスを有している。
のであり、いくつものレジストを使用する場合、使用さ
れるドライエツチング装置は、レジストの種類だけデス
カムプロセスを有している。
作業者は、使用されているレジストに基づいてこのデス
カムプロセスを選択している。しかし、作業者がデスカ
ムプロセスの選択を誤まれば、すべて不良品となる欠点
を有していた。
カムプロセスを選択している。しかし、作業者がデスカ
ムプロセスの選択を誤まれば、すべて不良品となる欠点
を有していた。
本発明のドライエツチング装置は、マスク裁板上に形成
されたレジストパターン面に光を投影する為の光源と、
前記レジストパターン面からの反射光を分光する分光器
と、前記分光器により分光された光信号を分析しレジス
トの種類を決定する演算部と、前記演算部からの信号に
よりディスカム条件を選択するシーケンサとを含んで構
成される。
されたレジストパターン面に光を投影する為の光源と、
前記レジストパターン面からの反射光を分光する分光器
と、前記分光器により分光された光信号を分析しレジス
トの種類を決定する演算部と、前記演算部からの信号に
よりディスカム条件を選択するシーケンサとを含んで構
成される。
第１図は本発明の第１の実施例のブロック図である。
平行に向き合った一対の電極１．２を備えた高周波二極
プラズマドライエツチング装置のチャンバー３内に、所
定の方法により電子ビーム露光。
プラズマドライエツチング装置のチャンバー３内に、所
定の方法により電子ビーム露光。
現像、ボストベークが完了したマスク４をカ−ド電極２
側に置く。そしてデスカムスタートボタンを押すことに
より、光源５からマスク４上のレジスト面に光６が投影
され、その反射光７は分光器８によって分光特性が調べ
られる。その分光特性は、演算部９に送られる。一方記
憶部１０にはあらかじめレジストの分光特性が記憶され
ており、演算部９においてこの記憶されているレジスト
の分光特性と分光器８から送られた分光特性とが比較演
算され、レジストが何であるかが決定される。
側に置く。そしてデスカムスタートボタンを押すことに
より、光源５からマスク４上のレジスト面に光６が投影
され、その反射光７は分光器８によって分光特性が調べ
られる。その分光特性は、演算部９に送られる。一方記
憶部１０にはあらかじめレジストの分光特性が記憶され
ており、演算部９においてこの記憶されているレジスト
の分光特性と分光器８から送られた分光特性とが比較演
算され、レジストが何であるかが決定される。
そして決定されたレジストの種類の信号がシーケンサ１
１に送られ、このレジストに合ったデスカムプロセスが
選択される。
１に送られ、このレジストに合ったデスカムプロセスが
選択される。
例えば、パワーを６００Ｗと一定とし、シーケンサ１１
からタイマー１５を経由し、プラズマ発生時間を変化さ
せて各種レジストに適合したデスカム処理を行なうこと
ができる。
からタイマー１５を経由し、プラズマ発生時間を変化さ
せて各種レジストに適合したデスカム処理を行なうこと
ができる。
すなわち、チャンバー３内を真空排気装置１３を用いて
排気し、次いでガス導入口１４からガスを導入し、所望
の真空度になる様調節する。次に電極１，２間に高周波
電源１２により、電界をかけ、プラズマを発生させてデ
スカム処理を行なう。
排気し、次いでガス導入口１４からガスを導入し、所望
の真空度になる様調節する。次に電極１，２間に高周波
電源１２により、電界をかけ、プラズマを発生させてデ
スカム処理を行なう。
第２図は、本発明の第２の実施例のブロック図である。
平行に向き合った、一対の電極１，２を備えた高周波二
極プラズマドライエツチング装置のチャンバー３内、に
所定の方法により電子ビーム露光、現像、ポストベーク
が完了したマスク４をカード電極２側に置く。モしてデ
スカムスタートボタンを押す。光源５ａ、５ｂからマス
ク上のレジスト面に光６ａ、６ｂが投影され、その反射
光７ａ、７ｂは分光器８ａ、８ｂによってその分光特性
が調べられる。
極プラズマドライエツチング装置のチャンバー３内、に
所定の方法により電子ビーム露光、現像、ポストベーク
が完了したマスク４をカード電極２側に置く。モしてデ
スカムスタートボタンを押す。光源５ａ、５ｂからマス
ク上のレジスト面に光６ａ、６ｂが投影され、その反射
光７ａ、７ｂは分光器８ａ、８ｂによってその分光特性
が調べられる。
この第２の実施例では、光源及び分光器をそれぞれ二組
備えている。これはマスクが現像を完了している為、パ
ターンの暗部率によりレジストパターンに粗の部分と密
の部分が存在する。粗の部分に光を投影し、その反射光
を分光器により、分光特性を調べる場合、良好な反射光
が得られなかったり、分光特性が得にくかったりする。
備えている。これはマスクが現像を完了している為、パ
ターンの暗部率によりレジストパターンに粗の部分と密
の部分が存在する。粗の部分に光を投影し、その反射光
を分光器により、分光特性を調べる場合、良好な反射光
が得られなかったり、分光特性が得にくかったりする。
この時、もう一方の光源から別の位置のレジスト面に光
を投影し、その反射光の分光特性を分光器により調べる
ことが出来るという利点がある。
を投影し、その反射光の分光特性を分光器により調べる
ことが出来るという利点がある。
その分光特性は第１の実施例の場合と同様に演算部９に
送られ、記憶部１０にあらかじめ記憶されているレジス
トの分光特性と比較演算され、用いられているレジスト
が何であるかが決定される。
送られ、記憶部１０にあらかじめ記憶されているレジス
トの分光特性と比較演算され、用いられているレジスト
が何であるかが決定される。
そしてその信号がシーケンサ１１に送られ、そのレジス
トに合ったデスカムプロセスが選択されてデスカム処理
が行われる。
トに合ったデスカムプロセスが選択されてデスカム処理
が行われる。
以上説明したように本発明によれば、作業者はデスカム
処理を行なうドライエツチング装置にマスク基板をセッ
トするだけでよく、セットされたドライエツチング装置
は、自動的にデスカムプロセスを選択することが出きる
ため、従来技術の欠点である作業者によるデスカムプロ
セスの選択の誤りがなくなり、歩留りを向上させること
ができるという効果がある。
処理を行なうドライエツチング装置にマスク基板をセッ
トするだけでよく、セットされたドライエツチング装置
は、自動的にデスカムプロセスを選択することが出きる
ため、従来技術の欠点である作業者によるデスカムプロ
セスの選択の誤りがなくなり、歩留りを向上させること
ができるという効果がある。
第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例のブ
ロック図である。 １・・・・・電極、２・・・・・・電極、３・・・・・
・チャン、＜−４・・・・・・マスク、５・・・・・・
光源、６・・・・・・光、７・・・・・・反射光、８・
・・・・・分光器、９・・・・・・演算部、１０・・・
・・・記憶部、１１・・・・・・シーケンサ、１２・・
・・・・高周波電源、１３・・・・・・真空排気装置、
１４・・・・・・ガス導入口、１５・・・・・・タイマ
。
ロック図である。 １・・・・・電極、２・・・・・・電極、３・・・・・
・チャン、＜−４・・・・・・マスク、５・・・・・・
光源、６・・・・・・光、７・・・・・・反射光、８・
・・・・・分光器、９・・・・・・演算部、１０・・・
・・・記憶部、１１・・・・・・シーケンサ、１２・・
・・・・高周波電源、１３・・・・・・真空排気装置、
１４・・・・・・ガス導入口、１５・・・・・・タイマ
。
Claims (1)
- マスク基板上に形成されたレジストパターン面に光を投
影する為の光源と、前記レジストパターン面からの反射
光を分光する分光器と、前記分光器により分光された光
信号を分析しレジストの種類を決定する演算部と、前記
演算部からの信号によりディスカム条件を選択するシー
ケンサとを含むことを特徴とするドライエッチング装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16950689A JPH0334316A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16950689A JPH0334316A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0334316A true JPH0334316A (ja) | 1991-02-14 |
Family
ID=15887776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16950689A Pending JPH0334316A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0334316A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11908610B2 (en) | 2018-02-13 | 2024-02-20 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Inductor, inductor with circuit board, and electrical junction box |
-
1989
- 1989-06-29 JP JP16950689A patent/JPH0334316A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11908610B2 (en) | 2018-02-13 | 2024-02-20 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Inductor, inductor with circuit board, and electrical junction box |
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