JPH0334312A - Ｘ線マスクの製造方法および薄膜の内部応力制御装置 - Google Patents
Ｘ線マスクの製造方法および薄膜の内部応力制御装置Info
- Publication number
- JPH0334312A JPH0334312A JP1304192A JP30419289A JPH0334312A JP H0334312 A JPH0334312 A JP H0334312A JP 1304192 A JP1304192 A JP 1304192A JP 30419289 A JP30419289 A JP 30419289A JP H0334312 A JPH0334312 A JP H0334312A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- ray
- film
- ray absorber
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 136
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 36
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 183
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 114
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 42
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 37
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 7
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 1
- 239000006100 radiation absorber Substances 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 72
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 24
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 19
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 5
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 abstract description 4
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 abstract description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 abstract description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 abstract description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 27
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 27
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 26
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 13
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 5
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 241000894007 species Species 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000287462 Phalacrocorax carbo Species 0.000 description 1
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N azanylidynetungsten Chemical compound [W]#N IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- -1 krypton ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00642—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for improving the physical properties of a device
- B81C1/0065—Mechanical properties
- B81C1/00666—Treatments for controlling internal stress or strain in MEMS structures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0161—Controlling physical properties of the material
- B81C2201/0163—Controlling internal stress of deposited layers
- B81C2201/017—Methods for controlling internal stress of deposited layers not provided for in B81C2201/0164 - B81C2201/0169
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、Ｘ線露光用マスク（以下Ｘ線マスク）の製造
方法および薄膜の内部応力制御装置に係り、特にＸ線吸
収体薄膜パターンの改良に関する。
方法および薄膜の内部応力制御装置に係り、特にＸ線吸
収体薄膜パターンの改良に関する。
（従来の技術）
近年、半専体集積回路の高密度化および高集積化への要
求が高まるにつれて、回路パターンの微訓加圧技術のな
かでも、感光剤にパターンを形成するリソグラフィ技術
の研究開発が急速な進展を見せている。
求が高まるにつれて、回路パターンの微訓加圧技術のな
かでも、感光剤にパターンを形成するリソグラフィ技術
の研究開発が急速な進展を見せている。
現（［、量産ラインでは光を露光媒体とするフォトリソ
グラフィ技術が主流であるが、解像力の限界に近づきつ
つあり、このフォトリソ、グラフィ技術技術に代わるも
のとして、原理的に解像力が飛跳的に向上するＸ線リソ
グラフィ技術の研究開発が急速な進展をみせている。
グラフィ技術が主流であるが、解像力の限界に近づきつ
つあり、このフォトリソ、グラフィ技術技術に代わるも
のとして、原理的に解像力が飛跳的に向上するＸ線リソ
グラフィ技術の研究開発が急速な進展をみせている。
Ｘ線リソグラフィでは、光を用いた露光方法とは異なり
所定のパターンを縮小させて転写するような技術は現在
のところない。このため、Ｘｌｉ露光では、所定のパタ
ーンの形成されたＸ線露光用マスクと試料とを１０μｍ
オーダーの間隔で平行に保持し、このＸ線マスクを通し
てＸ線を照射することにより露光対象物表面に転写パタ
ーンを形成する１：１転写方式が採用されている。
所定のパターンを縮小させて転写するような技術は現在
のところない。このため、Ｘｌｉ露光では、所定のパタ
ーンの形成されたＸ線露光用マスクと試料とを１０μｍ
オーダーの間隔で平行に保持し、このＸ線マスクを通し
てＸ線を照射することにより露光対象物表面に転写パタ
ーンを形成する１：１転写方式が採用されている。
この等倍転写方式では、Ｘ線マスクのパターンの寸法精
度、位置精度がそのままデバイス精度になるため、Ｘ線
マスクのパターンにはデバイスの最小線幅の１０分の１
程度の寸法精度、位置精度が要求される。また、Ｘ線源
としては、ＳＯＲ光（シンクロトロン放射光）が本命と
されているため、Ｘ線マスクは強力なＸ線に対してダメ
ージを受けない構造でなければならない。さらに、デバ
イスの線幅が０．５μｍから始まって次世代の０１μｍ
へ向かう状況では、Ｘ線マスクのパターン断面の縦横比
が大きくなるため、種々の製造上の困難が増大してくる
。
度、位置精度がそのままデバイス精度になるため、Ｘ線
マスクのパターンにはデバイスの最小線幅の１０分の１
程度の寸法精度、位置精度が要求される。また、Ｘ線源
としては、ＳＯＲ光（シンクロトロン放射光）が本命と
されているため、Ｘ線マスクは強力なＸ線に対してダメ
ージを受けない構造でなければならない。さらに、デバ
イスの線幅が０．５μｍから始まって次世代の０１μｍ
へ向かう状況では、Ｘ線マスクのパターン断面の縦横比
が大きくなるため、種々の製造上の困難が増大してくる
。
以上のように、Ｘ線リソグラフィの実現のためには、Ｘ
線マスクの構造および製造方法の開発が最も重要な鍵と
なっている。
線マスクの構造および製造方法の開発が最も重要な鍵と
なっている。
Ｘ線マスクは一般的には次のような構造を有している。
すなわち、リング状のマスク支持体上にＸ線に対する吸
収率の特に小さいＸ線透過性材料からなる薄膜を形成し
、このＸ線透過性薄膜上にＸ線に対する吸収率の大きい
材料からなるマスクパターン（Ｘ線吸収体パターン）を
形成した構造を有している。ここでマスク支持体は、Ｘ
線透過性薄膜が極めて薄、く機械的強度が弱いのを補強
すべく、このＸ線透過性薄膜を支持するのに用いられて
いる。
収率の特に小さいＸ線透過性材料からなる薄膜を形成し
、このＸ線透過性薄膜上にＸ線に対する吸収率の大きい
材料からなるマスクパターン（Ｘ線吸収体パターン）を
形成した構造を有している。ここでマスク支持体は、Ｘ
線透過性薄膜が極めて薄、く機械的強度が弱いのを補強
すべく、このＸ線透過性薄膜を支持するのに用いられて
いる。
ところで、このＸ線露光用マスクは、従来、第１３図（
ａ）乃至第１３図（ｒ）に示すような方法で製造されて
いる。
ａ）乃至第１３図（ｒ）に示すような方法で製造されて
いる。
まず、基板温度１２００℃の条件でＬＰｃＶＤ法により
、第１３図（ａ）に示すようにＳｉ基板９０上に膜厚２
．７μｍの５ｉＣｆｉ９１を形成する。
、第１３図（ａ）に示すようにＳｉ基板９０上に膜厚２
．７μｍの５ｉＣｆｉ９１を形成する。
この条件では、多結晶構造を有し、内部応力３×１０８
ｄｙｎ ／ｃ−のＳｉＣ膜が得られている。次に、Ｓｉ
基板９０の裏面側にも同様にＳｉＣ膜９２を形成する。
ｄｙｎ ／ｃ−のＳｉＣ膜が得られている。次に、Ｓｉ
基板９０の裏面側にも同様にＳｉＣ膜９２を形成する。
ここで、ＳｉＣ膜９１がＸ線透過性薄膜として用いられ
る。なお、Ｘ線透過性薄膜には、Ｘ線を透過し且つアラ
イメント光（可視、赤外線）に対する透過性に優れ、引
張り応力を有する自立支持膜であることが要求される。
る。なお、Ｘ線透過性薄膜には、Ｘ線を透過し且つアラ
イメント光（可視、赤外線）に対する透過性に優れ、引
張り応力を有する自立支持膜であることが要求される。
その材料として、現在のところ、ＢＮ、Ｓｉ、５ｉＣＴ
ｉ等が報告されている。
ｉ等が報告されている。
次いで、第１３図（ｂ）に示すように、裏面側のＳｊＣ
Ｍ９２の中央部を選択的に除去した後、表面側のＳｉＣ
膜９膜上１上線吸収体としてＷＭ９３を形成する。Ｘ線
吸収体には、露光波長におけるＸ線吸収係数が大きいこ
と、内部応力が低いこと、微細加工が容易であることが
要求される。
Ｍ９２の中央部を選択的に除去した後、表面側のＳｉＣ
膜９膜上１上線吸収体としてＷＭ９３を形成する。Ｘ線
吸収体には、露光波長におけるＸ線吸収係数が大きいこ
と、内部応力が低いこと、微細加工が容易であることが
要求される。
その材料として、現在のところＡｕ、Ｔａ、Ｗ。
Ｗ Ｎ ｘ等が報告されている。Ｘ線吸収体の内部応力
については、ｌＸ１０８ｄｙｎ／ｃｍ２程度の低応力で
あることが不可欠であり、応力制御が可能なスパッタリ
ング法により内部応力を制御して堆積される。
については、ｌＸ１０８ｄｙｎ／ｃｍ２程度の低応力で
あることが不可欠であり、応力制御が可能なスパッタリ
ング法により内部応力を制御して堆積される。
次いで、第１３図（ｅ）に示すようにスパッタリング法
によりＷ膜９３上に内部応力を制御したＳｉＮｘ膜９４
を形成する。さらに、Ｓ ｉ Ｎｘ膜９４上に電子ビー
ム描画用のレジスト９５を塗布した後、電子ビーム描画
法によりパターン描画を行ない、レジスト９５に所望の
パターンを形成する。
によりＷ膜９３上に内部応力を制御したＳｉＮｘ膜９４
を形成する。さらに、Ｓ ｉ Ｎｘ膜９４上に電子ビー
ム描画用のレジスト９５を塗布した後、電子ビーム描画
法によりパターン描画を行ない、レジスト９５に所望の
パターンを形成する。
次いで、第１３図（ｄ）に示すように、ドライエツチン
グ法により、レジスト９５をマスクとしてＳｉＮｘ膜９
４を選択エツチングし、さらに同図（ｅ）に示すように
、レジスト９５及びＳｉＮｘ膜９４をマスクとしてＷ膜
９３を選択エツチングす。
グ法により、レジスト９５をマスクとしてＳｉＮｘ膜９
４を選択エツチングし、さらに同図（ｅ）に示すように
、レジスト９５及びＳｉＮｘ膜９４をマスクとしてＷ膜
９３を選択エツチングす。
る。
最後に、第１３図（「）に示すようにＫＯＩ（等のウェ
ットエツチング法により、裏面の５ｉＣＩｌ１９２をマ
スクとしてＳｉ基板９０をエツチングする。以上の様に
してＸ線マスクが製造される。
ットエツチング法により、裏面の５ｉＣＩｌ１９２をマ
スクとしてＳｉ基板９０をエツチングする。以上の様に
してＸ線マスクが製造される。
このようにしてＸ線マスクが形成されるが、Ｘ線マスク
の製造プロセスのうちで最も困難なプロセスはＸＩｓ吸
収体パターンの形成である。
の製造プロセスのうちで最も困難なプロセスはＸＩｓ吸
収体パターンの形成である。
前述したように、０．２μｍ以下の寸法を高精度に転写
するためのＸ線マスクにおけるＸ線吸収体薄膜は、 ■高密度を有する ■Ｘ線吸収体の微細パターン加工プロセス中で生じる熱
工程において応力変化がなく安定である。
するためのＸ線マスクにおけるＸ線吸収体薄膜は、 ■高密度を有する ■Ｘ線吸収体の微細パターン加工プロセス中で生じる熱
工程において応力変化がなく安定である。
■低応力（Ｉ Ｘ １０ ｄｙｎ／ｃｍ２程度以下）
である。
である。
■高精度の微細加工が可能な材料である。
という４つの条件を同時にＴ：Ａ足するものでなければ
ならない。
ならない。
このような条件を満足するＸ線吸収体形成のための試み
として、次のような報告例がある。
として、次のような報告例がある。
それは、Ｗ−Ｔｉ（１％）合金をスパッタターゲットと
して用い、・Ａｒ＋３０％Ｎ２ガスにより直流マグネト
ロンスパッタリング装置にて形成されるＷ−Ｔｉ薄膜は
、ガス圧力の低い領域では圧縮応力を示すが、ガス圧力
２Ｐａ以上でスパッタリングした薄膜は応力５ Ｘ 】
−Ｏｄｙｎ／ｃｍ２という小さい値を示す。しかしこの
ときの薄膜の密度は、１４〜１６ ｇａ１３であり、純
粋なタングステンの密度１９、２ ｇＣｓ−３と比較す
ると２０〜３０％減少している（吉岡等ＳＰ［Ｅ ｃｏ
ｎｆ’ｅｒｅｎｃｅ ＶｏＬ、９２３．ｐ２（１９８８
））。
して用い、・Ａｒ＋３０％Ｎ２ガスにより直流マグネト
ロンスパッタリング装置にて形成されるＷ−Ｔｉ薄膜は
、ガス圧力の低い領域では圧縮応力を示すが、ガス圧力
２Ｐａ以上でスパッタリングした薄膜は応力５ Ｘ 】
−Ｏｄｙｎ／ｃｍ２という小さい値を示す。しかしこの
ときの薄膜の密度は、１４〜１６ ｇａ１３であり、純
粋なタングステンの密度１９、２ ｇＣｓ−３と比較す
ると２０〜３０％減少している（吉岡等ＳＰ［Ｅ ｃｏ
ｎｆ’ｅｒｅｎｃｅ ＶｏＬ、９２３．ｐ２（１９８８
））。
このようにパターン情度の向上に際し、重要な要素とな
るＸ線吸収体パターンの応力を、スパッタリング条件を
変化させることにより、１×１０８ｄｙｎｌｃｄ以下に
コントロールする方法が提案されている。
るＸ線吸収体パターンの応力を、スパッタリング条件を
変化させることにより、１×１０８ｄｙｎｌｃｄ以下に
コントロールする方法が提案されている。
一方、Ｘ線吸収体薄膜の全面にイオン注入を行うことに
より、応力を制御することができることが明らかになっ
ている。例えば、アルゴン（Ａｒ）ガス中でＷターゲッ
トをスパッタリングして得られるＷ膜にＳｉイオンをイ
オン注入することにより、応力をほぼ０とすることがで
きることか報告されている。しかしながら、上記報告て
は、１×１０１６ａｔＩｌｓ／ｃＩ＃のＳｔ原子あるい
はＷ−Ｓｉ化合物がエツチング中のパーティクルとして
発生し、再付着、ゴミなどの汚染の原因となり易いとい
う問題がある。また、Ｓｉイオンを注入したＷ膜の微細
加工については同等記述されておらず、高情度の微細加
工の実現性には大きな疑問を残していた。
より、応力を制御することができることが明らかになっ
ている。例えば、アルゴン（Ａｒ）ガス中でＷターゲッ
トをスパッタリングして得られるＷ膜にＳｉイオンをイ
オン注入することにより、応力をほぼ０とすることがで
きることか報告されている。しかしながら、上記報告て
は、１×１０１６ａｔＩｌｓ／ｃＩ＃のＳｔ原子あるい
はＷ−Ｓｉ化合物がエツチング中のパーティクルとして
発生し、再付着、ゴミなどの汚染の原因となり易いとい
う問題がある。また、Ｓｉイオンを注入したＷ膜の微細
加工については同等記述されておらず、高情度の微細加
工の実現性には大きな疑問を残していた。
さらに、Ｓｉを含有したＷ膜は応力の熱安定性について
も問題がある。Ｗ膜の加工プロセスにおいて、１５０〜
２００℃のレジストベーキングを行うが、イオン注入の
なされたＳｉ原子中未結合のものが、このような温度下
で結合手を形成する可能性があり、熱工程中もＷ膜が低
応力のままで安定性を維持している可能性は小さいと考
えられる（１．ＰＩｏｔｎｌｋ ｅｔ、ａｌ Ｍｌｃｒ
ｏｅｌｅｃｔｒｏｎｌｃ ＥＩｌｇｉｎｅｅｒｆｎｇ
５．Ｐ５１（１９８Ｂ） ）。
も問題がある。Ｗ膜の加工プロセスにおいて、１５０〜
２００℃のレジストベーキングを行うが、イオン注入の
なされたＳｉ原子中未結合のものが、このような温度下
で結合手を形成する可能性があり、熱工程中もＷ膜が低
応力のままで安定性を維持している可能性は小さいと考
えられる（１．ＰＩｏｔｎｌｋ ｅｔ、ａｌ Ｍｌｃｒ
ｏｅｌｅｃｔｒｏｎｌｃ ＥＩｌｇｉｎｅｅｒｆｎｇ
５．Ｐ５１（１９８Ｂ） ）。
他の報告例として、アルゴンと窒素の混合ガスをスパッ
タリングガスとして用いたスパッタリング法により形成
される窒化タングステン（ＷＮ、）を吸収体材料として
用い、ＷＮ、中にＮ゛イオンイオン注入することにより
、応力制御をおこなった報告（ジャーナルオンバキュー
ムサイエンステクノロジー８６ （１）、１７４．１９
８８）などがなされており、Ｘ線吸収体の応力を１×１
０’ ｄｙｎ／ｃ−以下にコントロールすべく、いろい
ろな試みがなされている。しかしながら、ＷＮ、膜の密
度は極めて小さく、Ｘ線吸収体薄膜として十分のＸ線を
遮断するためには膜厚を厚くする必要があり、微細側エ
バターンの形成か困難になるという問題がある。また、
Ｉ Ｘ １０８ｄｙｎ／ｃｍ２以下に応力をコントロー
ルするためには、イオン注入時の基板温度を３００℃±
７℃に制御しなければならないという問題がある。
タリングガスとして用いたスパッタリング法により形成
される窒化タングステン（ＷＮ、）を吸収体材料として
用い、ＷＮ、中にＮ゛イオンイオン注入することにより
、応力制御をおこなった報告（ジャーナルオンバキュー
ムサイエンステクノロジー８６ （１）、１７４．１９
８８）などがなされており、Ｘ線吸収体の応力を１×１
０’ ｄｙｎ／ｃ−以下にコントロールすべく、いろい
ろな試みがなされている。しかしながら、ＷＮ、膜の密
度は極めて小さく、Ｘ線吸収体薄膜として十分のＸ線を
遮断するためには膜厚を厚くする必要があり、微細側エ
バターンの形成か困難になるという問題がある。また、
Ｉ Ｘ １０８ｄｙｎ／ｃｍ２以下に応力をコントロー
ルするためには、イオン注入時の基板温度を３００℃±
７℃に制御しなければならないという問題がある。
また、応力制御をおこない薄膜パターン形成を行うこと
ができたとしても、Ｘ線吸収体に、タングステンなどの
金属あるいは金属合金を用いている以上、大気中にさら
すことにより、酸化やガス吸着が起こり、応力に変化を
及ぼしてしまうという問題があった。
ができたとしても、Ｘ線吸収体に、タングステンなどの
金属あるいは金属合金を用いている以上、大気中にさら
すことにより、酸化やガス吸着が起こり、応力に変化を
及ぼしてしまうという問題があった。
例えば、Ｗ−ＴｉのターゲットをＡ ｒ ＋ −３０％
Ｎ２ガスによりスパッタして形成した薄膜の応力の安定
性については、次のような報告がある。大気中に２ケ月
保存した後の応力は圧縮応力方向に１ ｘ １０ ”９
ｄｙｎ／ｃ−もの応力変化を起こし、Ｎ２雰囲気中に２
００℃１時間アニールした後は引っ張り応力方向に２
ｘ １０ ”９ ｄｙｎ／ｃｍ２という大きな応力変化
を起こしている。
Ｎ２ガスによりスパッタして形成した薄膜の応力の安定
性については、次のような報告がある。大気中に２ケ月
保存した後の応力は圧縮応力方向に１ ｘ １０ ”９
ｄｙｎ／ｃ−もの応力変化を起こし、Ｎ２雰囲気中に２
００℃１時間アニールした後は引っ張り応力方向に２
ｘ １０ ”９ ｄｙｎ／ｃｍ２という大きな応力変化
を起こしている。
つまり、Ｘ線吸収体の応力に経時変化が発生し、ｘｌ吸
収体パターンのパターン精度を維持できないという問題
があった。
収体パターンのパターン精度を維持できないという問題
があった。
そこで、Ｘ線吸収体パターンを酸化やガス吸着から保護
すると共に機械的保護をはかるために、Ｘ線吸収体パタ
ーンを保護膜で埋めてしまう構造（インターナショナル
エレクトロンミーティング４２．１９８２）も提案され
ている。
すると共に機械的保護をはかるために、Ｘ線吸収体パタ
ーンを保護膜で埋めてしまう構造（インターナショナル
エレクトロンミーティング４２．１９８２）も提案され
ている。
しかしながらこのような方法では、Ｘ線吸収体の応力の
みならず、保護膜の応力も同様に精度よくコントロール
しなければならず、実用上不可能であるという問題があ
った。
みならず、保護膜の応力も同様に精度よくコントロール
しなければならず、実用上不可能であるという問題があ
った。
（発明が解決しよう゛とする課題）
このように、従来のＸ線露光用マスクにおいては、Ｘ線
吸収体薄膜としての機能（高密度、低応力、応力の安定
性、微細加工性）を十分に満足するようなＸ線吸収体薄
膜を得ることは、極めて困難であった。
吸収体薄膜としての機能（高密度、低応力、応力の安定
性、微細加工性）を十分に満足するようなＸ線吸収体薄
膜を得ることは、極めて困難であった。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、高密度で
安定な応力を有しかつ高精度の微細加工が可能なＸ線吸
収体薄膜を得ることのできるＸ線マスクをｔｒｋ（”、
することを目的とする。
安定な応力を有しかつ高精度の微細加工が可能なＸ線吸
収体薄膜を得ることのできるＸ線マスクをｔｒｋ（”、
することを目的とする。
また、本発明では、Ｘ線吸収体薄膜の内部応力を所定の
値に制御することのできる薄膜の内部応力制御装置を提
供することを目的とする。
値に制御することのできる薄膜の内部応力制御装置を提
供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明の・け子は、Ｘ線吸収体薄膜にネオンよりも原子
番号の大きい不活性元素の少なくとも１種のイオンを注
入することにより、該薄膜の内部応力を低減することに
ある。
番号の大きい不活性元素の少なくとも１種のイオンを注
入することにより、該薄膜の内部応力を低減することに
ある。
即ち本発明は、マスク支持体上にＸ線透過性薄膜を形成
し、このＸ線透過性薄膜上にＸ線吸収体薄膜を形成し、
このＸ線吸収体薄膜をバターニングしてＸ線マスクを製
造するＸ線マスクの製造方法において、Ｘ線吸収体薄膜
をパターニングする前に、該薄膜にアルゴン（Ａｒ）、
クリプトン（Ｋ「）又はキセノン（Ｘｅ）をイオン注入
して該薄膜の内部応力を低減させる方法である。
し、このＸ線透過性薄膜上にＸ線吸収体薄膜を形成し、
このＸ線吸収体薄膜をバターニングしてＸ線マスクを製
造するＸ線マスクの製造方法において、Ｘ線吸収体薄膜
をパターニングする前に、該薄膜にアルゴン（Ａｒ）、
クリプトン（Ｋ「）又はキセノン（Ｘｅ）をイオン注入
して該薄膜の内部応力を低減させる方法である。
また、本発明では、Ｘ線吸収体パターンに斜めから、不
活性ガスあるいはＸ線吸収体薄膜材料と同じ物質をイオ
ン注入することによりパターン表面の隙間を埋めるよう
にしている。
活性ガスあるいはＸ線吸収体薄膜材料と同じ物質をイオ
ン注入することによりパターン表面の隙間を埋めるよう
にしている。
また、本発明では、Ｘ線吸収体薄膜のパターニングに際
し、エツチングガス中に反応性ガスを混入せしめ、エツ
チング面に気体進入防ＩＬ膜を形成するようにしている
。
し、エツチングガス中に反応性ガスを混入せしめ、エツ
チング面に気体進入防ＩＬ膜を形成するようにしている
。
さらに本発明では、Ｘ線吸収体パターンの表面を、プラ
ズマ雰囲気中にさらし、プラズマドーピングするように
している。
ズマ雰囲気中にさらし、プラズマドーピングするように
している。
また本発明は、上記イオン注入に際して、Ｘ線吸収体薄
膜に２ Ｘ １０８ｄｙｎ ／ｃ−以下の圧縮応力を持
たせ、バターニング後の該Ｘ線吸収体薄膜の最終的な内
部応力をＩ Ｘ １０８ｄｙｎ ／ｃｄ以下に設定する
ようにした方法である。
膜に２ Ｘ １０８ｄｙｎ ／ｃ−以下の圧縮応力を持
たせ、バターニング後の該Ｘ線吸収体薄膜の最終的な内
部応力をＩ Ｘ １０８ｄｙｎ ／ｃｄ以下に設定する
ようにした方法である。
さらに本発明は、上記イオン注入工程と共に、Ｘ線吸収
体薄膜の内部応力を測定し、測定された内部応力に応じ
てイオン注入量を制御することにより該Ｘ線吸収体薄膜
の内部応力を所望値に制御するようにした方法である。
体薄膜の内部応力を測定し、測定された内部応力に応じ
てイオン注入量を制御することにより該Ｘ線吸収体薄膜
の内部応力を所望値に制御するようにした方法である。
また本発明は、基板上に形成された薄膜に不純物イオン
を注入して該薄膜の内部応力を所定の値に制御する薄膜
の内部応力制御装置において、薄膜の内部応力を検出す
る内部応力検出手段と、該手段により求められた内部応
力に応じて薄膜に対するイオン注入量を制御する手段と
を設けるようにしたものである。
を注入して該薄膜の内部応力を所定の値に制御する薄膜
の内部応力制御装置において、薄膜の内部応力を検出す
る内部応力検出手段と、該手段により求められた内部応
力に応じて薄膜に対するイオン注入量を制御する手段と
を設けるようにしたものである。
ここで内部応力検出手段としては、裁板の反り量を検出
し、検出された反り量から薄膜の内部応力を求めるもの
などがある。
し、検出された反り量から薄膜の内部応力を求めるもの
などがある。
ここで、本発明においては、マスク支持体として例えば
Ｓｉが用いられる。Ｘ線透過性薄膜としては、例えばＳ
ｉＣ，Ｓｉ３Ｎ４．ＢＮ、ボロンドープしたＳｉ等が挙
げられる。Ｘ線吸収体薄膜として、Ｗ、Ｔａ及びその窒
化物（ＷＮｘ、ＴａＮＸ ） 、炭化物（ＷＣＸ、Ｔａ
Ｃ）等の化合物或いは合金が挙げられるが、このうちで
も特に、引張り応力を有し高密度のＷＷｉ膜が望ましい
。これらの薄膜は、例えばスパッタリング法により形成
される。
Ｓｉが用いられる。Ｘ線透過性薄膜としては、例えばＳ
ｉＣ，Ｓｉ３Ｎ４．ＢＮ、ボロンドープしたＳｉ等が挙
げられる。Ｘ線吸収体薄膜として、Ｗ、Ｔａ及びその窒
化物（ＷＮｘ、ＴａＮＸ ） 、炭化物（ＷＣＸ、Ｔａ
Ｃ）等の化合物或いは合金が挙げられるが、このうちで
も特に、引張り応力を有し高密度のＷＷｉ膜が望ましい
。これらの薄膜は、例えばスパッタリング法により形成
される。
また、本発明におけるＡ「等ををイオン注入をしたＸ線
吸収体薄膜を熱処理する工程としては、例えばＮ２．Ａ
ｒ真空中での熱処理が挙げられるが、このうちでもＮ２
雰囲気中が望ましい。さらに、熱処理工程としてＷ膜を
微細加工するためのエツチングマスクとなり得る、単層
レジスト或いは多層レジストのベーキング工程を利用す
るのが望ましい。
吸収体薄膜を熱処理する工程としては、例えばＮ２．Ａ
ｒ真空中での熱処理が挙げられるが、このうちでもＮ２
雰囲気中が望ましい。さらに、熱処理工程としてＷ膜を
微細加工するためのエツチングマスクとなり得る、単層
レジスト或いは多層レジストのベーキング工程を利用す
るのが望ましい。
（作用）
本発明によれば、Ｗ等からなるＸ線吸収体薄膜を形成し
た後、Ａｒ、Ｋｒ又はＸｅ等のＮｅよりも原子番号の大
きい不活性元素をイオン注入することにより、Ｘ線吸収
体薄膜の内部応力の低減化が実現できる。薄膜中にＡｒ
５Ｋｒ又はＸｅをイオン注入することによりＸ線吸収体
薄膜自体の性質（Ｘ線遮断能或いは微細加工性等）を改
変させないで低応力化が実現できる。さらに、イオン注
入をしたＸ線吸収体薄膜をバターニングして、Ｘ線吸収
体パターンを形成する際のプロセスで生じる熱工教（レ
ジストベーキング、反応性エツチング）後も、応力が安
定している膜が得られるので、高精度の微細パターン寸
法及び位置精度を達成できる。
た後、Ａｒ、Ｋｒ又はＸｅ等のＮｅよりも原子番号の大
きい不活性元素をイオン注入することにより、Ｘ線吸収
体薄膜の内部応力の低減化が実現できる。薄膜中にＡｒ
５Ｋｒ又はＸｅをイオン注入することによりＸ線吸収体
薄膜自体の性質（Ｘ線遮断能或いは微細加工性等）を改
変させないで低応力化が実現できる。さらに、イオン注
入をしたＸ線吸収体薄膜をバターニングして、Ｘ線吸収
体パターンを形成する際のプロセスで生じる熱工教（レ
ジストベーキング、反応性エツチング）後も、応力が安
定している膜が得られるので、高精度の微細パターン寸
法及び位置精度を達成できる。
本発明の方法では、Ｘ線吸収体薄膜あるいはＸ線吸収体
膜パターンに斜めから、イオン注入を行い、前記パター
ンにおける結晶粒界面の隙間を埋め、気体進入防止機能
を生ぜしめることができ、応力を最低限に抑え、パター
ンの安定化をはかることができる。
膜パターンに斜めから、イオン注入を行い、前記パター
ンにおける結晶粒界面の隙間を埋め、気体進入防止機能
を生ぜしめることができ、応力を最低限に抑え、パター
ンの安定化をはかることができる。
また、本発明の方法では、Ｘ線吸収体薄膜のバターニン
グに際し、エツチングガス中に反応性ガスを混入せしめ
、エツチング面に気体進入防止膜を形成するようにして
いるため、Ｘ線吸収体膜パターン表面の極めて浅い領域
に気体進入時ＩＬ膜を形成することができ、気体進入防
止膜自身の応力を最低限に抑え、パターンの安定化をは
かることができる。
グに際し、エツチングガス中に反応性ガスを混入せしめ
、エツチング面に気体進入防止膜を形成するようにして
いるため、Ｘ線吸収体膜パターン表面の極めて浅い領域
に気体進入時ＩＬ膜を形成することができ、気体進入防
止膜自身の応力を最低限に抑え、パターンの安定化をは
かることができる。
さらに、本発明の方法では、Ｘ線吸収体パターンの表面
を、プラズマ雰囲気中にさらし、プラズマドーピングす
るようにしているため、Ｘ線吸収体膜パターン表面の極
めて浅い領域に、気体進入防止膜を形成することができ
、気体進入防止膜自身の応力を最低限に抑え、パターン
の安定化をはかることができる。
を、プラズマ雰囲気中にさらし、プラズマドーピングす
るようにしているため、Ｘ線吸収体膜パターン表面の極
めて浅い領域に、気体進入防止膜を形成することができ
、気体進入防止膜自身の応力を最低限に抑え、パターン
の安定化をはかることができる。
また、本発明によれば、イオン注入した薄膜の応力は経
時変化の影響を受けないために、長駒間にわたって安定
なＸ線マスク吸収体として作用する。
時変化の影響を受けないために、長駒間にわたって安定
なＸ線マスク吸収体として作用する。
さらに、Ｘ線吸収体薄膜にＡｒ、Ｘｅ５Ｋｒ等をイオン
注入する際、Ｘ線吸収体薄膜の内部応力を測定しながら
イオン注入を行ない、自動工１測制御によりイオン注入
量を制御することにより、所望の内部応力を有する吸収
体薄膜を高精度で再現性よく得ることが可能である。
注入する際、Ｘ線吸収体薄膜の内部応力を測定しながら
イオン注入を行ない、自動工１測制御によりイオン注入
量を制御することにより、所望の内部応力を有する吸収
体薄膜を高精度で再現性よく得ることが可能である。
また、Ｘ線吸収体薄膜をバターニングするＸ線吸収体薄
膜パターン形成工程に先立ち、Ｘ線吸収体薄膜の内部応
力を測定し、測定された内部応力に応じてイオン注入量
を制御つつ、Ｘ線吸収体薄膜にネオンよりも原子番号の
大きい不活性元素の少なくとも１種をイオン注入して該
Ｘ線吸収体薄膜の内部応力を低減させ、該Ｘ線吸収体薄
膜の内部応力を所定値に制御するようにすることができ
る。
膜パターン形成工程に先立ち、Ｘ線吸収体薄膜の内部応
力を測定し、測定された内部応力に応じてイオン注入量
を制御つつ、Ｘ線吸収体薄膜にネオンよりも原子番号の
大きい不活性元素の少なくとも１種をイオン注入して該
Ｘ線吸収体薄膜の内部応力を低減させ、該Ｘ線吸収体薄
膜の内部応力を所定値に制御するようにすることができ
る。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ詳細に
説明する。
説明する。
〈実施例１）
第１図は本発明の第１の実施例のＸ線マスクの製造工程
を示す断面図である。
を示す断面図である。
まず、高周波加熱方式のＬＰＧＶＤ装置を用い、グラフ
ァイト表面にＳｉＣをコーティングしたサセプタ上に、
面方位（１１１）の３インチ５ｉＪｉＥ板を設置し、１
１００℃においてＨＣＩガスによりＳｉ基板の気相エツ
チングを施すことにより、Ｓｉ基板上に存とＥする自然
酸化膜及び重金属類の汚染物を除去した。これにより、
Ｓｉ基板の表向マスク清浄化処理が完了する。
ァイト表面にＳｉＣをコーティングしたサセプタ上に、
面方位（１１１）の３インチ５ｉＪｉＥ板を設置し、１
１００℃においてＨＣＩガスによりＳｉ基板の気相エツ
チングを施すことにより、Ｓｉ基板上に存とＥする自然
酸化膜及び重金属類の汚染物を除去した。これにより、
Ｓｉ基板の表向マスク清浄化処理が完了する。
次いで、第１図（ａ＞に示す如く、Ｓｉ原料としてトリ
クロロシラン（ＳｉＨＣｌ２）Ｃ原料としてプロパン（
Ｃ３Ｈａ ） 、キャリアガスとして水素（Ｈ２）の各
ガスを供給して基板温度１１００℃にて、Ｓｉ基板１１
上にＳｉＣ膜１２を２μｍ堆積した。
クロロシラン（ＳｉＨＣｌ２）Ｃ原料としてプロパン（
Ｃ３Ｈａ ） 、キャリアガスとして水素（Ｈ２）の各
ガスを供給して基板温度１１００℃にて、Ｓｉ基板１１
上にＳｉＣ膜１２を２μｍ堆積した。
この際、ＳｉＣ膜１２の内部応力を制御するために、ガ
ス流量比、ガス圧を変化させた。ＳｉＣ膜１２の内部応
力は、反応ガスである５ｉＨＣ１３とＣ３Ｈ，との混合
比及びガス圧力により変化する。なお、ガス圧力は、キ
ャリアガスの流量によって変化する。本実験例では、Ｃ
３Ｈ８を２００ｃｃ／ｗｉｎ 、 Ｓ ｉ ＨＣ１３を
３Ｊｌ／ｆｆ１ｉｎ、Ｈ２を７ｊ！／ｗｉｎ、ガス圧を
２００Ｐａ、基板温度を１１００℃の条件でＳｉ’Ｃ膜
１２を堆積させた。
ス流量比、ガス圧を変化させた。ＳｉＣ膜１２の内部応
力は、反応ガスである５ｉＨＣ１３とＣ３Ｈ，との混合
比及びガス圧力により変化する。なお、ガス圧力は、キ
ャリアガスの流量によって変化する。本実験例では、Ｃ
３Ｈ８を２００ｃｃ／ｗｉｎ 、 Ｓ ｉ ＨＣ１３を
３Ｊｌ／ｆｆ１ｉｎ、Ｈ２を７ｊ！／ｗｉｎ、ガス圧を
２００Ｐａ、基板温度を１１００℃の条件でＳｉ’Ｃ膜
１２を堆積させた。
このＳｉＣ膜１２は３ｘ １０９ｄｙｎ ／ｃ−の引張
り応力を示した。また、このＳｉＣ膜１２の結晶性を評
価したところ、単結晶β−５ｉＣ構造であることが判っ
た。
り応力を示した。また、このＳｉＣ膜１２の結晶性を評
価したところ、単結晶β−５ｉＣ構造であることが判っ
た。
次いで、第１図（ｂ）に示すように、上記条件と同条件
の下でＳｉ基板１１の裏面にＳｉＣ膜１３を０．５μｍ
堆積させた後、通常のフォトリソグラフィ技術によりＳ
ｉＣ膜１３の中央部に２０ ｍｍφの開口部を設けた。
の下でＳｉ基板１１の裏面にＳｉＣ膜１３を０．５μｍ
堆積させた後、通常のフォトリソグラフィ技術によりＳ
ｉＣ膜１３の中央部に２０ ｍｍφの開口部を設けた。
次いで、第１図（Ｃ）に示すように、マグネトロンＤＣ
スパッタリング装置によりＳｉＣ膜１膜上２上膜１４を
０．５μｍ堆積させた。スパッタリングの電力は、１
ｋｖとし、ガス圧力を２〜２５ｉＴｏｒｒまで変化させ
、形成したＷ＠の応力を１１−１定したところ第３図に
示すような特性が得られた。
スパッタリング装置によりＳｉＣ膜１膜上２上膜１４を
０．５μｍ堆積させた。スパッタリングの電力は、１
ｋｖとし、ガス圧力を２〜２５ｉＴｏｒｒまで変化させ
、形成したＷ＠の応力を１１−１定したところ第３図に
示すような特性が得られた。
このような種々のガス圧に対して形成されたＷ膜につい
て、形成されたＷ膜の応力の経時変化を大気中に１力月
放置することにより調べたところ、第４図に示すように
Ｗ膜に圧縮応力方向に応力が変化した。その変化量はＡ
ｒ圧力が高い膜程大きくなっているが、５ ｍＴｏｒｒ
以下のＡｒ圧力の下で形成した膜の応力変化量が少なく
なっていることが判明した。このことから、Ｘ線マスク
吸収体薄膜トして適した薄膜のスパッタリング条件は、
電力１ｋｖ、Ａｒガス圧５ ａ＋Ｔｏｒｒ以下とすると
よい。
て、形成されたＷ膜の応力の経時変化を大気中に１力月
放置することにより調べたところ、第４図に示すように
Ｗ膜に圧縮応力方向に応力が変化した。その変化量はＡ
ｒ圧力が高い膜程大きくなっているが、５ ｍＴｏｒｒ
以下のＡｒ圧力の下で形成した膜の応力変化量が少なく
なっていることが判明した。このことから、Ｘ線マスク
吸収体薄膜トして適した薄膜のスパッタリング条件は、
電力１ｋｖ、Ａｒガス圧５ ａ＋Ｔｏｒｒ以下とすると
よい。
次に、第３図に示した各条件の下で形成されたＷ膜に対
しＮ２雰囲気中で２００℃、１時間の熱処理を行った結
果を第５図に示す。全ての膜について応力が引張り側に
変化するが、Ａｒ圧力の高い領域で形成した膜の応力変
化が大きいことが判明した。
しＮ２雰囲気中で２００℃、１時間の熱処理を行った結
果を第５図に示す。全ての膜について応力が引張り側に
変化するが、Ａｒ圧力の高い領域で形成した膜の応力変
化が大きいことが判明した。
これより、Ｘ線マスク用Ｘ線吸収体薄膜として経時変化
が小さく、パターニングの際の熱］二程の下で安定な応
力を有するＸ線吸収体薄膜を得るためには、第４図及び
第５図よりＡｒ圧力の小さい領域で形成した薄膜でなけ
ればならない。しかし、これらの応力の変化量は、スパ
ッタ中のＡ「ガス圧のみならず電力にも依存する。そこ
で、種々のスパッタ条件の下で実験を行ない如ｒｉｉＴ
なるＷ膜であれば、経時変化のない、熱的にも安定な膜
が得られるかを調べたところ、Ｗ膜の密度の大きな膜（
少なくともバルクＷ膜の９５％以上の密度を有す）であ
れば上記条件を満足する膜であることを見出した。しか
し、これらのＷ膜は第３図に示す如く、応力が圧縮応力
から引張り応力へと急峻に変化しているため、僅かのＡ
ｒガス圧の変動で得られるＷ膜の応力が大きく変化して
しまい、Ｘ線吸収体薄膜として満足するＩ Ｘ １０８
ｄｙｎ ／ｃｄ以下という応力を再現性良く得ることは
極めて困難であることが判った。
が小さく、パターニングの際の熱］二程の下で安定な応
力を有するＸ線吸収体薄膜を得るためには、第４図及び
第５図よりＡｒ圧力の小さい領域で形成した薄膜でなけ
ればならない。しかし、これらの応力の変化量は、スパ
ッタ中のＡ「ガス圧のみならず電力にも依存する。そこ
で、種々のスパッタ条件の下で実験を行ない如ｒｉｉＴ
なるＷ膜であれば、経時変化のない、熱的にも安定な膜
が得られるかを調べたところ、Ｗ膜の密度の大きな膜（
少なくともバルクＷ膜の９５％以上の密度を有す）であ
れば上記条件を満足する膜であることを見出した。しか
し、これらのＷ膜は第３図に示す如く、応力が圧縮応力
から引張り応力へと急峻に変化しているため、僅かのＡ
ｒガス圧の変動で得られるＷ膜の応力が大きく変化して
しまい、Ｘ線吸収体薄膜として満足するＩ Ｘ １０８
ｄｙｎ ／ｃｄ以下という応力を再現性良く得ることは
極めて困難であることが判った。
そこで、これらの応力の低応力化を行なうために、さら
に種々の実験を重ねたところ、 Ｎｅ。
に種々の実験を重ねたところ、 Ｎｅ。
Ｓｉ、Ｋｒ又はＸｅをイオン注入することにより、Ｗ膜
の応力を低応力化可能であることを見出した。
の応力を低応力化可能であることを見出した。
スパッタリングの条件として、電力ＩＫＷ、Ａｒガス圧
３ ｍＴｏｒｒの下で形成したＷ膜（応カニ引っ張り応
力で９ Ｘ １０８ｄｙｎ ／ｄ、密度１８．５ｇ／ｃ
＋＆ （バルクＷ膜の９５．６％にｍ５））にＳｉをエ
ネルギー］ ７０ ＫｅｙＳＮｃを１００ ＫｃＶＳＫ
ｒを３４０ Ｋ ｅＶＩＸ ｅを５００ＫｅＶでイオ
ン注入したところ、第２図に示す様に、４種のイオン種
す−べてに対して応力の低減化が実現できた。しかしな
がら、イオン注入したＷ膜の応力の熱的安定性を見るた
めに、Ｎ２雰囲気中で２００℃１時間アニールを行なっ
たところＳｔをイオン注入したＷ膜は５ Ｘ １０８ｄ
ｙｎ ／ｃ−もの応力変化を引張り応力方向に示し、ま
た、Ｎｅの場合も４Ｘ１０８ｄｙｎ／ｃｍ２もの応力変
化をやはり引張り応力方向に示し、応力の熱的安定性が
悪いことが判明した。
３ ｍＴｏｒｒの下で形成したＷ膜（応カニ引っ張り応
力で９ Ｘ １０８ｄｙｎ ／ｄ、密度１８．５ｇ／ｃ
＋＆ （バルクＷ膜の９５．６％にｍ５））にＳｉをエ
ネルギー］ ７０ ＫｅｙＳＮｃを１００ ＫｃＶＳＫ
ｒを３４０ Ｋ ｅＶＩＸ ｅを５００ＫｅＶでイオ
ン注入したところ、第２図に示す様に、４種のイオン種
す−べてに対して応力の低減化が実現できた。しかしな
がら、イオン注入したＷ膜の応力の熱的安定性を見るた
めに、Ｎ２雰囲気中で２００℃１時間アニールを行なっ
たところＳｔをイオン注入したＷ膜は５ Ｘ １０８ｄ
ｙｎ ／ｃ−もの応力変化を引張り応力方向に示し、ま
た、Ｎｅの場合も４Ｘ１０８ｄｙｎ／ｃｍ２もの応力変
化をやはり引張り応力方向に示し、応力の熱的安定性が
悪いことが判明した。
方、Ｋ「又はＸｅをイオン注入したＷ膜は、アニル後の
応力変化かいずれもＩ Ｘ １０” ｄｙｎ ｌｃｄ以
下で非常に安定な応力を示していることが判った。また
、応力の経時変化を測定したところ、ＳＬをイオンｌ＋
Ｘ人したＷ膜は１ケ月後の応力が、２Ｘ １０’ ｄｙ
ｎ ／ｃ−の応力変化を圧縮応力方向に示し、Ｎｏをイ
オン注入したＷ膜はＩ Ｘ １０８ｄｙｎ／ ｃｄの応
力変化を示したのに対してに「又はＸｅをイオン注入し
たＷ膜は全く経時変化を示さなかった。 従って、第１
図（Ｃ）に示すように、Ｘ線吸収体薄膜の形成として、
スパッタリング注によりＡｒガス圧３ｍＴｏｒｒ 、
電力ＩＫＷのドで密度１８゜５ｇ／ｃｍ３のＷ膜１４を
形成した。形成したＷ膜１４上にＫ「のイオン注入１５
を行なった。イオン注入の条件は加速電圧３４０ＫｅＶ
にて、ドーズ量５ ｘ １０１５ａＬｓｓ ／ｃ４テあ
る。コレヨリ、Ｗ膜の応力がイオン注入する前では８Ｘ
１０８ｄｙｎ／ｃｍ２の引張り応力であったものが、イ
オン注入１５により圧縮応力で４Ｘ１０７ｄｙｎ／ｃ−
の低応力のものが得られた。続いて、ＨＦ／ＨＮＯ３の
混合溶液により、ＳｉＣ膜１３の開口部をマスクとして
Ｓｔ基板１１の裏面エツチングを行なった。
応力変化かいずれもＩ Ｘ １０” ｄｙｎ ｌｃｄ以
下で非常に安定な応力を示していることが判った。また
、応力の経時変化を測定したところ、ＳＬをイオンｌ＋
Ｘ人したＷ膜は１ケ月後の応力が、２Ｘ １０’ ｄｙ
ｎ ／ｃ−の応力変化を圧縮応力方向に示し、Ｎｏをイ
オン注入したＷ膜はＩ Ｘ １０８ｄｙｎ／ ｃｄの応
力変化を示したのに対してに「又はＸｅをイオン注入し
たＷ膜は全く経時変化を示さなかった。 従って、第１
図（Ｃ）に示すように、Ｘ線吸収体薄膜の形成として、
スパッタリング注によりＡｒガス圧３ｍＴｏｒｒ 、
電力ＩＫＷのドで密度１８゜５ｇ／ｃｍ３のＷ膜１４を
形成した。形成したＷ膜１４上にＫ「のイオン注入１５
を行なった。イオン注入の条件は加速電圧３４０ＫｅＶ
にて、ドーズ量５ ｘ １０１５ａＬｓｓ ／ｃ４テあ
る。コレヨリ、Ｗ膜の応力がイオン注入する前では８Ｘ
１０８ｄｙｎ／ｃｍ２の引張り応力であったものが、イ
オン注入１５により圧縮応力で４Ｘ１０７ｄｙｎ／ｃ−
の低応力のものが得られた。続いて、ＨＦ／ＨＮＯ３の
混合溶液により、ＳｉＣ膜１３の開口部をマスクとして
Ｓｔ基板１１の裏面エツチングを行なった。
次いで、第１図（ｄ）に示す如く、Ｗ膜１４上に電子ビ
ームレジスト１６として膜厚０．６μｍのＣＭＳ （ク
ロロメチル化ポリスチレン）を塗布し、Ｎ２雰囲気中１
５０℃にてベーキングすることにより電子ビームレジス
ト１６中の溶媒を除去した後、加速電圧５０ＫｅＶの可
変成形ビームを用いた電子ビームリソグラフィによりド
ーズｆｆ１ｌ’５０μＣ／ｃｄにてレジスト１６を！７
５画して所望のパターン（最小線幅０．２μｍ）を形成
した。
ームレジスト１６として膜厚０．６μｍのＣＭＳ （ク
ロロメチル化ポリスチレン）を塗布し、Ｎ２雰囲気中１
５０℃にてベーキングすることにより電子ビームレジス
ト１６中の溶媒を除去した後、加速電圧５０ＫｅＶの可
変成形ビームを用いた電子ビームリソグラフィによりド
ーズｆｆ１ｌ’５０μＣ／ｃｄにてレジスト１６を！７
５画して所望のパターン（最小線幅０．２μｍ）を形成
した。
次いで、第１図（ｅ）に示すように、ＥＣＲ型プラズマ
エッチングによりＳＦ６＋１０％０２．ガス圧力５ Ｘ
１０１４Ｔｏｒｒ 、マイクロ波パワー２゜ＯＷで、
レジスト１６をマスクとしてＷＭ１４を異方性エツチン
グによりパターニングした。
エッチングによりＳＦ６＋１０％０２．ガス圧力５ Ｘ
１０１４Ｔｏｒｒ 、マイクロ波パワー２゜ＯＷで、
レジスト１６をマスクとしてＷＭ１４を異方性エツチン
グによりパターニングした。
以上の工程により形成したＸ線マスクを評価するため、
Ｘ線マスク中の面内パターンの位置ずれを測定した。測
定領域は１０Ｘ１０Ｘ１０におけるマスク中の特定パタ
ーンの電子ビーム描画により形成したレジストパターン
とバターニング後のＷ膜のパターンとの位置ずれを測定
することにより評価したところ０．０２μｍ（３σ）と
十分小さい値であった。
Ｘ線マスク中の面内パターンの位置ずれを測定した。測
定領域は１０Ｘ１０Ｘ１０におけるマスク中の特定パタ
ーンの電子ビーム描画により形成したレジストパターン
とバターニング後のＷ膜のパターンとの位置ずれを測定
することにより評価したところ０．０２μｍ（３σ）と
十分小さい値であった。
本発明者等の実験によれば、上記マスクを通して１μｍ
厚のＰＭＭＡレジストをＳＯＲ光により露光・現像し、
０．２μｍの微細パターンが形成されたのを確認した。
厚のＰＭＭＡレジストをＳＯＲ光により露光・現像し、
０．２μｍの微細パターンが形成されたのを確認した。
また、ＳＯＲ光の長時間照射によるＸ線マスクの耐久試
験を行なったところ約 ２０ Ｍｊ／ ｃｍ” ノ照射
ドース量ニ対して、ＳＯＲ光による劣化、ダメージは観
察されなかった。
験を行なったところ約 ２０ Ｍｊ／ ｃｍ” ノ照射
ドース量ニ対して、ＳＯＲ光による劣化、ダメージは観
察されなかった。
ここで重要なことは、イオン注入によりＷ膜の応力を低
減することが可能であるが、後工程によりＷ膜の応力が
僅かであるが引張り方向に変化することである。本発明
者等の実験によれば、密度が１６．３ｇ／ｃ＋ｎ３以上
のＷ膜にＫｒ又はＸａイオンを注入したのち、このＷ膜
を加工するために電子ビームレジストを塗布し、Ｎ２雰
囲気中（例えば１−５０℃）でベーキングすると、いず
れのイオン種も応力が引張り側にＩ Ｘ １０８ｄｙｎ
／ｃｄ変化することが判明している。このため、Ｋ「
又はＸ８イオン注入時の圧縮応力を２ｘｌＯ８ｄｙｎ／
Ｃ−とすれば最終的な内部応力（圧縮応力）は１×１０
８ｄｙｎ／Ｃ−となり、Ｋｒ又はＸｅイオン注入時の圧
縮応力をＯとすれば最終的な内部応力（引張応力）はＩ
Ｘ １０８ｄｙｎ ／ｃ−となる。
減することが可能であるが、後工程によりＷ膜の応力が
僅かであるが引張り方向に変化することである。本発明
者等の実験によれば、密度が１６．３ｇ／ｃ＋ｎ３以上
のＷ膜にＫｒ又はＸａイオンを注入したのち、このＷ膜
を加工するために電子ビームレジストを塗布し、Ｎ２雰
囲気中（例えば１−５０℃）でベーキングすると、いず
れのイオン種も応力が引張り側にＩ Ｘ １０８ｄｙｎ
／ｃｄ変化することが判明している。このため、Ｋ「
又はＸ８イオン注入時の圧縮応力を２ｘｌＯ８ｄｙｎ／
Ｃ−とすれば最終的な内部応力（圧縮応力）は１×１０
８ｄｙｎ／Ｃ−となり、Ｋｒ又はＸｅイオン注入時の圧
縮応力をＯとすれば最終的な内部応力（引張応力）はＩ
Ｘ １０８ｄｙｎ ／ｃ−となる。
従って、Ｋ「又はＸｅイオンの注入により、Ｗ膜の応力
を圧縮応力でその絶対値が２Ｘ１０８ｄｙｎ／ｃＪ以下
に制御すれば、最終的な内部応力（圧縮及び引張り応力
）をＩ Ｘ １．０８ｄｙｎ ／ｃ−以下の極めて小さ
い値にすることができる。このように、後工程で生じる
応力（引張り方向）を見越して予めイオン注入する方法
により、最終的には絶対値の小さい応力を有するＷ膜を
形成するプロセスが有効である。
を圧縮応力でその絶対値が２Ｘ１０８ｄｙｎ／ｃＪ以下
に制御すれば、最終的な内部応力（圧縮及び引張り応力
）をＩ Ｘ １．０８ｄｙｎ ／ｃ−以下の極めて小さ
い値にすることができる。このように、後工程で生じる
応力（引張り方向）を見越して予めイオン注入する方法
により、最終的には絶対値の小さい応力を有するＷ膜を
形成するプロセスが有効である。
なお、Ｋｒ又はＸｅイオンのみならず、Ａｒイオンでも
よい。
よい。
〈実施例２〉
次に、本発明の第２の実施例について図面を参照しつつ
、詳細に説明する。
、詳細に説明する。
第６図（ａ＞乃至第６図（ｒ）は本発明の第２の実施例
のＸ線露光用マスクの製造工程を示す図である。
のＸ線露光用マスクの製造工程を示す図である。
この工程では、Ｘ線吸収体薄膜としてのＷ膜にクリプト
ン（Ｋｒ）をイオン注入し、応力をほとんど変化させる
ことなく表面層を非晶質化するようにしたことを特徴と
している。
ン（Ｋｒ）をイオン注入し、応力をほとんど変化させる
ことなく表面層を非晶質化するようにしたことを特徴と
している。
このＸ線露光用マスクは、シリコン裁板２１と、このシ
リコン基板表面および裏面の一部に形成された厚さ１μ
ｍの炭化シリコン膜からなるＸ線透過膜２２．２３と、
このＸ線透過膜２２上に形成され、表面が非晶質化され
たＸ線吸収体パターン２４とから構成されている。そし
てこのＸ線露光用マスクは、該シリコン基板の対向面側
からこのＸ線露光用マスクを介して、このシリコン基板
１のＸ線吸収体膜パターン形成面側に設置されたＰＭＭ
Ａ等のレジストを塗布してなるシリコンウェハ上に、Ｓ
Ｒ光を照射しパターン転写を行うのに用いられるもので
ある。
リコン基板表面および裏面の一部に形成された厚さ１μ
ｍの炭化シリコン膜からなるＸ線透過膜２２．２３と、
このＸ線透過膜２２上に形成され、表面が非晶質化され
たＸ線吸収体パターン２４とから構成されている。そし
てこのＸ線露光用マスクは、該シリコン基板の対向面側
からこのＸ線露光用マスクを介して、このシリコン基板
１のＸ線吸収体膜パターン形成面側に設置されたＰＭＭ
Ａ等のレジストを塗布してなるシリコンウェハ上に、Ｓ
Ｒ光を照射しパターン転写を行うのに用いられるもので
ある。
次に、このＸ線露光用マスクの製造工程について説明す
る。
る。
まず、前処理として高周波加熱方式のＬＰＣＶＤ装置を
用い、グラファイト表面にＳｉＣをコーティングしたサ
セプタ上に支持体として面方位（１１１）のシリコン基
板２１を設置し、１１００℃に加熱しＨＣ１ガスを導入
して気相エツチングを行い、シリコン基板上に存在する
自然酸化膜および重金属類の汚染物を除去する。
用い、グラファイト表面にＳｉＣをコーティングしたサ
セプタ上に支持体として面方位（１１１）のシリコン基
板２１を設置し、１１００℃に加熱しＨＣ１ガスを導入
して気相エツチングを行い、シリコン基板上に存在する
自然酸化膜および重金属類の汚染物を除去する。
次に、反応性ガスとしてのトリクロロシラン（Ｓ ｉ
ＨＣｌａ ）およびプロパン（Ｃ３Ｈａ ）と、キャリ
アガスとしての水素（Ｈ２）を導入し、基板温度１１０
０℃で膜厚２μｍのＳｉＣ膜２２を堆積する。
ＨＣｌａ ）およびプロパン（Ｃ３Ｈａ ）と、キャリ
アガスとしての水素（Ｈ２）を導入し、基板温度１１０
０℃で膜厚２μｍのＳｉＣ膜２２を堆積する。
続いて、同様にしてシリコン基板２１の裏面に膜厚０．
５μｍのＳｉＣ膜２３を堆積させた後、通常のフォトリ
ソグラフィ技術によりＳｉＣ膜２３の中央部に２０１１
Ｉｌφ開口部を形成する（第６図（ａ） ）。
５μｍのＳｉＣ膜２３を堆積させた後、通常のフォトリ
ソグラフィ技術によりＳｉＣ膜２３の中央部に２０１１
Ｉｌφ開口部を形成する（第６図（ａ） ）。
次に、第６図（ｂ）に示すごとく、マグネトロンＤＣス
パッタリング装置を用いてＳｉＣ膜２膜上２上厚０．５
μｍのタングステン膜２４を堆積した。このときのスパ
ッタリング電力はｌｋｗ、ガス圧力は密度の大きいＷ膜
を形成できる低圧力側で応力がゼロとなる３ ｏ＋Ｔｏ
ｒｒとした。このようにして形成されるタングステン膜
の応力は２ ｘ １０＋８ｄｙｎ／ｃ−であった。
パッタリング装置を用いてＳｉＣ膜２膜上２上厚０．５
μｍのタングステン膜２４を堆積した。このときのスパ
ッタリング電力はｌｋｗ、ガス圧力は密度の大きいＷ膜
を形成できる低圧力側で応力がゼロとなる３ ｏ＋Ｔｏ
ｒｒとした。このようにして形成されるタングステン膜
の応力は２ ｘ １０＋８ｄｙｎ／ｃ−であった。
続いて、第６図（Ｃ）に示すように、クリプトン２５を
エネルギー１８０ｋｅＶで、ドーズ量２×１０１５ａｔ
ｏｍｓ／ｃｄとなるようにタングステン膜２４内にイオ
ン注入し表面に気体進入防止層２４ｓを形成する。この
ときのＫｒのＷ膜内での濃度分布のピークは表面から２
５０人と極めて表面に近いので、応力をほとんど変化さ
せることなく表面層を非晶質化することができる。また
、逆にイオン注入により応力を変化させたい場合は、濃
度ピークの位置をより深いところに設定するようにすれ
ば良い。
エネルギー１８０ｋｅＶで、ドーズ量２×１０１５ａｔ
ｏｍｓ／ｃｄとなるようにタングステン膜２４内にイオ
ン注入し表面に気体進入防止層２４ｓを形成する。この
ときのＫｒのＷ膜内での濃度分布のピークは表面から２
５０人と極めて表面に近いので、応力をほとんど変化さ
せることなく表面層を非晶質化することができる。また
、逆にイオン注入により応力を変化させたい場合は、濃
度ピークの位置をより深いところに設定するようにすれ
ば良い。
この後、第６図（ｄ）に示すごと＜、ＨＦ／ＨＮＯ３の
混合液を用いて５ｉＣ２３の開口部をマスクとしてシリ
コン基板２１の裏面エツチングを行う。
混合液を用いて５ｉＣ２３の開口部をマスクとしてシリ
コン基板２１の裏面エツチングを行う。
次に、第６図（ｅ）に示すように、Ｗ膜２４上に電子ビ
ームレジスト２６として膜厚０．６μｍのＣＭＳ （ク
ロロメチル化ポリスチレン）を塗布し、１５０℃のＮ２
雰囲気中でベーキングすることにより電子ビームレジス
ト２６中の溶媒を除去した後、電子ビーム描画装置によ
り露光し所望のパターンを形成する。
ームレジスト２６として膜厚０．６μｍのＣＭＳ （ク
ロロメチル化ポリスチレン）を塗布し、１５０℃のＮ２
雰囲気中でベーキングすることにより電子ビームレジス
ト２６中の溶媒を除去した後、電子ビーム描画装置によ
り露光し所望のパターンを形成する。
このようにしてパターン形成した電子ビームレジスト２
６をマスクとして、ＥＣＲ型プラズマエッチング装置を
用い、ＳＦ６＋１０％０２をエツチングガスとし、ガス
圧力５麿Ｔｏｒｒｓマイクロ波パワー２００Ｗで反応性
イオンエツチングにより、第６図（ｆ’）に示すように
、前記タングステン膜２４をパターニングし、線幅０．
２μｍのライン及スペースの微細Ｘ線吸収体パターンが
形成される。
６をマスクとして、ＥＣＲ型プラズマエッチング装置を
用い、ＳＦ６＋１０％０２をエツチングガスとし、ガス
圧力５麿Ｔｏｒｒｓマイクロ波パワー２００Ｗで反応性
イオンエツチングにより、第６図（ｆ’）に示すように
、前記タングステン膜２４をパターニングし、線幅０．
２μｍのライン及スペースの微細Ｘ線吸収体パターンが
形成される。
この後、第６図（ｇ）に示すように、Ｘ線露光用マスク
をｌ ｒ、ｐ、ｍで回転させながら、Ｗ膜パターン２４
の側壁にに「を入射角１０度、エネルギー１８０ｋｅＶ
で、ドーズＩｊｋ２ Ｘ １０１５ａｔｏｍｓ／Ｃ−と
なるように斜めイオン注入した。これはパタニング後の
Ｘ線吸収体パターンの側壁に気体進入防止層形成するた
めである。この際、パターン側壁のみならず表面にも同
様にに「がイオン注入されるため、前記第６図（Ｃ）で
説明した工程は必ずしもおこなわなくてもよい。
をｌ ｒ、ｐ、ｍで回転させながら、Ｗ膜パターン２４
の側壁にに「を入射角１０度、エネルギー１８０ｋｅＶ
で、ドーズＩｊｋ２ Ｘ １０１５ａｔｏｍｓ／Ｃ−と
なるように斜めイオン注入した。これはパタニング後の
Ｘ線吸収体パターンの側壁に気体進入防止層形成するた
めである。この際、パターン側壁のみならず表面にも同
様にに「がイオン注入されるため、前記第６図（Ｃ）で
説明した工程は必ずしもおこなわなくてもよい。
このようにして形成したＸ線マスクの面内パターンの位
置ずれを、測定領域２０１ｆｆｉ×２０１Ｗ１１におけ
るマスク中の特定パターンについて、電子ビーム描画に
より形成したレジストパターンとパターニング後のタン
グステン膜との位置ずれを、光波式ｆｉｌｌ長装置で測
定した結果、０．０２μｍ＜３σ）と十分に小さい値で
あった。
置ずれを、測定領域２０１ｆｆｉ×２０１Ｗ１１におけ
るマスク中の特定パターンについて、電子ビーム描画に
より形成したレジストパターンとパターニング後のタン
グステン膜との位置ずれを、光波式ｆｉｌｌ長装置で測
定した結果、０．０２μｍ＜３σ）と十分に小さい値で
あった。
さらにこのＸ線露光用マスクを、大気中に６ケ月間放置
した後のパターン位置と、製造直後のパターン位置とを
前記光波式測長装置で測定し比較した結果、位置ずれは
全く検出されなかった。
した後のパターン位置と、製造直後のパターン位置とを
前記光波式測長装置で測定し比較した結果、位置ずれは
全く検出されなかった。
また、このＸ線露光用マスクを用い、膜厚１μｍのレジ
スト（ＰＭＭＡ）を塗布したシリコンウェハを３０μｍ
離間した位置でＳＯＲ光により露光した結果、線幅０．
２μｍのライン及スペースのＰＭＭＡレジストパターン
が、コントラストよくかつ高位置精度で形成された。ま
た、ＳＯＲ光の長時間照射によるＸ線マスクの耐久試験
を行ったところ、２０ＭＪ／ｃｓ ２の照射量に対して
ＳＯＲ光による劣化、ダメージは観察されなかった。
スト（ＰＭＭＡ）を塗布したシリコンウェハを３０μｍ
離間した位置でＳＯＲ光により露光した結果、線幅０．
２μｍのライン及スペースのＰＭＭＡレジストパターン
が、コントラストよくかつ高位置精度で形成された。ま
た、ＳＯＲ光の長時間照射によるＸ線マスクの耐久試験
を行ったところ、２０ＭＪ／ｃｓ ２の照射量に対して
ＳＯＲ光による劣化、ダメージは観察されなかった。
このように、本発明実施例のＸ線露光用マスクは、極め
て高精度で安定となっている。
て高精度で安定となっている。
第７図に、このＸ線吸収体パターンの応力と形成後経過
時間との関係を曲線ａで示す。この曲線からもわかるよ
うに、時間の経過に対してほとんど変化はないことがわ
かった。比較のために、Ｘ線吸収体パターンをタングス
テン膜で構成し、イオン注入を行わない場合の、Ｘ線吸
収体パターンの応力と形成後経過時間との関係を曲線す
に示す。
時間との関係を曲線ａで示す。この曲線からもわかるよ
うに、時間の経過に対してほとんど変化はないことがわ
かった。比較のために、Ｘ線吸収体パターンをタングス
テン膜で構成し、イオン注入を行わない場合の、Ｘ線吸
収体パターンの応力と形成後経過時間との関係を曲線す
に示す。
これらの比較からも、本発明実施例のＸ線露光用マスク
は極めて安定であることがわかる。
は極めて安定であることがわかる。
これは、スパッタリングにより形成したＷ膜は柱状結晶
粒で構成されているため、結晶粒界面の隙間を通ってＷ
ｓ内部にガス吸着や酸化が進むためと考えられ、イオン
注入を行わなかった膜は圧縮応力方向に応力変化を起こ
してしまっている。
粒で構成されているため、結晶粒界面の隙間を通ってＷ
ｓ内部にガス吸着や酸化が進むためと考えられ、イオン
注入を行わなかった膜は圧縮応力方向に応力変化を起こ
してしまっている。
これに対し、イオン注入により表面を非晶質化したＷ膜
は、結晶粒界面の隙間がなくなっているため安定な応力
を有するのである。
は、結晶粒界面の隙間がなくなっているため安定な応力
を有するのである。
なお、前記実施例では、タングステン膜に対し、バター
ニング前と後との両方でイオン注入を行うようにしたが
いずれか一方のみでもよい。
ニング前と後との両方でイオン注入を行うようにしたが
いずれか一方のみでもよい。
〈実施例３〉
次に、本発明の第３の実施例について説明する。
この例では、Ｘ線吸収膜のバターニングに際し、エツチ
ングガスに、所望のガスを混入せしめることにより、側
壁にも気体進入防止膜が形成されるようにしたものであ
る。
ングガスに、所望のガスを混入せしめることにより、側
壁にも気体進入防止膜が形成されるようにしたものであ
る。
まず、第８図（ａ）に示すように、実施例１の場合と同
様にして、シリコン基板３１の表面および裏面にＳｉＣ
膜３２．３３を堆積させた後、通常のフォトリソグラフ
ィ技術によりＳｉＣ膜３３の中央部に開口部を形成し、
さらに表面側のＳｉＣ膜３３表面にＷ膜３４を堆積する
。
様にして、シリコン基板３１の表面および裏面にＳｉＣ
膜３２．３３を堆積させた後、通常のフォトリソグラフ
ィ技術によりＳｉＣ膜３３の中央部に開口部を形成し、
さらに表面側のＳｉＣ膜３３表面にＷ膜３４を堆積する
。
次に、第８図（ｂ）に示すごとく、実施例１と同様にし
てクリプトンをエネルギー１８０ｋｅＶで、ドーズｊｉ
２ Ｘ １０１５ａｔｏ１Ｍｓ／ｃ−となるようニタン
グステン膜３４内にイオン注入し表面に気体進入防止層
３４ｓを形成する。
てクリプトンをエネルギー１８０ｋｅＶで、ドーズｊｉ
２ Ｘ １０１５ａｔｏ１Ｍｓ／ｃ−となるようニタン
グステン膜３４内にイオン注入し表面に気体進入防止層
３４ｓを形成する。
この後、第８図（ｃ）に示すごと＜、ＨＦ／ＨＮＯ３の
混合液を用いて５ｉＣ３３の開口部をマスクとして同様
にシリ・フン基板３１の裏面エツチングを行う。
混合液を用いて５ｉＣ３３の開口部をマスクとして同様
にシリ・フン基板３１の裏面エツチングを行う。
次に、第８図（ｄ）に示すように、Ｗ膜３４上に電子ビ
ームレジスト３６として膜厚０，６μｍのＣＭＳ （ク
ロロメチル化ポリスチレン）を塗布し、１５０℃のＮ２
雰囲気中でベーキングすることにより電子ビームレジス
ト３６中の溶媒を除去した後、電子ビーム描画装置によ
り露光し所望のパターンを形成する。
ームレジスト３６として膜厚０，６μｍのＣＭＳ （ク
ロロメチル化ポリスチレン）を塗布し、１５０℃のＮ２
雰囲気中でベーキングすることにより電子ビームレジス
ト３６中の溶媒を除去した後、電子ビーム描画装置によ
り露光し所望のパターンを形成する。
このようにしてパターン形成した電子ビームレジスト３
６をマスクとして、ＥＣＲ型プラズマエッチング装置を
用い、ＳＦ６＋ＩＯ％０２＋ｌＯ％ＣＣｌ４をエツチン
グガスとし、ガス圧力５ ｏ＋Ｔｏｒｒ、マイクロ波パ
ワー２００Ｗで反応性イオンエツチングにより、第８図
（ｅ）に示すように、前記タングステン膜３４をパター
ニングし、線幅０．２μｍのライン及スペースの微細Ｘ
線吸収体パターンが形成される。このとき、エツチング
ガス中に混入せしめた炭素系化合物により、Ｗ膜３４の
側壁に炭素を主成分とする気体進入防止膜３７か形成さ
れる。
６をマスクとして、ＥＣＲ型プラズマエッチング装置を
用い、ＳＦ６＋ＩＯ％０２＋ｌＯ％ＣＣｌ４をエツチン
グガスとし、ガス圧力５ ｏ＋Ｔｏｒｒ、マイクロ波パ
ワー２００Ｗで反応性イオンエツチングにより、第８図
（ｅ）に示すように、前記タングステン膜３４をパター
ニングし、線幅０．２μｍのライン及スペースの微細Ｘ
線吸収体パターンが形成される。このとき、エツチング
ガス中に混入せしめた炭素系化合物により、Ｗ膜３４の
側壁に炭素を主成分とする気体進入防止膜３７か形成さ
れる。
このようにして形成したＸ線マスクの面内パターンの位
置ずれを、測定領域２０ｓｍｘ２０ｍｎ＋におけるマス
ク中の特定パターンについて、電子ビーム描画により形
成したレジストパターンとパターニング後のタングステ
ン膜との位置ずれを、光波式測長装置で測定した結果、
０．０１μｍ（３σ）と十分に小さい値であった。
置ずれを、測定領域２０ｓｍｘ２０ｍｎ＋におけるマス
ク中の特定パターンについて、電子ビーム描画により形
成したレジストパターンとパターニング後のタングステ
ン膜との位置ずれを、光波式測長装置で測定した結果、
０．０１μｍ（３σ）と十分に小さい値であった。
さらにこのＸ線露光用マスクを、大気中に６ケ月間放置
した後のパターン位置と、製造直後のパターン位置とを
前記光波式測長装置で測定し比較した結果、位置ずれは
全く検出されなかった。
した後のパターン位置と、製造直後のパターン位置とを
前記光波式測長装置で測定し比較した結果、位置ずれは
全く検出されなかった。
このように、本発明の第３の実施例のＸ線露光用マスク
は、極めて高精度で安定となっている。
は、極めて高精度で安定となっている。
なお、この例では、Ｗ膜のエツチング時に形成する膜と
しては、炭素を主成分とするものに限定されることなく
、Ｗの窒化物、５ｉ０２等、基体の進入を防止するよう
な膜であればよい。従ってエツチングガスに混入せしめ
るガスとしては、ＣＣｌ４の他窒素等でも良い。
しては、炭素を主成分とするものに限定されることなく
、Ｗの窒化物、５ｉ０２等、基体の進入を防止するよう
な膜であればよい。従ってエツチングガスに混入せしめ
るガスとしては、ＣＣｌ４の他窒素等でも良い。
〈実施例４〉
次に本発明の第４の実施例について説明する。
この方法では、ＸＭ吸収膜のパターニング後に、Ｋ「の
プラズマドーピングを行い、パターン側壁にも気体進入
防止膜が形成されるようにしたものである。
プラズマドーピングを行い、パターン側壁にも気体進入
防止膜が形成されるようにしたものである。
第９図（ａ）乃至第９図（ｄ）に示すように第８図（ａ
）乃至第８図（ｄ）に示した実施例３の工程と金く同様
にして、シリコン基板４１の表面および裏面にＳｉＣ膜
４２．４３を堆積させた後、通常のフォトリングラフィ
技術によりＳｉＣ膜４３の中央部に開口部を形成し、さ
らに表面側のＳｉＣ膜４３表面にＷ膜４４を堆積する。
）乃至第８図（ｄ）に示した実施例３の工程と金く同様
にして、シリコン基板４１の表面および裏面にＳｉＣ膜
４２．４３を堆積させた後、通常のフォトリングラフィ
技術によりＳｉＣ膜４３の中央部に開口部を形成し、さ
らに表面側のＳｉＣ膜４３表面にＷ膜４４を堆積する。
そしてクリプトンイオンをＷ膜４４内にイオン注入し表
面に気体進入防止層４４ｓを形成し、この後裏面側のＳ
ｉＣ膜４３の開口部をマスクとして同様にシリコン基板
４１の裏面エツチングを行う。そしてさらに、Ｗ膜４４
上に電子ビームレジスト４６のパターンを形成する。
面に気体進入防止層４４ｓを形成し、この後裏面側のＳ
ｉＣ膜４３の開口部をマスクとして同様にシリコン基板
４１の裏面エツチングを行う。そしてさらに、Ｗ膜４４
上に電子ビームレジスト４６のパターンを形成する。
このようにしてパターン形成した電子ビームレジスト４
６をマスクとして、ＥＣＲ型プラズマエッチング装置を
用い、ＳＦ６＋１０％０２をエツチングガスとし、ガス
圧力５ ｍＴｏｒｒ 、マイクロ波パワー２００Ｗで反
応性イオンエツチングにより、Ｉｆｉ９図（ｅ）に示す
ように、前記タングステン膜４４をパターニングし、線
幅０．２μｍのライン及スペースの微細Ｘ線吸収体パタ
ーンが形成される。
６をマスクとして、ＥＣＲ型プラズマエッチング装置を
用い、ＳＦ６＋１０％０２をエツチングガスとし、ガス
圧力５ ｍＴｏｒｒ 、マイクロ波パワー２００Ｗで反
応性イオンエツチングにより、Ｉｆｉ９図（ｅ）に示す
ように、前記タングステン膜４４をパターニングし、線
幅０．２μｍのライン及スペースの微細Ｘ線吸収体パタ
ーンが形成される。
この後第９図（ｆ）に示すように、マイクロ波ＥＣＲ法
によりＷパターン４３にに「のプラズマドーピングを行
い、Ｗパターン４３表面に気体進入防止膜４７を形成す
る。ここで導入ガスは１００％に「ガス、真空度は０．
５ｍｍＴｏｒｒ ＳＥ ＣＲ加速電圧は５００ｖとし、
１００秒間ドーピングを続行した。
によりＷパターン４３にに「のプラズマドーピングを行
い、Ｗパターン４３表面に気体進入防止膜４７を形成す
る。ここで導入ガスは１００％に「ガス、真空度は０．
５ｍｍＴｏｒｒ ＳＥ ＣＲ加速電圧は５００ｖとし、
１００秒間ドーピングを続行した。
このようにして形成したＸ線マスクの面内パターンの位
置ずれを、前記実施例と同様に、測定領域２０ＩＩＩＩ
Ｉ×２０ＩＩＩＩＩこおけるマスク中の特定パターンに
ついて、電子ビーム描画により形成したレジストパター
ンとパターニング後のタングステン膜との位置ずれを、
光波式測長装置で測定した結果、０．０２μｍ（３σ゛
）と十分に小さい値であった。
置ずれを、前記実施例と同様に、測定領域２０ＩＩＩＩ
Ｉ×２０ＩＩＩＩＩこおけるマスク中の特定パターンに
ついて、電子ビーム描画により形成したレジストパター
ンとパターニング後のタングステン膜との位置ずれを、
光波式測長装置で測定した結果、０．０２μｍ（３σ゛
）と十分に小さい値であった。
さらにこのＸ線露光用マスクを、大気中に６ケ月間放置
した後のパターン位置と、製造直後のパターン位置とを
前記光波式測長装置で測定し比較した結果、位置ずれは
全く検出されなかった。
した後のパターン位置と、製造直後のパターン位置とを
前記光波式測長装置で測定し比較した結果、位置ずれは
全く検出されなかった。
このように、本発明の第４の実施例のＸＩｊ９Ｉ露光用
マスクは、極めて高精度で安定となっている。
マスクは、極めて高精度で安定となっている。
また、ＳＯＲ先の長時間照射による耐久試験についても
実施例１乃至実施例３の場合と同様極めて良好な結果を
得ることができた。
実施例１乃至実施例３の場合と同様極めて良好な結果を
得ることができた。
ここでプラズマドーピングするドーピング物質としてＫ
ｒを用いたが、Ｋ「に限定されること無くＷ膜表面の結
晶粒間の隙間を塞ぐ物質であればよく、他の不活性ガス
、Ｃ，Ｎ、Ｗ等でも有効である。
ｒを用いたが、Ｋ「に限定されること無くＷ膜表面の結
晶粒間の隙間を塞ぐ物質であればよく、他の不活性ガス
、Ｃ，Ｎ、Ｗ等でも有効である。
なお、前記実施例では、マスク基板上に形成されるＸａ
吸収体薄膜としては、Ｗ膜を用いたが、これに限定され
ることなく、金（Ａｕ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデ
ン（Ｍ ｏ ）あるいはこれらの窒化物および酸化物等
でも良い。
吸収体薄膜としては、Ｗ膜を用いたが、これに限定され
ることなく、金（Ａｕ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデ
ン（Ｍ ｏ ）あるいはこれらの窒化物および酸化物等
でも良い。
また、前記実施例では、マスク基板上に形成されるＸ線
透過性の薄膜としては、炭化シリコン膜を用いたが、こ
れに限定されることなく、シリコン、窒化シリコン、窒
化硼素、硼素ドープのシリコン基板などでもよい。
透過性の薄膜としては、炭化シリコン膜を用いたが、こ
れに限定されることなく、シリコン、窒化シリコン、窒
化硼素、硼素ドープのシリコン基板などでもよい。
さらにまた、Ｗ膜の加工方法として、ＣＭＳの単層レジ
ストを用いたが、高解像度を有するＰＭＭＡあるいは化
学増幅因子を含む５ＡＬ６０１などのレジストを用いて
も良い。さらにまた、多層レジストを用いても良い。ま
た、Ｗ膜のエツチングにはＥＣＲプラズマエッチングに
限定されることなく、マグネトロンタイプの反応性イオ
ンエツチングを用いても良い。このとき、基板を冷却す
ることによりエツチング特性を向上させることもできる
。
ストを用いたが、高解像度を有するＰＭＭＡあるいは化
学増幅因子を含む５ＡＬ６０１などのレジストを用いて
も良い。さらにまた、多層レジストを用いても良い。ま
た、Ｗ膜のエツチングにはＥＣＲプラズマエッチングに
限定されることなく、マグネトロンタイプの反応性イオ
ンエツチングを用いても良い。このとき、基板を冷却す
ることによりエツチング特性を向上させることもできる
。
〈実施例５〉
第１０図及び第１１図は本発明の他の実施例方法に係わ
るＸ線マスクの製造方法を説明するためのもので、薄膜
の内部応力制御装置を示す図である。この実施例は、前
記第１図（ｃ）で示したに「又はＸｅのイオン注入の際
イオン注入中にＷｌｌ！１４の内部応力を測定すること
により、所望の内部応力が得られるようにイオン注入量
を制御する方法である。
るＸ線マスクの製造方法を説明するためのもので、薄膜
の内部応力制御装置を示す図である。この実施例は、前
記第１図（ｃ）で示したに「又はＸｅのイオン注入の際
イオン注入中にＷｌｌ！１４の内部応力を測定すること
により、所望の内部応力が得られるようにイオン注入量
を制御する方法である。
第１図（Ｃ）において、スパッタリングによりＡｒガス
圧３ａ＋Ｔｏｒｒ、電力ＩＫＷの下でＷ膜をＳｉＣ膜１
膜上２上積したところＷ膜の応力にばらつきが生じた。
圧３ａ＋Ｔｏｒｒ、電力ＩＫＷの下でＷ膜をＳｉＣ膜１
膜上２上積したところＷ膜の応力にばらつきが生じた。
これは、スパッタ時における冷却基板ホルダーとの密着
性或いはＳｉＣ膜１２の表面形態等種々な要因によるも
のである。得られたＷ膜の応力のばらつきの範囲は、５
×１０８〜１−×１０９ｄｙｎ ／ｃｄの引張り応力で
あった。これらのＷ膜の応力に応じてに「のイオン注入
ドーズ量を変化させＷ膜の応力を所定の応力まで低減さ
せたところ、中にはＸ線吸収体として適応可能な応力（
Ｉ Ｘ １０８ｄｙｎ ／ｃｊ以下の圧縮応力）を満足
しないものが全体の数％生じた。
性或いはＳｉＣ膜１２の表面形態等種々な要因によるも
のである。得られたＷ膜の応力のばらつきの範囲は、５
×１０８〜１−×１０９ｄｙｎ ／ｃｄの引張り応力で
あった。これらのＷ膜の応力に応じてに「のイオン注入
ドーズ量を変化させＷ膜の応力を所定の応力まで低減さ
せたところ、中にはＸ線吸収体として適応可能な応力（
Ｉ Ｘ １０８ｄｙｎ ／ｃｊ以下の圧縮応力）を満足
しないものが全体の数％生じた。
従って、本実施例では、Ｗ膜の初期応力のばらつきに対
して適当なイオンドーズ量を注入することにより全ての
Ｗ＠に対して所望の応力が得られるようにするものであ
る。
して適当なイオンドーズ量を注入することにより全ての
Ｗ＠に対して所望の応力が得られるようにするものであ
る。
即ち本実施例では、第１０図に示したようなイオン注入
装置に、第１１図に示すような回路を付加することによ
り、薄膜の内部応力制御装置を構成した。ここで、第１
０図において、６１はイオン源、６２は集束レンズ、６
３は質量分析型磁石、６４は加速電極、６５はＹ偏向電
極、６６はＸ偏向電極、６７はスリット、６８はファラ
デーカップ、６９はターゲットであり、この構造自体は
周知のイオン注入装置と同様である。第１１図において
、７１はウェハ反り検出回路であり、７２は反り量から
応力を求める反り一応力変換回路であり、７３はイオン
注入量制御回路であり、これはイオン注入時にＷ膜の内
部応力を測定し、測定量が所望の値になるとイオン注入
を停止するものとなっている。
装置に、第１１図に示すような回路を付加することによ
り、薄膜の内部応力制御装置を構成した。ここで、第１
０図において、６１はイオン源、６２は集束レンズ、６
３は質量分析型磁石、６４は加速電極、６５はＹ偏向電
極、６６はＸ偏向電極、６７はスリット、６８はファラ
デーカップ、６９はターゲットであり、この構造自体は
周知のイオン注入装置と同様である。第１１図において
、７１はウェハ反り検出回路であり、７２は反り量から
応力を求める反り一応力変換回路であり、７３はイオン
注入量制御回路であり、これはイオン注入時にＷ膜の内
部応力を測定し、測定量が所望の値になるとイオン注入
を停止するものとなっている。
そして、第１１図に示す装置を第１０図に示すイオン注
入装置の基板ホルダーに設置することにより、所望の内
部応力になるようにＷ膜の内部応力を自動計測しイオン
注入ドーズ量を制御できるようにしている。なお、第１
１図における反り検出回路としては、Ｈｅ−Ｎｅレーザ
による干渉計法を用いた。ウェハの反り量は薄膜の内部
応力に比例しているので、この反り量を検出することに
より内部応力を求めることが可能である。
入装置の基板ホルダーに設置することにより、所望の内
部応力になるようにＷ膜の内部応力を自動計測しイオン
注入ドーズ量を制御できるようにしている。なお、第１
１図における反り検出回路としては、Ｈｅ−Ｎｅレーザ
による干渉計法を用いた。ウェハの反り量は薄膜の内部
応力に比例しているので、この反り量を検出することに
より内部応力を求めることが可能である。
上記装置を用いてＷ膜の応力制御を行なった結果を第１
２図に示す。第１２図に示す如く、初期応力の異なるＷ
膜に対して、適度なイオンドーズ量が注入されるために
、全てのＷ膜に対して所望の応力（Ｉ Ｘ １０８ｄｙ
ｎ ／ｃ−の圧縮応力）が得られた。従って、歩留り良
く高精度Ｘ線マスクの製造が可能となったのである。
２図に示す。第１２図に示す如く、初期応力の異なるＷ
膜に対して、適度なイオンドーズ量が注入されるために
、全てのＷ膜に対して所望の応力（Ｉ Ｘ １０８ｄｙ
ｎ ／ｃ−の圧縮応力）が得られた。従って、歩留り良
く高精度Ｘ線マスクの製造が可能となったのである。
なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものでは
ない。例えば、Ｘ線吸収体薄膜としてはＷに限らず、Ｔ
Ｂ、Ｍｏ及びこれらの窒化物及び炭化物を用いることも
できる。Ｘ線透過性薄膜としてＳｉＣ＠を用いたが、Ｓ
ｉＮｘ、ＢＮ、ボロンドープしたＳｉ基板を用いること
ができる。Ｗ膜の加工方法として、ＣＭＳの単層レジス
トを用いたが、高解像性を有しているＰＭＭＡ或いは化
学増幅因子を含む５ＡＬ６０１等のレジストを用いても
よい。さらに、多層レジストを用いることもできる。こ
れらのレジストをエツチングマスクとしてＷ膜のエツチ
ングを行なう場合、ＥＣＲ型のプラズマエッチング方法
に限るものではなく、マグネトロンタイプのＲＩＥ（反
応性イオンエツチング）を用いることも可能である。
ない。例えば、Ｘ線吸収体薄膜としてはＷに限らず、Ｔ
Ｂ、Ｍｏ及びこれらの窒化物及び炭化物を用いることも
できる。Ｘ線透過性薄膜としてＳｉＣ＠を用いたが、Ｓ
ｉＮｘ、ＢＮ、ボロンドープしたＳｉ基板を用いること
ができる。Ｗ膜の加工方法として、ＣＭＳの単層レジス
トを用いたが、高解像性を有しているＰＭＭＡ或いは化
学増幅因子を含む５ＡＬ６０１等のレジストを用いても
よい。さらに、多層レジストを用いることもできる。こ
れらのレジストをエツチングマスクとしてＷ膜のエツチ
ングを行なう場合、ＥＣＲ型のプラズマエッチング方法
に限るものではなく、マグネトロンタイプのＲＩＥ（反
応性イオンエツチング）を用いることも可能である。
また、エツチングの際に基板を冷却し、基板温度を一５
０℃近傍にまで下げＷ膜のエツチングを行ない、エツチ
ング特性を向上させることが可能である。さらに、Ｗ膜
をエツチングする際のエツチングガスはＳＦ６等の弗素
系のガスに限るものではなく、塩素系のガス、或いは弗
素系と塩素系とを混合させたガスを用いることができる
。また、実施例ではＳｔウェハ上にＷ膜を形成し、イオ
ン注入を行なった後にＳ【ウェハを裏面エツチングする
例を述べたが、Ｗ膜のパターン形成後にＳｆウェハを裏
面エツチングしてもよい。
０℃近傍にまで下げＷ膜のエツチングを行ない、エツチ
ング特性を向上させることが可能である。さらに、Ｗ膜
をエツチングする際のエツチングガスはＳＦ６等の弗素
系のガスに限るものではなく、塩素系のガス、或いは弗
素系と塩素系とを混合させたガスを用いることができる
。また、実施例ではＳｔウェハ上にＷ膜を形成し、イオ
ン注入を行なった後にＳ【ウェハを裏面エツチングする
例を述べたが、Ｗ膜のパターン形成後にＳｆウェハを裏
面エツチングしてもよい。
また、実施例ではレーザ干渉計法による基板の曲り測定
による内部応力の測定法を述べたが、内部応力測定法と
しては、Ｘ線回折、ラマン法による結晶格子のひずみ測
定によるＷ膜内部応力の測定法、或いはニュートン理法
光切断顕微鏡法、単スリット回折法等、高精度に基板の
曲りを測定しＷ膜の内部応力を測定できる７１１１定方
法であればよい。さらに、各部の膜厚等の条件は仕様に
応じて適宜変更可能である。その他、本発明の要旨を逸
脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
による内部応力の測定法を述べたが、内部応力測定法と
しては、Ｘ線回折、ラマン法による結晶格子のひずみ測
定によるＷ膜内部応力の測定法、或いはニュートン理法
光切断顕微鏡法、単スリット回折法等、高精度に基板の
曲りを測定しＷ膜の内部応力を測定できる７１１１定方
法であればよい。さらに、各部の膜厚等の条件は仕様に
応じて適宜変更可能である。その他、本発明の要旨を逸
脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
以上説明してきたように、本発明によれば、透光性の支
持体上にＸ線吸収体膜パターンを形成してなるＸ線マス
クの製造に際し、Ｘ線吸収体パターンの表面を、不活性
ガスあるいはＸ線吸収体薄膜材料と同じ物質をイオン注
入するあるいは、Ｘ線吸収体薄膜のバターニングに際し
、エツチングガス中に反応性ガスを混入せしめ、エツチ
ング面に気体進入防止膜を形成するあるいは、Ｘ線吸収
体パターンの表面を、プラズマ雰囲気中にさらし、プラ
ズマドーピングし気体進入防止膜を形成するようにして
いるため、応力変化を最低限に抑えつつ、気体進入防止
機能を持たせ、パターンの安定化をはかることができ、
高精度で長期にわたって安定なＸ線マスクを提供するこ
とが可能となる。
持体上にＸ線吸収体膜パターンを形成してなるＸ線マス
クの製造に際し、Ｘ線吸収体パターンの表面を、不活性
ガスあるいはＸ線吸収体薄膜材料と同じ物質をイオン注
入するあるいは、Ｘ線吸収体薄膜のバターニングに際し
、エツチングガス中に反応性ガスを混入せしめ、エツチ
ング面に気体進入防止膜を形成するあるいは、Ｘ線吸収
体パターンの表面を、プラズマ雰囲気中にさらし、プラ
ズマドーピングし気体進入防止膜を形成するようにして
いるため、応力変化を最低限に抑えつつ、気体進入防止
機能を持たせ、パターンの安定化をはかることができ、
高精度で長期にわたって安定なＸ線マスクを提供するこ
とが可能となる。
また、このＸ線吸収体薄膜は、応力の経時変化も無く、
薄膜のパターニングプロセスで生じるアニール工程及び
エツチング工程中においても応力が安定である。
薄膜のパターニングプロセスで生じるアニール工程及び
エツチング工程中においても応力が安定である。
従って、従来困難であった低応力、高密度、熱的に安定
で経時変化のないＸ線吸収体パターンを、高精度の微細
パターン寸法且つ高精度の位置精度を持ってＸ線透過薄
膜上に形成することが可能となる。
で経時変化のないＸ線吸収体パターンを、高精度の微細
パターン寸法且つ高精度の位置精度を持ってＸ線透過薄
膜上に形成することが可能となる。
第１図乃至第５図は本発明の一実施例を説明するための
もので、第１図はＸ線マスクの製造工程を示す断面図、
第２図はイオン注入によるイオン注入ドーズ量と応力と
の関係を示す特性図、第３図はスパッタリングにおける
Ａ「圧力と応力との関係を示す特性図、第４図はＡ「圧
力に対するＷ膜の応力の経時変化を示す特性図、第５図
はＡ「圧力に対するＷ膜のアニール前後の変化を示す特
性図、第６図（ａ）乃至第６図（ｇ）は本発明の第２の
実施例のＸ線露光用マスクの製造工程を示す図、第７田
は本発明の第１の実施例および従来例の同Ｘ線露光用マ
スクのＸ線吸収体パターンの応力と経過時間との関係を
示す比較図、第８図（ａ）乃至第８図（ｅ）は本発明の
第３の実施例のＸ線露光用マスクの製造工程を示す図、
第９図（ａ）乃至第９図（「）は本発明の第４の実施例
のＸ線露光用マスクの製造工程を示す図、第１０図乃至
第１２図は本発明の他の実施例を説明するためのもので
、第１０図はイオン注入装置を示す概略図、第１１図は
制御装置を示すブロック図、第１２図はイオンドーズ量
と応力との関係を示す特性図、第１３図（ａ）乃至第１
３図（ｅ）従来例のＸ線露光用マスクの製造工程を示す
図である。 １１．２１，３１，４１．９１・・・シリコン基板、１
２．１３，２２，２３，３２．３３．４２，４３．９２
・・・Ｘ線透過膜、１４゜２４．３４．’４４．９４・
・・Ｘ線吸収膜パターン、１５・・・Ａｒイオン、１６
・・・ＣＭＳレジスト、２５，３５．４５・・・レジス
ト、３６・・・気体進入防止膜、７１・・・反り検出回
路、７２・・・応力変換回路、７３・・・イオン注入量
制御回路。 １゜ ドーズ量（１０” １ｏｎｃ／ｃｍ２） 第２ 図 ＃圧力 （ｍＴｏｒｒ） ０ ０ ＃圧力 （ｍＴｏｒｒ ） Ａｒ尺か （ｍＴｏｒｒ ） 第５ 図 第６ 図（′−ｆの１） 第６ 図（イの２） 時間 （ 運 ） 第７ 図 第８ 図 第９ 図 第１１図 第１２図 第１３図 手続辛ｒｔ３正書 （方式） ％式％ 光明の名称 Ｘ線マスクの製造方法および薄膜の内部応力制御装置′
う ？ｌ（＋己をする者 車外との関係 （３０７）株式会社
もので、第１図はＸ線マスクの製造工程を示す断面図、
第２図はイオン注入によるイオン注入ドーズ量と応力と
の関係を示す特性図、第３図はスパッタリングにおける
Ａ「圧力と応力との関係を示す特性図、第４図はＡ「圧
力に対するＷ膜の応力の経時変化を示す特性図、第５図
はＡ「圧力に対するＷ膜のアニール前後の変化を示す特
性図、第６図（ａ）乃至第６図（ｇ）は本発明の第２の
実施例のＸ線露光用マスクの製造工程を示す図、第７田
は本発明の第１の実施例および従来例の同Ｘ線露光用マ
スクのＸ線吸収体パターンの応力と経過時間との関係を
示す比較図、第８図（ａ）乃至第８図（ｅ）は本発明の
第３の実施例のＸ線露光用マスクの製造工程を示す図、
第９図（ａ）乃至第９図（「）は本発明の第４の実施例
のＸ線露光用マスクの製造工程を示す図、第１０図乃至
第１２図は本発明の他の実施例を説明するためのもので
、第１０図はイオン注入装置を示す概略図、第１１図は
制御装置を示すブロック図、第１２図はイオンドーズ量
と応力との関係を示す特性図、第１３図（ａ）乃至第１
３図（ｅ）従来例のＸ線露光用マスクの製造工程を示す
図である。 １１．２１，３１，４１．９１・・・シリコン基板、１
２．１３，２２，２３，３２．３３．４２，４３．９２
・・・Ｘ線透過膜、１４゜２４．３４．’４４．９４・
・・Ｘ線吸収膜パターン、１５・・・Ａｒイオン、１６
・・・ＣＭＳレジスト、２５，３５．４５・・・レジス
ト、３６・・・気体進入防止膜、７１・・・反り検出回
路、７２・・・応力変換回路、７３・・・イオン注入量
制御回路。 １゜ ドーズ量（１０” １ｏｎｃ／ｃｍ２） 第２ 図 ＃圧力 （ｍＴｏｒｒ） ０ ０ ＃圧力 （ｍＴｏｒｒ ） Ａｒ尺か （ｍＴｏｒｒ ） 第５ 図 第６ 図（′−ｆの１） 第６ 図（イの２） 時間 （ 運 ） 第７ 図 第８ 図 第９ 図 第１１図 第１２図 第１３図 手続辛ｒｔ３正書 （方式） ％式％ 光明の名称 Ｘ線マスクの製造方法および薄膜の内部応力制御装置′
う ？ｌ（＋己をする者 車外との関係 （３０７）株式会社
Claims (13)
- （１）マスク支持体上にＸ線透過性薄膜を形成するＸ線
透過性薄膜形成工程と、 前記Ｘ線透過性薄膜上にＸ線吸収体薄膜を 形成するＸ線吸収体薄膜形成工程と、 前記Ｘ線吸収体薄膜を所望の形状にパター ニングするＸ線吸収体薄膜パターン形成工程とを含むＸ
線マスクの製造方法において、 前記Ｘ線吸収体薄膜パターン形成工程に先 立ち、該Ｘ線吸収体薄膜にネオンよりも原子番号の大き
い不活性元素の少なくとも１種をイオン注入するイオン
注入工程を含むようにしたことを特徴とするＸ線マスク
の製造方法。 - （２）前記イオン注入工程は、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少な
くとも一種をイオン種として用いた工程であることを特
徴とする請求項（１）記載のＸ線マスクの製造方法。 - （３）前記Ｘ線吸収体薄膜パターン形成工程後、前記Ｘ
線吸収体薄膜パターンに斜めイオン 注入を行う第２のイオン注入工程を含むようにしたこと
を特徴とする請求項（１）記載のＸ線マスクの製造方法
。 - （４）前記Ｘ線吸収体薄膜パターン形成工程は、反応性
プラズマエッチング方法により、所望の形状にパターニ
ングすると共に、表面に気体進入防止膜を形成する工程
であることを特徴とする請求項（１）記載のＸ線マスク
の製造方法。 - （５）前記Ｘ線吸収体薄膜パターン形成工程後、前記Ｘ
線吸収体薄膜パターン表面および側 壁にプラズマドーピングを行うプラズマドーピング工程
を含むようにしたことを特徴とする請求項（１）記載の
Ｘ線マスクの製造方法。 - （６）透光性の支持体上にＸ線吸収体薄膜を形成するＸ
線吸収体薄膜形成工程と、 前記Ｘ線吸収体薄膜を所望の形状にパター ニングするＸ線吸収体膜パターン形成工程と、前記Ｘ線
吸収体薄膜パターンに斜めイオン 注入を行いＸ線吸収体膜パターン表面および側壁にイオ
ンを注入するイオン注入工程を含むようにしたことを特
徴とするＸ線マスクの製造方法。 - （７）前記イオン注入工程は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ
、Ｘｅの少なくとも一種をイオン種として用いた工程で
あることを特徴とする請求項（８）記載のＸ線マスクの
製造方法。 - （８）前記イオン注入工程は、前記Ｘ線吸収体薄膜と同
一物質をイオン種として用いた工程であることを特徴と
する請求項（６）記載のＸ線マスクの製造方法。 - （９）前記Ｘ線吸収体膜パターン形成工程は、Ｘ線吸収
体薄膜を反応性プラズマエッチン グ方法により、所望の形状にパターニングすると共に、
表面に気体進入防止膜を形成する工程であることを特徴
とする請求項（６）記載のＸ線マスクの製造方法。 - （１０）前記Ｘ線吸収体薄膜パターン形成工程後、前記
Ｘ線吸収体薄膜パターン表面および側 壁にプラズマドーピングを行うプラズマドーピング工程
を含むようにしたことを特徴とする請求項（６）記載の
Ｘ線マスクの製造方法。 - （１１）マスク支持体上にＸ線透過性薄膜を形成し、該
Ｘ線透過性薄膜上にＸ線吸収体薄膜を形成し、該Ｘ線吸
収体薄膜をパターニングしてＸ線マスクを製造するＸ線
マスクの製造方法において、前記Ｘ線吸収体薄膜をパタ
ーニングするＸ 線吸収体薄膜パターン形成工程に先立ち、 該Ｘ線吸収体薄膜にネオンよりも原子番号 の大きい不活性元素の少なくとも１種をイオン注入して
該Ｘ線吸収体薄膜に２×１０＾８ｄｙｎ／ｃｍ＾２以下
の圧縮応力を持たせ、パターニング後の該Ｘ線吸収体薄
膜の最終的な内部応力を１×１０＾８ｄｙｎ／ｃｍ＾２
以下に設定するようにしたことを特徴とするＸ線マスク
の製造方法。 - （１２）マスク支持体上にＸ線透過性薄膜を形成し、該
Ｘ線透過性薄膜上にＸ線吸収体薄膜を形成し、該Ｘ線吸
収体薄膜をパターニングしてＸ線マスクを製造するＸ線
マスクの製造方法において、前記Ｘ線吸収体薄膜をパタ
ーニングするＸ 線吸収体薄膜パターン形成工程に先立ち、 前記Ｘ線吸収体薄膜の内部応力を測定し、 測定された内部応力に応じてイオン注入量を制御つつ、
前記Ｘ線吸収体薄膜にネオンよりも原子番号の大きい不
活性元素の少なくとも１種をイオン注入して該Ｘ線吸収
体薄膜の内部応力を低減させ、該Ｘ線吸収体薄膜の内部
応力を所定値に制御するようにしたことを特徴とするＸ
線マスクの製造方法。 - （１３）基板上に形成された薄膜に不純物イオンを注入
して該薄膜の内部応力を所定の値に制御する薄膜の内部
応力制御装置において、 前記薄膜の内部応力を検出する内部応力検 出手段と、 前記内部応力検出手段により求められた内 部応力に応じて前記薄膜に対するイオン注入量を制御す
るイオン注入量制御手段とを具備してなることを特徴と
する薄膜の内部応力制御装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30419289A JP2823276B2 (ja) | 1989-03-18 | 1989-11-22 | Ｘ線マスクの製造方法および薄膜の内部応力制御装置 |
| DE69031576T DE69031576T2 (de) | 1989-03-18 | 1990-03-16 | Herstellungsverfahren für Röntgenstrahl-Belichtungsmaske und Vorrichtung zur Spannungsmessung dünner Schichten |
| US07/494,397 US5188706A (en) | 1989-03-18 | 1990-03-16 | Method of manufacturing an x-ray exposure mask and device for controlling the internal stress of thin films |
| EP90302859A EP0389198B1 (en) | 1989-03-18 | 1990-03-16 | Method of manufacturing an X-ray exposure mask and device for controlling the internal stress of thin films |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6709289 | 1989-03-18 | ||
| JP1-67092 | 1989-03-18 | ||
| JP30419289A JP2823276B2 (ja) | 1989-03-18 | 1989-11-22 | Ｘ線マスクの製造方法および薄膜の内部応力制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0334312A true JPH0334312A (ja) | 1991-02-14 |
| JP2823276B2 JP2823276B2 (ja) | 1998-11-11 |
Family
ID=26408279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30419289A Expired - Fee Related JP2823276B2 (ja) | 1989-03-18 | 1989-11-22 | Ｘ線マスクの製造方法および薄膜の内部応力制御装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5188706A (ja) |
| EP (1) | EP0389198B1 (ja) |
| JP (1) | JP2823276B2 (ja) |
| DE (1) | DE69031576T2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0697051A (ja) * | 1992-03-13 | 1994-04-08 | American Teleph & Telegr Co <Att> | デバイス作製方法および導電膜の共鳴周波数測定装置 |
| KR980003886A (ko) * | 1996-06-29 | 1998-03-30 | 김주용 | 반도체 소자의 패턴 형성방법 |
| US6544698B1 (en) | 2001-06-27 | 2003-04-08 | University Of South Florida | Maskless 2-D and 3-D pattern generation photolithography |
| US6764796B2 (en) | 2001-06-27 | 2004-07-20 | University Of South Florida | Maskless photolithography using plasma displays |
| US6998219B2 (en) | 2001-06-27 | 2006-02-14 | University Of South Florida | Maskless photolithography for etching and deposition |
| US7271877B2 (en) | 2001-06-27 | 2007-09-18 | University Of South Florida | Method and apparatus for maskless photolithography |
| US7468238B2 (en) | 2001-06-27 | 2008-12-23 | University Of South Florida | Maskless photolithography for using photoreactive agents |
| JP2009086287A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Univ Nagoya | 反射鏡、その製造方法、そのクリーニング方法及び光源装置 |
Families Citing this family (164)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5354695A (en) * | 1992-04-08 | 1994-10-11 | Leedy Glenn J | Membrane dielectric isolation IC fabrication |
| US5196283A (en) * | 1989-03-09 | 1993-03-23 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask structure, and x-ray exposure process |
| EP0456479B1 (en) * | 1990-05-09 | 2001-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Pattern forming process and process for preparing semiconductor device utilizing said pattern forming process |
| US5342481A (en) * | 1991-02-15 | 1994-08-30 | Sony Corporation | Dry etching method |
| US6714625B1 (en) * | 1992-04-08 | 2004-03-30 | Elm Technology Corporation | Lithography device for semiconductor circuit pattern generation |
| JPH05335216A (ja) * | 1992-05-29 | 1993-12-17 | Fujitsu Ltd | Ｘ線マスク及びその製造方法 |
| JPH05343299A (ja) * | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | Ｘ線マスク及びｘ線マスクの製造方法 |
| US5314768A (en) * | 1993-03-19 | 1994-05-24 | National Semiconductor Corporation | Thin film mask for use in an x-ray lithographic process and its method of manufacture by forming opaque pattern of ions in a diamond layer |
| US5464711A (en) * | 1994-08-01 | 1995-11-07 | Motorola Inc. | Process for fabricating an X-ray absorbing mask |
| US5733688A (en) * | 1994-12-14 | 1998-03-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Lithographic mask structure and method of producing the same comprising W and molybdenum alloy absorber |
| US5677090A (en) * | 1995-02-23 | 1997-10-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making X-ray mask having reduced stress |
| JP2737764B2 (ja) * | 1995-03-03 | 1998-04-08 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US5620573A (en) * | 1995-04-28 | 1997-04-15 | Lucent Technologies Inc. | Reduced stress tungsten deposition |
| US5757879A (en) * | 1995-06-07 | 1998-05-26 | International Business Machines Corporation | Tungsten absorber for x-ray mask |
| US6066418A (en) * | 1996-07-10 | 2000-05-23 | Nec Corporation | X-ray mask and fabrication process therefor |
| US6368752B1 (en) * | 1996-10-29 | 2002-04-09 | Motorola, Inc. | Low stress hard mask formation method during refractory radiation mask fabrication |
| US5915167A (en) * | 1997-04-04 | 1999-06-22 | Elm Technology Corporation | Three dimensional structure memory |
| US6551857B2 (en) * | 1997-04-04 | 2003-04-22 | Elm Technology Corporation | Three dimensional structure integrated circuits |
| JPH1138192A (ja) * | 1997-07-17 | 1999-02-12 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡 |
| JPH11274067A (ja) * | 1998-01-21 | 1999-10-08 | Mitsubishi Electric Corp | Ｘ線マスクの応力調整方法 |
| KR100447993B1 (ko) * | 1998-12-28 | 2004-10-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 셀 투사 마스크_ |
| US7245018B1 (en) * | 1999-06-22 | 2007-07-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wiring material, semiconductor device provided with a wiring using the wiring material and method of manufacturing thereof |
| US6661096B1 (en) * | 1999-06-29 | 2003-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wiring material semiconductor device provided with a wiring using the wiring material and method of manufacturing thereof |
| US6410912B1 (en) | 1999-11-15 | 2002-06-25 | Sarnoff Corporation | Method for reducing variations in arrays of micro-machined cantilever structures using ion implantation |
| WO2001036319A1 (en) * | 1999-11-15 | 2001-05-25 | Sarnoff Corporation | Method for reducing variations in arrays of micro-machined cantilever structures using ion implantation |
| JP4831885B2 (ja) | 2001-04-27 | 2011-12-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US7402897B2 (en) * | 2002-08-08 | 2008-07-22 | Elm Technology Corporation | Vertical system integration |
| JP4220229B2 (ja) * | 2002-12-16 | 2009-02-04 | 大日本印刷株式会社 | 荷電粒子線露光用マスクブランクスおよび荷電粒子線露光用マスクの製造方法 |
| US7261919B2 (en) * | 2003-11-18 | 2007-08-28 | Flx Micro, Inc. | Silicon carbide and other films and method of deposition |
| US7945086B2 (en) * | 2006-01-12 | 2011-05-17 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Tungsten plug deposition quality evaluation method by EBACE technology |
| US7879730B2 (en) * | 2006-01-12 | 2011-02-01 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Etch selectivity enhancement in electron beam activated chemical etch |
| US7709792B2 (en) * | 2006-01-12 | 2010-05-04 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Three-dimensional imaging using electron beam activated chemical etch |
| US8052885B2 (en) * | 2006-01-12 | 2011-11-08 | Kla-Tencor Corporation | Structural modification using electron beam activated chemical etch |
| WO2007100933A2 (en) * | 2006-01-12 | 2007-09-07 | Kla Tencor Technologies Corporation | Etch selectivity enhancement, deposition quality evaluation, structural modification and three-dimensional imaging using electron beam activated chemical etch |
| JP5205042B2 (ja) * | 2006-12-20 | 2013-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US20080242072A1 (en) * | 2007-03-26 | 2008-10-02 | Texas Instruments Incorporated | Plasma dry etch process for metal-containing gates |
| US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
| US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
| US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
| US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
| US8808563B2 (en) | 2011-10-07 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination |
| US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
| US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
| US9034770B2 (en) | 2012-09-17 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Differential silicon oxide etch |
| US9023734B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Radical-component oxide etch |
| US9390937B2 (en) | 2012-09-20 | 2016-07-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon-carbon-nitride selective etch |
| US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
| US8969212B2 (en) | 2012-11-20 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch selectivity |
| US8980763B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective tungsten removal |
| US9111877B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Non-local plasma oxide etch |
| US8921234B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etching |
| US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
| US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
| US9040422B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
| US20140271097A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
| US9493879B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Selective sputtering for pattern transfer |
| US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
| US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
| US9520303B2 (en) * | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
| US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
| US9287095B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor system assemblies and methods of operation |
| US9287134B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Titanium oxide etch |
| US9293568B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method of fin patterning |
| US9396989B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Air gaps between copper lines |
| US9385028B2 (en) | 2014-02-03 | 2016-07-05 | Applied Materials, Inc. | Air gap process |
| US9499898B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Layered thin film heater and method of fabrication |
| US9299575B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase tungsten etch |
| US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
| US9299538B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
| US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
| US9269590B2 (en) | 2014-04-07 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Spacer formation |
| US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
| US9378969B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Low temperature gas-phase carbon removal |
| US9406523B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Highly selective doped oxide removal method |
| US9425058B2 (en) | 2014-07-24 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Simplified litho-etch-litho-etch process |
| US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
| US9378978B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide recess and floating gate fin trimming |
| US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
| US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
| US9355856B2 (en) | 2014-09-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | V trench dry etch |
| US9478434B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-10-25 | Applied Materials, Inc. | Chlorine-based hardmask removal |
| US9368364B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-06-14 | Applied Materials, Inc. | Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials |
| US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
| US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
| US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
| US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
| US9299583B1 (en) | 2014-12-05 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Aluminum oxide selective etch |
| US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
| US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
| US9502258B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Anisotropic gap etch |
| US9343272B1 (en) | 2015-01-08 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Self-aligned process |
| US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
| US9373522B1 (en) | 2015-01-22 | 2016-06-21 | Applied Mateials, Inc. | Titanium nitride removal |
| US9449846B2 (en) | 2015-01-28 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Vertical gate separation |
| US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
| US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
| US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
| US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
| US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
| FR3048292B1 (fr) * | 2016-02-25 | 2018-03-30 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede de lithographie electronique avec ecrantage electrostatique |
| US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
| US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
| US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
| US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
| US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
| US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
| US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
| US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
| US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
| US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
| US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
| US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
| US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
| US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
| US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
| US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
| US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
| US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
| US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
| US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
| US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
| US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
| US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
| US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
| US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
| US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
| US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
| US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
| US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
| US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
| US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
| US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
| US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
| US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
| US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
| US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
| US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
| US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
| US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
| US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
| TWI716818B (zh) | 2018-02-28 | 2021-01-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
| US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
| US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
| US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
| US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
| US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
| US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
| US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
| US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
| US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
| US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
| US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
| US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
| US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
| US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
| US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
| US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
| US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
| US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
| US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4093503A (en) * | 1977-03-07 | 1978-06-06 | International Business Machines Corporation | Method for fabricating ultra-narrow metallic lines |
| US4515876A (en) * | 1982-07-17 | 1985-05-07 | Nippon Telegraph & Telephone Public Corp. | X-Ray lithography mask and method for fabricating the same |
| JPS6195573A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-14 | Nec Corp | ゲ−ト電極薄膜形成法 |
| JPS6398124A (ja) * | 1986-10-15 | 1988-04-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| DE3705993C1 (en) * | 1987-02-20 | 1988-05-05 | Fraunhofer Ges Forschung | Method of compensating for absorber-induced distortions on X-ray masks |
| JPS6376325A (ja) * | 1987-06-30 | 1988-04-06 | Agency Of Ind Science & Technol | Ｘ線リソグラフィ−用マスクのｘ線吸収体膜 |
| US4842676A (en) * | 1987-07-16 | 1989-06-27 | Texas Instruments Incorporated | Process for etch of tungsten |
| DE3729432A1 (de) * | 1987-09-03 | 1989-03-16 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur herstellung einer maske fuer strahlungslithographie |
| US4915746A (en) * | 1988-08-15 | 1990-04-10 | Welsch Gerhard E | Method of forming high temperature barriers in structural metals to make such metals creep resistant at high homologous temperatures |
| US5005075A (en) * | 1989-01-31 | 1991-04-02 | Hoya Corporation | X-ray mask and method of manufacturing an X-ray mask |
-
1989
- 1989-11-22 JP JP30419289A patent/JP2823276B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-03-16 US US07/494,397 patent/US5188706A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-16 DE DE69031576T patent/DE69031576T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-16 EP EP90302859A patent/EP0389198B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0697051A (ja) * | 1992-03-13 | 1994-04-08 | American Teleph & Telegr Co <Att> | デバイス作製方法および導電膜の共鳴周波数測定装置 |
| JP2509067B2 (ja) * | 1992-03-13 | 1996-06-19 | エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション | デバイス作製方法および導電膜の共鳴周波数測定装置 |
| KR980003886A (ko) * | 1996-06-29 | 1998-03-30 | 김주용 | 반도체 소자의 패턴 형성방법 |
| US6544698B1 (en) | 2001-06-27 | 2003-04-08 | University Of South Florida | Maskless 2-D and 3-D pattern generation photolithography |
| US6764796B2 (en) | 2001-06-27 | 2004-07-20 | University Of South Florida | Maskless photolithography using plasma displays |
| US6998219B2 (en) | 2001-06-27 | 2006-02-14 | University Of South Florida | Maskless photolithography for etching and deposition |
| US7271877B2 (en) | 2001-06-27 | 2007-09-18 | University Of South Florida | Method and apparatus for maskless photolithography |
| US7468238B2 (en) | 2001-06-27 | 2008-12-23 | University Of South Florida | Maskless photolithography for using photoreactive agents |
| US7573561B2 (en) | 2001-06-27 | 2009-08-11 | University Of South Florida | Method and apparatus for maskless photolithography |
| US7572573B2 (en) | 2001-06-27 | 2009-08-11 | University Of South Florida | Maskless photolithography for etching and deposition |
| JP2009086287A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Univ Nagoya | 反射鏡、その製造方法、そのクリーニング方法及び光源装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2823276B2 (ja) | 1998-11-11 |
| EP0389198A3 (en) | 1991-07-03 |
| US5188706A (en) | 1993-02-23 |
| EP0389198B1 (en) | 1997-10-15 |
| DE69031576D1 (de) | 1997-11-20 |
| EP0389198A2 (en) | 1990-09-26 |
| DE69031576T2 (de) | 1998-04-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0334312A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法および薄膜の内部応力制御装置 | |
| US5464711A (en) | Process for fabricating an X-ray absorbing mask | |
| KR102482649B1 (ko) | 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법 | |
| US5291536A (en) | X-ray mask, method for fabricating the same, and pattern formation method | |
| KR102665789B1 (ko) | 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크, 및 반도체 디바이스의 제조 방법 | |
| JPH0557729B2 (ja) | ||
| US6749968B2 (en) | Method for fabricating a thin-membrane stencil mask and method for making a semiconductor device using the same | |
| JP3077393B2 (ja) | Ｘ線露光用マスク | |
| JP2004179411A (ja) | メンブレンマスク及び露光方法 | |
| JP4027458B2 (ja) | Ｘ線マスクブランク及びその製造方法並びにｘ線マスクの製造方法 | |
| JP3119237B2 (ja) | Ｘ線マスクとその製造方法及び半導体デバイスとその製造方法 | |
| JPH10161300A (ja) | Ｘ線マスクブランク、ｘ線マスク及びパターン転写方法 | |
| JP3866912B2 (ja) | リソグラフィ用マスク基板およびその製造方法 | |
| JPH03173116A (ja) | Ｘ線マスクおよびその製造方法 | |
| JPH10135130A (ja) | Ｘ線マスクブランク及びその製造方法と，ｘ線マスク | |
| JP3411413B2 (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JPH09306812A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JP2543927B2 (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JP2000150364A (ja) | Ｘ線マスクブランク及びその製造方法、並びにｘ線マスク及びその製造方法 | |
| JP2000091197A (ja) | Ｘ線マスク製造装置およびｘ線マスク製造方法 | |
| JPH0458171B2 (ja) | ||
| JPH02503239A (ja) | アモルファス／単結晶構造を有するモノリシックチャンネルマスク | |
| JPH04137718A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JP2005039082A (ja) | マスクブランクス及びステンシルマスク及びその製造方法及びその露光方法 | |
| JPH08264419A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |