JPH0331473A - プラネタリー式成膜装置 - Google Patents
プラネタリー式成膜装置Info
- Publication number
- JPH0331473A JPH0331473A JP16475889A JP16475889A JPH0331473A JP H0331473 A JPH0331473 A JP H0331473A JP 16475889 A JP16475889 A JP 16475889A JP 16475889 A JP16475889 A JP 16475889A JP H0331473 A JPH0331473 A JP H0331473A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film thickness
- substrate
- mesh
- vapor deposition
- film forming
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 11
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
C産業上の利用分野]
この発明はプラネタリー式成膜装置、とくにプラネタリ
ー式成膜装置における膜厚補正装置に間するものである
。
ー式成膜装置における膜厚補正装置に間するものである
。
[従来の技術]
第5図は例えば特開昭58−131129号公報に記載
の従来のプラネタリー式成膜装置を示す斜視図である0
図において、(1)は蒸着源、(3)は基板ホルダであ
り、蒸着源(1)を通る軸を中心として回転する公転支
持体(30)に回転自在に支持され、上記基板ホルダ(
3)の自転軸上には基板が取り付けられる。(9)は公
転支持体(30)に取り付けられた膜厚修正板である。
の従来のプラネタリー式成膜装置を示す斜視図である0
図において、(1)は蒸着源、(3)は基板ホルダであ
り、蒸着源(1)を通る軸を中心として回転する公転支
持体(30)に回転自在に支持され、上記基板ホルダ(
3)の自転軸上には基板が取り付けられる。(9)は公
転支持体(30)に取り付けられた膜厚修正板である。
次に動作について説明する。
膜厚修正板(9)は基板ホルダ(3)との相対的位置を
一定に保ったまま、上記基板ホルダ(3)の公転ととも
に公転する。上記膜厚修正板(9)の形状は、上記膜厚
修正板(9)がない場合の膜厚分布によって決定され、
゛ある自転半径位置Xiにおける膜厚をTiとし、最小
の膜厚をToとすると、その半径位置Xiに必要な修正
板の長さQiは、 1 で表わされる。 (ただし、Qiは半径Xiの円周に占
める角度を表わしている。)この時、膜厚修正板(9)
によるマスク効果は基板の自転により平均化され、最小
膜厚Toに平均化された膜が得られ[発明が解決しよう
とする課題] 従来のプラネタリー式成膜装置の膜厚補正装置は以上の
ように構成されていたので、被蒸着物(基板)が大きく
、自転軸上に取り付けられるような場合において、自転
軸上に膜厚修正板がある場合、常に蒸着流が遮断される
ので、自転軸上の膜厚制御が難しいといった問題や、平
面でない基板形状に対して、細かな膜厚制御が困難であ
り、また軸非対称の基板に対応できないといった問題が
あった。
一定に保ったまま、上記基板ホルダ(3)の公転ととも
に公転する。上記膜厚修正板(9)の形状は、上記膜厚
修正板(9)がない場合の膜厚分布によって決定され、
゛ある自転半径位置Xiにおける膜厚をTiとし、最小
の膜厚をToとすると、その半径位置Xiに必要な修正
板の長さQiは、 1 で表わされる。 (ただし、Qiは半径Xiの円周に占
める角度を表わしている。)この時、膜厚修正板(9)
によるマスク効果は基板の自転により平均化され、最小
膜厚Toに平均化された膜が得られ[発明が解決しよう
とする課題] 従来のプラネタリー式成膜装置の膜厚補正装置は以上の
ように構成されていたので、被蒸着物(基板)が大きく
、自転軸上に取り付けられるような場合において、自転
軸上に膜厚修正板がある場合、常に蒸着流が遮断される
ので、自転軸上の膜厚制御が難しいといった問題や、平
面でない基板形状に対して、細かな膜厚制御が困難であ
り、また軸非対称の基板に対応できないといった問題が
あった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たものであり、自転軸上の膜厚制御が容易であるととも
に、非平面、軸非対称な基板に対しても、自由な膜厚分
布が得られる膜厚補正装置を備えたプラネタリー式成膜
装置を得ることを目的とする。
たものであり、自転軸上の膜厚制御が容易であるととも
に、非平面、軸非対称な基板に対しても、自由な膜厚分
布が得られる膜厚補正装置を備えたプラネタリー式成膜
装置を得ることを目的とする。
[課題を解決するための手段]
この発明に係わるプラネタリー式成膜装置は、基板より
所定距離離れた位置に、基板ホルダに固定して、基板面
内における蒸着量の不均一を補正するような間口密度分
布をつけたメツシュ薄板を設けたものである。
所定距離離れた位置に、基板ホルダに固定して、基板面
内における蒸着量の不均一を補正するような間口密度分
布をつけたメツシュ薄板を設けたものである。
[作用]
この発明におけるメツシュ薄板は、蒸着源より発する蒸
着流の密度分布を、メツシュ間口密度分布によって決定
される所望の蒸着流密度分布に変換して、基板面上にお
ける蒸着量の不均一を補正する。
着流の密度分布を、メツシュ間口密度分布によって決定
される所望の蒸着流密度分布に変換して、基板面上にお
ける蒸着量の不均一を補正する。
[実施例]
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図はこの発明の一実施例によるプラネタリー式成膜
装置を示す構成図であり、図において、(1)は蒸着源
、(2)は被蒸着物である基板、(3)は自公転型基板
ホルダ、(4)は基板(2)より所定距離離れた位置に
設け′られたメツシュ薄板、(5)はメツシュ薄板(4
)を基板ホルダ(3)に固定する支持体である。
装置を示す構成図であり、図において、(1)は蒸着源
、(2)は被蒸着物である基板、(3)は自公転型基板
ホルダ、(4)は基板(2)より所定距離離れた位置に
設け′られたメツシュ薄板、(5)はメツシュ薄板(4
)を基板ホルダ(3)に固定する支持体である。
次に動作について説明する。
蒸着源゛(1)は所定の大きざを持っており、これより
発した蒸着物は、はぼCOS分布に近い密度流でメツシ
ュ薄板(4)上に到達する。メツシュ薄板(4)は1
+++++以下の薄い板に多数の穴のあいた形状をして
いる。第2図(a)はこのようなメツシュ薄板の平面構
成図である。メツシュ薄板(4)は保持部(4a)と斜
線で示すメツシュ部(4b)で構成される。
発した蒸着物は、はぼCOS分布に近い密度流でメツシ
ュ薄板(4)上に到達する。メツシュ薄板(4)は1
+++++以下の薄い板に多数の穴のあいた形状をして
いる。第2図(a)はこのようなメツシュ薄板の平面構
成図である。メツシュ薄板(4)は保持部(4a)と斜
線で示すメツシュ部(4b)で構成される。
メツシュ部(4h)の中心付近の拡大図が第2図(b)
であり、開口(40)がその大、きざを変えつつ、格子
状に並んでいる。開口(40)の大きさは、この間口に
対応する被蒸着部位において、必要とする膜厚と、補正
を行なわない場合の膜厚との比で決定される。−例とし
て第4図の曲線(6)に示すような、メツシュ薄板のな
い時の膜厚分布を、均一な膜厚分布に補正する場合を考
える0曲線(6)は計算または実測により求められた、
膜厚の自転軸中心位置に対する比率であるが、この曲線
(6)の減少量に逆比例するように、メツシュ薄板(4
)の開口密度分布をとればよい。即ち、間口密度分布の
、自転軸中心位置に対する比率が、曲線(6)に逆比例
した曲線(7)となるようにすれば、基板(2)上の膜
厚分布は均一となる。ただし、メツシュ薄板(4)に斜
めに入射する蒸着流に対しては、メツシュ薄板(4)の
厚みによって、第3図に示すように斜線部の蒸着流が遮
蔽されるために、それを考慮して、間口は点線(41)
で示される部分まであける必要がある。即ち、実際の開
口密度分布の、中心位置に対する比率は、第4図曲線(
8)に示すように、この拡大分だけ大きい比率となる。
であり、開口(40)がその大、きざを変えつつ、格子
状に並んでいる。開口(40)の大きさは、この間口に
対応する被蒸着部位において、必要とする膜厚と、補正
を行なわない場合の膜厚との比で決定される。−例とし
て第4図の曲線(6)に示すような、メツシュ薄板のな
い時の膜厚分布を、均一な膜厚分布に補正する場合を考
える0曲線(6)は計算または実測により求められた、
膜厚の自転軸中心位置に対する比率であるが、この曲線
(6)の減少量に逆比例するように、メツシュ薄板(4
)の開口密度分布をとればよい。即ち、間口密度分布の
、自転軸中心位置に対する比率が、曲線(6)に逆比例
した曲線(7)となるようにすれば、基板(2)上の膜
厚分布は均一となる。ただし、メツシュ薄板(4)に斜
めに入射する蒸着流に対しては、メツシュ薄板(4)の
厚みによって、第3図に示すように斜線部の蒸着流が遮
蔽されるために、それを考慮して、間口は点線(41)
で示される部分まであける必要がある。即ち、実際の開
口密度分布の、中心位置に対する比率は、第4図曲線(
8)に示すように、この拡大分だけ大きい比率となる。
なお、蒸着ff(1)−の大きさによって、間口(40
)を通りぬけた蒸着流は広がりをもち、メツシュ薄板(
0が充−分基板から離れ、開口(40)のピッチが小さ
ければ、メツシュの影が基板(2)上に現われることは
ない、この条件は蒸着装置の構成で異なるが、例えば蒸
着源0)が10−一φ、蒸着源(1)よりメツシュ薄板
(4)までの距離が30011III+、メツシュ薄板
(4)より基板(2)までの距離が50a+mである場
合には、開口のピッチを1m−以下にすれきば、充分に
均一な膜が得られる。
)を通りぬけた蒸着流は広がりをもち、メツシュ薄板(
0が充−分基板から離れ、開口(40)のピッチが小さ
ければ、メツシュの影が基板(2)上に現われることは
ない、この条件は蒸着装置の構成で異なるが、例えば蒸
着源0)が10−一φ、蒸着源(1)よりメツシュ薄板
(4)までの距離が30011III+、メツシュ薄板
(4)より基板(2)までの距離が50a+mである場
合には、開口のピッチを1m−以下にすれきば、充分に
均一な膜が得られる。
なお、上記実施例では開口(40)を円どしたが、面積
が同じであれば、いかなる形状をとってもよい。
が同じであれば、いかなる形状をとってもよい。
また、間口(40)の配列を格子状としたが、開口密度
が同じで、開口のピッチが大きくなり過ぎない限り、格
子状である必要はなく、必要な開口密度分布が軸対称な
分布であれば同心円状に配列した方が、扱いが容易とな
る。
が同じで、開口のピッチが大きくなり過ぎない限り、格
子状である必要はなく、必要な開口密度分布が軸対称な
分布であれば同心円状に配列した方が、扱いが容易とな
る。
[発明の効果]
以上のように、この発明によれば膜厚補正装置として、
基板より所定距離離れた位置に、基板ホルダに固定して
、基板面内における蒸着量の不均一を補正するような開
口密度分布をつけたメツシュ薄板を設けたので、自転軸
上でも、他の場所と同じように膜厚制御ができ、また、
非平面、軸非対称な被蒸着物にたいしても自由に膜厚制
御できる効果がある。
基板より所定距離離れた位置に、基板ホルダに固定して
、基板面内における蒸着量の不均一を補正するような開
口密度分布をつけたメツシュ薄板を設けたので、自転軸
上でも、他の場所と同じように膜厚制御ができ、また、
非平面、軸非対称な被蒸着物にたいしても自由に膜厚制
御できる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例によるプラネタリー式成膜
装置を示す構成図、第2図(a)(b)は各々この発明
の一実施例に係わるメツシュ薄板を示す平面構成図及び
拡大平面図、第3図はこの発明の一実施例に係わるメツ
シュ薄板の厚みの影響を示す説明図、第4図はこの発明
の一実施例に係わるメツシュ薄板の開口密度分布を説明
する曲線図、並びに第5図は従来のプラネタリー式成膜
装置を示す斜視図である。 図において、(1)は蒸着源、(2)は基板、(3)は
基板ホルダ、(30)は公転支持体、(4)はメツシュ
薄板、(40)は開口、(5)は支持体である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
装置を示す構成図、第2図(a)(b)は各々この発明
の一実施例に係わるメツシュ薄板を示す平面構成図及び
拡大平面図、第3図はこの発明の一実施例に係わるメツ
シュ薄板の厚みの影響を示す説明図、第4図はこの発明
の一実施例に係わるメツシュ薄板の開口密度分布を説明
する曲線図、並びに第5図は従来のプラネタリー式成膜
装置を示す斜視図である。 図において、(1)は蒸着源、(2)は基板、(3)は
基板ホルダ、(30)は公転支持体、(4)はメツシュ
薄板、(40)は開口、(5)は支持体である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 蒸着源を通る軸を中心として回転する公転支持体に回転
自在に支持された自公転型基板ホルダを有し、上記基板
ホルダの自転軸上に基板を取り付けるプラネタリー式成
膜装置において、上記基板より所定距離離れた位置に、
上記基板ホルダに固定して、基板面内における蒸着量の
不均一を補正するような開口密度分布をつけたメッシュ
薄板を設けたことを特徴とするプラネタリー式成膜装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16475889A JPH0331473A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | プラネタリー式成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16475889A JPH0331473A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | プラネタリー式成膜装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0331473A true JPH0331473A (ja) | 1991-02-12 |
Family
ID=15799367
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16475889A Pending JPH0331473A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | プラネタリー式成膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0331473A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7122223B1 (en) * | 1998-09-04 | 2006-10-17 | Essilor International (Compagnie Generale D'optique) | Method for vacuum deposit on a curved substrate |
JP2010106325A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Canon Inc | 成膜装置、露光装置、デバイス製造方法 |
-
1989
- 1989-06-27 JP JP16475889A patent/JPH0331473A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7122223B1 (en) * | 1998-09-04 | 2006-10-17 | Essilor International (Compagnie Generale D'optique) | Method for vacuum deposit on a curved substrate |
JP2010106325A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Canon Inc | 成膜装置、露光装置、デバイス製造方法 |
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