JPH0328984A - ハッチパターンによる面塗り描画方式 - Google Patents
ハッチパターンによる面塗り描画方式Info
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- JPH0328984A JPH0328984A JP1162624A JP16262489A JPH0328984A JP H0328984 A JPH0328984 A JP H0328984A JP 1162624 A JP1162624 A JP 1162624A JP 16262489 A JP16262489 A JP 16262489A JP H0328984 A JPH0328984 A JP H0328984A
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- PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N (1s,3r,4e,6e,8e,10e,12e,14e,16e,18s,19r,20r,21s,25r,27r,30r,31r,33s,35r,37s,38r)-3-[(2r,3s,4s,5s,6r)-4-amino-3,5-dihydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-19,25,27,30,31,33,35,37-octahydroxy-18,20,21-trimethyl-23-oxo-22,39-dioxabicyclo[33.3.1]nonatriaconta-4,6,8,10 Chemical compound C1C=C2C[C@@H](OS(O)(=O)=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2.O[C@H]1[C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](C)O[C@H]1O[C@H]1/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/[C@H](C)[C@@H](O)[C@@H](C)[C@H](C)OC(=O)C[C@H](O)C[C@H](O)CC[C@@H](O)[C@H](O)C[C@H](O)C[C@](O)(C[C@H](O)[C@H]2C(O)=O)O[C@H]2C1 PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N 0.000 description 9
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- Image Generation (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ビットマップメモリ上の面塗り対象領域以外にプロテク
トをかけ、面塗り対象w4域を指定されたハッチパター
ンを用いて面塗り描画するハッチパターンによる面塗り
描画方式に関し、 面塗りを行う領域を出来るだけ小さくして面塗り描画処
理速度を高速化することを目的とし、ビットマップメモ
リ上の面塗り対象領域以外にプロテクトをかけ、面塗り
対象領域を指定されたハッチパターンを用いて面塗り描
画するハッチパターンによる面塗りl画方式において、
面塗り描画するハッチパターンを少なくとも2個連続し
た連続ハッチパターンを生或するステップと、面塗り対
象領域の座標値に基づいて、前記指定されたハッチパタ
ーンと同一サイズの新ハッチパターンを前記連続ハッチ
パターンより切り出すステップと、前記面塗り対象領域
を含むビットマップメモリ上の部分領域だけを、前記新
ハッチパターンにより面塗り描画するステップを備える
ように構戒する。
トをかけ、面塗り対象w4域を指定されたハッチパター
ンを用いて面塗り描画するハッチパターンによる面塗り
描画方式に関し、 面塗りを行う領域を出来るだけ小さくして面塗り描画処
理速度を高速化することを目的とし、ビットマップメモ
リ上の面塗り対象領域以外にプロテクトをかけ、面塗り
対象領域を指定されたハッチパターンを用いて面塗り描
画するハッチパターンによる面塗りl画方式において、
面塗り描画するハッチパターンを少なくとも2個連続し
た連続ハッチパターンを生或するステップと、面塗り対
象領域の座標値に基づいて、前記指定されたハッチパタ
ーンと同一サイズの新ハッチパターンを前記連続ハッチ
パターンより切り出すステップと、前記面塗り対象領域
を含むビットマップメモリ上の部分領域だけを、前記新
ハッチパターンにより面塗り描画するステップを備える
ように構戒する。
本発明は、ビットマップメモリ上の面塗り対象領域以外
の領域にプロテクトをかけ、面塗り対象領域を指定され
たハッチパターンを用いて面塗り描画するハッチパター
ンによる面塗り描画方式に関する. 〔従来の技術〕 ビットマップメモリは、1画素単位に書込み又は読込を
可能とした構威のメモリであり、文字や図形を印刷する
場合、印刷すべき文字や図形のパターンをビットマップ
メモリ上に展開した後、それを読み出して印刷する処理
が行われる.ビットマップメモリ上に展開された図形に
対して更に各種の処理が行われる場合があるが、その処
理の一つとして、指定したハッチパターンを用いて特定
の領域を面塗りする面塗り措画処理がある. 第5図は、従来のハッチパターンによる面塗り描画方式
の原理図を示したものである。
の領域にプロテクトをかけ、面塗り対象領域を指定され
たハッチパターンを用いて面塗り描画するハッチパター
ンによる面塗り描画方式に関する. 〔従来の技術〕 ビットマップメモリは、1画素単位に書込み又は読込を
可能とした構威のメモリであり、文字や図形を印刷する
場合、印刷すべき文字や図形のパターンをビットマップ
メモリ上に展開した後、それを読み出して印刷する処理
が行われる.ビットマップメモリ上に展開された図形に
対して更に各種の処理が行われる場合があるが、その処
理の一つとして、指定したハッチパターンを用いて特定
の領域を面塗りする面塗り措画処理がある. 第5図は、従来のハッチパターンによる面塗り描画方式
の原理図を示したものである。
第5図(A)に於いて、21はビットマップメモリであ
り、その内部の図形の展開可能領域211(矩形ao
+ al + a2, a3 )に図形212(菱形x
yzw)が展開される.第5図(B)は、面塗り描画に
用いる各種のハッチパターンを示したものであり、その
サイズは規定されている(例えば、32x32ドット)
. 図形212に面塗りを行うときは.面塗り対象領域であ
る図形212の領域以外にプロテクトをかける.プロテ
クトをかけることにより、面塗り対象領域である図形2
12の領域以外の領域における面塗り描画が阻止される
。
り、その内部の図形の展開可能領域211(矩形ao
+ al + a2, a3 )に図形212(菱形x
yzw)が展開される.第5図(B)は、面塗り描画に
用いる各種のハッチパターンを示したものであり、その
サイズは規定されている(例えば、32x32ドット)
. 図形212に面塗りを行うときは.面塗り対象領域であ
る図形212の領域以外にプロテクトをかける.プロテ
クトをかけることにより、面塗り対象領域である図形2
12の領域以外の領域における面塗り描画が阻止される
。
面塗り膚画を行うときは,展開可能領域211の右から
左方向を主走査方向とし、上から下の方向を副走査方向
として、左上(aO点)から右下(83点)に向かって
、指定ハッチパターンによる面塗り描画を行う.指定ハ
ッチパターンによる面塗り描画は面塗り対象領域の大き
さは関係なく展開可能領域211全体に渡って行われる
が、プロテクトがかけられているので.所望の面塗り対
象領域である図形212の内部だけが,図示のように面
塗りされる. 〔発明が解決しようとする!If!題〕従来のハッチパ
ターンによる面塗り描画方式では、前述のように面塗り
対象領域の大きさは関係なく、展開可能領域211全体
について面塗り描画処理を行っていた.これは面塗り対
象領域の位置や形状が任意に指定されるのに対し、それ
に合わせてハッチパターンの面塗り開始位置を任意に変
えようとすると、その処理が複雑になり、面塗り描画処
理に時間が掛かるためである.しかしながら、従来のハ
ッチパターンによる面塗り描画方式では、面塗り対象領
域以外のプロテクトをかけた領域に対しても面塗り膚画
を行ってしたため、無駄な処理が多く、面塗り描画処理
速度の高速化が妨げられるという問題があった。特に面
塗り対象領域が小さい場合には、無駄な面塗り描画処理
が多くなるので不都合であった。
左方向を主走査方向とし、上から下の方向を副走査方向
として、左上(aO点)から右下(83点)に向かって
、指定ハッチパターンによる面塗り描画を行う.指定ハ
ッチパターンによる面塗り描画は面塗り対象領域の大き
さは関係なく展開可能領域211全体に渡って行われる
が、プロテクトがかけられているので.所望の面塗り対
象領域である図形212の内部だけが,図示のように面
塗りされる. 〔発明が解決しようとする!If!題〕従来のハッチパ
ターンによる面塗り描画方式では、前述のように面塗り
対象領域の大きさは関係なく、展開可能領域211全体
について面塗り描画処理を行っていた.これは面塗り対
象領域の位置や形状が任意に指定されるのに対し、それ
に合わせてハッチパターンの面塗り開始位置を任意に変
えようとすると、その処理が複雑になり、面塗り描画処
理に時間が掛かるためである.しかしながら、従来のハ
ッチパターンによる面塗り描画方式では、面塗り対象領
域以外のプロテクトをかけた領域に対しても面塗り膚画
を行ってしたため、無駄な処理が多く、面塗り描画処理
速度の高速化が妨げられるという問題があった。特に面
塗り対象領域が小さい場合には、無駄な面塗り描画処理
が多くなるので不都合であった。
本発明は、面塗りを行う領域を出来るだけ小さくし、面
塗り描画処理速度を高速化することが出来るように改良
したハッチパターンによる面塗り描画方式を提供するこ
とを目的とする.〔課題を解決するための手段〕 前述の課題を解決するために本発明が採用した手段を,
第1図を参照して説明する。第1図は、本発明の原理図
を示したものである。
塗り描画処理速度を高速化することが出来るように改良
したハッチパターンによる面塗り描画方式を提供するこ
とを目的とする.〔課題を解決するための手段〕 前述の課題を解決するために本発明が採用した手段を,
第1図を参照して説明する。第1図は、本発明の原理図
を示したものである。
第1図(A)において、1lはビットマップメモリであ
り、その内部の図形の展開可能領域111(矩形aO
,al,a2,a3)に、面塗り対象領域である図形1
12(菱形xyzw)が展開される。
り、その内部の図形の展開可能領域111(矩形aO
,al,a2,a3)に、面塗り対象領域である図形1
12(菱形xyzw)が展開される。
113は、面塗り対象MMC図形と同じ112で示す)
を含む最小限の矩形領域(ABCD)である. 第1図(B)の(a)において、114は面塗り描画に
用いる各種のハッチパターンの一例を示したものであり
、そのサイズは規定されている。第1図(B)のい)に
おいて、115は本発明において生成される連続ハッチ
パターンの一例を示したものであり、2個のハッチパタ
ーン114を二つ横に並べて連続させることにより生成
される.116は、連続ハッチパターン115より切り
出された新ハッチパターンの一例を示したものである. 再び第1図(A)において、SPiは仮展開原点であり
.新ハッチパターン116により面塗り描画を行うとき
の新ハッチパターン116の展開開始原点を示す,SP
nも仮展開原点であり、最小矩形領域113を新ハッチ
パターン116により面塗り膚画を行うときの新ハッチ
パターンl16の展開開始原点を示す. 以上説明した最小矩形領域113、連続ハッチパターン
115、新ハッチパターン116等を用いて、本発明は
次のように構成される.すなわち、ビットマップメモリ
上の面塗り対象領域以外にプロテクトをかけ、面塗り対
象領域を指定されたハッチパターンを用いて面塗り膚画
するハッチパターンによる面塗り描画方式において−、
(a) 面塗り描画するハッチパターンを少なくとも
2個連続した連続ハッチパターンを生成するステップと
、 伽)面塗り対象領域の座標値に基づいて、前記指定され
たハッチパターンと同一サイズの新ハッチパターンを前
記連続ハッチパターンより切り出すステップと、 (c) 前記面塗り対象領域を含むビットマップメモ
リ上の部分領域だけを、前記新ハッチパターンにより面
塗り溝画するステップを備える、ように構或される. 〔作 用〕 本発明の作用を、第1図(A)に示す面塗り対象領域1
12(図形xyzw)に同図(B)に示すハッチパター
ン114を用いて面塗り描画をする場合を例にとり、そ
の一つの処理手順に従って説明する.なお、ビットマッ
プメモリ上11の面塗り対象領域112以外にプロテク
トがかけられている. (2)面塗り描画するハッチパターン114を少なくと
も2個連続することにより、連続ハッチパターン115
を生戒する(第1図(B)の(a)及び(ロ)参照). ハッチパターン114を連続しても、そのハッチパター
ン模様が第1図(B)の(ロ)に示す如く連続するよう
に、ハッチパターン114におけるハッチパターン模様
は選定される.(2)面塗り対象領域112の座標値に
基づいて、前記指定されたハッチパターン114と同一
サイズの新ハッチパターン116を前記連続ハッチパタ
ーン115より切出す。
を含む最小限の矩形領域(ABCD)である. 第1図(B)の(a)において、114は面塗り描画に
用いる各種のハッチパターンの一例を示したものであり
、そのサイズは規定されている。第1図(B)のい)に
おいて、115は本発明において生成される連続ハッチ
パターンの一例を示したものであり、2個のハッチパタ
ーン114を二つ横に並べて連続させることにより生成
される.116は、連続ハッチパターン115より切り
出された新ハッチパターンの一例を示したものである. 再び第1図(A)において、SPiは仮展開原点であり
.新ハッチパターン116により面塗り描画を行うとき
の新ハッチパターン116の展開開始原点を示す,SP
nも仮展開原点であり、最小矩形領域113を新ハッチ
パターン116により面塗り膚画を行うときの新ハッチ
パターンl16の展開開始原点を示す. 以上説明した最小矩形領域113、連続ハッチパターン
115、新ハッチパターン116等を用いて、本発明は
次のように構成される.すなわち、ビットマップメモリ
上の面塗り対象領域以外にプロテクトをかけ、面塗り対
象領域を指定されたハッチパターンを用いて面塗り膚画
するハッチパターンによる面塗り描画方式において−、
(a) 面塗り描画するハッチパターンを少なくとも
2個連続した連続ハッチパターンを生成するステップと
、 伽)面塗り対象領域の座標値に基づいて、前記指定され
たハッチパターンと同一サイズの新ハッチパターンを前
記連続ハッチパターンより切り出すステップと、 (c) 前記面塗り対象領域を含むビットマップメモ
リ上の部分領域だけを、前記新ハッチパターンにより面
塗り溝画するステップを備える、ように構或される. 〔作 用〕 本発明の作用を、第1図(A)に示す面塗り対象領域1
12(図形xyzw)に同図(B)に示すハッチパター
ン114を用いて面塗り描画をする場合を例にとり、そ
の一つの処理手順に従って説明する.なお、ビットマッ
プメモリ上11の面塗り対象領域112以外にプロテク
トがかけられている. (2)面塗り描画するハッチパターン114を少なくと
も2個連続することにより、連続ハッチパターン115
を生戒する(第1図(B)の(a)及び(ロ)参照). ハッチパターン114を連続しても、そのハッチパター
ン模様が第1図(B)の(ロ)に示す如く連続するよう
に、ハッチパターン114におけるハッチパターン模様
は選定される.(2)面塗り対象領域112の座標値に
基づいて、前記指定されたハッチパターン114と同一
サイズの新ハッチパターン116を前記連続ハッチパタ
ーン115より切出す。
面塗り対象領域112に対して面塗りを行うハッチパタ
ーン114の仮展開原点SPiは、ハッチパターン展開
原点aOを基準にして求められるので、その仮展開原点
SPiの位置は、面塗り対象領域112を含む最小矩形
領域113(矩形ABCD)のハッチパターンの展開原
点であるA点とは、一般に一致しない.しかしながら、
最小矩形領域113のハッチパターンの展開原点Aに合
わせてハッチパターン114の仮展開原点SPiを設定
し直すことは、従来方式よりも複雑な処理を必要とする
ため、却って処理速度を低下させる結果になる。そこで
、本発明は、面塗り対象領域112のy点の位置、すな
わち最小矩形領域ABCDのハッチパターンの展開原点
Aの位置に合わせて、連続ハッチパターン115よりハ
ッチパターン114と同一サイズの新ハッチパターン1
15を切出し、この新ハッチパターン115を面塗り膚
両用のハッチパターンとする。新ハッチパターン115
の仮展開原点SPnの位置(X座標値)は、面塗り対象
領域112のy点の位置、すなわち最小矩形領域113
(矩形ABCD)のハッチパターンの展開原点Aの位置
(X座標{+1!)に一敗する. (3)前記面塗り対象頷域112を含むビットマップメ
モリ上の部分領域を、前記新ハッチパターン116によ
り面塗り描画する。
ーン114の仮展開原点SPiは、ハッチパターン展開
原点aOを基準にして求められるので、その仮展開原点
SPiの位置は、面塗り対象領域112を含む最小矩形
領域113(矩形ABCD)のハッチパターンの展開原
点であるA点とは、一般に一致しない.しかしながら、
最小矩形領域113のハッチパターンの展開原点Aに合
わせてハッチパターン114の仮展開原点SPiを設定
し直すことは、従来方式よりも複雑な処理を必要とする
ため、却って処理速度を低下させる結果になる。そこで
、本発明は、面塗り対象領域112のy点の位置、すな
わち最小矩形領域ABCDのハッチパターンの展開原点
Aの位置に合わせて、連続ハッチパターン115よりハ
ッチパターン114と同一サイズの新ハッチパターン1
15を切出し、この新ハッチパターン115を面塗り膚
両用のハッチパターンとする。新ハッチパターン115
の仮展開原点SPnの位置(X座標値)は、面塗り対象
領域112のy点の位置、すなわち最小矩形領域113
(矩形ABCD)のハッチパターンの展開原点Aの位置
(X座標{+1!)に一敗する. (3)前記面塗り対象頷域112を含むビットマップメ
モリ上の部分領域を、前記新ハッチパターン116によ
り面塗り描画する。
面塗り描画は、図示のように左上の仮展開原点SPnよ
り右下に向かって行われる.新ハッチパターン116の
仮展開原点SPn及び展開終了点は一般に最小矩形領域
のA点及びB点と一致しないので、部分領域は一般に最
小矩形領域ABCDよりも大きくなる.しかしながら、
面塗り対象領域112(図形xyzw)以外はプロテク
トがかけられているので、部分領域が最小矩形領域AB
CDよりも大きくなっても、所望の面塗り描画112だ
けに面塗り描画が行われる. このように、新ハッチパターン115の仮展開原点SP
nの位置(X座標値)を面塗り対象領域112のy点の
位置、すなわち最小矩形領域ABCDのハッチパターン
の展開原点Aの位置(X座標値)に一致させることによ
り、必要な面塗り描画領域を最小にして、面塗り膚画処
理速度を最も速くすることができる.しかしながら、新
ハッチパターン116の仮展開原点SPnの位置は、そ
の新ハッチパターン116の内部に最小矩形領域ABC
Dのハッチパターンの展開原点Aを含むような位置に選
定してもよい. また、連続ハッチパターン115は、ハッチパターン1
14を2個以上連続する事により得られるが、通常はハ
ッチパターン114を2個連続するだけで充分である. なお、前述の面塗り描画処理手順は本発明の面塗り描画
処理手順の一例を示したものであって、本発明の面塗り
描画処理手順は、これに限定されるものではない. 以上のように、面塗り描画するハッチパターンを少なく
とも2個連続した連続ハッチパターンを生成し、面塗り
対象領域の座標値に基づいて、ハッチパターンと同一サ
イズの新ハッチパターンを連続ハッチパターンより切出
し、面塗り対象領域を含む部分領域たけを該新ハッチパ
ターンにより面塗り描画するようにしたので、面塗り描
画領域を出来るだけ小さくすることが可能となり、新ハ
ッチパターン116の切出し処理を考慮しても、全体の
面塗り描画処理速度を高速化することができる. また、面塗り描画処理は最小矩形領域113内でのみ行
われるので、プロテクトをかける領域は、図形112以
外の領域でかつ最小矩形領域113内の領域について行
えばよく、これにより、面塗り対象領域である図形11
2が小さい場合は、プロテクトをかける領域が大幅に減
少されて、面塗り描画処理速度を向上させることができ
る.〔実施例〕 本発明の実施例を.第1図乃至第5図を参照して、印刷
装置における面塗り描画処理の場合を例にとって説明す
る.第2図は本発明の一実施例の実施に使用する印刷装
置の説明図、第3図は同実施例の連続ハッチパターン及
び新ハッチパターン生或処理方式の説明図、第4図は同
実施例の面塗り描画処理フローチャートである.第1図
は、本発明の実施例の説明にも用いられ、その内容は第
l図で既に説明したとおりである. (A)実施例の構威 第2図において、ビットマップメモリ1l、その内部の
図形の展開可能領域111、そこに展開される面塗り対
象領域l12(図形x y z w)、面塗り対象領域
112を含む最小矩形領域113(矩形ABCD)につ
いては、第1図で説明したとおりである.なお,面塗り
対象領域112と図形zyzwとは同じ内容で有るので
、以下の説明においては、両者を同じ符号112で示し
ている.第3図は、このビットマップメモリ11を詳細
に示したものである.117は、各種のハッチパターン
が展開、格納されるハッチパターンテーブルであり、1
18は、連続ハッチパターン116の生戒処理を行うワ
ーク領域である.印刷装置の場合、展開可能領域111
は、第3図に示すように用紙サイズ領域110よりも小
さくなるように選定される. l2は描画プロセッサ、13はプリンタコントローラ、
l4はプリンタ、l5は主プロセッサ、l6はメモリ、
17はDMAコントローラ、18はインタフェース回路
、l9はシステムバスである. 描画プロセッサl2は,プリンタl4に印刷する図形を
ビットマップメモリll上に展開する処理及び面塗り対
象領域112に対する面塗り措画処理を行う. プリンタコントローラ13は、ビットマップメモリII
上に展開された図形や面塗り描画された図形を読み出し
て、プリンタ14に印刷する処理を行う. メモリ16には、主プロセッサ15の制御プログラムが
格納される他、図形展開や面塗り描画処理時に使用され
るデータやコマンドを格納する各種バッファやメモリ領
域(いずれも図示せず)が設けられている. DMAコントローラl7は、ブロック転送によるビット
マップメモリl1とそり16間の直接データ転送、ビッ
トマップメモリl1及びメモリ16内部の各メモリ領域
間の直接データ転送等を制御する. l8はインタフェース回路であり、図示しない上位装置
と印刷装置間のインタフェース制御を行う. 主プロセッサ15は、印刷装置内の前記各部の動作及び
全体の面塗り描画処理や印刷動作を制御する. システムバスl9は、描画プロセッサ12、プリンタコ
ントローラ13、主プロセッサ15、メモリ16、DM
Aコントローラ17、インタフェース回路18相互間を
接続して,それらの間のデータを転送する. (B)実施例の動作 本発明の一実施例の動作を、第4図の面塗り描画処理フ
ローチャートを参照し、その処理ステップに従って説明
する. ■ ステップS0 ステップS.では、図示しない上位装置より印刷装置に
対する初期化処理が行われる.この初期化処理において
、各種ハッチパターンのデータが印刷装置に送られる.
゛ 印刷装置の主プロセッサl5は、各種ハッチパターンデ
ータをインタフェース回路l8を介して受信して、メモ
リ16に格納した後、描画プロセッサl2に指示してビ
ットマップメモリll上に展開させる. 描画プロセッサ12は、DMAコントローラ17とのコ
・オベレート動作によりメモリl6よりハッチパターン
データを読み出し、第3図に示すように、ビットマップ
メモリ1lのハッチパターンテーブル117に展開して
格納する,114t〜114?は、ハッチパターンテー
ブル117に格納された各種のハッチパターンを例示し
たものである. ■ ステップS1 初期化処理が終了すると、上位装置は、面塗り描画処理
に必要な属性情報(べた塗り)やハッチパターン等の面
塗り処理内容、ハッチパターンの種別番号等)を印刷装
置に送る.印刷装置の主プロセッサl5は゛、この”属
性情報をメモリ16の属性情報テーブル(図示せず)に
格納する.■ ステップS8 上位装置は、印刷すべき図形(第1図(A)にxyzw
で示す図形112とする)のテータを印刷装置に送る.
図形テータは、図形112を指示するベクトルデータで
与えられる. 印刷装置の主プロセッサl5は、この図形112のベク
トルデータをインタフェース回路18を介して受信し、
これより図形112の多角形頂点(xyzw)の座標リ
ストを作戒してメモリl6に格納した後、描画プロセッ
サl2に指示してビットマップメモリ11上に展開させ
る.li画プロセッサ12は、DMAコントローラl7
とのコ・オペレート動作によりメモリl6より図形デー
タを読み出し、ビットマップメモリ11の展開可能領域
111上に、第1図(A)に示すような図形112に展
開する. ■ ステップS, 上位装置は、面塗り描画処理を行うべき印刷装置に面塗
り対象領域(図形112)及び面塗りを行うハッチパタ
ーン114の種別番号を印刷装置に指示する。
り右下に向かって行われる.新ハッチパターン116の
仮展開原点SPn及び展開終了点は一般に最小矩形領域
のA点及びB点と一致しないので、部分領域は一般に最
小矩形領域ABCDよりも大きくなる.しかしながら、
面塗り対象領域112(図形xyzw)以外はプロテク
トがかけられているので、部分領域が最小矩形領域AB
CDよりも大きくなっても、所望の面塗り描画112だ
けに面塗り描画が行われる. このように、新ハッチパターン115の仮展開原点SP
nの位置(X座標値)を面塗り対象領域112のy点の
位置、すなわち最小矩形領域ABCDのハッチパターン
の展開原点Aの位置(X座標値)に一致させることによ
り、必要な面塗り描画領域を最小にして、面塗り膚画処
理速度を最も速くすることができる.しかしながら、新
ハッチパターン116の仮展開原点SPnの位置は、そ
の新ハッチパターン116の内部に最小矩形領域ABC
Dのハッチパターンの展開原点Aを含むような位置に選
定してもよい. また、連続ハッチパターン115は、ハッチパターン1
14を2個以上連続する事により得られるが、通常はハ
ッチパターン114を2個連続するだけで充分である. なお、前述の面塗り描画処理手順は本発明の面塗り描画
処理手順の一例を示したものであって、本発明の面塗り
描画処理手順は、これに限定されるものではない. 以上のように、面塗り描画するハッチパターンを少なく
とも2個連続した連続ハッチパターンを生成し、面塗り
対象領域の座標値に基づいて、ハッチパターンと同一サ
イズの新ハッチパターンを連続ハッチパターンより切出
し、面塗り対象領域を含む部分領域たけを該新ハッチパ
ターンにより面塗り描画するようにしたので、面塗り描
画領域を出来るだけ小さくすることが可能となり、新ハ
ッチパターン116の切出し処理を考慮しても、全体の
面塗り描画処理速度を高速化することができる. また、面塗り描画処理は最小矩形領域113内でのみ行
われるので、プロテクトをかける領域は、図形112以
外の領域でかつ最小矩形領域113内の領域について行
えばよく、これにより、面塗り対象領域である図形11
2が小さい場合は、プロテクトをかける領域が大幅に減
少されて、面塗り描画処理速度を向上させることができ
る.〔実施例〕 本発明の実施例を.第1図乃至第5図を参照して、印刷
装置における面塗り描画処理の場合を例にとって説明す
る.第2図は本発明の一実施例の実施に使用する印刷装
置の説明図、第3図は同実施例の連続ハッチパターン及
び新ハッチパターン生或処理方式の説明図、第4図は同
実施例の面塗り描画処理フローチャートである.第1図
は、本発明の実施例の説明にも用いられ、その内容は第
l図で既に説明したとおりである. (A)実施例の構威 第2図において、ビットマップメモリ1l、その内部の
図形の展開可能領域111、そこに展開される面塗り対
象領域l12(図形x y z w)、面塗り対象領域
112を含む最小矩形領域113(矩形ABCD)につ
いては、第1図で説明したとおりである.なお,面塗り
対象領域112と図形zyzwとは同じ内容で有るので
、以下の説明においては、両者を同じ符号112で示し
ている.第3図は、このビットマップメモリ11を詳細
に示したものである.117は、各種のハッチパターン
が展開、格納されるハッチパターンテーブルであり、1
18は、連続ハッチパターン116の生戒処理を行うワ
ーク領域である.印刷装置の場合、展開可能領域111
は、第3図に示すように用紙サイズ領域110よりも小
さくなるように選定される. l2は描画プロセッサ、13はプリンタコントローラ、
l4はプリンタ、l5は主プロセッサ、l6はメモリ、
17はDMAコントローラ、18はインタフェース回路
、l9はシステムバスである. 描画プロセッサl2は,プリンタl4に印刷する図形を
ビットマップメモリll上に展開する処理及び面塗り対
象領域112に対する面塗り措画処理を行う. プリンタコントローラ13は、ビットマップメモリII
上に展開された図形や面塗り描画された図形を読み出し
て、プリンタ14に印刷する処理を行う. メモリ16には、主プロセッサ15の制御プログラムが
格納される他、図形展開や面塗り描画処理時に使用され
るデータやコマンドを格納する各種バッファやメモリ領
域(いずれも図示せず)が設けられている. DMAコントローラl7は、ブロック転送によるビット
マップメモリl1とそり16間の直接データ転送、ビッ
トマップメモリl1及びメモリ16内部の各メモリ領域
間の直接データ転送等を制御する. l8はインタフェース回路であり、図示しない上位装置
と印刷装置間のインタフェース制御を行う. 主プロセッサ15は、印刷装置内の前記各部の動作及び
全体の面塗り描画処理や印刷動作を制御する. システムバスl9は、描画プロセッサ12、プリンタコ
ントローラ13、主プロセッサ15、メモリ16、DM
Aコントローラ17、インタフェース回路18相互間を
接続して,それらの間のデータを転送する. (B)実施例の動作 本発明の一実施例の動作を、第4図の面塗り描画処理フ
ローチャートを参照し、その処理ステップに従って説明
する. ■ ステップS0 ステップS.では、図示しない上位装置より印刷装置に
対する初期化処理が行われる.この初期化処理において
、各種ハッチパターンのデータが印刷装置に送られる.
゛ 印刷装置の主プロセッサl5は、各種ハッチパターンデ
ータをインタフェース回路l8を介して受信して、メモ
リ16に格納した後、描画プロセッサl2に指示してビ
ットマップメモリll上に展開させる. 描画プロセッサ12は、DMAコントローラ17とのコ
・オベレート動作によりメモリl6よりハッチパターン
データを読み出し、第3図に示すように、ビットマップ
メモリ1lのハッチパターンテーブル117に展開して
格納する,114t〜114?は、ハッチパターンテー
ブル117に格納された各種のハッチパターンを例示し
たものである. ■ ステップS1 初期化処理が終了すると、上位装置は、面塗り描画処理
に必要な属性情報(べた塗り)やハッチパターン等の面
塗り処理内容、ハッチパターンの種別番号等)を印刷装
置に送る.印刷装置の主プロセッサl5は゛、この”属
性情報をメモリ16の属性情報テーブル(図示せず)に
格納する.■ ステップS8 上位装置は、印刷すべき図形(第1図(A)にxyzw
で示す図形112とする)のテータを印刷装置に送る.
図形テータは、図形112を指示するベクトルデータで
与えられる. 印刷装置の主プロセッサl5は、この図形112のベク
トルデータをインタフェース回路18を介して受信し、
これより図形112の多角形頂点(xyzw)の座標リ
ストを作戒してメモリl6に格納した後、描画プロセッ
サl2に指示してビットマップメモリ11上に展開させ
る.li画プロセッサ12は、DMAコントローラl7
とのコ・オペレート動作によりメモリl6より図形デー
タを読み出し、ビットマップメモリ11の展開可能領域
111上に、第1図(A)に示すような図形112に展
開する. ■ ステップS, 上位装置は、面塗り描画処理を行うべき印刷装置に面塗
り対象領域(図形112)及び面塗りを行うハッチパタ
ーン114の種別番号を印刷装置に指示する。
■ ステップS4
印刷装置の主プロセッサl5は、上位装置から指示され
た面塗り対象領域、すなわち図形112の各頂点座標リ
ストをメモリ16より読み出す.次いで、この各頂点座
標リストに基づいて、図形112(図形xyzw)を含
む最小矩形領域113)の各頂点(ABCD)のビット
マップメモリll上のアドレスを設定し、メモリ16に
格納する。また上位装置から送られたハッチパターンの
種別番号を解読し、メモリl6にある図示しない属性情
報テーブルより指示されたハッチパターンを検索する. ■ ステップS, 主プロセッサ15は、ビットマップメモリ11上の展開
可能領域111における展開原点(aO)を基準にして
、ハッチパターンの仮展開原点SPiを算出する。
た面塗り対象領域、すなわち図形112の各頂点座標リ
ストをメモリ16より読み出す.次いで、この各頂点座
標リストに基づいて、図形112(図形xyzw)を含
む最小矩形領域113)の各頂点(ABCD)のビット
マップメモリll上のアドレスを設定し、メモリ16に
格納する。また上位装置から送られたハッチパターンの
種別番号を解読し、メモリl6にある図示しない属性情
報テーブルより指示されたハッチパターンを検索する. ■ ステップS, 主プロセッサ15は、ビットマップメモリ11上の展開
可能領域111における展開原点(aO)を基準にして
、ハッチパターンの仮展開原点SPiを算出する。
■ ステップS6
主プロセッサ15は、ハッチパターン114の仮展開原
点SPiと最小矩形領域113の左上の点(A点)の座
標が同一か判断する。
点SPiと最小矩形領域113の左上の点(A点)の座
標が同一か判断する。
■ ステップS,
ステップS.においてハッチパターン114の仮展開原
点SPiと最小矩形領域113の左上の点(A点)の座
標が同一でない場合は、主プロセッサ15は、描画プロ
セッサ12にハッチパターン114の種類を指定(bッ
チパターン1l4,とする−)して、その連続ハッチパ
ターンを生或させる. 描画プロセッサ12は、DMAコントローラ17とのコ
・オペレート動作によりビットマップメモリ11にある
ハッチパターンテーブル117より指定ハッチパターン
114yを読み出し、同一ハッチパターン1147をビ
ットマップメモリl1のワーク領域118上で横に2個
並べることにより、連続ハッチパターン115を生成す
る。
点SPiと最小矩形領域113の左上の点(A点)の座
標が同一でない場合は、主プロセッサ15は、描画プロ
セッサ12にハッチパターン114の種類を指定(bッ
チパターン1l4,とする−)して、その連続ハッチパ
ターンを生或させる. 描画プロセッサ12は、DMAコントローラ17とのコ
・オペレート動作によりビットマップメモリ11にある
ハッチパターンテーブル117より指定ハッチパターン
114yを読み出し、同一ハッチパターン1147をビ
ットマップメモリl1のワーク領域118上で横に2個
並べることにより、連続ハッチパターン115を生成す
る。
■ ステップS,
主プロセッサ15は、最小矩形領域113の左上の位置
(A点座標)よりハッチパターンの新しい切出し位置、
すなわち新ハッチパターン116の仮展開原点SPnを
設定する。
(A点座標)よりハッチパターンの新しい切出し位置、
すなわち新ハッチパターン116の仮展開原点SPnを
設定する。
[相] ステップS9
主プロセッサl5は、仮展開原点SPnを始点とし、ハ
ッチパターンl14,と同一サイズの新ハッチパターン
116を設定して,描画プロセッサl2に指示する.こ
の指示を受けると、描画プロセッサ12は以降この新ハ
ッチパターン116を、面塗り描画用のハッチパターン
とする.■ ステップSL。
ッチパターンl14,と同一サイズの新ハッチパターン
116を設定して,描画プロセッサl2に指示する.こ
の指示を受けると、描画プロセッサ12は以降この新ハ
ッチパターン116を、面塗り描画用のハッチパターン
とする.■ ステップSL。
主プロセシサ15は、面塗り対象領域である図形112
以外の領域にプロテクトをかけ、描画プロセッサl2に
新ハッチパターン116による図形112の面塗り描画
を指示する。
以外の領域にプロテクトをかけ、描画プロセッサl2に
新ハッチパターン116による図形112の面塗り描画
を指示する。
描画プロセッサl2は、DMAコントローラ17とのコ
・オベレート動作によりビットマップメモリ1lにある
ワーク領域11Bより新ハッチパターン116を読み出
し、仮展開原点SPnをハッチパターンの展開原点とし
て、最小矩形領域1l3内のみについて面塗り描画処理
を行う。面塗り描画は、図示のように最小矩形領域11
3の左上から右下に向かって行われる。
・オベレート動作によりビットマップメモリ1lにある
ワーク領域11Bより新ハッチパターン116を読み出
し、仮展開原点SPnをハッチパターンの展開原点とし
て、最小矩形領域1l3内のみについて面塗り描画処理
を行う。面塗り描画は、図示のように最小矩形領域11
3の左上から右下に向かって行われる。
図形112(図形xyzw)以外はプロテクトがかけら
れているので、第6図(A)に示すす図形112だけに
面塗り描画が行われる。
れているので、第6図(A)に示すす図形112だけに
面塗り描画が行われる。
@ ■のステップS6において、ハッチパターン114
の仮展開原点SPiと最小矩形領域113の左上の点(
A点)の座標が同一である場合は、連続ハッチパターン
115や新ハッチパターン116を生戒する処理は不要
であり、直ちにステップS.に移行して最小矩形領¥i
113すなわち図形112に対する面塗り描画を行う。
の仮展開原点SPiと最小矩形領域113の左上の点(
A点)の座標が同一である場合は、連続ハッチパターン
115や新ハッチパターン116を生戒する処理は不要
であり、直ちにステップS.に移行して最小矩形領¥i
113すなわち図形112に対する面塗り描画を行う。
■ 以上のようにして図形112に対する面塗り描画処
理が終了すると、主プロセッサl5は、プリンタコント
ローラ13に対して印刷を指示する.この指示を受ける
と、プリンタコントローラエ3はビットマップメモリI
fの展開可能領域111上に展開され、面塗り描画され
た図形112のデータを読み出し、プリンタ14に供給
して印刷を行わせる。
理が終了すると、主プロセッサl5は、プリンタコント
ローラ13に対して印刷を指示する.この指示を受ける
と、プリンタコントローラエ3はビットマップメモリI
fの展開可能領域111上に展開され、面塗り描画され
た図形112のデータを読み出し、プリンタ14に供給
して印刷を行わせる。
以上面塗り膚画を行う図形が1個である場合の実施例に
ついて説明したが、2個以上の図形に対して面塗り描画
を施す場合も同様にして行うことができる。新ハッチパ
ターン116の仮展開原点SPnの位置は、その新ハッ
チパターン116の内部に最小矩形領域ABCDのハッ
チパターンの展開原点Aを含むような位置に選定しても
よいことは、既に述べたとおりである.また、印刷装置
以外の通常の画像処理における図形の面塗り描画処理に
も適用できることはもちろんである。
ついて説明したが、2個以上の図形に対して面塗り描画
を施す場合も同様にして行うことができる。新ハッチパ
ターン116の仮展開原点SPnの位置は、その新ハッ
チパターン116の内部に最小矩形領域ABCDのハッ
チパターンの展開原点Aを含むような位置に選定しても
よいことは、既に述べたとおりである.また、印刷装置
以外の通常の画像処理における図形の面塗り描画処理に
も適用できることはもちろんである。
以上説明したように,本発明によれば次の諸効果が得ら
れる。
れる。
(1)面塗り対象領域(図形)112を含む最小矩形6
1域113内のみを面塗り描画するようにしたので、こ
の最小矩形領域113以外の領域に対する面塗り膚画処
理が不要になり、新ハッチパターン116の切出し処理
を考慮しても、全体の面塗り描画処理速度を向上させる
ことができる. (2)面塗り描画処理は最小矩形領域113内でのみ行
われるので、プロテクトをかける領域は、図形112以
外の領域でかつ最小矩形領域1l3内の領域について行
えばよく、これにより、面塗り対象領域である図形11
2が小さい場合は、プロテクトをかける領域が大幅に減
少されて、面塗り描画処理速度を向上させることができ
る。
1域113内のみを面塗り描画するようにしたので、こ
の最小矩形領域113以外の領域に対する面塗り膚画処
理が不要になり、新ハッチパターン116の切出し処理
を考慮しても、全体の面塗り描画処理速度を向上させる
ことができる. (2)面塗り描画処理は最小矩形領域113内でのみ行
われるので、プロテクトをかける領域は、図形112以
外の領域でかつ最小矩形領域1l3内の領域について行
えばよく、これにより、面塗り対象領域である図形11
2が小さい場合は、プロテクトをかける領域が大幅に減
少されて、面塗り描画処理速度を向上させることができ
る。
第1図は本発明の原理図、
第2図は本発明の一実施例の実施に使用する印刷装置の
説明図、 第3図は同実施例の新ハッチパターン生或処理の説明図
、 第4図は同実施例の面塗り描画処理フローチャート、 第5図は従来の面塗り描画方式の説明図である.第l図
及び第2図において、 11・・・ビットマップメモリ、111・・・展開可能
領域、112・・・面塗り対象領域(図形)、113・
・・最小矩形領域、114・・・ハッチパターン、II
5・・・連続ハッチパターン、116・・・新ハッチパ
ターン、l2・・・構画プロセッサ、13−・・プリン
タコントローラ、14・・・プリンタ、15・・・主プ
ロセッサ、16・・・メモリ、17・・・DMAコント
ローラ、1日・・・インタフェース回路、19−・シス
テムバス。 実施例の面塗り描画処理フローチャート第4図 プリンタ動作に移る
説明図、 第3図は同実施例の新ハッチパターン生或処理の説明図
、 第4図は同実施例の面塗り描画処理フローチャート、 第5図は従来の面塗り描画方式の説明図である.第l図
及び第2図において、 11・・・ビットマップメモリ、111・・・展開可能
領域、112・・・面塗り対象領域(図形)、113・
・・最小矩形領域、114・・・ハッチパターン、II
5・・・連続ハッチパターン、116・・・新ハッチパ
ターン、l2・・・構画プロセッサ、13−・・プリン
タコントローラ、14・・・プリンタ、15・・・主プ
ロセッサ、16・・・メモリ、17・・・DMAコント
ローラ、1日・・・インタフェース回路、19−・シス
テムバス。 実施例の面塗り描画処理フローチャート第4図 プリンタ動作に移る
Claims (2)
- (1)ビットマップメモリ上の面塗り対象領域以外にプ
ロテクトをかけ、面塗り対象領域を指定されたハッチパ
ターンを用いて面塗り描画するハッチパターンによる面
塗り描画方式において、 (a)面塗り描画するハッチパターンを少なくとも2個
連続した連続ハッチパターンを生成するステップと、 (b)面塗り対象領域の座標値に基づいて、前記指定さ
れたハッチパターンと同一サイズの新ハッチパターンを
前記連続ハッチパターンより切り出すステップと、 (c)前記面塗り対象領域を含むビットマップメモリ上
の部分領域たけを、前記新ハッチパターンにより面塗り
描画するステップ、 を備えたことを特徴とするハッチパターンによる面塗り
描画方式。 - (2)前記部分領域が、前記面塗り対象領域を含む最小
矩形領域であること特徴とする請求項1記載のハッチパ
ターンによる面塗り描画方式。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1162624A JPH0328984A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | ハッチパターンによる面塗り描画方式 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1162624A JPH0328984A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | ハッチパターンによる面塗り描画方式 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0328984A true JPH0328984A (ja) | 1991-02-07 |
Family
ID=15758148
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1162624A Pending JPH0328984A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | ハッチパターンによる面塗り描画方式 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0328984A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05205070A (ja) * | 1992-01-24 | 1993-08-13 | Nec Corp | 図形描画方法 |
JPH05324847A (ja) * | 1992-05-13 | 1993-12-10 | Nec Corp | 図形描画装置用lsi |
JP2007241915A (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-20 | Oki Data Corp | 画像処理装置 |
JP2008212603A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Shinyo Sangyo Kk | 新鮮空気吹き出しのサンバイザ−。 |
US8089493B2 (en) | 2007-08-14 | 2012-01-03 | Seiko Epson Corporation | Image processing circuit, display device, and printing device |
US8326083B2 (en) | 2007-08-14 | 2012-12-04 | Seiko Epson Corporation | Image processing circuit, display device, and printing device |
-
1989
- 1989-06-27 JP JP1162624A patent/JPH0328984A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05205070A (ja) * | 1992-01-24 | 1993-08-13 | Nec Corp | 図形描画方法 |
JPH05324847A (ja) * | 1992-05-13 | 1993-12-10 | Nec Corp | 図形描画装置用lsi |
JP2007241915A (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-20 | Oki Data Corp | 画像処理装置 |
JP2008212603A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Shinyo Sangyo Kk | 新鮮空気吹き出しのサンバイザ−。 |
US8089493B2 (en) | 2007-08-14 | 2012-01-03 | Seiko Epson Corporation | Image processing circuit, display device, and printing device |
US8326083B2 (en) | 2007-08-14 | 2012-12-04 | Seiko Epson Corporation | Image processing circuit, display device, and printing device |
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