JPH032869Y2 - - Google Patents
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- JPH032869Y2 JPH032869Y2 JP1981177265U JP17726581U JPH032869Y2 JP H032869 Y2 JPH032869 Y2 JP H032869Y2 JP 1981177265 U JP1981177265 U JP 1981177265U JP 17726581 U JP17726581 U JP 17726581U JP H032869 Y2 JPH032869 Y2 JP H032869Y2
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、テープレコーダー等のポータブル型
の無線機器に使用される電池の電圧降下を検知し
表示する電圧降下表示回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a voltage drop display circuit that detects and displays a voltage drop in a battery used in a portable wireless device such as a tape recorder.
斯かる無線機器に使用されている電圧降下表示
回路としてはメーターの指針による方法や発光ダ
イオード等の発光素子を使用する方法が一般に行
なわれている。メーターによる方法は確かに電流
の消耗度を正確に表示する点では優れているもの
の高価であり、且つその大きさを小さくすること
が出来ないための小型の無線機器には適していな
いものである。 As the voltage drop display circuit used in such wireless equipment, a method using a meter pointer or a method using a light emitting element such as a light emitting diode is generally used. Although the method using a meter is certainly superior in accurately displaying the degree of current consumption, it is expensive and is not suitable for small wireless devices because it cannot be made small. .
本考案は無線機器の小型化に適した発光素子を
利用した電圧降下表示回路を提供しようとするも
のであり、以下図面を参照して詳細に説明する。 The present invention aims to provide a voltage drop display circuit using a light emitting element that is suitable for downsizing wireless devices, and will be described in detail below with reference to the drawings.
図示した回路は本考案の電圧降下表示回路の一
実施例である。図において、１は直流電源である
電池、２は電源線路３と接地間に設けられた電圧
降下検知部であり、抵抗４、ツエナーダイオード
５及び抵抗６が直列に接続されている。７はベー
スが前記ツエナーダイオード５と抵抗６との接続
点ａに接続されていると共にエミツタが接地され
ている第１トランジスターであり、そのコレクタ
は抵抗８を介して電源線路３に接続されている。
９はベースが前記第１トランジスター７のコレク
タに接続されていると共にエミツタが接地されて
いる第２トランジスターであり、そのコレクタは
抵抗１０を介して電源線路３に接続されている。
１１は前記第１トランジスター７のベースと第２
トランジスター９のコレクタとの間に接続されて
いるコンデンサー、１２は前記第２トランジスタ
ー９のコレクタと抵抗１０との接続点ｂにアノー
ドが接続されていると共にカソードが接地されて
いる発光ダイオードである。斯かる構成におい
て、抵抗４及び６の値は電源線路３の電圧が第１
の基準値以上あるときツエナーダイオード５を導
通状態にせしめ、第１基準値未満に降下したとき
該ツエナーダイオード５を非導通状態にせしめる
値に、且つ電源線路３の電圧が第１基準値より高
い第２基準値以上あるとき第１トランジスター７
を飽和状態にせしめ、第１基準値以上で第２基準
値未満にあるとき該第１トランジスター７を能動
状態にバイアスせしめる値に設定されている。 The illustrated circuit is one embodiment of the voltage drop indicating circuit of the present invention. In the figure, 1 is a battery as a DC power source, 2 is a voltage drop detection section provided between a power line 3 and ground, and a resistor 4, a Zener diode 5, and a resistor 6 are connected in series. Reference numeral 7 designates a first transistor whose base is connected to the connection point a between the Zener diode 5 and the resistor 6 and whose emitter is grounded, and whose collector is connected to the power supply line 3 via the resistor 8. .
Reference numeral 9 denotes a second transistor whose base is connected to the collector of the first transistor 7 and whose emitter is grounded, and whose collector is connected to the power supply line 3 via a resistor 10.
11 is the base of the first transistor 7 and the second transistor 7;
A capacitor 12 connected between the collector of the transistor 9 and the collector 12 is a light emitting diode whose anode is connected to the connection point b between the collector of the second transistor 9 and the resistor 10 and whose cathode is grounded. In such a configuration, the values of the resistors 4 and 6 are such that the voltage on the power supply line 3 is the first
The voltage of the power supply line 3 is higher than the first reference value, and the voltage of the power supply line 3 is higher than the first reference value. When the second reference value or more is present, the first transistor 7
is set to a value that biases the first transistor 7 into an active state when it is equal to or greater than the first reference value and less than the second reference value.
以上の如く本考案の電圧降下表示回路は構成さ
れており、次に斯かる回路の動作について説明す
る。直流電源である電池１の電圧が充分高く電源
線路３の電圧が第２基準値より高い場合には、電
圧降下検知部２によつて第１トランジスター７は
充分にバイアスされて飽和状態にある。該第１ト
ランジスター７が飽和状態にあるとき該第１トラ
ンジスター７のコレクタ電位は略接地電位になる
ため該第１トランジスター７のコレクタにベース
が接続されている第２トランジスター９は逆バイ
アスされて非導通状態にある。このように電源線
路３の電圧が第２基準値以上ある場合には第２ト
ランジスター９が非導通状態にあるため接続点ｂ
は高電位となり発光ダイオード１２は導通し点灯
状態にある。 The voltage drop display circuit of the present invention is constructed as described above, and the operation of this circuit will now be described. When the voltage of the battery 1, which is a DC power source, is sufficiently high and the voltage of the power supply line 3 is higher than the second reference value, the first transistor 7 is sufficiently biased by the voltage drop detection section 2 and is in a saturated state. When the first transistor 7 is in a saturated state, the collector potential of the first transistor 7 becomes approximately ground potential, so the second transistor 9, whose base is connected to the collector of the first transistor 7, is reverse biased and becomes non-active. It is in a conductive state. In this way, when the voltage of the power supply line 3 is equal to or higher than the second reference value, the second transistor 9 is in a non-conducting state, so that the connection point b
becomes a high potential, and the light emitting diode 12 is in a conductive and lit state.
以上の如く電源線路３の電圧が第２基準値より
高い場合には発光ダイオード１２は点灯状態にあ
るが、次に電源線路３の電圧が降下しその電圧が
第１基準値より高く第２基準値未満になつた場合
の動作について説明する。電源線路３の電圧が斯
かる値になると電圧降下検知部２によつて第１ト
ランジスター７が能動状態にバイアスされるため
該第１トランジスター７のコレクタ・エミツタ間
電圧が大きくなり、そのコレクタ電位が上昇す
る。該第１トランジスター７のコレクタ電位が上
昇するとそれまで逆バイアス状態にあつた第２ト
ランジスター９が順バイアス状態となり導通状態
へ移行する。該第２トランジスター９が導通状態
に移行するとそのコレクタ電位が降下することに
なるが、その電位降下がコンデンサー１１を通し
て第１トランジスター７のベースに正帰還される
結果、第１トランジスター７は能動状態より遮断
状態に移行し、その移行に伴なつて第２トランジ
スター９は飽和状態になる。そして抵抗４及びコ
ンデンサー１１によつて決定される時定数により
該コンデンサー１１が充電されると第１トランジ
スター７のベース電位が上昇し該第１トランジス
ター７は遮断状態より能動状態に移行する。該第
１トランジスター７が能動状態に移行すると該第
１トランジスター７のコレクタ電位が下降するた
め第２トランジスター９のバイアスが浅くなり、
それに伴なつて該第２トランジスター９のコレク
タ電位が上昇する。該第２トランジスター９のコ
レクタ電位が上昇するとその電位上昇がコンデン
サー１１を通して第１トランジスター７のベース
に正帰還される結果、該第１トランジスター７は
能動状態より飽和状態に移行し、その飽和状態へ
の移行に伴なつて第２トランジスター９は非導通
状態になる。そして前記コンデンサー１１に充電
されていた電荷が放電されると第１トランジスタ
ー７が飽和状態より能動状態に移行するので前述
した動作が繰り返されることになる。このように
電源線路３の電圧が第１基準値より高く第２基準
値未満の状態にある場合には第２トランジスター
９は所定の周期により導通状態と非導通状態とを
繰り返すことになり、その結果発光ダイオード１
２は点滅動作状態になる。 As described above, when the voltage of the power supply line 3 is higher than the second reference value, the light emitting diode 12 is in the lighting state, but then the voltage of the power supply line 3 drops and the voltage becomes higher than the first reference value and the second reference value is reached. The operation when the value becomes less than the value will be explained. When the voltage of the power supply line 3 reaches such a value, the first transistor 7 is biased to an active state by the voltage drop detection section 2 , so that the voltage between the collector and emitter of the first transistor 7 increases, and the collector potential of the first transistor 7 increases. Rise. When the collector potential of the first transistor 7 rises, the second transistor 9, which had been in a reverse bias state, becomes a forward bias state and transitions to a conductive state. When the second transistor 9 becomes conductive, its collector potential drops, but as a result of this potential drop being positively fed back to the base of the first transistor 7 through the capacitor 11, the first transistor 7 becomes less active. The second transistor 9 shifts to the cut-off state, and as the second transistor 9 shifts to the cut-off state, the second transistor 9 becomes saturated. When the capacitor 11 is charged with a time constant determined by the resistor 4 and the capacitor 11, the base potential of the first transistor 7 rises, and the first transistor 7 shifts from the cut-off state to the active state. When the first transistor 7 becomes active, the collector potential of the first transistor 7 decreases, so the bias of the second transistor 9 becomes shallower.
Correspondingly, the collector potential of the second transistor 9 increases. When the collector potential of the second transistor 9 rises, the rise in potential is positively fed back to the base of the first transistor 7 through the capacitor 11, and as a result, the first transistor 7 shifts from an active state to a saturated state, and then reaches the saturated state. With the transition of , the second transistor 9 becomes non-conductive. Then, when the charge stored in the capacitor 11 is discharged, the first transistor 7 shifts from the saturated state to the active state, so that the above-described operation is repeated. In this way, when the voltage of the power supply line 3 is higher than the first reference value and lower than the second reference value, the second transistor 9 repeats the conductive state and the non-conductive state at a predetermined period. Result light emitting diode 1
2 is in a blinking state.
以上の如く電源線路３の電圧が第１基準値以上
にある場合の動作は行なわれるが、次に電池１が
消耗し電源線路３の電圧が第１基準値未満に降下
した場合について説明する。電源線路３の電圧が
第１基準値未満に降下すると電圧降下検知部２を
構成するツエナーダイオード５が非導通状態にな
るため第１トランジスター７のベースにバイアス
電流が流れることはなく該第１トランジスター７
は非導通状態にある。該第１トランジスター７が
非導通状態にあるとき該第１トランジスター７の
コレクタ電位は高電位にあるため第２トランジス
ター９は充分バイアスされて導通状態にある。従
つて該第２トランジスター９のコレクタ即ち接続
点ｂの電位は略接地電位にあり、発光ダイオード
１２は非点灯状態にある。 As described above, the operation is performed when the voltage of the power line 3 is equal to or higher than the first reference value.Next, the case where the battery 1 is exhausted and the voltage of the power line 3 drops below the first reference value will be described. When the voltage of the power supply line 3 drops below the first reference value, the Zener diode 5 constituting the voltage drop detection section 2 becomes non-conductive, so that no bias current flows to the base of the first transistor 7 and the first transistor 7
is in a non-conducting state. When the first transistor 7 is in a non-conducting state, the collector potential of the first transistor 7 is at a high potential, so that the second transistor 9 is sufficiently biased and is in a conducting state. Therefore, the potential at the collector of the second transistor 9, that is, the connection point b, is approximately at ground potential, and the light emitting diode 12 is in a non-lighting state.
尚本実施例では電源線路３の電圧が降下するに
つれて発光ダイオード１２を点灯、点滅及び非点
灯状態の順に変化するように構成したが、発光ダ
イオード１２を第２トランジスター９のコレクタ
負荷になるように接続すれば電源線路３の電圧が
降下するにつれて発光ダイオード１２を非点灯、
点滅及び点灯状態の順に変化せしめることが出来
る。また本実施例では発光素子として発光ダイオ
ードを使用したが、他の発光素子を使用すること
は勿論可能である。 In this embodiment, the light emitting diode 12 is configured to turn on, blink, and turn off in the order of lighting as the voltage of the power supply line 3 drops. When connected, the light emitting diode 12 is turned off as the voltage of the power supply line 3 drops.
The blinking and lighting states can be changed in this order. Furthermore, although a light emitting diode was used as the light emitting element in this embodiment, it is of course possible to use other light emitting elements.
以上に説明したように本考案の電圧降下表示回
路は、電源電圧の変化に対応して発光素子を点
灯、点滅及び非点灯の異なる３つの状態に変化せ
しめるようにしたので、例えば第２基準値を電気
機器の最適使用電圧値、第１基準値を使用可能な
最低電圧値に選定すれば、電源として使用される
電池の電圧値の状態を簡単に確認することが出
来、特に発光素子の点滅動作によつて電池の交換
時期を容易に認知することが出来るという利点を
有している。また、本考案は、電源線路の電圧降
下に対応して第１トランジスターのバイアス状態
を変化せしめると共に該第１トランジスターと第
２トランジスターそしてコンデンサーとの協働に
よつて発振動作を行なうようにしたので、即ち電
圧検出用のトランジスターと発光素子の点灯動作
を制御するトランジスターの２つのトランジスタ
ーによつて発振回路を構成したので、特別な発振
回路を設ける場合と比較して回路構成が簡単にな
るという効果を有しており、本考案の実用的価値
は非常に高いものである。 As explained above, the voltage drop display circuit of the present invention changes the light emitting element into three different states of lighting, blinking, and non-lighting in response to changes in the power supply voltage. By selecting the optimum operating voltage value for electrical equipment and the first reference value as the lowest usable voltage value, you can easily check the voltage status of the battery used as a power source, especially when the light emitting element blinks. This has the advantage that it is possible to easily recognize when it is time to replace the battery based on the operation. Further, in the present invention, the bias state of the first transistor is changed in response to the voltage drop in the power supply line, and the oscillation operation is performed by the cooperation of the first transistor, the second transistor, and the capacitor. In other words, since the oscillation circuit is configured with two transistors, one for voltage detection and one for controlling the lighting operation of the light emitting element, the circuit configuration is simpler than when a special oscillation circuit is provided. Therefore, the practical value of the present invention is extremely high.
図示した回路は本考案の電圧降下表示回路の一
実施例である。
主な図番の説明、１……電池、２……電圧降下
検知部、３……電源線路、５……ツエナーダイオ
ード、７……第１トランジスター、９……第２ト
ランジスター、１１……コンデンサー、１２……
発光ダイオード。
The illustrated circuit is one embodiment of the voltage drop indicating circuit of the present invention. Explanation of main drawing numbers, 1... Battery, 2 ... Voltage drop detection section, 3... Power line, 5... Zener diode, 7... First transistor, 9... Second transistor, 11... Capacitor , 12...
light emitting diode.
Claims (1)
にあると共に該基準値未満に降下したとき非導通
状態になるツエナーダイオードと、該ツエナーダ
イオードが導通状態にあるとき該ツエナーダイオ
ードを通してバイアス電流が供給されると共に電
源電圧が前記第１基準値より高い第２の基準値以
上あるとき飽和状態にバイアスされ、且つ電源電
圧が前記第１基準値より高く第２基準値未満にあ
るとき能動状態にバイアスされる第１トランジス
ターと、該第１トランジスターのコレクタにベー
スが接続されていると共に該第１トランジスター
のベースにコレクタがコンデンサーを介して接続
され、且つ前記第１トランジスターが能動状態に
あるとき該第１トランジスターとの協働によつて
発振動作する第２トランジスターと、該第２トラ
ンジスターの導通・非導通により発光動作が制御
されるべく接続されている発光素子とより成り、
電源電圧が第２基準値より高い状態にあるとき前
記第２トランジスターの非導通動作により前記発
光素子を点灯又は非点灯状態にせしめると共に電
源電圧が第１基準値より低い状態にあるとき前記
第２トランジスターの導通動作により前記発光素
子を非点灯又は点灯状態にせしめ、且つ電源電圧
が第１基準値より高く第２基準値未満にあるとき
前記第２トランジスターの導通・非導通の繰返し
動作により前記発光素子を点滅せしめるようにし
たことを特徴とする電圧降下表示回路。 A Zener diode that is in a conductive state when the power supply voltage is equal to or higher than a first reference value and becomes non-conductive when it drops below the reference value, and a bias current is supplied through the Zener diode when the Zener diode is in a conductive state. biased to the saturated state when the power supply voltage is higher than the first reference value and higher than the second reference value, and biased to the active state when the power supply voltage is higher than the first reference value and less than the second reference value. a first transistor whose base is connected to the collector of the first transistor, whose collector is connected to the base of the first transistor via a capacitor, and when the first transistor is in an active state, the first transistor is connected to the collector of the first transistor; The second transistor operates in oscillation in cooperation with the first transistor, and the light emitting element is connected so that the light emitting operation is controlled by conduction/nonconduction of the second transistor,
When the power supply voltage is higher than the first reference value, the second transistor is non-conductive to cause the light emitting element to turn on or off, and when the power supply voltage is lower than the first reference value, the second transistor is turned on or off. The conduction operation of the transistor causes the light emitting element to turn off or on, and when the power supply voltage is higher than the first reference value and less than the second reference value, the light emission is caused by the repeated conduction and non-conduction operation of the second transistor. A voltage drop display circuit characterized in that an element is made to blink.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17726581U JPS5880576U (en) | 1981-11-28 | 1981-11-28 | Voltage drop display circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17726581U JPS5880576U (en) | 1981-11-28 | 1981-11-28 | Voltage drop display circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5880576U JPS5880576U (en) | 1983-05-31 |
| JPH032869Y2 true JPH032869Y2 (en) | 1991-01-25 |
Family
ID=29970990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17726581U Granted JPS5880576U (en) | 1981-11-28 | 1981-11-28 | Voltage drop display circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5880576U (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006281242A (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Kayaba Ind Co Ltd | Press forming method and press forming device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5231311B2 (en) * | 1974-05-13 | 1977-08-13 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5231311U (en) * | 1975-08-26 | 1977-03-04 |
-
1981
- 1981-11-28 JP JP17726581U patent/JPS5880576U/en active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5231311B2 (en) * | 1974-05-13 | 1977-08-13 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006281242A (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Kayaba Ind Co Ltd | Press forming method and press forming device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5880576U (en) | 1983-05-31 |
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