JPH03281622A - 光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物及びそれを用いたプリント回路板 - Google Patents
光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物及びそれを用いたプリント回路板Info
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Landscapes
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プリント回路板の製造にかがわる光硬化性ジ
アリルフタレート樹脂組成物とこれを紫外線(UV)露
光現像型の耐めっき反応性ソルダレジストとして用いた
プリント回路板の製造方法に関する。
アリルフタレート樹脂組成物とこれを紫外線(UV)露
光現像型の耐めっき反応性ソルダレジストとして用いた
プリント回路板の製造方法に関する。
従来のプリント回路板用UV露光現像型ソルダレジスト
は例えば、特公昭5]、−40451号、特公昭52−
30969号、特開昭60−208377号、特開昭6
2−4390号、特開昭62−253613号などの記
載を挙げることができる。かかるレジストは、第2図に
示すプリント板の製造方法で主に用いられるものであっ
た。第2図はサブトラクト法の製造工程を4層板を例に
示しである。この工程では、内層を形成し、上下面に銅
箔をラミネートした銅張り積層板を出発材料として、所
定位置に孔をあけ、触媒を付与した後、スルーホールを
含む全面に電気網めっきを施し、エツチングで所定の回
路パターンを形成し、最後にソルダレジストを塗布する
ものである。かかるソルダレジストには古くからスクリ
ーン印刷でパターン形成をするエポキシ樹脂系の熱硬化
型のものが用いられて来たが、プリント回路板の配線密
度の増大に伴って、塗布精度の良いUV露光現像型のソ
ルダレジストが開発されたものである。
は例えば、特公昭5]、−40451号、特公昭52−
30969号、特開昭60−208377号、特開昭6
2−4390号、特開昭62−253613号などの記
載を挙げることができる。かかるレジストは、第2図に
示すプリント板の製造方法で主に用いられるものであっ
た。第2図はサブトラクト法の製造工程を4層板を例に
示しである。この工程では、内層を形成し、上下面に銅
箔をラミネートした銅張り積層板を出発材料として、所
定位置に孔をあけ、触媒を付与した後、スルーホールを
含む全面に電気網めっきを施し、エツチングで所定の回
路パターンを形成し、最後にソルダレジストを塗布する
ものである。かかるソルダレジストには古くからスクリ
ーン印刷でパターン形成をするエポキシ樹脂系の熱硬化
型のものが用いられて来たが、プリント回路板の配線密
度の増大に伴って、塗布精度の良いUV露光現像型のソ
ルダレジストが開発されたものである。
一方、第1図に示すパートリアディティブ法のプリント
板製造法では、第2図に示すサブトラクト法で用いるソ
ルダレジストとは全く異なる特性を付与した耐めっきソ
ルダレジストを用いることが不可欠である。
板製造法では、第2図に示すサブトラクト法で用いるソ
ルダレジストとは全く異なる特性を付与した耐めっきソ
ルダレジストを用いることが不可欠である。
パートリアディティブ法では、サブトラクト法と異なり
、銅張り積層板の所定の位置に穴をあけ、触媒を付与し
た後、先に導体回路を形成する。次いで所定部に耐めっ
き反応性ソルダレジストを形成した後、最後に化学銅め
っきを用いてスルーホール、ランド部等必要な箇所のみ
にめっきを施すものである。
、銅張り積層板の所定の位置に穴をあけ、触媒を付与し
た後、先に導体回路を形成する。次いで所定部に耐めっ
き反応性ソルダレジストを形成した後、最後に化学銅め
っきを用いてスルーホール、ランド部等必要な箇所のみ
にめっきを施すものである。
かかる製造方法は、サブトラクト法に比較して安価、高
精度の利点がある。サブトラクト法のように全面にめっ
きを施さず、必要な箇所のみに部分的にめっきすること
や、導体回路形成におけるエツチングも銅張り積層板の
薄い銅箔のみのエツチングでよいことなどから、工程が
簡略で損失が少なく、高精度の配線が可能である。パー
トリアディティブ法では、耐めっきソルダレジストの下
の配線パターンに化学銅めっきの析呂電位が−0,6〜
−0,9Vかかり、かつ高温、強アルカリのめっき液に
長時間浸漬されるという過酷な工程を経た後にも、永久
レジストとして使用するため、ソルダレジストとしての
機能を持つことが必要である。かかる目的に適した耐め
っきソルダレジストとして、スクリーン印刷でパターン
を形成する工ボキシ樹脂系熱硬化型のものが知られてい
た。かかる耐めっき性を有するソルダレジストは特開昭
58−147416に開示されている。また、従来の耐
めっき性を有するUV露光・現像型レジスト例えば特開
昭62−265321では、耐裏写り性が全く考慮され
ていないため、ネガマスクを密着させパターンを焼き付
けるUV照射時において、両面同時露光が出来ず、片面
ずつ露光作業を行うため作業性が劣っていた。また、耐
熱性においても、プロセスマージンや半田付は条件等の
要求特性の高まりと相いまって、まだ十分でないことが
わかった。
精度の利点がある。サブトラクト法のように全面にめっ
きを施さず、必要な箇所のみに部分的にめっきすること
や、導体回路形成におけるエツチングも銅張り積層板の
薄い銅箔のみのエツチングでよいことなどから、工程が
簡略で損失が少なく、高精度の配線が可能である。パー
トリアディティブ法では、耐めっきソルダレジストの下
の配線パターンに化学銅めっきの析呂電位が−0,6〜
−0,9Vかかり、かつ高温、強アルカリのめっき液に
長時間浸漬されるという過酷な工程を経た後にも、永久
レジストとして使用するため、ソルダレジストとしての
機能を持つことが必要である。かかる目的に適した耐め
っきソルダレジストとして、スクリーン印刷でパターン
を形成する工ボキシ樹脂系熱硬化型のものが知られてい
た。かかる耐めっき性を有するソルダレジストは特開昭
58−147416に開示されている。また、従来の耐
めっき性を有するUV露光・現像型レジスト例えば特開
昭62−265321では、耐裏写り性が全く考慮され
ていないため、ネガマスクを密着させパターンを焼き付
けるUV照射時において、両面同時露光が出来ず、片面
ずつ露光作業を行うため作業性が劣っていた。また、耐
熱性においても、プロセスマージンや半田付は条件等の
要求特性の高まりと相いまって、まだ十分でないことが
わかった。
上記従来技術は、パートリアディティブ法に用いるため
には、例えば特公昭52−30969号記載のUV露光
現像型レジストでは耐めっき反応性が全くなく、一方、
特開昭58−147416号記載のソルダレジストでは
耐めっき性はあるものの、UV露光現像型でないために
、高精度にパターンの形成が出来ない、耐裏写り性が全
く考慮されておらず作業性に劣る等の問題があった。
には、例えば特公昭52−30969号記載のUV露光
現像型レジストでは耐めっき反応性が全くなく、一方、
特開昭58−147416号記載のソルダレジストでは
耐めっき性はあるものの、UV露光現像型でないために
、高精度にパターンの形成が出来ない、耐裏写り性が全
く考慮されておらず作業性に劣る等の問題があった。
本発明は、パートリアディティブ法に用いることができ
るUV露光現像型の耐めっき反応性ソルダレジストに用
いる光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物を提供する
ことを第1の目的としている。すなわち、実用的なレジ
ストとして備えるべき特性は多岐にわたっており、その
中の一つでも欠けると、実用性が著しく損なわれる。従
って、本発明の課題は単に従来技術の組合せでは得られ
ない多くの特性を同時に満足するレジストを提供するこ
とにある。かかる課題を列挙すると次のようになる。
るUV露光現像型の耐めっき反応性ソルダレジストに用
いる光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物を提供する
ことを第1の目的としている。すなわち、実用的なレジ
ストとして備えるべき特性は多岐にわたっており、その
中の一つでも欠けると、実用性が著しく損なわれる。従
って、本発明の課題は単に従来技術の組合せでは得られ
ない多くの特性を同時に満足するレジストを提供するこ
とにある。かかる課題を列挙すると次のようになる。
a)本発明のレジストはUV光で硬化することが必須で
ある。すなわちプリント回路板の製造に適した300〜
400nmの紫外線(UV)光の照射により架橋反応を
生じ、照射部分のみが硬化する必要がある。また、照射
量として実用的な0.02〜IOJ/dの範囲で硬化す
る必要がある。
ある。すなわちプリント回路板の製造に適した300〜
400nmの紫外線(UV)光の照射により架橋反応を
生じ、照射部分のみが硬化する必要がある。また、照射
量として実用的な0.02〜IOJ/dの範囲で硬化す
る必要がある。
b)本発明のレジストはUV照射により硬化した部分と
未硬化部分の現像液に対する溶解度差が適切で、現像性
いわゆる現像後の解像度が良好であることか必須である
。
未硬化部分の現像液に対する溶解度差が適切で、現像性
いわゆる現像後の解像度が良好であることか必須である
。
C)本発明のレジストは、プリント基板の両面に塗布し
て、正常に両面同時に露光できることが必須である。す
なわち、片面から露光したUV光がレジストおよび基材
中を透過し、他面のレジストを硬化させるいわゆる裏写
りがあってはならない。
て、正常に両面同時に露光できることが必須である。す
なわち、片面から露光したUV光がレジストおよび基材
中を透過し、他面のレジストを硬化させるいわゆる裏写
りがあってはならない。
かかる課題を解決しない場合には、基材の両面に用いる
ネガマスクパターンの違いが反対面にも現われるため、
実用性を著しく損なう。
ネガマスクパターンの違いが反対面にも現われるため、
実用性を著しく損なう。
d)本発明のレジストは、解像度を高めるため0■露先
の際、問題なくネガマスクをレジストに密着して露光で
きることが必須である。かかる課題を解決しないレジス
トでは、レジスト自身の粘性や、露光時の昇温のためレ
ジストが軟化するなどの原因で、レジストがネガマスク
に貼り付く。
の際、問題なくネガマスクをレジストに密着して露光で
きることが必須である。かかる課題を解決しないレジス
トでは、レジスト自身の粘性や、露光時の昇温のためレ
ジストが軟化するなどの原因で、レジストがネガマスク
に貼り付く。
かかる場合には露光毎にネガマスクを洗浄せねばならず
、実用性が著しく損なわれる。したがって、ネガマスク
をレジストに密着して露光しても、マスクにレジストが
貼り付かないことが必須となる。
、実用性が著しく損なわれる。したがって、ネガマスク
をレジストに密着して露光しても、マスクにレジストが
貼り付かないことが必須となる。
e)本発明のレジストは、塗布性が良好であることが必
須である。すなわち、プリント回路板全面にスクリーン
印刷法やロールコータ等でレジストを塗布する際、厚さ
が均一になりかつボイドが残らない適切なインクとして
の特性を有するのみならず、作業中にもその特性が変化
しないことが必要である。
須である。すなわち、プリント回路板全面にスクリーン
印刷法やロールコータ等でレジストを塗布する際、厚さ
が均一になりかつボイドが残らない適切なインクとして
の特性を有するのみならず、作業中にもその特性が変化
しないことが必要である。
f)本発明のレジストは、製品であるプリント回路板上
に形成されており、繰り返しはんだ付けに耐える良好な
耐熱性を有することが必須である。
に形成されており、繰り返しはんだ付けに耐える良好な
耐熱性を有することが必須である。
すなわち、およそ280℃、10秒のはんだ浸漬を約1
0回繰り返しても、或はこれに相当する熱風、赤外線、
ヘーパ等によるはんだ付けによってもプリント回路板上
のレジストにフクレ、剥離等の異常が生じないことが必
要である。
0回繰り返しても、或はこれに相当する熱風、赤外線、
ヘーパ等によるはんだ付けによってもプリント回路板上
のレジストにフクレ、剥離等の異常が生じないことが必
要である。
g)本発明のレジストは、製品であるプリント回路板上
に形成されており、高い1I4A縁性を保持できること
が必須である。すなわち、配線間の絶縁劣化を生じない
優れた絶縁性、特に、吸湿時の絶縁性を保持することが
必要である。
に形成されており、高い1I4A縁性を保持できること
が必須である。すなわち、配線間の絶縁劣化を生じない
優れた絶縁性、特に、吸湿時の絶縁性を保持することが
必要である。
h)本発明のレジストは、製品であるプリント回踏板上
に形成されており、耐薬品性に優れることが必須である
。すなわち、プリント回路板実装時のフランクス、洗浄
、はんだ付は等に用いられる溶剤により、レジストが溶
解、変質しない必要がある。
に形成されており、耐薬品性に優れることが必須である
。すなわち、プリント回路板実装時のフランクス、洗浄
、はんだ付は等に用いられる溶剤により、レジストが溶
解、変質しない必要がある。
i)本発明のレジストは、プリント回路板上に形成した
後、良好な耐アルカリ性および耐めっき反応性いわゆる
耐カソード剥離性を有することが必須である。具体的に
は、化学網めっき液の高温、高アルカリかつ−0,6〜
−0,9vの析出電位がかかる過酷な条件に長時間浸漬
しても、レジスト表面が溶解、変質せず、さらに基材お
よび導体回路上で剥離してはならない。より具体的には
、化学銅めっきを施す際、回路銅箔とレジスト間の剥離
や密着力の劣化が生じないことが必須である。
後、良好な耐アルカリ性および耐めっき反応性いわゆる
耐カソード剥離性を有することが必須である。具体的に
は、化学網めっき液の高温、高アルカリかつ−0,6〜
−0,9vの析出電位がかかる過酷な条件に長時間浸漬
しても、レジスト表面が溶解、変質せず、さらに基材お
よび導体回路上で剥離してはならない。より具体的には
、化学銅めっきを施す際、回路銅箔とレジスト間の剥離
や密着力の劣化が生じないことが必須である。
smに至る機構はさだかではないが、次のようなことで
はないかと思われる。種々検討した結果、剥離が化学網
めっき反応が生じている個所と接続している導体回路の
上に塗布したレジストにのみ見られること、更に、レジ
スト塗布前の導体回路銅箔が酸化していると極めて短時
間にレジスト剥離が起きる。また、導体回路がレジスト
で完全にカバーされている個所、いわゆるめっきの析出
電位(−0,6〜−〇、9V)がかからないと剥離しな
い。
はないかと思われる。種々検討した結果、剥離が化学網
めっき反応が生じている個所と接続している導体回路の
上に塗布したレジストにのみ見られること、更に、レジ
スト塗布前の導体回路銅箔が酸化していると極めて短時
間にレジスト剥離が起きる。また、導体回路がレジスト
で完全にカバーされている個所、いわゆるめっきの析出
電位(−0,6〜−〇、9V)がかからないと剥離しな
い。
これらの事象から、めっき中に水分がレジスト膜を通し
て回路銅箔との界面に到達し、析出電位により、回路銅
箔表面の酸化銅が還元されるため。
て回路銅箔との界面に到達し、析出電位により、回路銅
箔表面の酸化銅が還元されるため。
レジストとの結合が切れM離が起きる。これは。
従来から言われているレジストの耐めっき性とは異なり
、耐めっき反応性(耐カソード剥離性)として区別して
いる。プリント回路板製造時に、回路銅箔上に酸化銅の
形成を防ぐ事が重要であることを見いだし、我々はレジ
スト組成を限定する事で対処した。
、耐めっき反応性(耐カソード剥離性)として区別して
いる。プリント回路板製造時に、回路銅箔上に酸化銅の
形成を防ぐ事が重要であることを見いだし、我々はレジ
スト組成を限定する事で対処した。
かかる課題は、パートリアディティブ法でプリント回路
板を製造する際、最も留意すべき点であり、この問題が
解決されないと回路銅箔上のレジストが剥離するため、
実用性が全くなくなるのである。
板を製造する際、最も留意すべき点であり、この問題が
解決されないと回路銅箔上のレジストが剥離するため、
実用性が全くなくなるのである。
j)本発明のレジストは、プリント回路板上に形成した
後、化学網めっきを施す際、レジストからめっき液中に
有害な成分が溶出または抽出されないこと、いわゆる耐
めっき溶出性が必須である。
後、化学網めっきを施す際、レジストからめっき液中に
有害な成分が溶出または抽出されないこと、いわゆる耐
めっき溶出性が必須である。
かかる問題が未解決であると、レジストからの溶出また
は抽出された成分がめっきの析出反応に悪影響を及ぼす
結果、めっき反応が停止、ないし遅滞したり、析出した
銅の物性が著しく劣化する。
は抽出された成分がめっきの析出反応に悪影響を及ぼす
結果、めっき反応が停止、ないし遅滞したり、析出した
銅の物性が著しく劣化する。
かかる問題がないことが必須の課題である。本発明の第
2の目的は、上記a)からj)の課題を全て満足する所
定の光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物からなるU
V露露光現像型力っきレジストを用いてパートリアディ
ティブ法でプリント回路板を製造する方法を提供するこ
とである。さらに本発明の第3の目的は、かかる方法で
製造されたプリント回路板を提供することにある。
2の目的は、上記a)からj)の課題を全て満足する所
定の光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物からなるU
V露露光現像型力っきレジストを用いてパートリアディ
ティブ法でプリント回路板を製造する方法を提供するこ
とである。さらに本発明の第3の目的は、かかる方法で
製造されたプリント回路板を提供することにある。
さらに1本発明の第4の目的は、本発明のプリント回路
板を用いた電子機器を提供することである。
板を用いた電子機器を提供することである。
上記目的を達成するために1本発明は耐めっき反応性ソ
ルダレジスト組成物、いわゆる光硬化性ジアリルフタレ
ート樹脂組成物として以下のものを用いる。ジアリルフ
タレートのプレポリマーと、多官能不飽和化合物と、光
重合開始剤と、エポキシ樹脂と、所定のエポキシ硬化剤
と、紫外線吸収剤と、消泡剤と、充填剤と、上記ジアリ
ルフタレートのプレポリマーとエポキシ樹脂を溶解する
ための有機溶剤とを含んでなるものである。
ルダレジスト組成物、いわゆる光硬化性ジアリルフタレ
ート樹脂組成物として以下のものを用いる。ジアリルフ
タレートのプレポリマーと、多官能不飽和化合物と、光
重合開始剤と、エポキシ樹脂と、所定のエポキシ硬化剤
と、紫外線吸収剤と、消泡剤と、充填剤と、上記ジアリ
ルフタレートのプレポリマーとエポキシ樹脂を溶解する
ための有機溶剤とを含んでなるものである。
本発明のジアリルフタレートのプレポリマーはβ−ポリ
マーとも称され、例えば、吉見直喜著「ジアリルフタレ
ート樹脂」日刊工業新聞社列(昭44)に、その詳しい
製法、性質が記載されている。本発明に必須のプレポリ
マーの分子量は3 、000〜30,000が好ましい
。3,000以下では、ネガマスクとの密着露光性が劣
り、また、30.000以上では、現像性が悪い。
マーとも称され、例えば、吉見直喜著「ジアリルフタレ
ート樹脂」日刊工業新聞社列(昭44)に、その詳しい
製法、性質が記載されている。本発明に必須のプレポリ
マーの分子量は3 、000〜30,000が好ましい
。3,000以下では、ネガマスクとの密着露光性が劣
り、また、30.000以上では、現像性が悪い。
またプレポリマーを含むとの記載はポリマーの合成にと
もなって残留もしくは生成するジアリルフタレートモノ
マーあるいは三次元網状構造のγ−ポリマーが少量台ま
れることを妨げるものではない。
もなって残留もしくは生成するジアリルフタレートモノ
マーあるいは三次元網状構造のγ−ポリマーが少量台ま
れることを妨げるものではない。
さらに本発明の組成物中の多官能不飽和化合物は、少な
くとも2個以上のエチレン結合を分子内に有する化合物
である。例えば、不飽和カルボン酸と2価以上のポリヒ
ドロキシ化合物とのエステル化反応によって得られる。
くとも2個以上のエチレン結合を分子内に有する化合物
である。例えば、不飽和カルボン酸と2価以上のポリヒ
ドロキシ化合物とのエステル化反応によって得られる。
不飽和カルボン酸としては、アクリル酸、メタクリル酸
、イタコン酸クロトン酸、マレイン酸等であり、一方2
価以上のポリヒドロキシ化合物としては、エチレングリ
コール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール
、トリエチレングリコール、ヒドロキノン、ピロガロー
ル等である。
、イタコン酸クロトン酸、マレイン酸等であり、一方2
価以上のポリヒドロキシ化合物としては、エチレングリ
コール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール
、トリエチレングリコール、ヒドロキノン、ピロガロー
ル等である。
これらを原料にしてエステル化反応によって得られる化
合物としては、ジエチレングリコールジアクリレート、
ポリエチレングリコールジアクリレート、1,5−ベン
タンジオールジアクリレート、1.6−ヘキサンジオー
ルジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリ
レート、ペンタニルスリトールトリアクリレート、ジエ
チレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプ
ロパントリメタクリレート、1,3−ブタンジオールジ
メタクリレートなどに代表されるジアクリレート、ジメ
タクリレート化合物や、ジペンタエリスリトールのトリ
、テトラ、ペンタアクリレートもしくはメタクリレート
、ソルビトールのトリ、テトラ、ペンタ、ヘキサアクリ
レートもしくはメタクリレートなどに代表される多価ア
クリレート、ないし多価メタクリレート化合物やオリゴ
マエステルアクリレート、オリゴマエステルメタクリレ
ートなど、またエポキシ樹脂とアクリル酸ないしメタク
リル酸との反応により合成するエポキシアクリレートな
いしエポキシメタクリレート等が挙げられる。以上の例
は、多官能不飽和化合物を単独で使用しているが、2種
以上を混合しても使用できる。また単官能不飽和化合物
の併用も可能である。
合物としては、ジエチレングリコールジアクリレート、
ポリエチレングリコールジアクリレート、1,5−ベン
タンジオールジアクリレート、1.6−ヘキサンジオー
ルジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリ
レート、ペンタニルスリトールトリアクリレート、ジエ
チレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプ
ロパントリメタクリレート、1,3−ブタンジオールジ
メタクリレートなどに代表されるジアクリレート、ジメ
タクリレート化合物や、ジペンタエリスリトールのトリ
、テトラ、ペンタアクリレートもしくはメタクリレート
、ソルビトールのトリ、テトラ、ペンタ、ヘキサアクリ
レートもしくはメタクリレートなどに代表される多価ア
クリレート、ないし多価メタクリレート化合物やオリゴ
マエステルアクリレート、オリゴマエステルメタクリレ
ートなど、またエポキシ樹脂とアクリル酸ないしメタク
リル酸との反応により合成するエポキシアクリレートな
いしエポキシメタクリレート等が挙げられる。以上の例
は、多官能不飽和化合物を単独で使用しているが、2種
以上を混合しても使用できる。また単官能不飽和化合物
の併用も可能である。
さらに本発明の組成物中、光重合開始剤としては、例え
ば、アセトフェノンとその誘導体、ベンゾフェノンとそ
の誘導体、ミヒラーケント、ベンジルとその誘導体、ベ
ンゾインとその誘導体、チオキサントンとその誘導体、
アントラキノンとその誘導体、1−ヒドロキシシクロへ
キシルフェニルケトン、2−メチル−1−[4−(メチ
ルチオ)フェニルコー2−モルフォリノ−1−プロパン
−1に代表されるα−アミノケトン化合物などを含んで
なるものである。これらは単独ないし必要に応じて混合
して用いる。また光重合開始剤の作用を増感するアミン
化合物を併用することも可能である。
ば、アセトフェノンとその誘導体、ベンゾフェノンとそ
の誘導体、ミヒラーケント、ベンジルとその誘導体、ベ
ンゾインとその誘導体、チオキサントンとその誘導体、
アントラキノンとその誘導体、1−ヒドロキシシクロへ
キシルフェニルケトン、2−メチル−1−[4−(メチ
ルチオ)フェニルコー2−モルフォリノ−1−プロパン
−1に代表されるα−アミノケトン化合物などを含んで
なるものである。これらは単独ないし必要に応じて混合
して用いる。また光重合開始剤の作用を増感するアミン
化合物を併用することも可能である。
さらに本発明の組成物はエポキシ樹脂を含んでなるもの
である。かかるエポキシ樹脂としては、平均して1分子
当り2個以上のエポキシ基を有するもので、ビスフェノ
ールA、ビスフェノールF、ハロゲン化ビスフェノール
A、等のビスフェノール類とエピクロルヒドリンを塩基
性触媒の存在下で反応じて得られるビスフェノール型の
ポリグリシジルエーテル、ノボラック型ないしクレゾー
ル型フェノール樹脂とエピクロルヒドリンとを反応じて
得られるエポキシノボラックおよびエポキシクレゾール
等が特に好ましい。
である。かかるエポキシ樹脂としては、平均して1分子
当り2個以上のエポキシ基を有するもので、ビスフェノ
ールA、ビスフェノールF、ハロゲン化ビスフェノール
A、等のビスフェノール類とエピクロルヒドリンを塩基
性触媒の存在下で反応じて得られるビスフェノール型の
ポリグリシジルエーテル、ノボラック型ないしクレゾー
ル型フェノール樹脂とエピクロルヒドリンとを反応じて
得られるエポキシノボラックおよびエポキシクレゾール
等が特に好ましい。
さらに本発明の組成物は所定のエポキシ樹脂用硬化剤を
含んでなるものである。かかる所定のエポキシ樹脂用硬
化剤とはジシアンジアミドと下記の一般式で示されるエ
ポキシ樹脂に対して潜在硬化性を有するジアミノトリア
ジン変性イミダゾール化合物である。
含んでなるものである。かかる所定のエポキシ樹脂用硬
化剤とはジシアンジアミドと下記の一般式で示されるエ
ポキシ樹脂に対して潜在硬化性を有するジアミノトリア
ジン変性イミダゾール化合物である。
2N
(Rはイミダゾール化合物である。)
例えば、2.4−ジアミノ−6(2′−メチルイミダゾ
ール−(1″))エチル−s−トリアジン、2.4−ジ
アミノ−6(2′−エチル−42−メチルイミダゾール
− トリアジン、2.4−ジアミノ−6(2′−ウンデシル
イミダゾール−(1’))エチル−S−トリアジンもし
くは2.4−ジアミノ−6(2′メチルイミダゾール−
(1’ ))エチル−S−トリアジン・インシアヌール
酸付加物などがある。
ール−(1″))エチル−s−トリアジン、2.4−ジ
アミノ−6(2′−エチル−42−メチルイミダゾール
− トリアジン、2.4−ジアミノ−6(2′−ウンデシル
イミダゾール−(1’))エチル−S−トリアジンもし
くは2.4−ジアミノ−6(2′メチルイミダゾール−
(1’ ))エチル−S−トリアジン・インシアヌール
酸付加物などがある。
さらに本発明の組成物は紫外線吸収剤と消泡剤と充填剤
と溶剤を含んでなるものである。かかる紫外線吸収剤と
しては300nm以上の光波長領域において光吸収を生
じるが、樹脂組成物の光硬化反応とは関係しない化合物
を用いることが出来る。その例として、紫外線の照射に
より吸光係数をか減少する4−t−ブチル−4′−メト
キシ−ジベンゾイルメタン、2−エチルへキシル−P−
メトキシシンナメイト、2−(2’−ヒドロキシ−3′
5′−ジ・tert−ブチルフェニル)ベンゾトリ
アゾール、2− (2’−ヒドロキシ−3′tert−
ブチル−5′−メチルフェニル)−5−クロロベンゾト
リアゾール、2−(2−ヒドロキシ−3’ 5’−t
art−ブチルフェニル)−5−クロロベンゾトリアゾ
ール、2−(2’−ヒドロキシ−3−(3”、4”
、5” 、6”−テトラヒドロフタルイミドメチル)
−5″−メチルフェニル)ベンゾトリアゾール等である
。紫外線吸収剤は、両面同時露光時における反対面から
のUV光によるレジストの硬化、いわゆる裏写りの防止
、ならびにハレーションを防ぎ解像度を高める。
と溶剤を含んでなるものである。かかる紫外線吸収剤と
しては300nm以上の光波長領域において光吸収を生
じるが、樹脂組成物の光硬化反応とは関係しない化合物
を用いることが出来る。その例として、紫外線の照射に
より吸光係数をか減少する4−t−ブチル−4′−メト
キシ−ジベンゾイルメタン、2−エチルへキシル−P−
メトキシシンナメイト、2−(2’−ヒドロキシ−3′
5′−ジ・tert−ブチルフェニル)ベンゾトリ
アゾール、2− (2’−ヒドロキシ−3′tert−
ブチル−5′−メチルフェニル)−5−クロロベンゾト
リアゾール、2−(2−ヒドロキシ−3’ 5’−t
art−ブチルフェニル)−5−クロロベンゾトリアゾ
ール、2−(2’−ヒドロキシ−3−(3”、4”
、5” 、6”−テトラヒドロフタルイミドメチル)
−5″−メチルフェニル)ベンゾトリアゾール等である
。紫外線吸収剤は、両面同時露光時における反対面から
のUV光によるレジストの硬化、いわゆる裏写りの防止
、ならびにハレーションを防ぎ解像度を高める。
一方、かかる消泡剤としては、シリコーンオイルに代表
されるシロキサン結合を含む有機珪素化合物が主に用い
られる。さらに、かかる充填材は、10μm以下の微粒
子石英粉末が望ましい。−船釣に光硬化性樹脂は、光硬
化した皮膜の機械的性質、耐熱性が低い。本発明の目的
を達するには、充填材を多量に加えて上記性質を大幅に
改善する必要かある。しかし光硬化性樹脂であるので、
充填材によって紫外線の透過が阻害し、光硬化が阻害す
ることがあってはならない。充填材としての石英粉末は
紫外線を透過し、あるいは、その表面で散乱するので光
硬化反応は阻害されることはない。
されるシロキサン結合を含む有機珪素化合物が主に用い
られる。さらに、かかる充填材は、10μm以下の微粒
子石英粉末が望ましい。−船釣に光硬化性樹脂は、光硬
化した皮膜の機械的性質、耐熱性が低い。本発明の目的
を達するには、充填材を多量に加えて上記性質を大幅に
改善する必要かある。しかし光硬化性樹脂であるので、
充填材によって紫外線の透過が阻害し、光硬化が阻害す
ることがあってはならない。充填材としての石英粉末は
紫外線を透過し、あるいは、その表面で散乱するので光
硬化反応は阻害されることはない。
この充填材の使用により、上記性質の大幅な改善ととも
に、耐めっき溶出性、耐めっき反応性をも改善される。
に、耐めっき溶出性、耐めっき反応性をも改善される。
さらに本発明の組成物はジアリルフタレートのプレポリ
マーやエポキシ樹脂を溶解するための有機溶剤を含んで
なるものである。かかる有機溶剤としてメチルセルソル
ブ、エチルセルソルブ、ブチルセルソルブ、メチルセル
ソルブアセテート、エチルセルソルブアセテート、ブチ
ルセルソルブアセテート、メチルカルピトール、エチル
カルピトール、ブチルカルピトール、テルピネオールな
どの高沸点溶剤が好ましい。
マーやエポキシ樹脂を溶解するための有機溶剤を含んで
なるものである。かかる有機溶剤としてメチルセルソル
ブ、エチルセルソルブ、ブチルセルソルブ、メチルセル
ソルブアセテート、エチルセルソルブアセテート、ブチ
ルセルソルブアセテート、メチルカルピトール、エチル
カルピトール、ブチルカルピトール、テルピネオールな
どの高沸点溶剤が好ましい。
本発明の光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物は、必
要に応じて他の添加剤、例えば石英超微粉末等の揺変剤
を加えることが出来る。
要に応じて他の添加剤、例えば石英超微粉末等の揺変剤
を加えることが出来る。
本発明の組成物を構成する好ましい配合割合は、ジアリ
ルフタレートプレポリマー100重量部に対して、多官
能不飽和化合物4乃至30重量部と。
ルフタレートプレポリマー100重量部に対して、多官
能不飽和化合物4乃至30重量部と。
光重合開始剤0.5乃至12重量部とエポキシ樹脂3乃
至35重量部と、消泡剤0.5乃至10重量部と、上記
ジアリルフタレートのプレポリマーを溶解するための溶
剤55乃至100重量部、所定のエポキシ硬化剤して、
ジシアンジアミドとジアミノトリアジン変性イミダゾー
ル化合物との配合比が1671乃至5/1でこれら混合
物の添加量がエポキシ樹脂100重量部に対して2乃至
20重量部であり、さらに紫外線吸収剤を、0.1乃至
10重量部、好ましくはジアリルフタレート樹脂組成物
の塗膜を通過する紫外線光量をo、ox、yci以下と
する量。
至35重量部と、消泡剤0.5乃至10重量部と、上記
ジアリルフタレートのプレポリマーを溶解するための溶
剤55乃至100重量部、所定のエポキシ硬化剤して、
ジシアンジアミドとジアミノトリアジン変性イミダゾー
ル化合物との配合比が1671乃至5/1でこれら混合
物の添加量がエポキシ樹脂100重量部に対して2乃至
20重量部であり、さらに紫外線吸収剤を、0.1乃至
10重量部、好ましくはジアリルフタレート樹脂組成物
の塗膜を通過する紫外線光量をo、ox、yci以下と
する量。
また充填材の添加量はジアリルフタレートプレポリマー
100重量部に対して20乃至100重量部である。
100重量部に対して20乃至100重量部である。
さらに詳しく述へると本発明においては、ジシアンジア
ミドとジアミノトリアジン変性イミダゾール化合物との
配合比を厳密に規定することが必須であり、第3図に示
す斜線の範囲内であることか必要である。
ミドとジアミノトリアジン変性イミダゾール化合物との
配合比を厳密に規定することが必須であり、第3図に示
す斜線の範囲内であることか必要である。
かかる組成の上、下限は、前述した本発明の課題(a)
から(j)までが全て同時に満足できるよう注意深く選
択された物である。
から(j)までが全て同時に満足できるよう注意深く選
択された物である。
次に本発明の第2の目的である上記の光硬化性ジアリル
フタレート樹脂組成物を耐めっき反応性ソルダレジスト
として用いて、パートリアディティブ法でプリント回路
板を製造する手段について述べる。
フタレート樹脂組成物を耐めっき反応性ソルダレジスト
として用いて、パートリアディティブ法でプリント回路
板を製造する手段について述べる。
第1図に従って、当該業者に周知の方法で銅張り積層板
に孔あけ、化学銅めっき触媒核を付与し[第1図、2)
] 、当該業者に周知の方法で所定部をエツチングして
、基板の両面に導体回路を形成する[第1図、3)コ。
に孔あけ、化学銅めっき触媒核を付与し[第1図、2)
] 、当該業者に周知の方法で所定部をエツチングして
、基板の両面に導体回路を形成する[第1図、3)コ。
次で、本発明の光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物
を導体回路を含む基板全面に塗布する。
を導体回路を含む基板全面に塗布する。
次いで、レジストが塗布された基板を乾燥し、レジスト
を固化する。かかる方法を繰り返し裏面で行なうか、あ
るいは、光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物を基板
の両面に同時に塗布してから乾燥することで、基板の両
面に固化したレジスト層を形成する。乾燥条件は、60
−100℃で、乾燥時間は、0.2〜2時間が好ましい
。
を固化する。かかる方法を繰り返し裏面で行なうか、あ
るいは、光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物を基板
の両面に同時に塗布してから乾燥することで、基板の両
面に固化したレジスト層を形成する。乾燥条件は、60
−100℃で、乾燥時間は、0.2〜2時間が好ましい
。
次いで、両面のレジスト上にネガマスクを密着して、両
面から同時にUV光を照射して露光する。
面から同時にUV光を照射して露光する。
かかる照射量は片面当り0.1〜1.J/dが好ましい
。さらに、かかる照射量範囲においても、片面に入射し
たUV光が他面のレジストを全く、硬化しないことも、
強調されるべきことである。
。さらに、かかる照射量範囲においても、片面に入射し
たUV光が他面のレジストを全く、硬化しないことも、
強調されるべきことである。
次で、レジスト面からネガマスクを剥離し、未露光部を
現像する。かかる現像に適する溶剤として1.1.1−
トリクロロエタンの如き不燃性の塩素系溶剤が用いら
れ、現像時間も0.5〜5分が選択される。
現像する。かかる現像に適する溶剤として1.1.1−
トリクロロエタンの如き不燃性の塩素系溶剤が用いら
れ、現像時間も0.5〜5分が選択される。
次で、基板を加熱して、パターンを形成したレジスト部
を硬化する。硬化条件は、140〜180’C。
を硬化する。硬化条件は、140〜180’C。
0.2〜2時間が選択される。
次で、基板上のレジストに、再度UV光を照射し、レジ
ストの硬化を完了する。かがるポスト露光に適した露光
量は1〜IOJ/Ciである。
ストの硬化を完了する。かがるポスト露光に適した露光
量は1〜IOJ/Ciである。
以上の工程を経て、基板上にレジスト層が形成される[
第1図、4)コ9 次で、基板け化学銅めっき中に浸漬され、スルーホール
孔内、ランド上をはじめとする生栗部分のみに厚い化学
網めっきが施され、パートリアディティブ法によるプリ
ント回路板が製造さ九る[第1図、5)コ。ががる銅め
っき中に、回路銅箔上のレジストに全く剥離が生じない
ことは本発明の特筆すべき重要な利点である。
第1図、4)コ9 次で、基板け化学銅めっき中に浸漬され、スルーホール
孔内、ランド上をはじめとする生栗部分のみに厚い化学
網めっきが施され、パートリアディティブ法によるプリ
ント回路板が製造さ九る[第1図、5)コ。ががる銅め
っき中に、回路銅箔上のレジストに全く剥離が生じない
ことは本発明の特筆すべき重要な利点である。
以上のようなパートリアディティブプリント基板製造に
おいて、本発明のレジストは前述の課題を全て同時に満
足できる。このために、パートリアディティブ法による
高密度プリント板の製造が可能となったのである。
おいて、本発明のレジストは前述の課題を全て同時に満
足できる。このために、パートリアディティブ法による
高密度プリント板の製造が可能となったのである。
実施例1〜39
以下、本発明の光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物
並びにこれを耐めっき反応性ソルダレジストとして用い
たプリント回路板の製造方法を具体的に説明する。第1
図に従って、35μmの銅箔を張ったガラスエポキシ両
面網張り積層板に当該業者に周知の方法で孔をあけ、め
っき核となる触媒を付与し[第1図、2]、当該業者に
周知の方法で銅箔の所定部をエツチングして、基板の両
面に導体回路を形成する。
並びにこれを耐めっき反応性ソルダレジストとして用い
たプリント回路板の製造方法を具体的に説明する。第1
図に従って、35μmの銅箔を張ったガラスエポキシ両
面網張り積層板に当該業者に周知の方法で孔をあけ、め
っき核となる触媒を付与し[第1図、2]、当該業者に
周知の方法で銅箔の所定部をエツチングして、基板の両
面に導体回路を形成する。
次いで、本発明の光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成
物(表1〜4、実施例1〜39)を導体回路を含む基板
全面に塗布する。実施例1の光硬化性ジアリルフタレー
ト樹脂組成物は下記の方法で製造した。例えば表1の実
施例1の組成物は(イ)ジアリルフタレートのプレポリ
マー(ダイソーダツブA:ダイソーに、に、製、平均分
子量7000) 100 g、(ロ)1−リメチロール
プロパントリメタクリレート20g、(ハ)二ピコート
828(ビスフェノールA型エポキシ樹脂:油化シェル
エポキシに、K。
物(表1〜4、実施例1〜39)を導体回路を含む基板
全面に塗布する。実施例1の光硬化性ジアリルフタレー
ト樹脂組成物は下記の方法で製造した。例えば表1の実
施例1の組成物は(イ)ジアリルフタレートのプレポリ
マー(ダイソーダツブA:ダイソーに、に、製、平均分
子量7000) 100 g、(ロ)1−リメチロール
プロパントリメタクリレート20g、(ハ)二ピコート
828(ビスフェノールA型エポキシ樹脂:油化シェル
エポキシに、K。
製)15g、(ニ)2−メチル−1−[4−(メチル)
フェニル−2−モルフォリノ−1−プロパン−16g、
(ホ)4.4’ ビス−(ジエチルアミノ)ベンゾフェ
ノン2g、(へ)ジシアンジアミド1.5g、(ト)2
,4−ジアミノ−6[21−メチルイミダゾール−(1
’)]]エチルー8−トリアジン0.2g(チ)紫外線
吸収剤:4−t−ブチル−4′−メトキシ−ベンゾイル
メタン3g、2−エチルへキシル−P−メトキシシンナ
メイト3g、(す)消泡剤:シリコーンオイル5H−2
03(東しシリコーンに、に、製)5g、(ヌ)溶剤:
エチルセルソルブアセテート35g、ブチルセルソルブ
アセテート33g、(ル)揺変剤(石英微粉末アエロジ
ルA380:日本アエロジルに、に、製)3g、(オ)
充填材(グリスタライト5X:龍森に、に、製9粒子径
: 1 μm) 50gを秤量する。
フェニル−2−モルフォリノ−1−プロパン−16g、
(ホ)4.4’ ビス−(ジエチルアミノ)ベンゾフェ
ノン2g、(へ)ジシアンジアミド1.5g、(ト)2
,4−ジアミノ−6[21−メチルイミダゾール−(1
’)]]エチルー8−トリアジン0.2g(チ)紫外線
吸収剤:4−t−ブチル−4′−メトキシ−ベンゾイル
メタン3g、2−エチルへキシル−P−メトキシシンナ
メイト3g、(す)消泡剤:シリコーンオイル5H−2
03(東しシリコーンに、に、製)5g、(ヌ)溶剤:
エチルセルソルブアセテート35g、ブチルセルソルブ
アセテート33g、(ル)揺変剤(石英微粉末アエロジ
ルA380:日本アエロジルに、に、製)3g、(オ)
充填材(グリスタライト5X:龍森に、に、製9粒子径
: 1 μm) 50gを秤量する。
上記成分の内(イ)〜(ホ)及び(ヌ)をセパラブルフ
ラスコに入れ、混合し80〜100℃で、30分間〜2
時間加熱溶解する。これら混合物を常温に戻した後、(
へ)〜(す)、(ル)、(オ)を加えて充分に撹拌した
後、三本ロールミルを用いて混線する。更にスクリーン
印刷、ロールコータ塗布等に適するように(ヌ)の有機
溶剤を加えて粘度調整を行なう。
ラスコに入れ、混合し80〜100℃で、30分間〜2
時間加熱溶解する。これら混合物を常温に戻した後、(
へ)〜(す)、(ル)、(オ)を加えて充分に撹拌した
後、三本ロールミルを用いて混線する。更にスクリーン
印刷、ロールコータ塗布等に適するように(ヌ)の有機
溶剤を加えて粘度調整を行なう。
次いで、レジストが塗布された基板を80℃で30分間
の乾燥を施して、レジストを固化する。裏面でも、かか
る方法を繰り返しレジスト同化層を形成する。次いで表
裏両面のレジスト上にネガマスクを密着させ1両面から
同時にUV光を1.J/aj照射して露光する。
の乾燥を施して、レジストを固化する。裏面でも、かか
る方法を繰り返しレジスト同化層を形成する。次いで表
裏両面のレジスト上にネガマスクを密着させ1両面から
同時にUV光を1.J/aj照射して露光する。
次いで、レジスト面からネガマスクを剥離し、現像液と
して1.1.1− トリクロロエタンを用いたスプレー
現像により常温で1分間で、未露光部を除去する。
して1.1.1− トリクロロエタンを用いたスプレー
現像により常温で1分間で、未露光部を除去する。
次いで、基板を150℃で、40分間加熱してパターン
形成したレジスト部を硬化する。更に基板上のレジスト
にポスト露光としてUV光を5J/ad照射してレジス
トの硬化を完了する[第1図、4)]。次に下記の組成
の化学銅めっき液(シラプレー社製)中に15分間浸漬
して、約0.4μmの4付け化学銅めっきを施す。
形成したレジスト部を硬化する。更に基板上のレジスト
にポスト露光としてUV光を5J/ad照射してレジス
トの硬化を完了する[第1図、4)]。次に下記の組成
の化学銅めっき液(シラプレー社製)中に15分間浸漬
して、約0.4μmの4付け化学銅めっきを施す。
カッパーミックス 328A・・125mQカッパーカ
ッパーミックスL・・125mRカッパーカッパーミッ
クスC・・ 25mu蒸留水 ・・・全量をIQと
する量その後、下記の組成の化学網めっき液中に15時
間浸漬してスルーホールの孔内、ランド部、端子部上を
はじめとする必要な部分に、約30μmの厚付は化学銅
めっきを施しプリント回路板が製造される[第1図、5
)コ。
ッパーミックスL・・125mRカッパーカッパーミッ
クスC・・ 25mu蒸留水 ・・・全量をIQと
する量その後、下記の組成の化学網めっき液中に15時
間浸漬してスルーホールの孔内、ランド部、端子部上を
はじめとする必要な部分に、約30μmの厚付は化学銅
めっきを施しプリント回路板が製造される[第1図、5
)コ。
CuSO4・5H2o ・・・12gEDTA・2N
a ・・・42g Na0H(めっき液のPHを12,3に調整する量)ア
ミン系界面活性剤 ・・0.1g αα′−ジピリジル ・・0.05 g37%ホルマ
リン °5m12 KzS −−0,001g
蒸留水 全量をIQとする量 めっき条件:液温度70℃ pH12,5 時間 15時間 析出電位 −0,6〜−〇、9V めっき槽内のめっき液成分は、自動管理装置、及び副生
成物を除去する液再生装置を取り付は常に一定に保った
。
a ・・・42g Na0H(めっき液のPHを12,3に調整する量)ア
ミン系界面活性剤 ・・0.1g αα′−ジピリジル ・・0.05 g37%ホルマ
リン °5m12 KzS −−0,001g
蒸留水 全量をIQとする量 めっき条件:液温度70℃ pH12,5 時間 15時間 析出電位 −0,6〜−〇、9V めっき槽内のめっき液成分は、自動管理装置、及び副生
成物を除去する液再生装置を取り付は常に一定に保った
。
上記のプリント回路板製造プロセスでは、4付は化学銅
めっき工程をレジスト膜形成後に行なっているが、レジ
スト膜形成前に行なっても一向に差し支えない、UV光
がガラスエポキシ基材を透過してスルーホール内に到達
するのを遮蔽する効果もある。
めっき工程をレジスト膜形成後に行なっているが、レジ
スト膜形成前に行なっても一向に差し支えない、UV光
がガラスエポキシ基材を透過してスルーホール内に到達
するのを遮蔽する効果もある。
上記の光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物をはじめ
として、実施例1〜39では樹脂組成物の各成分の配合
量がプリント回路板の製造工程並びに製品に与える影響
について検討し、その結果を表1.2に示す。特に本発
明で重要な特性の1つである耐めっき反応性を左右する
エポキシ硬化剤の配合量について、第3図に示す。検討
した項目および評価方法は下記の通りである。
として、実施例1〜39では樹脂組成物の各成分の配合
量がプリント回路板の製造工程並びに製品に与える影響
について検討し、その結果を表1.2に示す。特に本発
明で重要な特性の1つである耐めっき反応性を左右する
エポキシ硬化剤の配合量について、第3図に示す。検討
した項目および評価方法は下記の通りである。
(1)塗布性:塗膜中に残存ボイドが無く、平滑な面を
有するものを良とした。(2)密着露光性:ネガマスク
を密着させ、UV光で露光後にネガマスクへのレジスト
付着が無いものを良とした。
有するものを良とした。(2)密着露光性:ネガマスク
を密着させ、UV光で露光後にネガマスクへのレジスト
付着が無いものを良とした。
(3)現像性:現像液として1.1.1− トリクロロ
エタンを用いたスプレー現像を常温で1分間施し、未露
光部が完全に溶解するもので、かつ露光部のレジストが
膨潤しないものを良とした。(4)耐裏写り性:厚み1
.6■のガラスエポキシ積層板の両面にレジストを、約
40μmの厚さで塗布し乾燥する。ネガマスクをレジス
ト上に密着させ片面からUV光をIJ/ci照射後に現
像する。裏面のレジストが硬化せずレジスト残りのない
ものを良とした。(5)耐めっき溶出性:化学銅めっき
の膜物性(抗張力、伸び)を低下させないものを良とし
た。具体的には化学銅めっき液1Ω当り400dのレジ
スト膜を入れた。(6)耐めっき反応性(耐カソード剥
離性):化学網めっきが行なわれているスルーホールや
ランド部ないし端子部等に接続している導体回路上に塗
布されているレジストに化学網めっき後、剥離や変色が
無いものを良とした。(7)電気絶縁性:銅張リガラス
エポキシ積層板にJIS−C−2519に準じた櫛形パ
ターンをつくり、その上にレジスト膜を形成し、前述の
化学銅、めっき工程を経た後、吸湿時の絶縁抵抗が1o
gΩ以上のものを良とした。
エタンを用いたスプレー現像を常温で1分間施し、未露
光部が完全に溶解するもので、かつ露光部のレジストが
膨潤しないものを良とした。(4)耐裏写り性:厚み1
.6■のガラスエポキシ積層板の両面にレジストを、約
40μmの厚さで塗布し乾燥する。ネガマスクをレジス
ト上に密着させ片面からUV光をIJ/ci照射後に現
像する。裏面のレジストが硬化せずレジスト残りのない
ものを良とした。(5)耐めっき溶出性:化学銅めっき
の膜物性(抗張力、伸び)を低下させないものを良とし
た。具体的には化学銅めっき液1Ω当り400dのレジ
スト膜を入れた。(6)耐めっき反応性(耐カソード剥
離性):化学網めっきが行なわれているスルーホールや
ランド部ないし端子部等に接続している導体回路上に塗
布されているレジストに化学網めっき後、剥離や変色が
無いものを良とした。(7)電気絶縁性:銅張リガラス
エポキシ積層板にJIS−C−2519に準じた櫛形パ
ターンをつくり、その上にレジスト膜を形成し、前述の
化学銅、めっき工程を経た後、吸湿時の絶縁抵抗が1o
gΩ以上のものを良とした。
(8)耐熱性ニブリント回路板にフラックスを塗布し、
280℃の半田槽に10秒間漬は常温に戻す。
280℃の半田槽に10秒間漬は常温に戻す。
これを10回繰り返した後レジストにフクレ、剥離等の
異常が無いものを良とした。
異常が無いものを良とした。
本発明を構成する好ましい配合割合は、ジアリルフタレ
ートプレポリマー100重量部に対して、多官能不飽和
化合物4乃至30重量部、光重合開始剤0.5乃至12
重量部、エポキシ樹脂3乃至35重量部、消泡剤0.5
乃至10重量部、有機溶剤55乃至100重量部、エポ
キシ硬化剤としてジシアンジアミドとドアミノトリアジ
ン変性イミダゾール化合物との配合比が16/1乃至5
/1でこれら混合物の添加量がエポキシ樹脂100重量
部に対して2乃至20重量部、紫外線吸収剤0.1乃至
10重量部の組成範囲において、プリント回路板の製造
に必要な全ての特性を同時に満足することができた。
ートプレポリマー100重量部に対して、多官能不飽和
化合物4乃至30重量部、光重合開始剤0.5乃至12
重量部、エポキシ樹脂3乃至35重量部、消泡剤0.5
乃至10重量部、有機溶剤55乃至100重量部、エポ
キシ硬化剤としてジシアンジアミドとドアミノトリアジ
ン変性イミダゾール化合物との配合比が16/1乃至5
/1でこれら混合物の添加量がエポキシ樹脂100重量
部に対して2乃至20重量部、紫外線吸収剤0.1乃至
10重量部の組成範囲において、プリント回路板の製造
に必要な全ての特性を同時に満足することができた。
実施例40
本発明にかかわるプリント回路板製造工程の最適化を図
るため、各工程条件の諸特性に及ぼす影響について、実
施例1に示した光硬化性ジアリルラタレート樹脂組成物
をソルダレジストとして用いて検討した。尚、検討項目
以外の工程条件は実施例1と同じとした。
るため、各工程条件の諸特性に及ぼす影響について、実
施例1に示した光硬化性ジアリルラタレート樹脂組成物
をソルダレジストとして用いて検討した。尚、検討項目
以外の工程条件は実施例1と同じとした。
本発明のレジストは、液状であり塗布後ネガマスクと密
着可能な状態にするために、乾燥する必要がある。最適
乾燥条件は60〜100℃で0.2〜2時間であった。
着可能な状態にするために、乾燥する必要がある。最適
乾燥条件は60〜100℃で0.2〜2時間であった。
50℃、2時間の乾燥では溶剤が残存し、密着露光が出
来ない。一方、110℃で、2時間乾燥するとエポキシ
樹脂の熱硬化が進み、現像によるパターン形成が8来な
い。次に、熱硬化工程は耐めっき性に影響を及ぼすエポ
キシ樹脂の硬化に係わるため、最も重要である。最適硬
化条件は140〜180℃で、0.2〜2時間であった
。130℃で、2時間ではエポキシ樹脂の硬化が不完全
となり耐めっき溶比性が悪く、また190℃の硬化では
、回路銅箔が酸化されるため耐めっき反応性が悪く、実
用に供し得なかった。次に後露光について検討した。耐
熱性を高めるのに有効であり、最適条件は1〜J、0J
lcdであった。
来ない。一方、110℃で、2時間乾燥するとエポキシ
樹脂の熱硬化が進み、現像によるパターン形成が8来な
い。次に、熱硬化工程は耐めっき性に影響を及ぼすエポ
キシ樹脂の硬化に係わるため、最も重要である。最適硬
化条件は140〜180℃で、0.2〜2時間であった
。130℃で、2時間ではエポキシ樹脂の硬化が不完全
となり耐めっき溶比性が悪く、また190℃の硬化では
、回路銅箔が酸化されるため耐めっき反応性が悪く、実
用に供し得なかった。次に後露光について検討した。耐
熱性を高めるのに有効であり、最適条件は1〜J、0J
lcdであった。
ソルダレジストとして上記実施例1〜39の光硬化性ジ
アリルフタレート組成物の組成範囲ならびに工程条件を
用いて製造したプリント回路板をJIS−C−5012
の冷熱サイクル試験を繰り返し100回行なったが回路
網箔上のレジストのフクレや剥離ならびにスルーホール
部のクランクやフクレ等の異常は生じなかった。
アリルフタレート組成物の組成範囲ならびに工程条件を
用いて製造したプリント回路板をJIS−C−5012
の冷熱サイクル試験を繰り返し100回行なったが回路
網箔上のレジストのフクレや剥離ならびにスルーホール
部のクランクやフクレ等の異常は生じなかった。
比較例1〜26
ソルダレジストとして上記実施例1〜39の光硬化性ジ
アリルフタレート組成物の組成範囲外で、実施例1の工
程条件を用いてプリント回路板を製造した(表5〜7、
比較例1〜26)。塗布性、密着露光性、耐裏写り性、
現像性、耐めっき溶出性、耐めっき反応性(耐カソード
剥離性)、電気絶縁性、耐熱性を同時に満足することが
出来ないため、実用に供しうるプリント回路板が得られ
なかった。
アリルフタレート組成物の組成範囲外で、実施例1の工
程条件を用いてプリント回路板を製造した(表5〜7、
比較例1〜26)。塗布性、密着露光性、耐裏写り性、
現像性、耐めっき溶出性、耐めっき反応性(耐カソード
剥離性)、電気絶縁性、耐熱性を同時に満足することが
出来ないため、実用に供しうるプリント回路板が得られ
なかった。
本発明に係る光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物は
、パートリアディティブ法によるプリント回路板に適用
できるだけでなく、サブトラクト法や、フルアデイティ
ブ法によるプリント回路板へも適用が可能である。
、パートリアディティブ法によるプリント回路板に適用
できるだけでなく、サブトラクト法や、フルアデイティ
ブ法によるプリント回路板へも適用が可能である。
(以下余白)
第
7
表
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明の光硬化性ジアリルフタレ
ート樹脂組成物は塗布性、密着露光性、現像性、耐めっ
き溶出性、耐めっき反応性(耐カソード剥離性)、電気
特性、耐熱性に優れ、これらの特性を同時に満たすこと
ができ、パートリアディティブ法プリント板製造への適
用を可能にしたことにより、実用に耐える高密度プリン
ト回路板を簡略化した方法で得ることが出来る。
ート樹脂組成物は塗布性、密着露光性、現像性、耐めっ
き溶出性、耐めっき反応性(耐カソード剥離性)、電気
特性、耐熱性に優れ、これらの特性を同時に満たすこと
ができ、パートリアディティブ法プリント板製造への適
用を可能にしたことにより、実用に耐える高密度プリン
ト回路板を簡略化した方法で得ることが出来る。
第1図は、本発明に係るパートリアディティブ法プリン
ト板の製造順序を示す断面図。 第2図は、サブトラクト法によるプリント板の製造順序
を示す断面図。 第3図は、実施例1の光硬化性ジアリルフタレート樹脂
組成物を用い、ジシアンジアミドとジアミノトリアジン
変性イミダゾール化合物が、プリント板製造に必要な特
性を同時に満足する、最適第 1 凶 第 圀
ト板の製造順序を示す断面図。 第2図は、サブトラクト法によるプリント板の製造順序
を示す断面図。 第3図は、実施例1の光硬化性ジアリルフタレート樹脂
組成物を用い、ジシアンジアミドとジアミノトリアジン
変性イミダゾール化合物が、プリント板製造に必要な特
性を同時に満足する、最適第 1 凶 第 圀
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ジアリルフタレートのプレポリマーと、多官能不飽
和化合物と、光重合開始剤と、エポキシ樹脂と、所定の
エポキシ硬化剤と、紫外線吸収剤と、消泡剤と、充填材
と、上記ジアリルフタレートのプレポリマーならびにエ
ポキシ樹脂を溶解するための溶剤を必須成分とする塗布
性、密着露光性、現像性、耐裏写り性、耐めっき溶出性
、耐めっき反応性いわゆる耐カソード剥離性、電気絶縁
性、耐熱性が優れたソルダレジストに適した、紫外線露
光・溶剤現像でパターン形成が可能な光硬化性ジアリル
フタレート樹脂組成物。 2、上記ジアリルフタレートのプレポリマーの分子量が
3,000乃至30,000であり、また、上記多官能
不飽和化合物が、ヒドロキシ化合物のアクリレートある
いはメタクリレート、オリゴマエステルアクリレートあ
るいはメタクリレート、エポキシアクリレートあるいは
メタクリレート、の中から選ばれた少なくとも1種であ
ることを特徴とする請求項1記載の光硬化性ジアリルフ
タレート樹脂組成物。 3、上記エポキシ硬化剤が、ジシアンジアミドとジアミ
ノトリアジン変性イミダゾール化合物との混合物である
ことを特徴とする請求項1記載の光硬化性ジアリルフタ
レート樹脂組成物。 4、上記光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物の配合
割合は、ジアリルフタレートプレポリマー100重量部
に対して、多官能不飽和化合物4乃至30重量部と、光
重合開始剤0.5乃至12重量部と、エポキシ樹脂3乃
至35重量部と、消泡剤0.5乃至10重量部と、充填
材20〜100重量部と、上記ジアリルフタレートのプ
レポリマーならびにエポキシ樹脂を溶解するための溶剤
55乃至100重量部、所定のエポキシ硬化剤として、
ジシアンジアミドとジアミノトリアジン変性イミダゾー
ル化合物との配合比が重量部で16/1乃至5/1でこ
れら混合物の添加量がエポキシ樹脂100重量部に対し
て2乃至20重量部であり、さらに紫外線吸収剤は、0
.1乃至10重量部であることを特徴とする請求項1記
載の光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物。 5、請求項1記載の光硬化性ジアリルフタレート樹脂組
成物を用いたプリント回路板。 6、請求項1記載の光硬化性ジアリルフタレート樹脂組
成物を耐めっき反応性フォトソルダレジストとして用い
た下記の工程を具備するプリント回路板製造方法。銅張
り積層板に、a、孔をあけ、孔内壁に化学銅めっき触媒
核を付着させ、b、エッチング法により絶縁基板上に導
体回路を形成し、c、必要に応じ導体回路とスルーホー
ル部等に薄付け化学銅めっきを行ない、d、基板全面に
請求項1記載の光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物
を塗布し、e、光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物
を乾燥後、化学銅めっきが必要な孔内壁(スルーホール
)部やその周辺のランド部、コネクタ部、ならびに、I
C接続部など以外に紫外線を照射し、f、溶剤現像を行
い未硬化のジアリルフタレート樹脂組成物を除去しパタ
ーンを形成し、g、加熱硬化させ、h、必要に応じ再度
紫外線照射をし、i、化学銅めっきを施す。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8071190A JPH03281622A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物及びそれを用いたプリント回路板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8071190A JPH03281622A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物及びそれを用いたプリント回路板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03281622A true JPH03281622A (ja) | 1991-12-12 |
Family
ID=13725922
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8071190A Pending JPH03281622A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 光硬化性ジアリルフタレート樹脂組成物及びそれを用いたプリント回路板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03281622A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013200577A (ja) * | 2011-12-05 | 2013-10-03 | Hitachi Chemical Co Ltd | 樹脂硬化膜パターンの形成方法、感光性樹脂組成物、感光性エレメント、タッチパネルの製造方法及び樹脂硬化膜 |
JP2015146038A (ja) * | 2011-12-05 | 2015-08-13 | 日立化成株式会社 | 樹脂硬化膜パターンの形成方法、感光性樹脂組成物、感光性エレメント、タッチパネルの製造方法及び樹脂硬化膜 |
KR20150136530A (ko) * | 2013-03-29 | 2015-12-07 | 다이요 홀딩스 가부시키가이샤 | 광 소성용 열가소성 수지 필름 기재, 이를 사용한 도전 회로 기판 및 그의 제조 방법 |
US9348223B2 (en) | 2011-12-05 | 2016-05-24 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Method for forming resin cured film pattern, photosensitive resin composition, photosensitive element, method for producing touch panel, and resin cured film |
US9488912B2 (en) | 2011-12-05 | 2016-11-08 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Method of forming protective film for touch panel electrode, photosensitive resin composition and photosensitive element, and method of manufacturing touch panel |
-
1990
- 1990-03-30 JP JP8071190A patent/JPH03281622A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013200577A (ja) * | 2011-12-05 | 2013-10-03 | Hitachi Chemical Co Ltd | 樹脂硬化膜パターンの形成方法、感光性樹脂組成物、感光性エレメント、タッチパネルの製造方法及び樹脂硬化膜 |
JP2015146038A (ja) * | 2011-12-05 | 2015-08-13 | 日立化成株式会社 | 樹脂硬化膜パターンの形成方法、感光性樹脂組成物、感光性エレメント、タッチパネルの製造方法及び樹脂硬化膜 |
US9348223B2 (en) | 2011-12-05 | 2016-05-24 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Method for forming resin cured film pattern, photosensitive resin composition, photosensitive element, method for producing touch panel, and resin cured film |
US9488912B2 (en) | 2011-12-05 | 2016-11-08 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Method of forming protective film for touch panel electrode, photosensitive resin composition and photosensitive element, and method of manufacturing touch panel |
US9964849B2 (en) | 2011-12-05 | 2018-05-08 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Method for forming resin cured film pattern, photosensitive resin composition, photosensitive element, method for producing touch panel, and resin cured film |
US10042254B2 (en) | 2011-12-05 | 2018-08-07 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Method of forming protective film for touch panel electrode photosensitive resin composition and photosensitive element, and method of manufacturing touch panel |
US10386719B2 (en) | 2011-12-05 | 2019-08-20 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Method for forming resin cured film pattern, photosensitive resin composition, photosensitive element, method for producing touch panel, and resin cured film |
US10663861B2 (en) | 2011-12-05 | 2020-05-26 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Method for forming resin cured film pattern, photosensitive resin composition, photosensitive element, method for producing touch panel, and resin cured film |
KR20150136530A (ko) * | 2013-03-29 | 2015-12-07 | 다이요 홀딩스 가부시키가이샤 | 광 소성용 열가소성 수지 필름 기재, 이를 사용한 도전 회로 기판 및 그의 제조 방법 |
JPWO2014156844A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2017-02-16 | 太陽ホールディングス株式会社 | 光焼成用熱可塑性樹脂フィルム基材、これを用いた導電回路基板およびその製造方法 |
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