JPH03280446A - Measuring device for stand-off of semiconductor device - Google Patents
Measuring device for stand-off of semiconductor deviceInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は半導体装置のスタンドオフ測定装置に関し、特
に、表面実装型半導体デバイス（以下２表面実装”４
Ｉ Ｃという）のスタンドオフ測定装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field 1] The present invention relates to a standoff measuring device for semiconductor devices, and in particular, to a standoff measuring device for a semiconductor device (hereinafter referred to as 2 surface mount type).
The present invention relates to a standoff measurement device (referred to as IC).
［従来の技術１
従来、この種のスタンドオフ測定装置は第８図に示すよ
うに構成される。この装置では、測定すべき表面実装型
ＩＣ８はガラスステージ４１上に置かれたスタンド３８
にストッパ３９でまず固定され、ついで光源４２の透過
光が作るスタンド３８の側面と表面実装型ＩＣ８の影が
実体顕微鏡３７で観察される。この実体観察の下にＸ−
Ｙステージ４３の操作による表面実装型ＩＣ８の移動が
行われ、スタンド３８側面とパッケージ下面間の距離の
最小値４５がディジタル表示計４４から読み取られる。[Prior Art 1] Conventionally, this type of standoff measuring device is constructed as shown in FIG. In this device, the surface-mounted IC 8 to be measured is placed on a stand 38 on a glass stage 41.
The stand 38 is first fixed with a stopper 39, and then the side surface of the stand 38 and the shadow of the surface-mounted IC 8 created by the transmitted light of the light source 42 are observed with a stereomicroscope 37. Under this physical observation,
The surface mount IC 8 is moved by operating the Y stage 43, and the minimum value 45 of the distance between the side surface of the stand 38 and the bottom surface of the package is read from the digital display meter 44.
〔発明が解決しようとする課題］
しかしながら、この従来のスタンドオフ測定装置では、
第９図から明らかなように、リードの影によってパッケ
ージ下面の一部が観察できないという問題があり、特に
、リードピッチの間隔が小さい表面実装型ＩＣのスタン
ドオフを測定する場合は、第１０図に示すように、リー
ドで隠された部分にパッケージ下面の最下点４６が存在
することがあるので、目的とする最下点の発見はまず不
可能となる。[Problem to be solved by the invention] However, with this conventional standoff measuring device,
As is clear from Fig. 9, there is a problem in that part of the bottom surface of the package cannot be observed due to the shadow of the leads, especially when measuring the standoff of a surface mount IC with a small lead pitch. As shown in FIG. 2, the lowest point 46 on the bottom surface of the package may exist in a portion hidden by the leads, so it is almost impossible to find the desired lowest point.
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、リードピッチ間隔
の小さな表面実装型ＩＣのスタンドオフを正確に測定す
ることのできる半導体装置のスタンドオフ測定装置を提
供することである。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a standoff measuring device for a semiconductor device that can accurately measure the standoff of a surface-mounted IC with a small lead pitch.
〔課題を解決するための手段１
本発明によれば、半導体装置のスタンドオフ測定装置は
、半導体装置の載置テーブル面から半導体装置のパッケ
ージ裏面までの距離を任意のステップで離散的に計測す
る計測回路手段と、前記計測回路手段からの離散距離デ
ータを連続曲線データに変換するスプライン補間関数演
算回路手段と、前記連続曲線データの最小値を検出する
スタンドオフ算出手段とを備えて構成される。[Means for Solving the Problems 1 According to the present invention, a standoff measuring device for a semiconductor device discretely measures the distance from the mounting table surface of the semiconductor device to the back surface of the package of the semiconductor device at arbitrary steps. A measuring circuit means, a spline interpolation function calculating circuit means for converting discrete distance data from the measuring circuit means into continuous curve data, and a standoff calculating means for detecting a minimum value of the continuous curve data. .
〔作 用 １
本発明によれば、スプライン補間を行うことによって半
導体装置の載置テーブル面からパッケージ下面までの離
散距離データは連続データの予測曲線に変換できるので
、リードで隠された部位にパッケージ下面の最下点が存
在する場合でも、スタンドオフの測定を正確に行うこと
ができる。[Function 1] According to the present invention, by performing spline interpolation, discrete distance data from the mounting table surface of the semiconductor device to the bottom surface of the package can be converted into a predicted curve of continuous data. Even when the lowest point of the bottom surface is present, standoff measurements can be made accurately.
次に１本発明を図面を参照して詳細に説明する。 Next, one embodiment of the present invention will be explained in detail with reference to the drawings.
第１図は本発明の一実施例を示すスタンドオフ測定装置
の概略構成図である０本実施例によれば、半導体装置の
スタンドオフ測定装置は、半導体装置およびステージの
光学的影を画像化する検査部５と、これによって得られ
た画像を２値信号に変換しプロフィル化して半導体装置
のパッケージ裏面からステージまでの距離を離散的に演
算する画像処理部１３と、この演算データをスプライン
補間して連続曲線を予測し最小離間距離を算出するコン
ピュータ制御部２８およびその他の周辺回路とを含む。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a standoff measuring device showing an embodiment of the present invention.According to this embodiment, a standoff measuring device for a semiconductor device images optical shadows of a semiconductor device and a stage. an image processing unit 13 that converts the resulting image into a binary signal and profiles it to discretely calculate the distance from the back of the semiconductor device package to the stage; and an image processing unit 13 that performs spline interpolation on this calculated data. The computer controller 28 predicts a continuous curve and calculates the minimum separation distance, and other peripheral circuits.
まず、検査対象の表面実装型ＩＣ（以下ＤＵＴという）
８は搬送部２によりローダ部３からアーム搬送され、検
査部５のステージ１０上のストッパ９にパッケージ側面
をリードを下方に向けて固定される。ついで、周辺回路
はっぎの動作を行う、まず、ＣＣＤカメラ１２および画
像取り込み部１４は、光源７と集光鏡６によって照射さ
れて出来るＤＵＴ８およびステージｌＯの影をそれぞれ
画像として取り込み、画像メモリ１５に格納する。この
格納された画像データは２値化演算部１６によって２７
１画像に変換され、２値画像メモリ１７に格納され、つ
いで、この２値画像メモリ１７に格納された２値画像か
ら、明部の画素数をｙ方向に累積したプロファイルがプ
ロファイル作成部１８で作成される。First, the surface-mounted IC (hereinafter referred to as DUT) to be inspected
The package 8 is carried by the arm from the loader section 3 by the transfer section 2, and fixed to the stopper 9 on the stage 10 of the inspection section 5 with the package side surface facing downward. Next, the peripheral circuit performs the operation. First, the CCD camera 12 and the image capture unit 14 capture the shadows of the DUT 8 and the stage 10, which are formed by the light source 7 and the condensing mirror 6, as images, and store them in the image memory 15. Store in. This stored image data is processed by the binarization calculation unit 16 into 27
It is converted into a single image and stored in the binary image memory 17, and then from the binary image stored in the binary image memory 17, a profile in which the number of pixels in bright areas is accumulated in the y direction is created by the profile creation unit 18. Created.
第２図および第３図はそれぞれ上記検査対象の表面実装
型ＩＣおよびステージの画像の２値変換画像図およびそ
れから作成されたプロファイル図で、２９および３１は
２値画像およびそのプロファイルをそれぞれ示す、ここ
で、距離データ演算部１９はデータバスコントローラ２
０にアクセスして、データ蓄積部２７に保存されている
リードエツジ検出レベルＬを読み込み、ｙ＝ｌ、なる直
線３０を求め、プロファイル３１との交、屯Ｐｉ（ｉ・
０〜ｎ）を求める。更に、Ｍ ｌ＋、／２１０１１ ＝
ｌＰ、 ＋Ｐ＋−＋ｌ ／ ２ 、 （ｉ＝０〜ｎ且つ
偶数）なる中点およびＭｉと同じＸ成分を持つプロファ
イル３１−トの点Ｎ ｊ ｆｘ、、ｙａｌ ｆ、ｉ＝
Ｉ 〜ｎ）を求め、これを画像処理部１３の最終データ
として、データバスコントローラ２０を介してスプライ
ン補間演算部２１へ転送する。2 and 3 are binary conversion image diagrams of images of the surface-mounted IC and stage to be inspected, respectively, and profile diagrams created from the images, and 29 and 31 show the binary images and their profiles, respectively. Here, the distance data calculation section 19 is connected to the data bus controller 2.
0, read the lead edge detection level L stored in the data storage unit 27, find the straight line 30 where y=l, intersect it with the profile 31, and calculate the straight line 30 where y=l.
0 to n). Furthermore, M l+,/21011 =
lP, +P+-+l/2, (i = 0 to n and an even number), and a point N j fx, yal f, i= of the profile 31-to which has the same X component as Mi.
I to n) is determined and transferred to the spline interpolation calculation unit 21 via the data bus controller 20 as the final data of the image processing unit 13.
画像処理部１３からの最終データを受取った制御用コン
ピュータ２８内のスプライン補間演算部２１は、Ｎ ｊ
ｆｘＪ、ｙ＝ｌ ［ｊ＝Ｉ−ｎｌの全ての点を通る
３次のスプライン関数、
５（ｘｌ＝ Σａ Ｊ１３ Ｊ、４ ｆＸ）１１
を算出する。The spline interpolation calculation unit 21 in the control computer 28 that received the final data from the image processing unit 13 calculates N j
fxJ, y=l [j=I−nl A cubic spline function that passes through all points, 5(xl=Σa J13 J, 4 fX)11 is calculated.
ここで、 ＢＪ、、ｆｘｌはＢ−スプラインであり。Here, BJ, , fxl are B-splines.
なる初期条件を持つ
Ｂｉ、ｍ１ｘ）＝ ｘ” Ｈａｒｍ−＋ｌｘ）＋
ｑ Ｊａｍ−１−ＱＪ
（ｋ＝２〜４のとき）
なる漸化式を解いて得られる関数である。スプライン補
間演算部２１はこれをドヴア・コックスのアルゴリズム
により算出する。但し、ｑ ｌ−Ｑ Ｊ□はシエーンベ
ルク・ホイットニの条件を満足する様に、ＮＪ Ｉｘ＝
、ｙ＝）から。Bi, m1x) = x” Harm-+lx)+
This is a function obtained by solving the recurrence formula q Jam-1-QJ (when k=2 to 4). The spline interpolation calculation unit 21 calculates this using the Dovere-Cox algorithm. However, so that q l−Q J□ satisfies the Schienberg-Whitney condition, NJ Ix=
, y=).
なる式によって定義される各Ｂ−スプラインの接点であ
り、これもスプライン補間演算部２１により算出される
。This is the contact point of each B-spline defined by the formula, and is also calculated by the spline interpolation calculation unit 21.
また、スプライン補間演算部２１は、Ｎｊｔｘａ、ｙＪ
）及びＢ Ｊ、ｋ（Ｘ） Ｆ＝ｌ−ｎ、に＝１〜４１を
次の行列式（連立方程式）
を、ガウスの消去法を用いて解き、α； （ｊ＝ｌ−ｎ
）も決定する。Further, the spline interpolation calculation unit 21 calculates Njtxa, yJ
) and B J, k (
) is also determined.
ついで、最小値算出部２２は、スプライン補間演算部２
１によって求められた式（１）より。Next, the minimum value calculation section 22 uses the spline interpolation calculation section 2
From formula (1) obtained by 1.
５（ｘｉが最小となる点５ａｔｎ（ｘ、ｙｌを求める。5(Find the point 5atn(x, yl) where xi is the minimum.
５（ｘｉが最小となる点が複数存在する場合は、Ｘを
比較して、小なる方をＳｍ＋ｓ（Ｘ、ｙ）とする。5 (If there are multiple points where xi is the minimum, compare X and set the smaller one as Sm+s(X, y).
第４図は第３図の２値画像プロファイルＮ１（ｊ＝１〜
８）よりそれぞれ算出したスプライン関数曲線５（ｘｌ
およびこの最小点Ｓ、−をそれぞれ示すもの′である。FIG. 4 shows the binary image profile N1 (j=1~
Spline function curve 5 (xl
and '' which indicate the minimum points S and -, respectively.
このように最小値算出部２２の処理が終了すると、制御
部２５はシーケンサＩ１０２４通じてシケンサ４にアク
セスする。シーケンサ４はステージ位置決め部１１を操
作してステージ１０をＣＣＤカメラ１２の光軸と平行に
移動させて、ＤＬＩＴｇ上の焦点を移動させる。焦点を
移動した後、再び画像処理、スプライン補間および最小
値算出の各操作を１画像処理部１３．スプライン補間演
算部２１．最小値算出部２２によりそれぞれ実行し、第
４図に示すスプライン関数およびその最小点Ｓ ａ ｌ
ｍを求める。初期状態な０とするステージｌＯの移動
量をＺ軸で表現すれば、ステージ１０の移動、画像処理
、スプライン補間、最小値算出を繰り返すことにより、
繰り返し回数骨のスプライン関数３３．３４．３５およ
び、各回毎の最小点Ｓ１．、が第５図のごとく得られる
。こうして求まった点５ｓｔｎ、ｈｌｘｈ、ｙｈ、ｚｈ
ｌ （ｈ＝ト１１の、ｙ−ｚ平面への写像、点Ｓ’ｍ＋
ｎ、ｈｆｚｈ、ｙｈｌ ｆｈ＝＋〜■）に対して、スプ
ライン補間および最小値算出をスプライン補間演出部２
１．最小算出部２２により実行することにより、第６図
に示すスプライン関数およびスプライン関数３６が最小
となる点Ｓ１６．□６（２・ｙ）が求まる。最小となる
点が複数存在する場合は、２を比較して、小なる方をＳ
６１１１０ｍ１１＋（ｚ−ｙｌ とするａ Ｓａ＋ａ
１．、（Ｚ’Ｙ）のｙ成分が、求めるＤＬＩＴ８のスタ
ンドオフである。良否判定部２３は、最小値算出部より
データバスコントローラ２０を介して送られて来るＳｍ
１ａ−ＩＰＩ（Ｚ・ｙ）のｙ成分を、データバスコント
ローラ２０を介してデータ蓄積部２７に格納されている
規格値と比較し、Ｓ、、。ａｍ＋ｎ（Ｚ・ｙ）のｙ成分
が規格値以下である場合、そのＤＵＴ８を合格、Ｓｍ＋
ｎ、＋ａ（Ｚ・ｙ）のｙ成分が規格値より大きい場合、
不合格と判定する。制御部２５は良否判定部２３の判定
に従って、結果を表示部２６へ表示し２次いでシーケン
サＩ１０２４を介してシーケンサ４に、測定済みＤＬＩ
Ｔの収納と未測定Ｄ ＬＪ Ｔのセットアツプを指示す
る。データ蓄積部２７には、ＤＵＴ毎に、全てのステー
ジ位置における” ＝ ｌＸＪ、Ｘｉｌ （ｊ＝ｌ−ｎ
ｔが蓄積される。When the processing of the minimum value calculation section 22 is completed in this way, the control section 25 accesses the sequencer 4 through the sequencer I1024. The sequencer 4 operates the stage positioning section 11 to move the stage 10 parallel to the optical axis of the CCD camera 12, thereby moving the focal point on the DLITg. After moving the focus, image processing, spline interpolation, and minimum value calculation operations are performed again by one image processing unit 13. Spline interpolation calculation section 21. The spline function and its minimum point S a l are respectively executed by the minimum value calculation unit 22 and shown in FIG.
Find m. If the movement amount of the stage 10 is expressed as the Z-axis with the initial state being 0, then by repeating the movement of the stage 10, image processing, spline interpolation, and minimum value calculation,
The number of repetitions bone spline function 33, 34, 35 and the minimum point S1 for each time. , is obtained as shown in FIG. Points 5stn, hlxh, yh, zh found in this way
l (mapping of h=t11 onto the yz plane, point S'm+
n, hfzh, yhl fh=+~■), the spline interpolation production unit 2 performs spline interpolation and minimum value calculation.
1. The minimum calculation unit 22 calculates the point S16. at which the spline function and the spline function 36 shown in FIG. 6 are minimum. □6(2・y) is found. If there are multiple points with the minimum value, compare the two and select the smaller one as S.
61110m11+(z-yl a Sa+a
1. , (Z'Y) is the desired standoff of DLIT8. The pass/fail judgment unit 23 receives Sm sent from the minimum value calculation unit via the data bus controller 20.
The y component of 1a-IPI(Z·y) is compared with the standard value stored in the data storage unit 27 via the data bus controller 20, and S. If the y component of am+n (Z・y) is below the standard value, the DUT8 is passed, Sm+
If the y component of n, +a (Z・y) is larger than the standard value,
It is judged as failing. The control unit 25 displays the result on the display unit 26 according to the judgment of the quality judgment unit 23, and then sends the measured DLI to the sequencer 4 via the sequencer I1024.
Instructs to store the T and set up the unmeasured DLJ T. The data storage unit 27 stores "= lXJ, Xil (j=l-n
t is accumulated.
第７図は本発明の他の実施例を示すスタンドオフ測定装
置の概略構成図である０本実施例によれば、検査部がレ
ーザ変位計を用いて構成された場合が示される。従って
、装置構成に多少の違いはあるが、最小値算出の過程は
前実施例と同様である。FIG. 7 is a schematic configuration diagram of a standoff measuring device showing another embodiment of the present invention. According to this embodiment, a case is shown in which the inspection section is constructed using a laser displacement meter. Therefore, although there are some differences in the device configuration, the process of calculating the minimum value is the same as in the previous embodiment.
前実施例の場合と同じ＜、ＤＵＴ８はローダ部３から搬
送部２によりアーム搬送され、パッケージの下部を検査
部５に設けられた枠状のＸ−Ｙステージ５１上にリード
を接触させて固定される。レーザ変位計５０およびレー
ザ変位計コントローラ５２により、レーザ変位計５０の
投光面からＤ［ＪＴ８裏面までの距離が、トリガ発生器
５５のタイミングで、アナログ・電圧量として計測され
る。ディジタル変換器５３はコントローラ５２から得た
アナログ・電圧量をディジタル電圧値に変換し、データ
バスコントローラ２０を介して電圧−距離変換部５４へ
伝達する。電圧−距離変換部５４では、ディジタル変換
器５３からのディジタル電圧値と、データバスコントロ
ーラ５６を介してデータ蓄積部５７から読み込んだＸ−
Ｙステージ５１表面までの距離に相当するディジタル電
圧値との差を取り、やはりデータ蓄積部２７から読み込
んだディジタイジングの分解能 （μ■／■Ｖ）を乗じ
て、Ｘ−Ｙステージ５１からＤＵＴ８（７）バッ’ｙジ
裏面までの距離に変換する。制御部２５は、シーケンサ
ｌ１０２４を介してシーケンサ４にアクセスし、トリガ
発生器５５の動作およびＸ−Ｙステージ５１のＸ方向移
動を実行して。Same as in the previous embodiment, the DUT 8 is carried by the arm from the loader section 3 by the transfer section 2, and the lower part of the package is fixed on the frame-shaped X-Y stage 51 provided in the inspection section 5 by contacting the leads. be done. The distance from the light projection surface of the laser displacement meter 50 to the back surface of D[JT8 is measured as an analog voltage amount by the laser displacement meter 50 and the laser displacement meter controller 52 at the timing of the trigger generator 55. The digital converter 53 converts the analog voltage amount obtained from the controller 52 into a digital voltage value, and transmits it to the voltage-distance converter 54 via the data bus controller 20. The voltage-distance conversion unit 54 converts the digital voltage value from the digital converter 53 and the X-
The difference between the digital voltage value corresponding to the distance to the surface of the Y stage 51 is taken, and the difference is multiplied by the digitizing resolution (μ/■V) also read from the data storage section 27. 7) Convert to the distance to the back of the badge. The control unit 25 accesses the sequencer 4 via the sequencer 1024, and executes the operation of the trigger generator 55 and the movement of the XY stage 51 in the X direction.
ＤＵＴ８のパッケージ下面を離散的に測定する。測定し
た距離データＮｊ １ｊｌ−ｎｌは、スプライン補間演
算部２１によって処理される。スプライン関ｆｉｓｆｘ
ｌおよび５（ｘｌを最小とする点５ｓｉｎの算出方法は
、前実施例の場合と同様である。The bottom surface of the package of DUT8 is measured discretely. The measured distance data Nj 1jl-nl is processed by the spline interpolation calculation unit 21. spline seki fisfx
The method for calculating the point 5sin that minimizes l and 5(xl) is the same as in the previous embodiment.
制御部２５は最小値算出部２２の処理が終了すると、シ
ーケンサｌ１０２４を通じてシーケンサ４にアクセスす
る。シーケンサ４はＸ−Ｙステラ５１をＹ方向に１ステ
ツプだけシフトさせる。ｘ−Ｙステージ５１の移動と検
査部５による測定、スプライン補間演算部２０による処
理、最小値算出部２２による処理を繰り返すことにより
、前実施例同様、第５図のようなスプライン関数群が求
まる。When the process of the minimum value calculation unit 22 is completed, the control unit 25 accesses the sequencer 4 through the sequencer 1024. The sequencer 4 shifts the XY stellar 51 by one step in the Y direction. By repeating the movement of the x-Y stage 51, the measurement by the inspection section 5, the processing by the spline interpolation calculation section 20, and the processing by the minimum value calculation section 22, the spline function group as shown in FIG. 5 is found as in the previous embodiment. .
以下、スタンドオフの算出、良否判定、ＤＵＴ８のアン
ロード処理などは、前実施例と同様に実行される。Thereafter, standoff calculation, pass/fail determination, unloading process of the DUT 8, etc. are performed in the same manner as in the previous embodiment.
［発明の効果〕
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、スプラ
イン補間を行うことにより、従来。[Effects of the Invention] As described in detail above, according to the present invention, by performing spline interpolation, it is possible to improve the conventional method.
観測不可能な部分、すなわち、リードで隠されたパッケ
ージ下面とステージとの離間距離が比較的正確に予測で
きるので、リードピッチ間隔が小さな表面実装型ＩＣの
スタンドオフをして、高精度に測定できる効果を有する
。Since the unobservable part, that is, the distance between the bottom surface of the package hidden by leads and the stage, can be predicted relatively accurately, it is possible to perform standoff measurements of surface mount ICs with small lead pitches and measure with high precision. It has the effect of
第１図は本発明の一実施例を示すスタンドオフ測定装置
の概略構成図、第２図および第３図はそれぞれ検査対象
表面実装型ＩＣおよびステージの画像の２値変換画像図
およびそれから作成されたプロフィイル図、第４図は第
３図の２値画像のプロフィルより算出したスプライン関
数曲線Ｓ （ｘｌおよびこの最小点Ｓ＋ｗｉｎをそれぞ
れ示す図、第５図および第６図はそれぞれスタンドオ）
算出のための演算過程を示す図、第７図は本発明の他の
実施例を示すスタンドオフ測定装置の概略構成図、第８
図は従来の半導体装置のスタンドオフ測定装置の概略構
成図、第９図および第１Ｏ図はそれぞれ従来のスタンド
オフ測定装置による゛１−導体パッケージ下面の光学的
投影図である。
１・・・アンローダ部、２・・・搬送部、３・・・ロー
ダ部、
４・・・シーケンサ（入力制御）、
５・・・検査部、 ６・・・集光鏡、７・・・光源
、 ８−・・ＤＵＴ、９・・・ストッパ、
】０・・・ステージ、１１・・・ステージ位置決め部、
１２・・・ＣＣＤカメラ、Ｉ３・・・画像処理部、１４
・・・画像取り込み部、
１５・・・画像メモリ、 １６・・・２値化演算部、
１７・・・２値画像メモリ、
１８・・・プロファイル作成部、
Ｉ９・・・距離データ演算部、
２０・・・データバスコントローラ、
２１・・・スプライン補間演算部、
２２・・・最小値算出部、 ２３・・・良否判定部、２
４−・・シーケンサＩ１０．
２５−・・制御部、 ２６・・−表示部、２７・
・・データ蓄積部、 ２８・・・データ蓄積部２８・・
・制御用コンピュータ、
２９・・・２値画像、
３０・・・リードエツジ検出レベル、
３１・・・プロファイル、
３２．３３．３４．３５．３６・・・
スプライン関数。
５０・・・レーザ変位計、
５１・・・Ｘ−Ｙステージ、
５２・・・レーザ変位計コントローラ。
５３・・・ディジタル変換器、
５４・・・電圧−距離変換器、
５５・・・トリガ発生器。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a standoff measuring device showing an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are binary conversion image diagrams of images of a surface-mounted IC to be inspected and a stage, respectively, and a diagram of a binary conversion image created therefrom. Figure 4 is a spline function curve S calculated from the profile of the binary image in Figure 3 (diagrams showing xl and this minimum point S+win, respectively, Figures 5 and 6 are stand-offs)
FIG. 7 is a diagram showing the calculation process for calculation; FIG. 7 is a schematic configuration diagram of a standoff measuring device showing another embodiment of the present invention; FIG.
This figure is a schematic diagram of a conventional standoff measuring device for a semiconductor device, and FIGS. 9 and 10 are optical projection views of the lower surface of a 1-conductor package using the conventional standoff measuring device. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Unloader part, 2... Transport part, 3... Loader part, 4... Sequencer (input control), 5... Inspection part, 6... Condensing mirror, 7... Light source, 8-...DUT, 9... Stopper,
]0... Stage, 11... Stage positioning section, 12... CCD camera, I3... Image processing section, 14
...image capture unit, 15...image memory, 16...binarization calculation unit,
17... Binary image memory, 18... Profile creation section, I9... Distance data calculation section, 20... Data bus controller, 21... Spline interpolation calculation section, 22... Minimum value calculation Part, 23... Quality judgment part, 2
4--Sequencer I10. 25--Control unit, 26--Display unit, 27-
...Data storage section, 28...Data storage section 28...
- Control computer, 29... Binary image, 30... Lead edge detection level, 31... Profile, 32.33.34.35.36... Spline function. 50... Laser displacement meter, 51... X-Y stage, 52... Laser displacement meter controller. 53... Digital converter, 54... Voltage-distance converter, 55... Trigger generator.
Claims (1)
ージ裏面までの距離を任意のステップで離散的に計測す
る計測回路手段と、前記計測回路手段からの離散距離デ
ータを連続曲線データに変換するスプライン補間関数演
算回路手段と、前記連続曲線データの最小値を検出する
スタンドオフ算出手段とを備えることを特徴とする半導
体装置のスタンドオフ測定装置。Measuring circuit means for discretely measuring the distance from the mounting table surface of the semiconductor device to the back surface of the package of the semiconductor device at arbitrary steps; and a spline interpolation function for converting the discrete distance data from the measuring circuit means into continuous curve data. A standoff measuring device for a semiconductor device, comprising an arithmetic circuit means and a standoff calculation means for detecting a minimum value of the continuous curve data.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2079903A JP2564962B2 (en) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | Stand-off measuring device for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2079903A JP2564962B2 (en) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | Stand-off measuring device for semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03280446A true JPH03280446A (en) | 1991-12-11 |
| JP2564962B2 JP2564962B2 (en) | 1996-12-18 |
Family
ID=13703244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2079903A Expired - Lifetime JP2564962B2 (en) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | Stand-off measuring device for semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2564962B2 (en) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59178011A (en) * | 1983-03-28 | 1984-10-09 | Fujitsu Ltd | Piezoelectric vibrator |
| JPS6242328U (en) * | 1985-08-29 | 1987-03-13 | ||
| JPS6270453U (en) * | 1985-10-23 | 1987-05-02 | ||
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-
1990
- 1990-03-28 JP JP2079903A patent/JP2564962B2/en not_active Expired - Lifetime
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| JPH02177462A (en) * | 1988-12-28 | 1990-07-10 | Nec Corp | Metal head with positioning projection |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2564962B2 (en) | 1996-12-18 |
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