JPH03279959A - Positive type photoresist composition - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は輻射線に感応するポジ型フォトレジスト組成物
に関するものであり、特に高い解像力と感度、更に良好
なパターンの断面形状を備えた微細加工用フォトレジス
ト組成物に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial Application Field> The present invention relates to a radiation-sensitive positive photoresist composition, in particular a fine photoresist composition with high resolution and sensitivity, as well as a good pattern cross-sectional shape. The present invention relates to photoresist compositions for processing.
本発明に成るポジ型フォトレジストは、半導体ウェハー
ガラス、セラミックスもしくは金属等の基板上にスピ
ン塗布法もしくはローラー塗布法で０． ５〜３μｍの
厚みに塗布される。その後、加熱、乾燥し、露光マスク
を介して回路パターン等を紫外線照射等により焼き付け
、現像してポジ画像が形成される。The positive photoresist of the present invention can be applied to a substrate such as a semiconductor wafer, glass, ceramics, or metal by a spin coating method or a roller coating method. It is applied to a thickness of 5 to 3 μm. Thereafter, it is heated and dried, and a circuit pattern and the like are printed by irradiation with ultraviolet rays through an exposure mask and developed to form a positive image.
更にこのポジ画像をマスクとしてエツチングすることに
より、基板上にパターンの加工を施すことができる。代
表的な応用分野にはＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サ
ーマルヘッド等の回路基板の製造、その他のフオトフア
プリケーション工程等がある。Further, by etching this positive image as a mask, a pattern can be processed on the substrate. Typical application fields include the manufacturing process of semiconductors such as ICs, the manufacturing of circuit boards such as liquid crystals and thermal heads, and other photo-op application processes.
〈従来技術〉
ポジ型フォトレジストａ成物としては、一般にアルカリ
可溶性樹脂と感光物としてのナフトキノンジアジド化合
物とを含む組成物が用いられている。例えば、 「ノボ
ラック型フェノール樹脂／ナフトキノンジアジド置換化
合物」としてＵＳＰ−３，６６６，４７３号、ＵＳＰ−
４，１１５，１２８号及びＵＳＰ−４，１７３，４７０
号等に、また最も典型的な組成物として「クレゾール−
ホルムアルデヒドより成るノボラック樹脂／トリヒドロ
キシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジドス
ルホン酸エステル」の例がトンプソン「イントロダクシ
ョン・トウー・マイクロリソグラフィー」（Ｌ、Ｆ、Ｔ
ｈｏｍｐｓｏｎ ｒＩｎｔｒｏ−ｄｕｃｔｉｏｎ ｔ
ｏ Ｍｉｃｒｏｌｊｔｈｏ −ｇｒａｐｈｙ」）
（ＡＣ５出版、Ｎｏ、２１９号、Ｐ１１２〜１２１）に
記載されている。<Prior Art> A composition containing an alkali-soluble resin and a naphthoquinonediazide compound as a photosensitive material is generally used as a positive photoresist composition. For example, USP-3,666,473 as "Novolak type phenolic resin/naphthoquinone diazide substituted compound", USP-3,666,473,
No. 4,115,128 and USP-4,173,470
In addition, the most typical composition is “cresol-
An example of ``novolac resin consisting of formaldehyde/trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid ester'' is given by Thompson ``Introduction to Microlithography'' (L, F, T
homson rIntro-duction t
o Microljtho-graphy”)
(AC5 Publishing, No. 219, P112-121).
結合剤としてのノボラック樹脂は、膨潤することなくア
ルカリ水溶液に溶解可能であり、また生成した画像をエ
ツチングのマスクとして使用する際に特にプラズマエツ
チングに対して高い耐性を与えるが故に本用途に特に有
用である。また、感光物に用いるナフトキノンジアジド
化合物は、それ自身ノボラック樹脂のアルカリ溶解性を
低下せしめる溶解阻止剤として作用するが、光照射を受
けて分解するとアルカリ可溶性物質を生じてむしろノボ
ラック樹脂のアルカリ溶解度を高める働きをする点て特
異であり、この光に対する大きな性質変化の故にポジ型
フォトレジストの感光物として特に有用である。Novolac resins as binders are particularly useful in this application because they can be dissolved in aqueous alkaline solutions without swelling and also provide high resistance to plasma etching, especially when the resulting image is used as an etching mask. It is. In addition, the naphthoquinone diazide compound used in photosensitive materials itself acts as a dissolution inhibitor that reduces the alkali solubility of the novolac resin, but when it decomposes upon exposure to light, it produces alkali-soluble substances and rather reduces the alkali solubility of the novolac resin. It is unique in that it acts as a light enhancer, and because of its large change in properties with respect to light, it is particularly useful as a photosensitive material for positive photoresists.
これまで、かかる観点からノボラック樹脂とナフトキノ
ンジアジド系感光物を含有する数多くのポジ型フォトレ
ジストが開発、実用化され、１゜５μｍ〜２μｍ程度ま
での線幅加工においては充分な成果をおさめてきた。From this point of view, many positive photoresists containing novolac resins and naphthoquinonediazide-based photoresists have been developed and put into practical use, and have achieved satisfactory results in line width processing from about 1.5 μm to 2 μm. .
〈本発明が解決しようとする問題点〉
しかし、集積回路はその集積度を益々高めており、超Ｌ
ＳＩなどの半導体基板の製造においては１μｍ以下の線
幅から成る超微細パターンの加工が必要とされる様にな
ってきている。かかる用途においでは、特に高い解像力
、露光マスクの形状を正確に写しとる高いパターン形状
再現精度及び高生産性の観点からの高感度を有するフォ
トレジストが要求されている。<Problems to be solved by the present invention> However, the degree of integration of integrated circuits is increasing, and ultra-L
In the manufacture of semiconductor substrates such as SI, it has become necessary to process ultra-fine patterns having line widths of 1 μm or less. In such applications, a photoresist is particularly required that has high resolution, high pattern shape reproduction accuracy to accurately copy the shape of an exposure mask, and high sensitivity from the viewpoint of high productivity.
また、集積回路の集積度を高めるためにエツチング方式
が、従来のウェットエツチング方式からドライエツチン
グ方式に移行しているが、ドライエツチングの際にはレ
ジストの温度が上昇するため、熱変形等を起こさないよ
う、レジストには高い耐熱性が要求されている。In addition, in order to increase the degree of integration of integrated circuits, the etching method has shifted from the conventional wet etching method to the dry etching method, but the temperature of the resist increases during dry etching, so thermal deformation etc. may occur. To prevent this, resists are required to have high heat resistance.
レジストの耐熱性を改善するために重量平均分子量が２
０００以下の成分を含まない樹脂を用いる（特開昭６Ｏ
−９７３４７）こと、及びモノマーからトリマーまでの
含量合計が１０重量％以下の樹脂を用いる（特開昭６０
−１８９７３９）技術が公開されている。The weight average molecular weight is 2 to improve the heat resistance of the resist.
Use a resin that does not contain components of 000 or less
-97347) and using a resin with a total content of 10% by weight or less from monomer to trimer (JP-A-60
-189739) technology has been made public.
しかし、上記の、低分子量成分を除去あるいは減少させ
た樹脂を用いた場合、通常感度が低下し、デバイス製造
におけるスルーブツトが低下するという問題があった。However, when using a resin in which low molecular weight components are removed or reduced, there is a problem in that the sensitivity usually decreases and the throughput in device manufacturing decreases.
レジスト組成物に特定の化合物を配合することによりレ
ジストの感度や現像性を改善することも試みられている
。例えば、特開昭６１−１４１４４１にはトリヒドロキ
シベンゾフェノンを含有するポジ型フォトレジスト組成
物が開示されている。Attempts have also been made to improve the sensitivity and developability of resists by incorporating specific compounds into resist compositions. For example, JP-A-61-141441 discloses a positive photoresist composition containing trihydroxybenzophenone.
このトリヒドロキシベンゾフェノンを含有するポジ型フ
ォトレジストでは感度及び現像性が改善されるが、トリ
ヒドロキシベンゾフェノンの添加により耐熱性が悪化す
るという問題があった。Although this positive photoresist containing trihydroxybenzophenone has improved sensitivity and developability, there is a problem in that heat resistance deteriorates due to the addition of trihydroxybenzophenone.
また、特開昭６４−４４４３９、特開平１−１７７０３
２、同１−２８０７４８、同２−１０３５０には、トリ
ヒドロキシベンゾフェノン以外の芳香族ポリヒドロキシ
化合物を添加することにより、耐熱性を悪化させないで
高感度化する工夫が示されているが、現像性の改良につ
いては必ずしも十分とは言えない。Also, JP-A No. 64-44439, JP-A No. 1-17703
2, No. 1-280748 and No. 2-10350 disclose a method of increasing sensitivity without deteriorating heat resistance by adding an aromatic polyhydroxy compound other than trihydroxybenzophenone, but the developability However, it cannot be said that the improvement is necessarily sufficient.
従って本発明の目的とする所は、特に半導体デバイス等
の製造において、高感度で解像力、現像性、耐熱性に優
れたレジストパターンが得られるポジ型フォトレジスト
組成物を提供することにあく問題点を解決するための手
段〉
本発明者等は、上記諸特性に留意し、鋭意検討した結果
、アルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド化合物及び特定
の構造式を有する化合物を用いることにより、上記目的
を達成し得ることを見いだし、この知見に基づいて本発
明を成すに至った。Therefore, an object of the present invention is to provide a positive photoresist composition that can provide a resist pattern with high sensitivity and excellent resolution, developability, and heat resistance, particularly in the production of semiconductor devices and the like. Means for Solving the Problem> As a result of careful consideration and careful consideration of the above characteristics, the present inventors have found that the above object can be achieved by using an alkali-soluble resin, a quinonediazide compound, and a compound having a specific structural formula. Based on this finding, we have accomplished the present invention.
即ち、本発明の目的は、キノンジアジド化合物とアルカ
リ可溶性樹脂とを必須成分として含有するポジ型フォト
レジスト組成物において、下記一般式（Ｉ）もしくは（
ＩＩ）で表される化合物を少なくとも一種含有すること
を特徴とするポジ型フォトレジストにより達成された。That is, an object of the present invention is to provide a positive photoresist composition containing a quinone diazide compound and an alkali-soluble resin as essential components, which is formed by the following general formula (I) or (
This was achieved using a positive photoresist characterized by containing at least one compound represented by II).
以下に本発明の詳細な説明する。The present invention will be explained in detail below.
上記一般式（Ｉ）のＲ１−Ｒ２において、ハロゲン原子
としては塩素原子、臭素原子もしくはヨウ素原子が好ま
しく、アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピ
ル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、
５ｅｃ−ブチル基もしくはｔ−ブチル基の様な炭素数１
〜４のアルキル基が好ましく、アルコキシ基としてはメ
トキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポ
キシ基、ヒドロキシプロポキシ基、イソプロポキシ基、
ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、５ｅｃ−ブトキシ基
もしくはｔ−ブトキシ基の様な炭素数１〜４のアルコキ
シ基が好ましく、アラルキル基としてはベンジル基、フ
ェネチル基もしくはベンズヒドリル基等が好ましく、ア
リール基としてはフェニル基、トリル基、ヒドロキシフ
ェニル基もしくはナフチル基等が好ましく、モノアルキ
ルアミノ基としてはモノメチルアミノ基、モノエチルア
ミノ基、モノプロピルアミノ基、モノイソプロピルアミ
ノ基、モノｎ−ブチルアミノ基、モノイソブチルアミノ
基、モノ５ｅｃ−ブチルアミノ基もしくはモノｔ−ブチ
ルアミノ基の様な炭素数１〜４のモノアルキルアミノ基
が好ましく、ジアルキルアミノ基としてはジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジイソ
プロピルアミノ基、ジローブナルアミノ基、ジイソブチ
ルアミノ基、ジ５ｅｅ−ブチルアミノ基もしくはジを一
ブチルアミノ基の様な炭素数がそれぞれ１〜４のアルキ
ル置換基を持つジアルキルアミノ基が好ましく、アシル
アミノ基としてはアセチルアミノ基、プロピオニルアミ
ノ基、ブチリルアミノ基、イソブチリルアミノ基、イソ
バレリルアミノ基、ピバロイルアミノ基もしくはバレリ
ルアミノ基の様な炭素数がそれぞれ２〜５の脂肪族置換
アシルアミノ基及びベンゾイルアミノ基もしくはトルオ
イルオキシ基の様な芳香族置換アシルアミノ基が好まし
く、アルキルカルバモイル基としてはメチルカルバモイ
ル基、エチルカルバモイル基、プロピルカルバモイル基
、イソプロピルカルバモイル基、ｎ−ブチルカルバモイ
ル基、イソブチルカルバモイル基、５ｅＣ−ブチルカル
バモイル基もしくはｔ−ブチルカルバモイル基の様な炭
素数２〜５のアルキルカルバモイル基が好ましく、アリ
ールカルバモイル基としてはフェニルカルバモイル基も
しくはトリルカルバモイル基等が好ましく、アルキルス
ルファモイル基としてはメチルスルファモイル基、エチ
ルスルファモイル基、プロピルスルファモイル基、イソ
プロピルスルファモイル基、ｎ−ブチルスルファモイル
基、５ｅｃ−ブチルスルファモイル基もしくはｔ−ブチ
ルスルファモイル基の様な炭素数１〜４のアルキルスル
ファモイル基が好ましく、アリールスルファモイル基と
してはフェニルスルファモイル基もしくはトリルスルフ
ァモイル基等が好ましく、アシル基としてはホルミル基
、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチ
リル基、バレリル基、イソバレリル基もしくはピバロイ
ル基の様な炭素数１〜５の脂肪族アシル基及びベンゾイ
ル基、トルオイル基、サリチロイル基もしくはナフトイ
ル基の様な芳香族アシル基が好ましく、アルキルオキシ
カルボニル基としてはメトキシカルボニル基、エトキシ
カルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキ
シカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、イソブト
キシカルボニル基、５ｅｃ−ブトキシカルボニル基もし
くはｔ−ブトキシカルボニル基の様な炭素数２〜５のア
ルキルオキシカルボニル基が好ましく、アリールオキシ
カルボニル基としてはフェノキシカルボニル基の様なア
リールオキシカルボニル基が好ましく、アシロキシ基と
してはアセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリル
オキシ基、イソブチリルオキシ基、バレリルオキシ基、
イソバレリルオキシ基もしくはとバレリルオキシ基の様
な炭素数２〜５の脂肪族アシロキシ基及びベンゾイルオ
キシ基、トルオイルオキシ基もしくはナフトイルオキシ
基の様な芳香族アシロキシ基が、好ましい。In R1-R2 of the above general formula (I), the halogen atom is preferably a chlorine atom, a bromine atom, or an iodine atom, and the alkyl group is a methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, or isobutyl group. ,
1 carbon number such as 5ec-butyl group or t-butyl group
~4 alkyl groups are preferable, and the alkoxy groups include methoxy group, ethoxy group, hydroxyethoxy group, propoxy group, hydroxypropoxy group, isopropoxy group,
An alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms such as n-butoxy group, isobutoxy group, 5ec-butoxy group or t-butoxy group is preferable; as an aralkyl group, a benzyl group, phenethyl group or benzhydryl group is preferable; as an aryl group, is preferably a phenyl group, tolyl group, hydroxyphenyl group, or naphthyl group, and examples of the monoalkylamino group include monomethylamino group, monoethylamino group, monopropylamino group, monoisopropylamino group, mono n-butylamino group, mono A monoalkylamino group having 1 to 4 carbon atoms such as an isobutylamino group, a mono-5ec-butylamino group or a mono-t-butylamino group is preferable, and the dialkylamino group includes a dimethylamino group, a diethylamino group, a dipropylamino group, A dialkylamino group each having an alkyl substituent having 1 to 4 carbon atoms, such as a diisopropylamino group, a dilobinal amino group, a diisobutylamino group, a di5ee-butylamino group, or a dibutylamino group, is preferred; The groups include aliphatic substituted acylamino groups each having 2 to 5 carbon atoms, such as an acetylamino group, a propionylamino group, a butyrylamino group, an isobutyrylamino group, an isovalylamino group, a pivaloylamino group, or a valerylamino group, and a benzoylamino group. or an aromatic substituted acylamino group such as toluoyloxy group, and the alkylcarbamoyl group includes methylcarbamoyl group, ethylcarbamoyl group, propylcarbamoyl group, isopropylcarbamoyl group, n-butylcarbamoyl group, isobutylcarbamoyl group, 5eC- An alkylcarbamoyl group having 2 to 5 carbon atoms such as a butylcarbamoyl group or a t-butylcarbamoyl group is preferable, a phenylcarbamoyl group or a tolylcarbamoyl group is preferable as an arylcarbamoyl group, and a methylsulfamoyl group is preferable as an alkylsulfamoyl group. 1 carbon number such as moyl group, ethylsulfamoyl group, propylsulfamoyl group, isopropylsulfamoyl group, n-butylsulfamoyl group, 5ec-butylsulfamoyl group or t-butylsulfamoyl group -4 alkylsulfamoyl groups are preferable, the arylsulfamoyl group is preferably phenylsulfamoyl group or tolylsulfamoyl group, and the acyl group is formyl group, acetyl group, propionyl group, butyryl group, isobutyryl group, etc. As the alkyloxycarbonyl group, aliphatic acyl groups having 1 to 5 carbon atoms such as valeryl, isovaleryl, or pivaloyl, and aromatic acyl groups such as benzoyl, toluoyl, salicyloyl, or naphthoyl are preferable. is an alkyl group having 2 to 5 carbon atoms such as methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, propoxycarbonyl group, isopropoxycarbonyl group, n-butoxycarbonyl group, isobutoxycarbonyl group, 5ec-butoxycarbonyl group or t-butoxycarbonyl group An oxycarbonyl group is preferable, and the aryloxycarbonyl group is preferably an aryloxycarbonyl group such as a phenoxycarbonyl group, and the acyloxy group is an acetoxy group, a propionyloxy group, a butyryloxy group, an isobutyryloxy group, a valeryloxy group,
Preferred are aliphatic acyloxy groups having 2 to 5 carbon atoms such as isovaleryloxy or valeryloxy, and aromatic acyloxy groups such as benzoyloxy, toluoyloxy or naphthoyloxy.
また、Ｒ３−Ｒ５のアルキル基としてはメチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブ
チル基、５ｅｃ−ブチル基もしくはｔ−ブチル基の様な
炭素数１〜４のアルキル基が好ましい。Further, as the alkyl group for R3-R5, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as a methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, 5ec-butyl group or t-butyl group is preferable. .
上記一般式（ＩＩ）のＲ８、Ｒ９において、ハロゲン原
子としては塩素原子、臭素原子もしくはヨウ素原子が、
アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、
ｎ−ブチル基、イソブチル基、５ｅｃ−ブチル基もしく
はｔ−ブチル基の様な炭素数１〜４のアルキル基が、ア
ルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基、ヒドロキ
シエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基
、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基
、５ｅｃ−ブトキシ基もしくはｔ−ブトキシ基の様な炭
素数１〜４のアルコキシ基が、アルケニル基としてはビ
ニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基の様な炭
素数２〜４のアルケニル基が・アルコキシカルボニル基
としてはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基
、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル
基、ｎ−ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニ
ル基、５ｅｃ−ブトキシカルボニル基もしくはｔ−ブト
キシカルボニル基の様な炭素数２〜５のアルコキシカル
ボニル基が、アルキロイルオキシ基としてはアセトキシ
基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブ
チリルオキシ基、バレリルオキシ基、イソバレリルオキ
シ基もしくはピバロイルオキシ基の様な炭素数２〜５の
脂肪族アルキロイルオキシ基が、アリ−ロイルオキシ基
としてはベンゾイルオキシ基等が、アシル基としてはホ
ルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、
バレリル基、イソバレリル基もしくはピバロイル基の様
な炭素数１〜５の脂肪族アシル基及びベンゾイル基、ト
ルオイル基の様な芳香族アシル基が好ましい。In R8 and R9 of the above general formula (II), the halogen atom is a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom,
Alkyl groups include methyl group, ethyl group, propyl group,
An alkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as an n-butyl group, isobutyl group, 5ec-butyl group or t-butyl group, and an alkoxy group such as a methoxy group, an ethoxy group, a hydroxyethoxy group, a propoxy group, or a hydroxypropoxy group. , isopropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, 5ec-butoxy group or t-butoxy group, and alkenyl group is vinyl group, propenyl group, allyl group, butenyl group. An alkenyl group having 2 to 4 carbon atoms such as ・Alkoxycarbonyl group includes methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, propoxycarbonyl group, isopropoxycarbonyl group, n-butoxycarbonyl group, isobutoxycarbonyl group, 5ec-butoxycarbonyl group or an alkoxycarbonyl group having 2 to 5 carbon atoms such as a t-butoxycarbonyl group, and an alkyloxy group such as an acetoxy group, a propionyloxy group, a butyryloxy group, an isobutyryloxy group, a valeryloxy group, or an isovaleryloxy group. or an aliphatic alkyloxy group having 2 to 5 carbon atoms such as a pivaloyloxy group, an aryloyloxy group such as a benzoyloxy group, an acyl group such as a formyl group, an acetyl group, a propionyl group, a butyryl group,
Preferred are aliphatic acyl groups having 1 to 5 carbon atoms such as valeryl group, isovaleryl group or pivaloyl group, and aromatic acyl groups such as benzoyl group and toluoyl group.
本発明に用いられる一般式（Ｉ）もしくは（ｎ）で表さ
れる化合物の具体例を下記に示すが、これらに限定され
るものではない。Specific examples of the compound represented by the general formula (I) or (n) used in the present invention are shown below, but the invention is not limited thereto.
一般式（Ｉ）で表される化合物の具体例としては、１−
（４−ヒドロキシフェニル）−１，３，３−トリメチル
−６−ヒドロキシインダン、１−（４−ヒドロキシフェ
ニル）−１，３，３−）ジメチル−５，６−シヒドロキ
シインダン、１−（３，４−ジヒドロキシフェニル）−
１，３，３−トリメチル−６−ヒドロキシインダン、］
−（］３．４−ジヒドロキシフェニル−１，３，３−）
ジメチル−５，６−ジヒドロキシインダン、１−（３−
ヒドロキシフェニル）−１，３，３−）ジメチル−６−
ジヒドロキシインダン、１−（３−ヒドロキシフェニル
）−１，３，３−）ジメチル−５−ヒドロキシインダン
、１−（２−ヒドロキシフェニル）−１，３，３−トリ
メチル−４−ヒドロキシインダン、１−（２−ヒドロキ
シフェニル）−１，３，３−）ジメチル−７−ヒドロキ
シインダン、１−（２，３−ジヒドロキシフェニル）−
１，３，３−）ジメチル−４，５−ジヒドロキシインダ
ン、１−（２，３−ジヒドロキシフェニル）−１，３，
３−トリメチル−６，７−ジヒドロキシインダン、１−
（２，４−ジヒドロキシフェニル）−１，３，３−）ジ
メチル−４，６−ジヒドロキシインダン、１−（２，４
−ジヒドロキシフェニル）−１，３，３−）ジメチル−
５，７−ジヒドロキシインダン、１−（３，５−ジヒド
ロキシフェニル）−１，３，３−）ジメチル−４，６−
ジヒドロキシインダン、］−（］３．５−ジヒドロキシ
フェニル−１，３，３−）ジメチル−５，７−ジヒドロ
キシインダン、１− （２，３，４−トリヒドロキシフ
ェニル）−１，３，３−トリメチル−４，５，６−）ジ
ヒドロキシインダン、】−（２，３，４−）ジヒドロキ
シフェニル）−１，３，３−トリメチル−５，６，７−
）ジヒドロキシインダン、１− （２，４，５−トリヒ
ドロキシフェニル）−１，３，３−）ジメチル−４，６
，７−ドリヒトロキシインダン、１− （２，４，５−
トリヒドロキシフェニル）−１，３，３−）ジメチル−
４，５，７−ドリヒトロキシインダン、１− （２，４
，６−）ジヒドロキシフェニル）−１，３，３−）ジメ
チル−４，５，６−）ジヒドロキシインダン、１−（３
メチル−４−ヒドロキシフェニル） −１，３，３，５
−テトラメチル−６−ヒドロキシインダン、１−（３，
５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−１，３，３
，５，７−ペンタメチル−６−ヒドロキシインダン、１
−（４−アミノフェニル）−１，３゜３−トリメチル−
６−アミノインダン、１−（３、４−ジアミノフェニル
）−１，３，３−）ジメチル−５，６−ジアミツインダ
ン、１− （２，３，４−）リアミノフェニル）−１，
３，３−）リメチル−５，６，７−）リアミノインダン
、１− （２，３，４−トリヒドロキシフェニル）−１
，３，３−）リエチルー４，５．６−ドリヒドロキシイ
ンダン、１−（２，３，４−）ジヒドロキシフェニル）
−１，３，３−トリエチル−６，６，７−トリヒドロキ
シインダン、１−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）−１，３，３−）リメチル−５，６，７−）リヒド
ロキシインダン、１−（４−アミノフェニル）−１，３
，３−トリメチル−５，６，７−）リヒドロキシインダ
ン、１−（２，４−ジヒドロキシフェニル）−１，３，
３−）リフチル−４，６−シヒドロキシインダン、１−
（２，４−ジヒドロキシフェニル）−１，３，３−）リ
フチル−５，フーシヒドロキシインダン等が挙げられる
。Specific examples of the compound represented by general formula (I) include 1-
(4-hydroxyphenyl)-1,3,3-trimethyl-6-hydroxyindane, 1-(4-hydroxyphenyl)-1,3,3-)dimethyl-5,6-dihydroxyindane, 1-(3-hydroxyphenyl)-1,3,3-)dimethyl-5,6-dihydroxyindane, ,4-dihydroxyphenyl)-
1,3,3-trimethyl-6-hydroxyindan,]
-(]3,4-dihydroxyphenyl-1,3,3-)
Dimethyl-5,6-dihydroxyindan, 1-(3-
hydroxyphenyl)-1,3,3-)dimethyl-6-
Dihydroxyindane, 1-(3-hydroxyphenyl)-1,3,3-)dimethyl-5-hydroxyindane, 1-(2-hydroxyphenyl)-1,3,3-trimethyl-4-hydroxyindane, 1- (2-hydroxyphenyl)-1,3,3-)dimethyl-7-hydroxyindan, 1-(2,3-dihydroxyphenyl)-
1,3,3-)dimethyl-4,5-dihydroxyindan, 1-(2,3-dihydroxyphenyl)-1,3,
3-trimethyl-6,7-dihydroxyindan, 1-
(2,4-dihydroxyphenyl)-1,3,3-)dimethyl-4,6-dihydroxyindan, 1-(2,4
-dihydroxyphenyl)-1,3,3-)dimethyl-
5,7-dihydroxyindan, 1-(3,5-dihydroxyphenyl)-1,3,3-)dimethyl-4,6-
Dihydroxyindan,]-(]3,5-dihydroxyphenyl-1,3,3-)dimethyl-5,7-dihydroxyindan, 1-(2,3,4-trihydroxyphenyl)-1,3,3- Trimethyl-4,5,6-)dihydroxyindan, ]-(2,3,4-)dihydroxyphenyl)-1,3,3-trimethyl-5,6,7-
) dihydroxyindan, 1-(2,4,5-trihydroxyphenyl)-1,3,3-)dimethyl-4,6
, 7-dolihydroxyindan, 1- (2,4,5-
trihydroxyphenyl)-1,3,3-)dimethyl-
4,5,7-drihytroxyindane, 1-(2,4
,6-)dihydroxyphenyl)-1,3,3-)dimethyl-4,5,6-)dihydroxyindan,1-(3
Methyl-4-hydroxyphenyl) -1,3,3,5
-tetramethyl-6-hydroxyindan, 1-(3,
5-dimethyl-4-hydroxyphenyl)-1,3,3
, 5,7-pentamethyl-6-hydroxyindan, 1
-(4-aminophenyl)-1,3゜3-trimethyl-
6-aminoindan, 1-(3,4-diaminophenyl)-1,3,3-)dimethyl-5,6-diamitindane, 1-(2,3,4-diaminophenyl)-1,
3,3-)limethyl-5,6,7-)riaminoindan, 1-(2,3,4-trihydroxyphenyl)-1
,3,3-)riethyl-4,5.6-dolyhydroxyindan,1-(2,3,4-)dihydroxyphenyl)
-1,3,3-triethyl-6,6,7-trihydroxyindane, 1-(3-methyl-4-hydroxyphenyl)-1,3,3-)limethyl-5,6,7-)lihydroxy Indane, 1-(4-aminophenyl)-1,3
, 3-trimethyl-5,6,7-)lihydroxyindan, 1-(2,4-dihydroxyphenyl)-1,3,
3-) Riftyl-4,6-cyhydroxyindan, 1-
Examples include (2,4-dihydroxyphenyl)-1,3,3-)rifthyl-5, fusihydroxyindan, and the like.
一般式（ｎ）で表される化合物の具体例としては、２−
（３，４−ジヒドロキシフェニル）−３゜５．７−）
リヒドロキシベンゾビラン、２−（３゜４．５−）ジヒ
ドロキシフェニル）−３，５，７−）リヒドロキシベン
ゾピラン、２＝ （３，４−ジヒドロキシフェニル’）
−３−（３，４，５−）リヒドロキシベンゾイルオキシ
） −５，７−シヒドロキシベンゾビラン、２− （３
，４，５−）ジヒドロキシフェニル）−３−（３，４，
５−）リヒドロキシベンゾイルオキシ）−５，７−シヒ
ドロキシベンゾビラン等が挙げられる。Specific examples of the compound represented by general formula (n) include 2-
(3,4-dihydroxyphenyl)-3゜5.7-)
Lihydroxybenzobilane, 2-(3°4.5-)dihydroxyphenyl)-3,5,7-)lihydroxybenzopyran, 2= (3,4-dihydroxyphenyl')
-3-(3,4,5-)lyhydroxybenzoyloxy) -5,7-cyhydroxybenzobilane, 2-(3
,4,5-)dihydroxyphenyl)-3-(3,4,
Examples include 5-)lyhydroxybenzoyloxy)-5,7-cyhydroxybenzobilane.
これらのポリヒドロキシ化合物は単独で、もしくは２種
以上の組合せで用いられる。These polyhydroxy compounds may be used alone or in combination of two or more.
これらのポリヒドロキシ化合物の配合量は、キノンジア
ジド化合物１００重量部に対し、通常１５０重量部以下
、好ましくは５〜１００重量部である。この使用比率が
５重量部未満では感度上昇効果が実質的に得られず、ま
た１００重量部を越えると残膜率が著しく低下する。The blending amount of these polyhydroxy compounds is usually 150 parts by weight or less, preferably 5 to 100 parts by weight, per 100 parts by weight of the quinonediazide compound. If the usage ratio is less than 5 parts by weight, no effect of increasing sensitivity can be obtained substantially, and if it exceeds 100 parts by weight, the residual film rate will drop significantly.
本発明に用いるアルカリ可溶性樹脂としては、ノボラッ
ク樹脂、アセトン−ピロガロール樹脂やポリヒドロキシ
スチレン及びその誘導体を挙げることができる。Examples of the alkali-soluble resin used in the present invention include novolac resin, acetone-pyrogallol resin, polyhydroxystyrene, and derivatives thereof.
これらの中で、特にノボラック樹脂が好ましく、所定の
モノマーを主成分として、酸性触媒の存在下、アルデヒ
ド類と付加縮合させることにより得られる。Among these, novolac resins are particularly preferred, and are obtained by addition-condensing a predetermined monomer as a main component with an aldehyde in the presence of an acidic catalyst.
所定のモノマーとしては、フェノール、ｍ−クレゾール
、ｐ−クレゾール、０−クレゾール等のクレゾール類、
２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、３，４
−キシレノール、２，３−キシレノール等のキシレノー
ル類、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、
０−エチルフェノール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール等の
アルキルフェノール類、ｐ−メトキシフェノール、ｍ−
メトキシフェノール、３，５−ジメトキシフェノール、
２−メトキシ−４−メチルフェノール、ｍ−エトキシフ
ェノール、ｐ−エトキシフェノール、ｍ−プロポキシフ
ェノール、ｐ−プロポキシフェノール、ｍ７ブトキシフ
エノール、ｐ−ブトキシフェノール等のアルコキシフェ
ノール類、２−メチル−４−イソプロピルフェノール等
のビスアルキルフェノール類、ｍ−クロロフェノール、
ｐ−クロロフェノール、０−クロロフェノール、ジヒド
ロキシビフェニル、ビスフェノールＡ１ フェニルフ
ェノール、レゾルシノール、ナフトール等のヒドロキシ
芳香族化合物を単独もしくは２種以上混合して使用する
ことができるが、これらに限定されるものではない。Predetermined monomers include phenol, cresols such as m-cresol, p-cresol, and 0-cresol;
2,5-xylenol, 3,5-xylenol, 3,4
-xylenol, xylenol such as 2,3-xylenol, m-ethylphenol, p-ethylphenol,
Alkylphenols such as 0-ethylphenol and pt-butylphenol, p-methoxyphenol, m-
Methoxyphenol, 3,5-dimethoxyphenol,
Alkoxyphenols such as 2-methoxy-4-methylphenol, m-ethoxyphenol, p-ethoxyphenol, m-propoxyphenol, p-propoxyphenol, m7 butoxyphenol, p-butoxyphenol, 2-methyl-4-isopropyl Bisalkylphenols such as phenol, m-chlorophenol,
Hydroxy aromatic compounds such as p-chlorophenol, 0-chlorophenol, dihydroxybiphenyl, bisphenol A1 phenylphenol, resorcinol, and naphthol can be used alone or in combination of two or more, but are not limited to these. do not have.
アルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、バラ
ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデ
ヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、
α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニルプロピ
ルアルデヒド、０−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｍ−
ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロキシベンズア
ルデヒド、０−クロロベンズアルデヒド、ｍ−クロロベ
ンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデヒド、０−ニ
トロベンズアルデヒド、ｍ−ニトロベンズアルデヒド、
ｐ−ニトロベンズアルデヒド、〇−メチルベンズアルデ
ヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−メチルベンズ
アルデヒド、ｐ−二チルベンズアルデヒド、ｐ−ｎ−プ
チルベンズアルデヒド、フルフラール、クロロアセトア
ルデヒド及びこれらのアセタール体、例えばクロロアセ
トアルデヒドジエチルアセタール等を使用することがで
きるが、これらの中で、ホルムアルデヒドを使用するの
が好ましい。Examples of aldehydes include formaldehyde, paraformaldehyde, acetaldehyde, propylaldehyde, benzaldehyde, phenylacetaldehyde,
α-phenylpropylaldehyde, β-phenylpropylaldehyde, 0-hydroxybenzaldehyde, m-
Hydroxybenzaldehyde, p-hydroxybenzaldehyde, 0-chlorobenzaldehyde, m-chlorobenzaldehyde, p-chlorobenzaldehyde, 0-nitrobenzaldehyde, m-nitrobenzaldehyde,
p-nitrobenzaldehyde, 0-methylbenzaldehyde, m-methylbenzaldehyde, p-methylbenzaldehyde, p-nitylbenzaldehyde, p-n-butylbenzaldehyde, furfural, chloroacetaldehyde and their acetal forms, such as chloroacetaldehyde diethyl acetal, etc. Among these, it is preferred to use formaldehyde.
これらのアルデヒド類は、単独でもしくは２種以上組み
合わせて用いられる。These aldehydes may be used alone or in combination of two or more.
酸性触媒としては塩酸、硫酸、ギ酸、酢酸及びシュウ酸
等を使用することができる。As the acidic catalyst, hydrochloric acid, sulfuric acid, formic acid, acetic acid, oxalic acid, etc. can be used.
こうして得られたノボラック樹脂の重量平均分子量は、
２０００〜３００００の範囲であることが好ましい。２
０００未満では未露光部の現像後の膜減りが大きく、３
００００を越えると現像速度が小さくなってしまう。特
に好適なのは６０００〜２００００の範囲である。The weight average molecular weight of the novolac resin thus obtained is:
The range is preferably from 2,000 to 30,000. 2
If it is less than 000, the film loss after development in the unexposed area will be large;
If it exceeds 0000, the development speed will become low. Particularly preferred is a range of 6,000 to 20,000.
ここで、重量平均分子量はゲルパーミェーションクロマ
トグラフィーのポリスチレン換算値をもって定義される
。Here, the weight average molecular weight is defined by the polystyrene equivalent value determined by gel permeation chromatography.
本発明で用いられる感光物は、以下に示すポリヒドロキ
シ化合物の１，２−ナフトキノンジアジド−５−（及び
／又は−４−）スルホニルクロリドとのエステル化物を
用いることができる。As the photosensitive material used in the present invention, an esterified product of the polyhydroxy compound shown below with 1,2-naphthoquinonediazide-5-(and/or -4-)sulfonyl chloride can be used.
ポリヒドロキシ化合物の例としては、例えば、２．３．
４−）リヒドロキシベンゾフエノン、２，４．４’−）
リヒドロキシベンゾフエノン、２，４．６−トリヒドロ
キシへンゾフエノン、２，３．４−）リヒドロキシー２
′−メチルベンゾフェノン、２゜３．４．４ ’−テト
ラヒドロキシベンゾフェノン、２．２’、４．４’−テ
トラヒドロキシベンゾフェノン、２．４，６．３’、４
’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４．２
’、４’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２．３．
４．２ ’、５ ’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン
、２，４，６．３’、４’、５’−へキサヒドロキシベ
ンゾフェノン、２，３，４，３’、４’、５′−へキサ
ヒドロキシベンゾフェノン等のポリヒドロキシベンゾフ
ェノン類、２，３．４−）リヒドロキシアセトフエノン
、２，３．４−トリヒドロキシフェニルペンチルケトン
、２，３．４−）ジヒドロキシフェニルへキシルケトン
等のポリヒドロキシフェニルアルキルケトン類、ビス（
２，４−ジヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，３
，４−トリヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，４
−ジヒドロキシフェニル）プロパン−１、ビス（２，３
，４−）ジヒドロキシフェニル）プロパン−１、ノルジ
ヒドログアイアレチン酸等のビス（（ポリ）ヒドロキシ
フェニル）アルカン類・ ３少４゜５−トリヒドロキシ
安息香酸プロピル、２．３．４−トリヒドロキシ安息香
酸フェニル、３，４．５−トリヒドロキシ安息香酸フェ
ニル等のポリヒドロキシ安息香酸エステル類、ビス（２
，３，４−）すεドロキシベンゾイル）メタン、ビス（
３−アセチル−４，５，６−）ジヒドロキシフェニル〉
−メタン、ビス（２，３，４−トリヒドロキシベンゾイ
ル）ベンゼン、ビス（２，４，６−）リヒドロキシベン
ゾイル）ベンゼン等のビス（ポリヒドロキシベンゾイル
）アルカン又はビス（ポリヒドロキシベンゾイル）アリ
ール類、エチレングリコールージ（３，５−ジヒドロキ
シベンゾエート）、エチレングリコールージ（３，４，
５−）ジヒドロキシベンゾエート）等のアルキレンージ
（ポリヒドロキシベンゾエート）類、２，３．４−ビフ
ェニルトリオール、３，４，５−ビフェニルトリオール
、３，５３１ 、５１−ビフェニルテトロール、２．４
．２ ’、４−ビフェニルテトロール、２，４，６．３
’、５’−ビフェニルベントール、２，４，６．２’、
４’、６’−ビフェニルヘキソール、２，３，４．２’
、３’、４’−ビフェニルヘキソール等のポリヒドロキ
シビフェニル類、４，４′−チオビス（１，３−ジヒド
ロキシ）ベンゼン等のビス（ポリヒドロキシ）スルフィ
ド類、２．２’、４．４’−テトラヒドロキシジフェニ
ルエーテル等のビス（ポリヒドロキシフェニル）エーテ
ル類、２．２ ’、４．４ ’−テトラヒドロキシジフ
ェニルスルフオキシド等のビス（ポリヒドロキシフェニ
ル）スルフオキシド類、２．２ ’、４．４ ’−ジフ
ェニルスルフォン等のビス（ポリヒドロキシフェニル）
スルフォン類、４ 、４ ＋ 、 ３ Ｊ ＋ 、 ４
Ｔ Ｔ−テトラヒドロキシ−３，５，３’、５’−テ
トラメチルトリフェニルメタン、４ 、４１ 、２１１
、３１１ 、４１１−ペンタヒドロキシ−３，５，３
’、５°−テトラメチルトリフェニルメタン、２，３，
４．２’、３’、４’−ヘキサヒドロキシ−５，５′−
ジアセチルトリフェニルメタン、２，３，４．２’、３
’、４’、３″′、４■−才クタヒドロキシ−５，５′
−ジアセチルトリフェニルメタン、２，４，６，２’、
４’、６’−へキサヒドロキシ−５，６′−ジブロピオ
ニルトリフェニルメタン等のポリヒドロキシトリフェニ
ルメタン類、３，３．３′、３′−テトラメチル−１，
１′−スピロビーインタン−５，６，５’、６’−テト
ロール、３，３．３’、３’−テトラメチル−１，Ｉ′
−スピロビーインダン−５，６，７，５’、６ ’、？
’−へキソオール、３．３．３２．３′−テトラメチ
ル−１，１′−スピロビーインダン−４，５，６，４’
、５ ’、６ ’−へキソオール、３，３．３”、３′
−テトラメチル−１，１′−スピロビーインダン−４，
５，６，５’、６’、？’−へキソオール等のポリヒド
ロキシスピロビーインダン類、３，３−ビス（３，４−
ジヒドロキシフェニル）フタリド、３．３−ビス（２，
３，４−）ジヒドロキシフェニル：フタリド、３’、４
’、５’、６’−テトラヒドロキシスピロ［フタリド−
３，９′−キサンテンコ等のポリヒドロキシフタリド類
、２−（３，４−ジヒドロキシフェニル）−３，５，７
−トリヒドロキシベンゾピラン、２− （３，４，５−
）ジヒドロキシフェニル） −３，５，７−）リヒドロ
キシベンゾピラン、２−（３，４−ジヒドロキシフェニ
ル）−３−（３，４，５−）リヒドロキシベンゾイルオ
キシ）−５，７−シヒドロキシベンゾピラン、２− （
３，４，５−）ジヒドロキシフェニル）−３−（３，４
，５−トリヒドロキシベンゾイルオキシ）−５，７−シ
ヒドロキシベンゾピラン等のポリヒドロキシベンゾピラ
ン類、あるいはモリン、ケルセチン、ルチン等のフラボ
ノ色素類等を用いる事ができる。Examples of polyhydroxy compounds include 2.3.
4-) Lyhydroxybenzophenone, 2,4.4'-)
Rihydroxybenzophenone, 2,4.6-trihydroxybenzophenone, 2,3.4-)rihydroxy-2
'-Methylbenzophenone, 2゜3.4.4 '-Tetrahydroxybenzophenone, 2.2', 4.4'-tetrahydroxybenzophenone, 2.4,6.3', 4
'-Pentahydroxybenzophenone, 2,3,4.2
',4'-pentahydroxybenzophenone, 2.3.
4.2',5'-pentahydroxybenzophenone, 2,4,6.3',4',5'-hexahydroxybenzophenone, 2,3,4,3',4',5'-hexahydroxy Polyhydroxybenzophenones such as benzophenone, polyhydroxyphenylalkyl such as 2,3.4-) lyhydroxyacetophenone, 2,3,4-trihydroxyphenylpentyl ketone, 2,3.4-) dihydroxyphenylhexyl ketone, etc. Ketones, bis(
2,4-dihydroxyphenyl)methane, bis(2,3
,4-trihydroxyphenyl)methane, bis(2,4
-dihydroxyphenyl)propane-1, bis(2,3
,4-)dihydroxyphenyl)propane-1, bis((poly)hydroxyphenyl)alkanes such as nordihydroguaiaretic acid, 3-4゜5-trihydroxypropylbenzoate, 2.3.4-trihydroxy Polyhydroxybenzoic acid esters such as phenyl benzoate, phenyl 3,4.5-trihydroxybenzoate, bis(2
,3,4-)suε droxybenzoyl)methane, bis(
3-acetyl-4,5,6-)dihydroxyphenyl>
- bis(polyhydroxybenzoyl)alkanes or bis(polyhydroxybenzoyl)aryls such as methane, bis(2,3,4-trihydroxybenzoyl)benzene, bis(2,4,6-)lyhydroxybenzoyl)benzene, Ethylene glycol rouge (3,5-dihydroxybenzoate), ethylene glycol rouge (3,4,
5-) dihydroxybenzoate), 2,3.4-biphenyltriol, 3,4,5-biphenyltriol, 3,531, 51-biphenyltetrol, 2.4
．． 2',4-biphenyltetrol, 2,4,6.3
', 5'-biphenylbentol, 2,4,6.2',
4',6'-biphenylhexol, 2,3,4.2'
, polyhydroxybiphenyls such as 3', 4'-biphenylhexol, bis(polyhydroxy) sulfides such as 4,4'-thiobis(1,3-dihydroxy)benzene, 2.2', 4.4' -Bis(polyhydroxyphenyl) ethers such as tetrahydroxydiphenyl ether, 2.2', 4.4'-Bis(polyhydroxyphenyl) sulfoxides such as tetrahydroxydiphenyl sulfoxide, 2.2', 4.4 '-Bis(polyhydroxyphenyl) such as diphenylsulfone
Sulfones, 4, 4 +, 3 J +, 4
T T-tetrahydroxy-3,5,3',5'-tetramethyltriphenylmethane, 4,41,211
, 311, 411-pentahydroxy-3,5,3
', 5°-tetramethyltriphenylmethane, 2,3,
4.2',3',4'-hexahydroxy-5,5'-
Diacetyltriphenylmethane, 2,3,4.2',3
', 4', 3''', 4■-cutahydroxy-5,5'
-Diacetyltriphenylmethane, 2,4,6,2',
Polyhydroxytriphenylmethanes such as 4',6'-hexahydroxy-5,6'-dibropionyltriphenylmethane, 3,3.3',3'-tetramethyl-1,
1'-spirobiintane-5,6,5',6'-tetrol, 3,3.3',3'-tetramethyl-1,I'
-Spirob Indan-5, 6, 7, 5', 6',?
'-hexol, 3.3.32.3'-tetramethyl-1,1'-spirobiindane-4,5,6,4'
, 5', 6'-hexol, 3,3.3'', 3'
-tetramethyl-1,1'-spirobiindane-4,
5, 6, 5', 6',? '-hexol and other polyhydroxyspirobiindanes, 3,3-bis(3,4-
dihydroxyphenyl)phthalide, 3,3-bis(2,
3,4-)dihydroxyphenyl:phthalide, 3',4
',5',6'-tetrahydroxyspiro[phthalide-
Polyhydroxyphthalides such as 3,9'-xanthenco, 2-(3,4-dihydroxyphenyl)-3,5,7
-trihydroxybenzopyran, 2- (3,4,5-
)dihydroxyphenyl) -3,5,7-)lihydroxybenzopyran, 2-(3,4-dihydroxyphenyl)-3-(3,4,5-)lihydroxybenzoyloxy)-5,7-cyhydroxy Benzopyran, 2- (
3,4,5-)dihydroxyphenyl)-3-(3,4
, 5-trihydroxybenzoyloxy)-5,7-cyhydroxybenzopyran, or flavonoid pigments such as morin, quercetin, and rutin.
また、ノボラック樹脂等フェノール樹脂の低核体を用い
る事もできる。Furthermore, low-nuclear substances of phenolic resins such as novolac resins can also be used.
これらのポリヒドロキシ化合物のナフトキノンジアジド
エステル感光物は単独で、もしくは２種以上の組み合わ
せで用いられる。These naphthoquinone diazide ester photosensitive materials of polyhydroxy compounds may be used alone or in combination of two or more.
感光物とアルカリ可溶性樹脂の使用比率は、樹脂１００
重量部に対し、感光物５〜１００重量部、好ましくは１
０〜５０重量部である。この使用比率が５重量部未満で
は残膜率が著しく低下し、他方１００重量部を超えると
感度及び溶剤への溶解性が低下する。The ratio of photosensitive material and alkali-soluble resin used is 100% resin.
5 to 100 parts by weight, preferably 1 part by weight of the photosensitive material
It is 0 to 50 parts by weight. If the usage ratio is less than 5 parts by weight, the residual film rate will drop significantly, while if it exceeds 100 parts by weight, sensitivity and solubility in solvents will drop.
本発明の組成物には、更に現像液への溶解促進のために
、他のポリヒドロキシ化合物を併用することができる。The composition of the present invention may further contain other polyhydroxy compounds in order to promote dissolution in a developer.
好ましいポリヒドロキシ化合物としては、フェノール類
、レゾルシン、フロログルシン、２，３．４−）リヒド
ロキシベンゾフェノン、２．３，４．４’ −テトラヒ
ドロキシベンゾフェノン、２．３，４．３’ 、４’
、５’−へキサヒドロキシベンゾフェノン、アセトン−
ピロガロール縮合樹脂、フロログルシド、２，４．２’
、４’−ビフェニルテトロール、４，４′−チオビス
（１，３−ジヒドロキシ）ベンゼン、２．２’ 、４．
４’−テトラヒドロキシジフェニルエーテル、２．２’
、４．４’−テトラヒドロキシジフェニルスルフオキ
シド、２，２′、４．４’−ジフェニルスルフォン、ビ
ス（２，４−ジヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２
，３゜４−トリヒドロキシフェニル）メタン、ビスフェ
ノールＡ５ ビスフェノールＡＦ、 ビスフェノー
ルＳ、ビスフェノールＦ等を挙げることができる。Preferred polyhydroxy compounds include phenols, resorcinol, phloroglucin, 2,3.4-)lyhydroxybenzophenone, 2.3,4.4'-tetrahydroxybenzophenone, 2.3,4.3', 4'
, 5'-hexahydroxybenzophenone, acetone-
Pyrogallol condensation resin, phloroglucide, 2,4.2'
, 4'-biphenyltetrol, 4,4'-thiobis(1,3-dihydroxy)benzene, 2.2', 4.
4'-tetrahydroxydiphenyl ether, 2.2'
, 4.4'-tetrahydroxydiphenylsulfoxide, 2,2',4.4'-diphenylsulfone, bis(2,4-dihydroxyphenyl)methane, bis(2
, 3°4-trihydroxyphenyl)methane, bisphenol A5, bisphenol AF, bisphenol S, bisphenol F, and the like.
これらのポリヒドロキシ化合物は、本発明のポリヒドロ
キシ化合物１００重量部に対して、通常５０重量部以下
、好ましくは３０重量部以下の割合で配合することがで
きる。These polyhydroxy compounds can be blended in a proportion of usually 50 parts by weight or less, preferably 30 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the polyhydroxy compound of the present invention.
本発明の感光物及びアルカリ可溶性ノボラック樹脂を溶
解させる溶剤としては、メチルエチルケトン、シクロヘ
キサノン等のケトン類、４−エトキイー２−ブタノン、
４−メトキシ−４−メチル−２−ペンタノン等のケトエ
ーテル類、エチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテル等のアルコールエ
ーテル頚、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエ
ーテル等のエーテル類、メチルセロソルブアセテート、
エチルセロソルブアセテート等のセロソルブエステル類
、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル等の脂肪酸エス
テル類、１，１．２−）リクロロエチレン等のハロゲン
化炭化水素類、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロ
リドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド
等の高極性溶剤を例示することができる。これら溶剤は
単独で、もしくは複数の溶剤を混合して使用することも
できる。Examples of the solvent for dissolving the photosensitive material and alkali-soluble novolac resin of the present invention include ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone, 4-ethoxy-2-butanone,
Keto ethers such as 4-methoxy-4-methyl-2-pentanone, alcohol ethers such as ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether, ethers such as dioxane and ethylene glycol dimethyl ether, methyl cellosolve acetate,
Cellosolve esters such as ethyl cellosolve acetate, fatty acid esters such as butyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, halogenated hydrocarbons such as 1,1.2-)lichloroethylene, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, dimethyl Examples include highly polar solvents such as formamide and dimethyl sulfoxide. These solvents can be used alone or in combination.
本発明のポジ型フォトレジスト用組成物には、ストリエ
ーション等の塗布性を更に向上させるために、界面活性
剤を配合する事ができる。A surfactant can be added to the positive photoresist composition of the present invention in order to further improve coating properties such as striations.
界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリ
ルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、
ポリオキシエチレン七チルエーテル、ポリオキシエチレ
ンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエ
ーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエー
テル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等
のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリ
オキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリ
マー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパ
ルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタン
モノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタ
ントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、
ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオ
キシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシ
エチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチ
レンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソ
ルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソル
ビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エ
フトップＥＦ３０１．ＥＦ３０３、ＥＦ３５２ （新秋
田化成（株）製）、メガファツクＦ１７１．Ｆ１７３
（大日本インキ（株）製）、フロラードＦＣ４３０，
ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製）、アサヒガード
ＡＧ７１０．サーフロンＳ−３８２，５Ｃ１０１，５Ｃ
１０２，５Ｃ１０３゜ＳＣ１０４，ＳＣ１０５，ＳＣ１
０６（旭硝子（株）製）等のフッ素系界面活性剤、オル
ガノシロキサンポリマーＫＰ３４１ （信越化学工業
（株）製）やアクリル酸系もしくはメタクリル酸系（共
）重合ポリフローＮｏ、７５．Ｎｏ、９５ （共栄社油
脂化学工業（株）製）等を挙げることができる。これら
の界面活性剤の配合量は、本発明の組成物中のアルカリ
可溶性樹脂及びキノンジアジド化合物１０Ｏ重量部当た
り、通常、２重量部以下、好ましくは１重量部以下であ
る。Examples of surfactants include polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether,
Polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene heptyl ether and polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene alkyl allyl ethers such as polyoxyethylene octyl phenol ether and polyoxyethylene nonyl phenol ether, polyoxyethylene/polyoxypropylene block copolymers sorbitan fatty acid esters such as sorbitan monolaurate, sorbitan monopalmitate, sorbitan monostearate, sorbitan monooleate, sorbitan trioleate, sorbitan tristearate,
Nonions such as polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters such as polyoxyethylene sorbitan monolaurate, polyoxyethylene sorbitan monopalmitate, polyoxyethylene sorbitan monostearate, polyoxyethylene sorbitan trioleate, polyoxyethylene sorbitan tristearate, etc. based surfactant, FTOP EF301. EF303, EF352 (manufactured by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), Megafac F171. F173
(manufactured by Dainippon Ink Co., Ltd.), Florado FC430,
FC431 (manufactured by Sumitomo 3M Ltd.), Asahi Guard AG710. Surflon S-382, 5C101, 5C
102,5C103゜SC104,SC105,SC1
06 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), acrylic acid-based or methacrylic acid-based (co)polymerized PolyFlow No. 75. No. 95 (manufactured by Kyoeisha Yushi Kagaku Kogyo Co., Ltd.), and the like. The blending amount of these surfactants is usually 2 parts by weight or less, preferably 1 part by weight or less, per 100 parts by weight of the alkali-soluble resin and quinonediazide compound in the composition of the present invention.
これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また、
いくつかの組み合わせて添加することもてきる。These surfactants may be added alone, or
It is also possible to add some combinations.
本発明のポジ型フォトレジスト用組成物の現像液として
は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモ
ニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピ
ルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−
ブチルアミン等の第三アミン類、トリエチルアミン、メ
チルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノ
ールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミ
ン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ
エチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウ
ム塩、ビロール、ピペリジン等の環状アミン類、等のア
ルカリ類の水溶液を使用することができる。更に、上記
アルカリ類の水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当
量添加して使用することもできる。Examples of the developer for the positive photoresist composition of the present invention include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, aqueous ammonia, ethylamine, n-propylamine, etc. primary amines, diethylamine, di-n-
Tertiary amines such as butylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, alcohol amines such as dimethylethanolamine and triethanolamine, quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide; Aqueous solutions of alkalis such as cyclic amines such as virol and piperidine can be used. Furthermore, appropriate amounts of alcohols and surfactants may be added to the aqueous alkali solution.
本発明のポジ型フォトレジスト用組成物には、必要に応
じ、染料、可塑剤、接着助剤を配合することができる。The positive photoresist composition of the present invention may contain a dye, a plasticizer, and an adhesion aid, if necessary.
その具体例としては、メチルバイオレット、クリスタル
バイオレット、マラカイトグリーン等の染料、ステアリ
ン酸、アセタール樹脂、フェノキシ樹脂、アルキッド樹
脂等の可塑剤、ヘキサメチルジシラザン、クロロメチル
シラン等の接着助剤がある。Specific examples thereof include dyes such as methyl violet, crystal violet, and malachite green, plasticizers such as stearic acid, acetal resin, phenoxy resin, and alkyd resin, and adhesive aids such as hexamethyldisilazane and chloromethylsilane.
上記ポジ型フォトレジスト用組成物を精密集積回路素子
の製造に使用されるような基板（例：シリコン／二酸化
シリコン被覆）上にスピナー コーター等の適当な塗布
方法により塗布後、所定のマスクを通して露光し、現像
することにより良好なレジストを得ることができる。The above positive photoresist composition is applied onto a substrate (e.g. silicon/silicon dioxide coated) used for manufacturing precision integrated circuit elements using an appropriate coating method such as a spinner coater, and then exposed through a prescribed mask. A good resist can be obtained by developing the resist.
〈発明の効果〉
本発明のポジ型フォトレジストは解像力、感度、現像性
、耐熱性に優れ、ｔｇｕｉ加工用フォトレジストとして
好適に用いられる。<Effects of the Invention> The positive photoresist of the present invention has excellent resolution, sensitivity, developability, and heat resistance, and is suitably used as a photoresist for TGUI processing.
〈実施例シ
以下、本発明の実施例を示すが、本発明はこれらに限定
されるものではない。なお、％は、他に指定のない限り
、重量％を示す。<Examples> Examples of the present invention will be shown below, but the present invention is not limited thereto. Note that % indicates weight % unless otherwise specified.
（１）ノボラック樹脂（ａ）の合成
ｍ−クレゾール４０ｇ、ｐ−クレゾール６０ｇ、３７％
ホルマリン水溶液５４．０ｇ及びシュウ酸０．０５ｇを
３つロフラスコに仕込み、攪拌しながら１００℃まで昇
温し、７時間反応させた。反応後室温まで冷却し３０ｍ
ｍＨｇまで減圧した。(1) Synthesis of novolak resin (a) m-cresol 40g, p-cresol 60g, 37%
Three Lof flasks were charged with 54.0 g of formalin aqueous solution and 0.05 g of oxalic acid, heated to 100° C. with stirring, and reacted for 7 hours. After the reaction, cool to room temperature and heat for 30 m.
The pressure was reduced to mHg.
次いで除々に１５０℃まで昇温し、水及び未反応モノマ
ーを除去した。得られたノボラック樹脂は平均分子量７
９００ （ポリスチレン換算）であった。Then, the temperature was gradually raised to 150°C to remove water and unreacted monomers. The obtained novolac resin has an average molecular weight of 7
900 (polystyrene equivalent).
（２）ノボラック樹脂（ｂ）の合成
ｍ−クレゾール５０重量％、ｐ−クレゾール５０重量％
及びホルマリン水溶液を用い上記（１）と同様にして合
成したクレゾールノボラック樹脂（ポリスチレン換算の
分子量９４００）を「高分子合成の実験法」３２頁（木
下雅悦、大津除行共著：化学同人（１９７３））を参考
にして低分子量成分を分別し、ポリスチレン換算の分子
量１００６０のクレゾールノボラック樹脂を得た。(2) Synthesis of novolac resin (b) m-cresol 50% by weight, p-cresol 50% by weight
A cresol novolac resin (molecular weight 9400 in terms of polystyrene) synthesized in the same manner as in (1) above using an aqueous formalin solution was added to "Experimental Methods of Polymer Synthesis", p. 32 (co-authored by Masayoshi Kinoshita and Yokoyuki Otsu: Kagaku Doujin (1973)). )), low molecular weight components were separated, and a cresol novolac resin having a molecular weight of 10,060 in terms of polystyrene was obtained.
（３）感光物ａの合成
２．３．４−）リヒドロキシベンゾフエノン１１゜５ｇ
、】、２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロ
リド３０．２ｇ及びアセトン３００ｍ１を３つロフラス
コに仕込み、均一に溶解した。次いでトリエチルアミン
／アセトン＝ １１．４ｇ１５０ ｍ ｌの混合液を徐
々に滴下し、２５℃で３時間反応させた。反応混合液を
１％塩酸水溶液１５００ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱物を
濾別し、水洗・・乾燥（４０℃）を行い、２，３．４−
）リヒドロキシベンゾフエノンの１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸エステル２９．８ｇを得た。(3) Synthesis of photosensitive material a 2.3.4-) 11°5 g of lyhydroxybenzophenone
], 30.2 g of 2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride and 300 ml of acetone were placed in three flasks and uniformly dissolved. Next, a mixture of triethylamine/acetone (11.4 g, 150 ml) was gradually added dropwise, and the mixture was reacted at 25° C. for 3 hours. The reaction mixture was poured into 1500 ml of 1% aqueous hydrochloric acid solution, the resulting precipitate was filtered off, washed with water, and dried (40°C) to give 2,3.4-
) 29.8 g of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester of lyhydroxybenzophenone was obtained.
（４）感光物すの合成
２．３，４．４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン１
２．３ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ニルクロリド４０．３ｇ及びアセトン３００ ｍ ｌを
３つロフラスコに仕込み、均一に溶解した。次いでトリ
エチルアミン／アセトン＝１５゜２ｇ１５０ｍ１の混合
液を徐々に滴下し、２５℃で３時間反応させた。反応混
合液を１％塩酸水溶液１５００ｍｌ中に注ぎ、生じた沈
澱物を濾別し、水洗・乾燥（４０℃）を行い、２，３，
４．４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンの１，２−
ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル３９．
７ｇを得た。(4) Synthesis of photosensitive material 2.3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone 1
2.3 g of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride and 300 ml of acetone were placed in three flasks and uniformly dissolved. Next, a mixture of triethylamine/acetone (15°2 g, 150 ml) was gradually added dropwise, and the mixture was reacted at 25° C. for 3 hours. The reaction mixture was poured into 1500 ml of 1% aqueous hydrochloric acid solution, the resulting precipitate was filtered off, washed with water and dried (40°C), and 2,3,
4.1,2- of 4'-tetrahydroxybenzophenone
Naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester39.
7g was obtained.
（５）ポジ型フォトレジスト組成物の調製と評価上記（
１）、 （２）で得られたクレゾールノボラック樹Ｎ
（ａ）もしくは（ｂ）、上記（３）、（４）で得られた
感光物ａもしくはｂ及び表−１に示す添加剤（Ａ）〜（
Ｈ）を表−２に示す割合でエチルセロソルブアセテ−）
１５ｇに溶解し、０、 ２μｍのミクロフィルターを用
いて濾過し、フォトレジスト組成物を調製した。このフ
ォトレジスト組成物をスピナーを用いてシリコンウェハ
ーに塗布し、窒素雰囲気下の対流オーブンで９０℃、３
０分間乾燥して膜厚１．２μｍのレジスト膜を得た。(5) Preparation and evaluation of positive photoresist compositions (
Cresol novolac tree N obtained in 1) and (2)
(a) or (b), the photosensitive material a or b obtained in (3) or (4) above, and the additives (A) to (
H) to ethyl cellosolve acetate) in the proportions shown in Table 2.
A photoresist composition was prepared by dissolving the solution in 15 g and filtering it using a 0.2 μm microfilter. This photoresist composition was applied to a silicon wafer using a spinner, and heated at 90°C in a convection oven under a nitrogen atmosphere for 3 hours.
After drying for 0 minutes, a resist film with a thickness of 1.2 μm was obtained.
次にキャノン社製縮小投影露光装置ＦＰＡ−１５５０を
用いてテストチャートマスクを介して露光し、２．３８
％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で１
分間現像し、３０秒間水洗して乾燥した。Next, exposure was performed through a test chart mask using a reduction projection exposure device FPA-1550 manufactured by Canon Co., Ltd.
% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution
The film was developed for 30 minutes, washed with water for 30 seconds, and dried.
このようにして得られたシリコンウェハーのレジストパ
ターンを走査型電子顕微鏡で観察し、レジストを評価し
た。その結果を表−２に示す。The resist pattern of the silicon wafer thus obtained was observed with a scanning electron microscope, and the resist was evaluated. The results are shown in Table-2.
感度は、０．７０μｍのマスクパターンを再現する露光
量の逆数をもって定義し、比較例１の感度の相対値で示
した。The sensitivity was defined as the reciprocal of the exposure amount for reproducing a 0.70 μm mask pattern, and was expressed as a relative value of the sensitivity of Comparative Example 1.
残膜率は、未露光部の現像前後の比の百分率で表した。The residual film rate was expressed as a percentage of the ratio of the unexposed area before and after development.
解像力は、０．７０μｍのマスクパターンを再現する露
光量における限界解像力を表す。The resolution represents the limit resolution at an exposure dose that reproduces a 0.70 μm mask pattern.
耐熱性は、レジストがパターン形成されたシリコンウェ
ハーを対流オーブンで３０分間ベークし、そのパターン
の変形が起こらない温度を示した。Heat resistance was determined by baking a silicon wafer on which a resist pattern was formed in a convection oven for 30 minutes, and indicating the temperature at which the pattern did not deform.
レジストの形状は、０．７０μｍのレジストパターン断
面におけるレジスト壁面とシリコンウェハーの平面のな
す角（０）で表した。The shape of the resist was expressed as the angle (0) between the resist wall surface and the plane of the silicon wafer in the cross section of the resist pattern of 0.70 μm.
現像性については、表層剥離及び膜残渣が、観察されず
良好な場合をＯ１多く観察された場合を×、少し観察さ
れた場合を△、て表した。Regarding the developability, the case where no surface layer peeling or film residue was observed was good, the case where a large amount of O1 was observed was expressed as x, and the case where a small amount of film residue was observed was expressed as △.
これから判る様に、本発明の添加剤（Ａ）〜（Ｄ）を用
いたレジストは、感度、残膜率、解像力耐熱性、レジス
ト形状及び現像性が優れていた。As can be seen, the resists using the additives (A) to (D) of the present invention were excellent in sensitivity, residual film rate, resolution, heat resistance, resist shape, and developability.
Claims (1)
一般式（ I ）もしくは（II）で表される化合物を少な
くとも１種含有することを特徴とするポジ型フォトレジ
スト組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） Ｒ＿１、Ｒ＿２：同一又は異なり、水素原子、ハロゲン
原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリ
ール基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキル
アミノ基、アルキルカルバモイル基、アリールカルバモ
イル基、アルキルスルファモイル基、カルボキシル基、
シアノ基、ニトロ基、アシル基、アルキルオキシカルボ
ニル基、アリールオキシカルボニル基もしくはアシロキ
シ基を表す。 これれらの基は置換基を有していても良い。 Ｒ＿３〜Ｒ＿５：それぞれ独立して、水素原子もしくは
置換基を有していても良い低級アルキル基を表す。 ａ、ｂ、ｃ、ｄ：それぞれ１〜３の整数であり、ａ＋ｃ
＝４、ｂ＋ｄ＝５である。 ▲数式、化学式、表等があります▼（II） Ｒ＿６：▲数式、化学式、表等があります▼基 Ｒ＿７：水素原子、水酸基、−ＯＲ＿９基もしくは▲数
式、化学式、表等があります▼基Ｒ＿８、Ｒ＿９：同一
又は異なり、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ア
リール基、アラルキル基、アルコキシ基、アルケニル基
、アシル基、アルコキシカルボニル基、アルキロイルオ
キシル基、アリーロイルオキシ基、シアノ基もしくはニ
トロ基を表す。 これれらの基は置換基を有していても良い。 ｅ、ｇ：同一又は異なり、１〜３の整数。 ｆ、ｈ：同一又は異なり、１〜４の整数。 ここで、ｅ＋ｆ＝４、ｇ＋ｈ＝５である。[Scope of Claims] A positive photoresist composition comprising an alkali-soluble resin, a quinonediazide compound, and at least one compound represented by the following general formula (I) or (II). ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ (I) R_1, R_2: Same or different, hydrogen atom, halogen atom, alkyl group, alkoxy group, aralkyl group, aryl group, amino group, monoalkylamino group, dialkylamino group , alkylcarbamoyl group, arylcarbamoyl group, alkylsulfamoyl group, carboxyl group,
Represents a cyano group, nitro group, acyl group, alkyloxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group or acyloxy group. These groups may have a substituent. R_3 to R_5: each independently represents a hydrogen atom or a lower alkyl group which may have a substituent. a, b, c, d: each an integer from 1 to 3, a+c
=4, b+d=5. ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼(II) R_6: ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼Group R_7: Hydrogen atom, hydroxyl group, -OR_9 group or ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼Group R_8, R_9: Same or different, hydrogen atom, halogen atom, alkyl group, aryl group, aralkyl group, alkoxy group, alkenyl group, acyl group, alkoxycarbonyl group, alkyloxyl group, aryloyloxy group, cyano group or nitro group represent. These groups may have a substituent. e, g: Same or different, integers of 1 to 3. f, h: the same or different, integers of 1 to 4; Here, e+f=4 and g+h=5.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8002990A JPH03279959A (en) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | Positive type photoresist composition |
| EP91103511A EP0445819B1 (en) | 1990-03-08 | 1991-03-07 | Positive type photoresist composition |
| DE1991632694 DE69132694T2 (en) | 1990-03-08 | 1991-03-07 | Positive working photoresist composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8002990A JPH03279959A (en) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | Positive type photoresist composition |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03279959A true JPH03279959A (en) | 1991-12-11 |
Family
ID=13706848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8002990A Pending JPH03279959A (en) | 1990-03-08 | 1990-03-28 | Positive type photoresist composition |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03279959A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0747768A2 (en) | 1995-06-05 | 1996-12-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Chemically amplified positive resist composition |
| US9200098B2 (en) | 2009-09-11 | 2015-12-01 | Jsr Corporation | Radiation-sensitive composition and compound |
| WO2016124493A1 (en) | 2015-02-02 | 2016-08-11 | Basf Se | Latent acids and their use |
| DE10015255B4 (en) | 1999-03-31 | 2020-06-04 | Ciba Holding Inc. | Process for the preparation of oxime derivatives and their use as latent acids in chemically amplified photoresist compositions, and process for the production of a photoresist |
-
1990
- 1990-03-28 JP JP8002990A patent/JPH03279959A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0747768A2 (en) | 1995-06-05 | 1996-12-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Chemically amplified positive resist composition |
| DE10015255B4 (en) | 1999-03-31 | 2020-06-04 | Ciba Holding Inc. | Process for the preparation of oxime derivatives and their use as latent acids in chemically amplified photoresist compositions, and process for the production of a photoresist |
| US9200098B2 (en) | 2009-09-11 | 2015-12-01 | Jsr Corporation | Radiation-sensitive composition and compound |
| WO2016124493A1 (en) | 2015-02-02 | 2016-08-11 | Basf Se | Latent acids and their use |
| US9994538B2 (en) | 2015-02-02 | 2018-06-12 | Basf Se | Latent acids and their use |
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