JPH03273668A - 半導体封止樹脂評価用モールド体及びその使用方法 - Google Patents
半導体封止樹脂評価用モールド体及びその使用方法Info
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- JPH03273668A JPH03273668A JP7398390A JP7398390A JPH03273668A JP H03273668 A JPH03273668 A JP H03273668A JP 7398390 A JP7398390 A JP 7398390A JP 7398390 A JP7398390 A JP 7398390A JP H03273668 A JPH03273668 A JP H03273668A
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 71
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 6
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 3
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 description 2
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000011158 quantitative evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001028 reflection method Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002525 ultrasonication Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、半導体封止用モールド樹脂の耐環境性能を評
価するための試験標本として使用される半導体封止樹脂
評価用モールド体及びその使用方法に関するものである
。
価するための試験標本として使用される半導体封止樹脂
評価用モールド体及びその使用方法に関するものである
。
[従来の技術]
近年、半導体メモリICのような量産タイプの半導体素
子は、樹脂モールドの形で製品化されているが、最近は
高密度実装用の低プロフィルのSMD (表面実装素子
)も多用されるようになっている。このような素子では
、モールド樹脂の体積に対して内部のチップやリードフ
レームの占める割合が大幅に増大し、その結果としてモ
ールド樹脂は薄くなり、内部は外周近傍までチップが占
有する構造になってきている。従って、基板実装時の半
田付工程での加熱や、製品化後の使用環境に対してより
厳しい耐久性が要求されている。通常、半導体封止用モ
ールド樹脂の半田付耐熱性や環境耐久性などを評価する
には、被検サンプルに半田槽や近赤外加熱炉又はプレッ
シャクツ力等で熱ストレスを与えたり加湿したりした後
に、適当な観察手段で樹脂モールドの劣化つまり外囲環
境に対する耐久性の低下の程度を観察する場合が一般的
である。
子は、樹脂モールドの形で製品化されているが、最近は
高密度実装用の低プロフィルのSMD (表面実装素子
)も多用されるようになっている。このような素子では
、モールド樹脂の体積に対して内部のチップやリードフ
レームの占める割合が大幅に増大し、その結果としてモ
ールド樹脂は薄くなり、内部は外周近傍までチップが占
有する構造になってきている。従って、基板実装時の半
田付工程での加熱や、製品化後の使用環境に対してより
厳しい耐久性が要求されている。通常、半導体封止用モ
ールド樹脂の半田付耐熱性や環境耐久性などを評価する
には、被検サンプルに半田槽や近赤外加熱炉又はプレッ
シャクツ力等で熱ストレスを与えたり加湿したりした後
に、適当な観察手段で樹脂モールドの劣化つまり外囲環
境に対する耐久性の低下の程度を観察する場合が一般的
である。
その観察手段の1つとして、最近では超音波パルスエコ
ー法(以下超音波法と略記)が用いられるようになって
いる。この超音波法では主として樹脂モールド材と内部
のチップ及び金属フレームつまりリードフレーム、ダイ
フレーム等との接着状態の良否やクラック発生の程度が
評価される。
ー法(以下超音波法と略記)が用いられるようになって
いる。この超音波法では主として樹脂モールド材と内部
のチップ及び金属フレームつまりリードフレーム、ダイ
フレーム等との接着状態の良否やクラック発生の程度が
評価される。
一般に、異なる物質の境界面ではそれぞれの音響インピ
ーダンスの違いにより入射する超音波エネルギの一部が
反射されるので、この反射エネルギの強さつまり振幅や
位相の変化から境界面の状態やクラック発生の状態を観
察し評価することができる。従って、熱ストレスを与え
る前後で境界面からの反射波を比較すると、例えば境界
面に剥離が発生した場合には、そこに存在する気相部か
ら強い反射や位相の反転が観察されるなど一応境界面の
状態変化を知ることができる。
ーダンスの違いにより入射する超音波エネルギの一部が
反射されるので、この反射エネルギの強さつまり振幅や
位相の変化から境界面の状態やクラック発生の状態を観
察し評価することができる。従って、熱ストレスを与え
る前後で境界面からの反射波を比較すると、例えば境界
面に剥離が発生した場合には、そこに存在する気相部か
ら強い反射や位相の反転が観察されるなど一応境界面の
状態変化を知ることができる。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、実際に観測される超音波反射波の振幅は、境界
面での反射率のみによるのではなく、樹脂モールド体内
部を超音波が伝播する際の屈折・分散・散乱・吸収など
による音響減衰の影響を大きく受けている。例えば、樹
脂モールド型ICをプレッシャフッカ内部で長時間高温
多湿の環境にさらした場合に、モールド材料のエポキシ
樹脂が加水分解などの化学変化を起してモールド樹脂が
粗な構造となり、その結果超音波が著しく伝搬し難くな
る現象つまり音響減衰が観察されることがある。従って
、プレッシャクツ力で加熱加湿してストレスを与えたI
Cサンプルのチップ、金属フレームとモールド樹脂との
境界面の密着性を評価するとき、単純に境界面からの超
音波反射波の振幅をストレスを与える前後で比較しただ
けでは、上記の音響減衰の影響により定量的な評価が困
難になるという問題がある。
面での反射率のみによるのではなく、樹脂モールド体内
部を超音波が伝播する際の屈折・分散・散乱・吸収など
による音響減衰の影響を大きく受けている。例えば、樹
脂モールド型ICをプレッシャフッカ内部で長時間高温
多湿の環境にさらした場合に、モールド材料のエポキシ
樹脂が加水分解などの化学変化を起してモールド樹脂が
粗な構造となり、その結果超音波が著しく伝搬し難くな
る現象つまり音響減衰が観察されることがある。従って
、プレッシャクツ力で加熱加湿してストレスを与えたI
Cサンプルのチップ、金属フレームとモールド樹脂との
境界面の密着性を評価するとき、単純に境界面からの超
音波反射波の振幅をストレスを与える前後で比較しただ
けでは、上記の音響減衰の影響により定量的な評価が困
難になるという問題がある。
この問題を解決するため、モールド樹脂の変性による音
響減衰を超音波透過法で測定して、これを基に補正しよ
うとする試みもあるが、超音波透過法による測定では、
送受信2個のトランスデユーサを要するとか、超音波の
ビーム形状を反射法と同一に設定しなければならないな
ど、装置的にも測定技術的にも高度のテクニックを要す
るため、実用化し難い面がある。また、モールド樹脂内
部の反射境界面についても、金属やガラス面などの固体
で形成しようとすると、モールド樹脂との密着状態が再
現性及び安定性共に満足できる状態にならない等の問題
がある。更に、評価すべきモールド樹脂を単に適当な厚
さの切片に仕上げただけでは、熱ストレスを加えるとき
に実際の半導体モールド素子とは異なった熱履歴をたど
ることになり、評価用反射波サンプルとしては不適当で
ある。
響減衰を超音波透過法で測定して、これを基に補正しよ
うとする試みもあるが、超音波透過法による測定では、
送受信2個のトランスデユーサを要するとか、超音波の
ビーム形状を反射法と同一に設定しなければならないな
ど、装置的にも測定技術的にも高度のテクニックを要す
るため、実用化し難い面がある。また、モールド樹脂内
部の反射境界面についても、金属やガラス面などの固体
で形成しようとすると、モールド樹脂との密着状態が再
現性及び安定性共に満足できる状態にならない等の問題
がある。更に、評価すべきモールド樹脂を単に適当な厚
さの切片に仕上げただけでは、熱ストレスを加えるとき
に実際の半導体モールド素子とは異なった熱履歴をたど
ることになり、評価用反射波サンプルとしては不適当で
ある。
本発明の目的は、樹脂モールド型半導体素子のチップ、
金属フレームとモールド樹脂材料とのそれぞれの境界面
の密着性評価を正しく、かつ再現性良く行えるようにし
た半導体封止樹脂評価用モールド体を提供することにあ
る。
金属フレームとモールド樹脂材料とのそれぞれの境界面
の密着性評価を正しく、かつ再現性良く行えるようにし
た半導体封止樹脂評価用モールド体を提供することにあ
る。
本発明の他の目的は、評価用モールド体の特性を実際の
半導体モールド素子を用いて水浸超音波法により評価す
る半導体封止樹脂評価用モールド体の使用方法を提供す
ることにある。
半導体モールド素子を用いて水浸超音波法により評価す
る半導体封止樹脂評価用モールド体の使用方法を提供す
ることにある。
[課題を解決するための手段]
上述の目的を達成するために、本発明に係る半導体封止
樹脂評価用モールド体及びその使用方法においては、貫
通孔を有する金属フレームをモールド樹脂によって封止
し、該モールド樹脂の外部から前記貫通孔を通過する空
気溜を形成し、該空気溜の奥部に前記貫通孔を有する金
属フレームの表面と平行する平面を設け、前記空気溜に
水の侵入を防止するための密閉栓を施したことを特徴と
するものである。
樹脂評価用モールド体及びその使用方法においては、貫
通孔を有する金属フレームをモールド樹脂によって封止
し、該モールド樹脂の外部から前記貫通孔を通過する空
気溜を形成し、該空気溜の奥部に前記貫通孔を有する金
属フレームの表面と平行する平面を設け、前記空気溜に
水の侵入を防止するための密閉栓を施したことを特徴と
するものである。
前記発明に関連する本発明に係る半導体封止樹脂評価用
モールド体の使用方法は、貫通孔を有する金属フレーム
をモールド樹脂によって封止し、該モールド樹脂の外部
から前記貫通孔を通過する空気溜を形成し、該空気溜の
奥部に前記貫通孔を有する金属フレームの表面と平行す
る平面を設け、前記空気溜に水の侵入を防止するための
密閉栓を施した評価用モールド体の前記空気溜上の樹脂
に対する超音波の減衰と、外形がほぼ同形の半導体モー
ルド素子の同位置の樹脂に対する超音波の減衰を、水浸
超音波法により比較することを特徴とする方法である。
モールド体の使用方法は、貫通孔を有する金属フレーム
をモールド樹脂によって封止し、該モールド樹脂の外部
から前記貫通孔を通過する空気溜を形成し、該空気溜の
奥部に前記貫通孔を有する金属フレームの表面と平行す
る平面を設け、前記空気溜に水の侵入を防止するための
密閉栓を施した評価用モールド体の前記空気溜上の樹脂
に対する超音波の減衰と、外形がほぼ同形の半導体モー
ルド素子の同位置の樹脂に対する超音波の減衰を、水浸
超音波法により比較することを特徴とする方法である。
[作用]
上述の構成を有する半導体封止樹脂評価用モールド体及
びその使用方法は、樹脂モールド型半導体素子内部の境
界面の密着性を水浸超音波法で観察する場合に、樹脂モ
ールド体内部での音響減衰を容易に補正することにより
、境界面の密着性評価を定量的に行うことができる。
びその使用方法は、樹脂モールド型半導体素子内部の境
界面の密着性を水浸超音波法で観察する場合に、樹脂モ
ールド体内部での音響減衰を容易に補正することにより
、境界面の密着性評価を定量的に行うことができる。
[実施例]
本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明する。
第1図は本発明に係る半導体封止樹脂評価用モールド体
及びその使用方法の実施例を示す断面図、第2図はその
内部に封止されている金属フレームの平面形状を例示し
たものである。図面において、1はリードフレーム、2
はグイフレームであり、このグイフレーム2の中心部つ
まり本来はチップが載置される位置の一部に円孔から成
る貫通孔3が設けられている。この貫通孔3の直径は超
音波法で用いる焦点型超音波トランスデユーサの焦点域
における超音波ビーム径以上であればよいが、例えば1
6ビンDIP型ICの場合には、貫通孔3の直径は3m
m程度が実用上望ましい。第1図は第2図に示すリード
フレーム1及びグイフレーム2にチップを載せることな
く、評価すべきモールド樹脂4によりモールド成型を行
ったモールド樹脂を示している。モールド樹脂4には、
下方に開口しかつ平面状の頂部5が貫通孔3を通過した
深さになっている円筒状の空気溜6が形成されている。
及びその使用方法の実施例を示す断面図、第2図はその
内部に封止されている金属フレームの平面形状を例示し
たものである。図面において、1はリードフレーム、2
はグイフレームであり、このグイフレーム2の中心部つ
まり本来はチップが載置される位置の一部に円孔から成
る貫通孔3が設けられている。この貫通孔3の直径は超
音波法で用いる焦点型超音波トランスデユーサの焦点域
における超音波ビーム径以上であればよいが、例えば1
6ビンDIP型ICの場合には、貫通孔3の直径は3m
m程度が実用上望ましい。第1図は第2図に示すリード
フレーム1及びグイフレーム2にチップを載せることな
く、評価すべきモールド樹脂4によりモールド成型を行
ったモールド樹脂を示している。モールド樹脂4には、
下方に開口しかつ平面状の頂部5が貫通孔3を通過した
深さになっている円筒状の空気溜6が形成されている。
この空気溜6を形成するため、モールド金型の底部に円
筒状の突起を設けておく必要があるが、この突起の外径
はグイフレーム2上の貫通孔3の直径と路間−であり、
例えば実用的には0.1mm程度小さい方が望ましい。
筒状の突起を設けておく必要があるが、この突起の外径
はグイフレーム2上の貫通孔3の直径と路間−であり、
例えば実用的には0.1mm程度小さい方が望ましい。
また、金型の突起の頂部の高さは、空気溜6の頂部5が
グイフレーム2の上面から本来搭載されるべきチップの
厚さに相当する分だけ上方に位置するように決められて
いる。これは樹脂の表面からの厚さが、モールド樹脂4
と実際のサンプルとで等しくなるようにするためである
。また、頂部5の平面はグイフレーム2の面と平行にな
るように、更に面の凹凸は使用される超音波の波長の4
分の1より充分小さくなるような面精度で仕上げる必要
がある。このようなモールド樹脂4の形状や寸法、樹脂
材質或いはリードフレーム1やグイフレーム2の形状や
材質等は特定のものではなく、実際に評価すべき半導体
素子モールドサンプルとは、チップの非搭載と空気溜6
の存在以外は全く同一となるように製作されることが必
要である。
グイフレーム2の上面から本来搭載されるべきチップの
厚さに相当する分だけ上方に位置するように決められて
いる。これは樹脂の表面からの厚さが、モールド樹脂4
と実際のサンプルとで等しくなるようにするためである
。また、頂部5の平面はグイフレーム2の面と平行にな
るように、更に面の凹凸は使用される超音波の波長の4
分の1より充分小さくなるような面精度で仕上げる必要
がある。このようなモールド樹脂4の形状や寸法、樹脂
材質或いはリードフレーム1やグイフレーム2の形状や
材質等は特定のものではなく、実際に評価すべき半導体
素子モールドサンプルとは、チップの非搭載と空気溜6
の存在以外は全く同一となるように製作されることが必
要である。
次に、上述のように成型されたモールド樹脂4の使用方
法について説明する。このようなモールド樹脂4は同じ
ものが複数個製作されて2つの群に分離される。その一
方の群を外形がほぼ同形で評価すべき半導体素子モール
ドサンプルと共に、目的とする熱ストレス試験や耐湿性
試験に供する。続いて、水浸超音波法によりモールド樹
脂内部の観察を行うが、この際にモールド樹脂4及びサ
ンプルは第3図に示すように通常水中に設置されて超音
波を照射されることになるので、水中に設置される前に
空気溜6の開口部から水が侵入しないように密閉栓7を
防水性接着剤で固定しておくことが必要である。
法について説明する。このようなモールド樹脂4は同じ
ものが複数個製作されて2つの群に分離される。その一
方の群を外形がほぼ同形で評価すべき半導体素子モール
ドサンプルと共に、目的とする熱ストレス試験や耐湿性
試験に供する。続いて、水浸超音波法によりモールド樹
脂内部の観察を行うが、この際にモールド樹脂4及びサ
ンプルは第3図に示すように通常水中に設置されて超音
波を照射されることになるので、水中に設置される前に
空気溜6の開口部から水が侵入しないように密閉栓7を
防水性接着剤で固定しておくことが必要である。
このように水中に設置されたモールド樹脂4に対し、超
音波トランスデユーサ8から輻射された超音波ビームE
を上方から垂直下方に照射し、空気溜6の頂部5の中心
部にビームEの焦点を設定して超音波反射波の振幅を測
定する。次に、残りの一部のモールド樹脂4は熱ストレ
ス試験や耐湿性試験は行わずに、そのまま上述と同一の
条件で超音波反射波の振幅を測定する。これらの測定に
より、前者の群において一定の反射波振幅を得るために
設定された受信機のアッテネータ値が群平均でAdBで
あり、後者の群において同じ振幅を得るのに群平均値が
BdBであったとすると、この場合にR= (B−A)
dB分が熱ストレス試験及び耐湿性試験の結果、モール
ド樹脂4に発生した音響減衰である。従って、前述の評
価すべき半導体素子モールドの反射波振幅の測定時に、
BdB方を補正つまりアッテネータ値をRdB分小さく
設定すれば、モールド樹脂4の熱変性等による音響減衰
が補正されたことになり、測定値は正味の反射波振幅を
表し、チップとモールド樹脂4の境界面の状態を正しく
反映した値が得られる。
音波トランスデユーサ8から輻射された超音波ビームE
を上方から垂直下方に照射し、空気溜6の頂部5の中心
部にビームEの焦点を設定して超音波反射波の振幅を測
定する。次に、残りの一部のモールド樹脂4は熱ストレ
ス試験や耐湿性試験は行わずに、そのまま上述と同一の
条件で超音波反射波の振幅を測定する。これらの測定に
より、前者の群において一定の反射波振幅を得るために
設定された受信機のアッテネータ値が群平均でAdBで
あり、後者の群において同じ振幅を得るのに群平均値が
BdBであったとすると、この場合にR= (B−A)
dB分が熱ストレス試験及び耐湿性試験の結果、モール
ド樹脂4に発生した音響減衰である。従って、前述の評
価すべき半導体素子モールドの反射波振幅の測定時に、
BdB方を補正つまりアッテネータ値をRdB分小さく
設定すれば、モールド樹脂4の熱変性等による音響減衰
が補正されたことになり、測定値は正味の反射波振幅を
表し、チップとモールド樹脂4の境界面の状態を正しく
反映した値が得られる。
上述の実施′例では、ICチップ上にあるモールド樹脂
4の音響減衰が測定できるように、グイフレーム2に貫
通孔3を設け、空気溜6の頂部5の高さを設定した場合
を示したが、リードフレーム1とモールド樹脂4との密
着性を評価する場合には、第4図に示すようなモールド
樹脂4が用いられる。第5図は第4図に示すモールド樹
脂4のリードフレーム1とグイフレーム2とを示すもの
であり、この場合はリードフレームl上に貫通孔3を設
け、空気溜9の頂部5の高さがリードフレーム1の表面
と一致するようにモールド金型の底部の突起の高さを決
めてモールド成型を行う。
4の音響減衰が測定できるように、グイフレーム2に貫
通孔3を設け、空気溜6の頂部5の高さを設定した場合
を示したが、リードフレーム1とモールド樹脂4との密
着性を評価する場合には、第4図に示すようなモールド
樹脂4が用いられる。第5図は第4図に示すモールド樹
脂4のリードフレーム1とグイフレーム2とを示すもの
であり、この場合はリードフレームl上に貫通孔3を設
け、空気溜9の頂部5の高さがリードフレーム1の表面
と一致するようにモールド金型の底部の突起の高さを決
めてモールド成型を行う。
一方、グイフレーム2とモールド樹脂4との密着性を評
価する場合には、第2図に例示したようなグイフレーム
2を用い、第6図に示すようにモールド樹脂4の表面か
ら底面に向う空気溜1゜を設け、この空気溜1oの奥部
の底面11がグイフレーム2の裏面と一致するように、
モールド金型の頂部に突起を設けてモールド成型を行え
ばよい。
価する場合には、第2図に例示したようなグイフレーム
2を用い、第6図に示すようにモールド樹脂4の表面か
ら底面に向う空気溜1゜を設け、この空気溜1oの奥部
の底面11がグイフレーム2の裏面と一致するように、
モールド金型の頂部に突起を設けてモールド成型を行え
ばよい。
なお、本実施例のモールド樹脂4は水中では表裏逆様に
設置して裏面から超音波法で測定する。
設置して裏面から超音波法で測定する。
以上の各実施例では何れも密閉栓7は単に空気溜への水
の侵入を防止するだけの目的で作られていたが、第7図
に示す実施例は密閉栓7aを熱ストレスに対する影響が
できる限り被検サンプルに近くなるように構成した場合
を示している。
の侵入を防止するだけの目的で作られていたが、第7図
に示す実施例は密閉栓7aを熱ストレスに対する影響が
できる限り被検サンプルに近くなるように構成した場合
を示している。
ここでは、密閉栓7aの頂部と空気溜6の頂部5との間
隔がO,lum以上500um以下、なるべくはIum
以上50um以下となるように密閉栓7aの高さを選択
することが望ましい。また、密閉栓7aの材質はモール
ド樹脂4と同一であり、硬化条件も同一とする。このよ
うにして製作された密閉栓7aを、接着剤によりモール
ド樹脂4の空気溜6に装着固定して超音波法による測定
を行えば、熱ストレスに対する影響を検査すべきサンプ
ルに近似させることができる。
隔がO,lum以上500um以下、なるべくはIum
以上50um以下となるように密閉栓7aの高さを選択
することが望ましい。また、密閉栓7aの材質はモール
ド樹脂4と同一であり、硬化条件も同一とする。このよ
うにして製作された密閉栓7aを、接着剤によりモール
ド樹脂4の空気溜6に装着固定して超音波法による測定
を行えば、熱ストレスに対する影響を検査すべきサンプ
ルに近似させることができる。
なお、以上の実施例では金属フレームに設ける貫通孔3
として円孔を例示したが、その開口が超音波ビームの焦
点の大きさに比較して十分大きければ、円形以外の形状
例えば多角形や楕円形であってもよい。
として円孔を例示したが、その開口が超音波ビームの焦
点の大きさに比較して十分大きければ、円形以外の形状
例えば多角形や楕円形であってもよい。
また金属フレームとしては、金属箔単独又は金属箔と絶
縁用フィルムとから構成されたTAB(Tape Au
tomated Bonding)用キャリアテープを
用いてもよい。
縁用フィルムとから構成されたTAB(Tape Au
tomated Bonding)用キャリアテープを
用いてもよい。
[発明の効果]
以上説明したように本発明に係る半導体封止樹脂評価用
モールド体及びその使用方法は、水浸超音波法により樹
脂モールド型のチップ、リードフレーム及びグイフレー
ムとモールド樹脂材料とのそれぞれの境界面について、
超音波反射波の振幅強度を定量的に測定することが可能
となり、境界面の密着性評価を正しく行うことができる
。また、境界面として樹脂空気界面を利用することによ
り、安定性及び再現性に優れている。
モールド体及びその使用方法は、水浸超音波法により樹
脂モールド型のチップ、リードフレーム及びグイフレー
ムとモールド樹脂材料とのそれぞれの境界面について、
超音波反射波の振幅強度を定量的に測定することが可能
となり、境界面の密着性評価を正しく行うことができる
。また、境界面として樹脂空気界面を利用することによ
り、安定性及び再現性に優れている。
図面は本発明に係る半導体封止樹脂評価用モールド体及
びその使用方法の実施例を示し、第1図は断面図、第2
図は金属フレームの平面図、第3図は使用状態の説明図
、第4図はiR2の実施例の断面図、第5図は金属フレ
ームの平面図、第6図は第3の実施例の断面図、第7図
は第4の実施例の断面図である。 符号lはリードフレーム、2はグイフレーム、3は貫通
孔、 4はモールド樹脂、 5は頂部、 6゜ 9、 0は空気溜、 7゜ 7aは密閉栓、 8は超音 波トランスデユーサである。
びその使用方法の実施例を示し、第1図は断面図、第2
図は金属フレームの平面図、第3図は使用状態の説明図
、第4図はiR2の実施例の断面図、第5図は金属フレ
ームの平面図、第6図は第3の実施例の断面図、第7図
は第4の実施例の断面図である。 符号lはリードフレーム、2はグイフレーム、3は貫通
孔、 4はモールド樹脂、 5は頂部、 6゜ 9、 0は空気溜、 7゜ 7aは密閉栓、 8は超音 波トランスデユーサである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、貫通孔を有する金属フレームをモールド樹脂によっ
て封止し、該モールド樹脂の外部から前記貫通孔を通過
する空気溜を形成し、該空気溜の奥部に前記貫通孔を有
する金属フレームの表面と平行する平面を設け、前記空
気溜に水の侵入を防止するための密閉栓を施したことを
特徴とする半導体封止樹脂評価用モールド体。 2、貫通孔を有する金属フレームをモールド樹脂によっ
て封止し、該モールド樹脂の外部から前記貫通孔を通過
する空気溜を形成し、該空気溜の奥部に前記貫通孔を有
する金属フレームの表面と平行する平面を設け、前記空
気溜に水の侵入を防止するための密閉栓を施した評価用
モールド体の前記空気溜上の樹脂に対する超音波の減衰
と、外形がほぼ同形の半導体モールド素子の同位置の樹
脂に対する超音波の減衰を、水浸超音波法により比較す
ることを特徴とする半導体封止樹脂評価用モールド体の
使用方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7398390A JPH03273668A (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | 半導体封止樹脂評価用モールド体及びその使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7398390A JPH03273668A (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | 半導体封止樹脂評価用モールド体及びその使用方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03273668A true JPH03273668A (ja) | 1991-12-04 |
Family
ID=13533850
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7398390A Pending JPH03273668A (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | 半導体封止樹脂評価用モールド体及びその使用方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03273668A (ja) |
-
1990
- 1990-03-23 JP JP7398390A patent/JPH03273668A/ja active Pending
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