JPH03264667A - Carrousel-type sputtering device - Google Patents
Carrousel-type sputtering deviceInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、カル−セル型スパッタリング装置に関し、特
に、基板に対するスパッタリング膜厚を均一化する技術
に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a carousel type sputtering apparatus, and particularly to a technique for making the thickness of a sputtered film uniform on a substrate.
（従来の技術）
一般に、カル−セル型スパッタリング装置は、真空槽内
のターンテーブル上に、複数の基板取付面を角筒状に連
ねたカル−セル型治具が立設され、このカル−セル型治
具の外周囲にターゲットが配設されたものであり、上記
カル−セル型治具を回転させながら、ターゲットからの
スパッタ粒子を上記基板取付面の基板に堆積せしめるよ
うになされている。そして、通常、上記カル−セル型治
具は定速で回転され、またターゲットをスパッタするた
めの放電電力も一定とされている。(Prior Art) Generally, in a carcell type sputtering apparatus, a carcell type jig in which a plurality of substrate mounting surfaces are arranged in a rectangular tube shape is set upright on a turntable in a vacuum chamber. A target is arranged around the outer periphery of the cell-type jig, and while the carcell-type jig is rotated, sputtered particles from the target are deposited on the substrate on the substrate mounting surface. . The carousel type jig is usually rotated at a constant speed, and the discharge power for sputtering the target is also constant.
（発明が解決しようとする課題）
ところで、一般にスパッタリング装置においては、基板
にはスパッタ角度分布に対応して不均一な厚さの膜が形
成されるが、上記カル−セル型の場合は、上記膜の膜厚
分布に基板の回転も影響している。(Problems to be Solved by the Invention) Generally speaking, in a sputtering apparatus, a film with a non-uniform thickness is formed on a substrate in accordance with the sputtering angle distribution. The rotation of the substrate also affects the film thickness distribution.
すなわち、第３図に示す如く、基板３０のＰ点の膜厚Ｔ
は、Ｐ点が角ＡＯＢを通過する間にスパッタ粒子が堆積
され、かつターゲット８からの放射率Ｒと基板面がター
ゲットとなす角度の余弦ｃ。That is, as shown in FIG. 3, the film thickness T at point P of the substrate 30 is
is the cosine c of the emissivity R from the target 8 and the angle the substrate surface makes with the target, during which sputtered particles are deposited while point P passes through the angle AOB.
Ｓβとの積になるものとすると、ターゲット８からＰ点
までの距離を無視すれば、
Ｔ＝ｆＲｃｏｓβｄｔ
＝（１／ω）
ｘｆＲｃｏｓ（θｏ＋α−θ）ｄθ
−（２Ｒ／ω）・Ｃｏｓα・ｓｉｎθ。If the distance from target 8 to point P is ignored, then T=fRcosβdt=(1/ω) xfRcos(θo+α−θ)dθ−(2R/ω)・Cosα・sinθ.
＝（Ｒ／ω） （Ｗ／ｒ）
×（ＣＯ３２α／ｃｏｓα０）
となる。尚、０はカル−セル型治具の回転中心、αは回
転中心Ｏから基板３０の一点Ｐに下ろした直線と同じく
基板３０に下ろした垂線とのなす角度、ωは基板３０の
回転角速度、θ。は角ＡＯＢの半分、α。は基板３０の
拡がり角の半分、Ｗはターゲット８の幅、ｒは回転中心
Ｏから基板３０の端縁まての距離である。=(R/ω) (W/r)×(CO32α/cosα0). In addition, 0 is the rotation center of the car-cell type jig, α is the angle between a straight line drawn from the rotation center O to a point P on the substrate 30 and a perpendicular line also drawn to the substrate 30, and ω is the rotational angular velocity of the substrate 30. θ. is half of the angle AOB, α. is half the spread angle of the substrate 30, W is the width of the target 8, and r is the distance from the rotation center O to the edge of the substrate 30.
従って、断面６角形のカルーセル型治其の場合、α。＝
３０度であるから、
Ｔ＝ （Ｒ’／ω） ・（Ｗ／ ｒ） ・１．１５
ｃｏｓ ２ａとなる。また、断面８角形のカル−セル型
治具の場合、αｏ＝２２．５度であるから、
Ｔ＝ （Ｒ／ω） ・（Ｗ／ ｒ） ・１．０８ｃ
ｏｓ ２ａとなり、基板３０の膜厚分布は、第４図に示
すように、基板３０の中央部（α＝０）が最も厚く、こ
の中央部から両側に離れるに従って薄くなったものにな
る。Therefore, in the case of a carousel type jig with a hexagonal cross section, α. =
Since it is 30 degrees, T= (R'/ω) ・(W/ r) ・1.15
It becomes cos 2a. In addition, in the case of a carcell type jig with an octagonal cross section, αo = 22.5 degrees, so T = (R/ω) ・(W/ r) ・1.08c
os 2a, and the film thickness distribution of the substrate 30 is, as shown in FIG. 4, thickest at the center (α=0) of the substrate 30 and becomes thinner as it moves away from the center on both sides.
本発明の目的は、基板の回転に起因するスパッタリング
膜厚の不均一をできるだけ少なくすることにある。An object of the present invention is to minimize non-uniformity in sputtered film thickness due to substrate rotation.
（課題を解決するための手段）
このような目的を達成するために、本発明では、第３図
において基板の中央のＱ点におけるスパッタ粒子の堆積
は回転角が一θ０〜十θ。の範囲で生じ、その前後では
生じないが、基板の回転方向の先端では上記範囲の前で
もスパッタ粒子の堆積が生じ、基板の回転方向の後端で
は上記範囲の後でも生ずることに鑑み、放電電力をスパ
ッタ粒子の堆積が基板の両端部で生ずるときに大きくす
る等して、可変とすることにより、スパッタリング膜厚
の均一化を図ろうとしている。(Means for Solving the Problems) In order to achieve such an object, in the present invention, the sputtered particles are deposited at point Q at the center of the substrate in FIG. 3 at a rotation angle of 1θ0 to 10θ. Although it does not occur before or after this range, sputtered particles are deposited at the leading edge of the substrate in the rotational direction even before the above range, and at the rear end of the substrate in the rotational direction even after the above range. Attempts are being made to make the sputtered film thickness uniform by making the power variable by increasing the power when deposition of sputtered particles occurs at both ends of the substrate.
すなわち、この発明は、真空槽内において複数の基板取
付面が断面多角形状に配設されてなるカル−セル型治具
を回転可能に支持するとともに、このカル−セル型治具
の外周囲にターゲットを配設し、カル−セル型治具を回
転させながら、上記基板取付面に取り付けた基板に対し
てスパッタリングを行うようにしたスパッタリング装置
において、上記ターゲットを放電させるための放電電力
を、上記基板がカル−セル型治具の回転方向におけるタ
ーゲットの略中央を向いた状態のときと、上記回転方向
におけるターゲットの両端を向いた状態のときとで相対
的に変化させる等、基板の向きに応じて可変制御する制
御手段を備えていることを特徴とする。That is, the present invention rotatably supports a carousel-type jig in which a plurality of substrate mounting surfaces are arranged in a polygonal cross-section in a vacuum chamber, and also supports a carousel-type jig in which a plurality of substrate mounting surfaces are arranged in a polygonal cross-section in a vacuum chamber. In a sputtering apparatus in which a target is disposed and sputtering is performed on a substrate attached to the substrate mounting surface while rotating a carousel type jig, the discharge power for discharging the target is set as described above. The orientation of the substrate can be changed by changing the orientation of the substrate relative to when it faces approximately the center of the target in the rotational direction of the carousel type jig and when it faces both ends of the target in the rotational direction. The present invention is characterized in that it includes a control means that performs variable control accordingly.
（作用）
上記の構成により、スパッタリング装置においては、放
電電力を変えることができるから、放電電力が一定であ
る場合にはスパッタリング膜厚が薄くなる部分に他の部
分よりもスパッタ粒子が多く堆積するように、放電電力
を増大させることにより、スパッタリング膜厚の均一化
を図ることができる。例えば、上述の例の如く基板の両
側部のスパッタリング膜厚が薄くなる場合には、基板が
ターゲットの略中央を向いた状態のときよりもターゲッ
トの両端を向いた状態のときの方が相対的に大きくなる
ように上記放電電力を制御すればよい。すなわち、この
後者の状態は基板の中央部ではスパッタ粒子の堆積が少
ないか零のときであるものの、基板の両端部のいずれか
一方ではスパッタ粒子が堆積している状態であるから、
放電電力が増大する分、該放電電力が一定である場合よ
りも基板の両端部でのスパッタ粒子の堆積が多くなる。(Function) With the above configuration, in the sputtering apparatus, the discharge power can be changed, so when the discharge power is constant, more sputtered particles are deposited in the part where the sputtering film is thinner than in other parts. Thus, by increasing the discharge power, it is possible to make the sputtering film thickness uniform. For example, when the sputtering film thickness on both sides of the substrate is thinner as in the example above, it is relatively easier to The discharge power may be controlled so that the discharge power becomes large. That is, in this latter state, there is little or no sputtered particles deposited at the center of the substrate, but sputtered particles are deposited at either end of the substrate.
As the discharge power increases, more sputtered particles are deposited on both ends of the substrate than when the discharge power is constant.
（実施例） 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。(Example) Embodiments of the present invention will be described below based on the drawings.
第１図及び第２図は本発明の実施例に係るスパッタリン
グ装置を示す、同図において、１は図外の基台上に固定
支持された密閉円筒状の真空槽で、この真空槽１は固定
壁１ａと、該固定壁１ａにヒンジ１ｃを介して回動可能
に支持され、真空槽１内を開閉する可動壁１ｂとを備え
、上記固定壁１ａにはスパッタガス導入ボート２、真空
引き用の排気ポート３及びスパッタガス用の排気ポート
４が開口されている。1 and 2 show a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention. In the figures, reference numeral 1 denotes a closed cylindrical vacuum chamber fixedly supported on a base (not shown); A fixed wall 1a and a movable wall 1b rotatably supported by the fixed wall 1a via a hinge 1c to open and close the inside of the vacuum chamber 1, the fixed wall 1a has a sputtering gas introduction boat 2, a vacuum pump An exhaust port 3 for sputtering gas and an exhaust port 4 for sputtering gas are opened.
真空槽１の底部中央にはターンテーブル５が軸心を垂直
にした回転軸６により回転可能に支持され、このターン
テーブル５の上には、各々基板３０．３０．・・・が取
り付けられる複数の基板取付面７ａ、７ａ、・・・を断
面多角形（本実施例では８角形）状に配設したカル−セ
ル型治具７が立設されており、この治具７は上記可動壁
１ｂを開閉することで真空槽１内に出し入れされるよう
になっている。At the center of the bottom of the vacuum chamber 1, a turntable 5 is rotatably supported by a rotating shaft 6 whose axis is perpendicular to each other. A car cell type jig 7 is provided with a plurality of board mounting surfaces 7a, 7a, . The jig 7 is moved in and out of the vacuum chamber 1 by opening and closing the movable wall 1b.
また、第２図に示す如く、真空槽１の側壁内周にはその
直径方向に対向した位置に１対のターゲット８，８が上
記カル−セル型治具７を間に相対して配設され、この各
ターゲット８は、真空槽１内の周壁に固定した支持部材
９に対しホルダー１０により保持されている。また、各
ターゲット８の背部には複数のマグネット１１，１１．
・・・が間隔をおいて配設されている。In addition, as shown in FIG. 2, a pair of targets 8, 8 are disposed on the inner periphery of the side wall of the vacuum chamber 1 at positions facing each other in the diametrical direction, with the carousel type jig 7 interposed therebetween. Each target 8 is held by a holder 10 to a support member 9 fixed to a peripheral wall inside the vacuum chamber 1. Further, on the back of each target 8, a plurality of magnets 11, 11 .
... are arranged at intervals.
そして、上記各ターゲット８は、ターゲット８の放電電
力を可変とする電力調整装置１２を配設した電源回路１
３を介して放電電源１４に接続されている。すなわち、
各ターゲット８には放電電源１４のマイナス側が、また
真空槽１の固定壁１ａには同プラス側がそれぞれ接続さ
れており、スパッタガス導入ポート２から真空槽１内に
導入されたスパッタガスをプラスイオンにイオン化して
各ターゲット８に衝突させ、スパッタ粒子を発生させる
ようにしている。Each of the targets 8 has a power supply circuit 1 equipped with a power adjustment device 12 that makes the discharge power of the target 8 variable.
3 to the discharge power source 14. That is,
The negative side of a discharge power source 14 is connected to each target 8, and the positive side is connected to the fixed wall 1a of the vacuum chamber 1, respectively. The sputtered particles are ionized and collided with each target 8 to generate sputtered particles.
さらに、上記真空槽１の土壁には、上記各ターゲット８
から基板３０を遮蔽するためのシャッター１５．１５か
回転可能に支持され、この各シャッター１５はモータ１
６にて回転駆動される。また、真空槽１の内周にはハロ
ゲンランプヒーター７２，１７．・・・が配設されてい
る。Further, each target 8 is provided on the earthen wall of the vacuum chamber 1.
Shutters 15 and 15 are rotatably supported for shielding the substrate 30 from the motor 1.
Rotationally driven at 6. Further, on the inner periphery of the vacuum chamber 1, halogen lamp heaters 72, 17. ...is arranged.
上記ターンテーブル５の回転軸６下端には従動ギヤ１８
が取り付けられ、このギヤ１８には治具駆動モーター９
の出力軸１９ａに取り付けた駆動ギヤ２０が噛合されて
いる。上記従動ギヤ１８の外周下側にはカル−セル治具
７の位置（従って、この位置により基板３０の向きが判
る）を検出するエンコーダ２１が配設され、このエンコ
ーダ２１の出力信号は上記電力調整装置１２を制御する
制御装置２２に入力されている。この場合、制御装置２
２は、エンコーダ２１の出力信号を受けて各ターゲット
８に対する放電電力を、基板３０におけるスパッタ粒子
の堆積量が基板３０の全面にわたって略一定になるよう
制御する。A driven gear 18 is attached to the lower end of the rotating shaft 6 of the turntable 5.
is attached to this gear 18, and a jig drive motor 9 is attached to this gear 18.
A drive gear 20 attached to the output shaft 19a is meshed with the output shaft 19a. An encoder 21 for detecting the position of the car cell jig 7 (therefore, the orientation of the board 30 can be determined from this position) is disposed below the outer periphery of the driven gear 18, and the output signal of this encoder 21 is It is input to a control device 22 that controls the adjustment device 12. In this case, the control device 2
2 controls the discharge power to each target 8 in response to the output signal of the encoder 21 so that the amount of sputtered particles deposited on the substrate 30 is substantially constant over the entire surface of the substrate 30.
すなわち、第３図において、放電電力を変化させたとき
の補正係数をＫ（β）とし、簡単化のためにθ。−α。That is, in FIG. 3, the correction coefficient when changing the discharge power is K(β), and θ is used for simplicity. −α.
とじて比例定数を無視すると、基板３０の単位時間当り
のスパッタ粒子の堆積量Ｔは、基板３０の回転方向にお
ける先端Ｃては、Ｔ （Ｃ）＝、Ｉ’Ｋ （β）・
ｃｏｓ βｄβとなる。また、基板３０の中央Ｑでは
、Ｔ （Ｑ） ＝、ｌ”Ｋ （β）・ｃｏｓβｄβとな
り、基板３０の回転方向における後端りでは、Ｔ （Ｄ
） ＝、／’Ｋ （β）・ｃｏｓβｄβとなる。従って
、Ｋ（β） −１／ｃｏｓβであれば、Ｔ （Ｃ） ＝
Ｔ （Ｑ） ＝Ｔ （Ｄ）となる。つまり、上記制御装
置２２は、放電電源１４の放電電力を、予め設定した平
均値に上記Ｋ（β）−１／ｃｏｓβに対応する。つまり
は基板３０がカル−セル型治具７の回転方向におけるタ
ゲット８の略中央を向いた状態のときに少なく、また基
板３０が上記回転方向におけるターゲット８の両端を向
いた状態のときに大きくなるサインカーブ状の振幅（例
えば±１０％）を与えて制御するようになっている。こ
の場合、上記ニンニク２１は、基板３０とターゲット８
とが平行になって正面で向い合う、つまり基板３０がタ
ーゲット８の中央を向く基準位置からの基板３０のすれ
角度βを検出して、その検出信号を制御装置２２０
に与えることになる。If the proportionality constant is ignored, the amount T of sputtered particles deposited on the substrate 30 per unit time is given by the tip C in the rotational direction of the substrate 30, T (C)=, I'K (β)・
cos βdβ. Furthermore, at the center Q of the substrate 30, T (Q) =, l''K (β)・cosβdβ, and at the rear end of the substrate 30 in the rotational direction, T (D
) =, /'K (β)・cosβdβ. Therefore, if K(β) −1/cosβ, T (C) =
T (Q) = T (D). That is, the control device 22 causes the discharge power of the discharge power source 14 to correspond to the preset average value K(β)-1/cosβ. In other words, it is smaller when the substrate 30 faces approximately the center of the target 8 in the rotational direction of the carousel type jig 7, and larger when the substrate 30 is facing both ends of the target 8 in the rotational direction. The control is performed by giving a sinusoidal amplitude (for example, ±10%). In this case, the garlic 21 is connected to the substrate 30 and the target 8.
The sliding angle β of the substrate 30 from a reference position where the substrates 30 and 30 are parallel and facing each other, that is, the substrate 30 faces the center of the target 8, is detected and the detected signal is given to the control device 220.
したがって、上記実施例のスパッタリング装置において
は、真空槽１に基板３０．３’０．・・・を取り付けた
カル−セル型治具７を入れてターンテーブル５に載置し
た後、大型の真空ポンプにより真空引き用の排気ポート
３から排気させて真空槽１内の圧力を下げ、次にスパッ
タガスを導入ポート２から導入し、かつスパッタガス用
の排気ポート４から小型の真空ポンプにて真空槽１内か
一定の真空圧になるように排気しながら、ヒータ１７に
よる一定温度下でスパッタリングを行う。Therefore, in the sputtering apparatus of the above embodiment, the substrates 30.3'0. After putting in the car cell type jig 7 attached with... and placing it on the turntable 5, the pressure inside the vacuum chamber 1 is lowered by evacuating from the exhaust port 3 for evacuation with a large vacuum pump. Next, sputtering gas is introduced from the introduction port 2, and while being exhausted from the sputtering gas exhaust port 4 using a small vacuum pump to maintain a constant vacuum pressure in the vacuum chamber 1, the heater 17 is used to maintain a constant temperature. Perform sputtering with
このスパッタリングにおいては、放電電源１４の放電電
力は、基板３０がターゲット８の略中央を向いた状態の
ときに少なくなるか、この状態は基板３０の中央部でス
パッタ粒子が多く堆積する状態であり、放電電力が弱く
なる分、基板３０の中央部でのスパッタ粒子の堆積が抑
制される。そして、基板３０の回転速度は基板３０がタ
ーゲット８の両端を向いた状態のときに大きくなり、こ
の状態は基板３０の中央部ではスパッタ粒子の堆１
積か少ないか零のときであるものの、基板３０の両端部
のいずれが一方ではスパッタ粒子が堆積している状態で
あり、放電電力か強くなる分、基板３０の両端部でのス
パッタ粒子の堆積が多くなり、これにより、基板３０の
中央部と両端部とのスパッタリング膜厚の差が少なくな
る。In this sputtering, the discharge power of the discharge power supply 14 decreases when the substrate 30 faces approximately the center of the target 8, or this state is a state in which many sputter particles are deposited at the center of the substrate 30. As the discharge power becomes weaker, deposition of sputtered particles at the center of the substrate 30 is suppressed. The rotation speed of the substrate 30 increases when the substrate 30 faces both ends of the target 8, and in this state, there is little or no deposition of sputtered particles at the center of the substrate 30. Sputtered particles are deposited on either end of the substrate 30, and as the discharge power becomes stronger, more sputtered particles are deposited on both ends of the substrate 30. The difference in sputtering film thickness between the end portion and both end portions is reduced.
尚、上記実施例では、基板３０が１枚である状態を想定
して放電電力の可変制御の説明をしたが、複数の基板３
０ ３０．・・・が一定の角度をもって連なっている場
合は、隣り合う基板３０．３０の境界がターゲット８の
中央に位置するときく第２図に示す状態）に、放電電力
が最も強くなるようにすることになる。Incidentally, in the above embodiment, variable control of discharge power was explained assuming a state in which there is only one board 30;
0 30. ... are connected at a certain angle, the discharge power should be the strongest when the boundary between adjacent substrates 30 and 30 is located at the center of the target 8 (the state shown in FIG. 2). become.
また、上記実施例は断面８角形のカル−セル型治具７を
用いた例であるが、本発明を他の多角形状のカル−セル
型治具を有するスパッタリング装置に対しても適用でき
ることは勿論である。Further, although the above embodiment is an example in which a carcell type jig 7 having an octagonal cross section is used, the present invention can also be applied to a sputtering apparatus having a carcell type jig having another polygonal shape. Of course.
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、カルーセル型ス
パッタリング装置におけるターゲット族２
市川の放電電力を回転治具の向きに応じて可変にしたか
ら、基板がターゲットの略中央を向いた状態のときより
も、当該基板がターゲットの両端を向いた状態のときの
方が相対的に放電電力が大きくなるように制御して、基
板の中央部でのスパッタ粒子の堆積の増加を抑えながら
、基板の両端部でのスパッタ粒子の堆積を増すこと等が
可能となり、基板全体としてのスパッタリング膜厚の均
一化を図ることができる。(Effects of the Invention) As explained above, according to the present invention, since the discharge power of the target group 2 Ichikawa in the carousel type sputtering apparatus is made variable according to the direction of the rotating jig, the substrate can be positioned approximately at the center of the target. The discharge power is controlled so that the discharge power is relatively larger when the substrate faces both ends of the target than when the substrate faces the target, thereby preventing an increase in the deposition of sputtered particles at the center of the substrate. It becomes possible to increase the deposition of sputtered particles at both ends of the substrate while suppressing the amount of sputtered particles, and it is possible to make the sputtered film thickness uniform over the entire substrate.
第１図は本発明の実施例のスパッタリング装置の縦断面
図、第２図は同装置を一部切り欠いて示す平面図、第３
図は基板とターゲットの関係を示す概略平面図、第４図
は従来のスパッタリング膜厚分布を示す図である。
１・・真空槽
５・・ターンテーブル
７・・カル−セル型治具
７ａ・・・基板取付面
８・・・ターゲット
１２・・・電力調整装置
１４・・・放電電源
１９・・・治具駆動モータ
２１・・・エンコーダ
２２・・・制御装置（制御手段）
３０・・・基板
３
４
１・・・真空槽
５・・・ターンテーブル
７・・・カル−セル型治具
７ａ・・・基板取付面
８・・・ターゲット
１２・・・電力調整装置
１４・・・放電電源
１９・・・治具駆動モータ
２１・・・エンコーダ
２２・・・制御装置（制御手段）
３０・・・基板FIG. 1 is a vertical sectional view of a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a partially cutaway plan view of the same apparatus, and FIG.
The figure is a schematic plan view showing the relationship between a substrate and a target, and FIG. 4 is a diagram showing a conventional sputtering film thickness distribution. 1...Vacuum chamber 5...Turntable 7...Carcell type jig 7a...Board mounting surface 8...Target 12...Power adjustment device 14...Discharge power source 19...Jig Drive motor 21...Encoder 22...Control device (control means) 30...Substrate 3 4 1...Vacuum chamber 5...Turntable 7...Carcell type jig 7a... Board mounting surface 8... Target 12... Power adjustment device 14... Discharge power source 19... Jig drive motor 21... Encoder 22... Control device (control means) 30... Board
Claims (1)
状に配設されてなるカルーセル型治具を回転可能に支持
するとともに、このカルーセル型治具の外周囲にターゲ
ットを配設し、カルーセル型治具を回転させながら、上
記基板取付面に取り付けた基板に対してスパッタリング
を行うようにしたスパッタリング装置において、上記タ
ーゲットをスパッタするための放電電力を、上記基板が
カルーセル型治具の回転方向におけるターゲットの略中
央を向いた状態のときと、上記回転方向におけるターゲ
ットの両端を向いた状態のときとで相対的に変化させる
等、基板の向きに応じて可変制御する制御手段を設けた
ことを特徴とするカルーセル型スパッタリング装置。(1) A carousel-type jig in which a plurality of substrate mounting surfaces are arranged in a polygonal cross-section is rotatably supported in a vacuum chamber, and a target is arranged around the outer periphery of this carousel-type jig. In a sputtering apparatus that performs sputtering on a substrate attached to the substrate mounting surface while rotating a die jig, the substrate receives discharge power for sputtering the target in the direction of rotation of the carousel jig. A control means is provided that performs variable control according to the orientation of the substrate, such as relatively changing the state when the target is facing substantially the center in the rotation direction and the state when both ends of the target are facing in the rotation direction. A carousel type sputtering device featuring:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6187690A JPH03264667A (en) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | Carrousel-type sputtering device |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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| JPH03264667A true JPH03264667A (en) | 1991-11-25 |
Family
ID=13183773
Family Applications (1)
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| JP (1) | JPH03264667A (en) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0375170A2 (en) * | 1988-12-19 | 1990-06-27 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Process for producing aromatic polysulfone molding compositions improved in mold-release characteristics and the compositions obtained by this process. |
| WO2000071774A1 (en) * | 1999-05-25 | 2000-11-30 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Vacuum treatment installation and method for producing workpieces |
| US6406601B1 (en) * | 2000-03-08 | 2002-06-18 | Sunic System, Ltd. | Method and apparatus for coating electromagnetic wave shielding films |
| KR100346772B1 (en) * | 1993-07-16 | 2002-12-05 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Method and apparatus for adjustment of spacing between waeer and pvd target during semiconductor processing |
| CN102409315A (en) * | 2010-09-21 | 2012-04-11 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | Transportation mechanism and coating equipment with same |
| US20120160675A1 (en) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Loading device and sputtering device using same |
| CN102534516A (en) * | 2010-12-25 | 2012-07-04 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | Sputtering device |
| JP2016069727A (en) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Film deposition apparatus and method of manufacturing film deposition substrate |
| CN108950497A (en) * | 2018-08-28 | 2018-12-07 | 余泽军 | A kind of coating system depositing metal in plastic rubber substrate surface based on glow discharge principle |
-
1990
- 1990-03-12 JP JP6187690A patent/JPH03264667A/en active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0375170A2 (en) * | 1988-12-19 | 1990-06-27 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Process for producing aromatic polysulfone molding compositions improved in mold-release characteristics and the compositions obtained by this process. |
| KR100346772B1 (en) * | 1993-07-16 | 2002-12-05 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Method and apparatus for adjustment of spacing between waeer and pvd target during semiconductor processing |
| US6783641B2 (en) | 1999-05-25 | 2004-08-31 | Unaxis Balzers Aktinegesellschaft | Vacuum treatment system and process for manufacturing workpieces |
| JP2003500533A (en) * | 1999-05-25 | 2003-01-07 | ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト | Vacuum processing device and method of manufacturing workpiece |
| US6572738B1 (en) | 1999-05-25 | 2003-06-03 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Vacuum treatment system and process for manufacturing workpieces |
| WO2000071774A1 (en) * | 1999-05-25 | 2000-11-30 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Vacuum treatment installation and method for producing workpieces |
| US7179352B2 (en) | 1999-05-25 | 2007-02-20 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Vacuum treatment system and process for manufacturing workpieces |
| US6406601B1 (en) * | 2000-03-08 | 2002-06-18 | Sunic System, Ltd. | Method and apparatus for coating electromagnetic wave shielding films |
| CN102409315A (en) * | 2010-09-21 | 2012-04-11 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | Transportation mechanism and coating equipment with same |
| US20120160675A1 (en) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Loading device and sputtering device using same |
| US8524054B2 (en) * | 2010-12-24 | 2013-09-03 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Loading device and sputtering device using same |
| US20130306439A1 (en) * | 2010-12-24 | 2013-11-21 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Loading device and sputtering device using same |
| CN102534516A (en) * | 2010-12-25 | 2012-07-04 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | Sputtering device |
| JP2016069727A (en) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Film deposition apparatus and method of manufacturing film deposition substrate |
| CN108950497A (en) * | 2018-08-28 | 2018-12-07 | 余泽军 | A kind of coating system depositing metal in plastic rubber substrate surface based on glow discharge principle |
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