JPH03261699A - ＺｎＳｅ単結晶の育成方法 - Google Patents
ＺｎＳｅ単結晶の育成方法Info
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- JPH03261699A JPH03261699A JP5881290A JP5881290A JPH03261699A JP H03261699 A JPH03261699 A JP H03261699A JP 5881290 A JP5881290 A JP 5881290A JP 5881290 A JP5881290 A JP 5881290A JP H03261699 A JPH03261699 A JP H03261699A
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- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、ＺｎＳｅのバルク単結晶の成長方法に関し
、特に、青色発光素子（発光ダイオードおよび半導体レ
ーザなど）用の基板として良質なバルクＺｎＳｅ単結晶
を育成する方法に関するものである。
、特に、青色発光素子（発光ダイオードおよび半導体レ
ーザなど）用の基板として良質なバルクＺｎＳｅ単結晶
を育成する方法に関するものである。
［従来の技術］
ＺｎＳｅのバルク単結晶を成長させる従来の方法として
、本出願人が特装車１−１９２．７９９に開示した方法
を挙げることができる。この方法は、ＣＶＤ法により合
成した多結晶ＺｎＳｅをゾーン４乙 アニーリングすることにより、ＺｎＳｅ単結ｔて行なう
方法である。この方法は、たとえば第３Ａ図に示される
ような装置を用い、ＺｎＳｅ多結晶を第３Ｂ図に示され
る温度分布の中にゆっくりと移動させてい（ものである
。第３Ａ図および第３Ｂ図を参照しながら、以下に簡単
にこの従来の方法について述べていく。
、本出願人が特装車１−１９２．７９９に開示した方法
を挙げることができる。この方法は、ＣＶＤ法により合
成した多結晶ＺｎＳｅをゾーン４乙 アニーリングすることにより、ＺｎＳｅ単結ｔて行なう
方法である。この方法は、たとえば第３Ａ図に示される
ような装置を用い、ＺｎＳｅ多結晶を第３Ｂ図に示され
る温度分布の中にゆっくりと移動させてい（ものである
。第３Ａ図および第３Ｂ図を参照しながら、以下に簡単
にこの従来の方法について述べていく。
この装置において、棒状のＺｎＳｅ多結晶３１は、０．
１〜１００ＴｏｒｒのＡ「雰囲気３４にされた、石英カ
プセル３２内に収められている。
１〜１００ＴｏｒｒのＡ「雰囲気３４にされた、石英カ
プセル３２内に収められている。
この石英カプセル３２は、上下移動可能な懸架装置３３
に吊下げられ、図に示す矢印の方向に移動させられる。
に吊下げられ、図に示す矢印の方向に移動させられる。
石英カプセル３２か移動する下方には、ヒータ３５が設
けられており、石英カプセル３２を周囲から加熱するよ
うになっている。従来の方法は、このような装置を一例
として用い、石英カプセル３２内のＺｎＳｅ多結晶３１
をその先端から加熱していき、単結晶に変えていくもの
である。このように単結晶に変えていくに際し、ＺｎＳ
ｅ多結晶３１は、第３Ｂ図に示すような温度分布中に移
動させられる。第３Ｂ図に示される温度分布は、室温〜
１００℃の低温部ＡＢから始まり、温度勾配が５０℃／
Ｃｍ〜２００℃／ ｃ ｍである昇温部ＢＣ１温度か７
００°Ｃ〜９００℃である高温部ＣＤ、温度勾配か一り
００℃／ ｃ ｍ〜−５０℃／ ｃ ｍである降温部Ｄ
Ｅおよびそれに続く室温〜１００℃の低温部ＥＦとから
構成されている。石英カプセル３２中のＺｎＳｅ多結晶
３１は、このような温度分布中を、ＡＢから順次矢印の
方向に従って、０．０５ｍｍ／ｄａｙ 〜５ｍｍ／ｄａ
ｙの速度で、移動させられる。移動によって、ＺｎＳｅ
多結晶３１は、固相を保ちながら単結晶に変化していく
。
けられており、石英カプセル３２を周囲から加熱するよ
うになっている。従来の方法は、このような装置を一例
として用い、石英カプセル３２内のＺｎＳｅ多結晶３１
をその先端から加熱していき、単結晶に変えていくもの
である。このように単結晶に変えていくに際し、ＺｎＳ
ｅ多結晶３１は、第３Ｂ図に示すような温度分布中に移
動させられる。第３Ｂ図に示される温度分布は、室温〜
１００℃の低温部ＡＢから始まり、温度勾配が５０℃／
Ｃｍ〜２００℃／ ｃ ｍである昇温部ＢＣ１温度か７
００°Ｃ〜９００℃である高温部ＣＤ、温度勾配か一り
００℃／ ｃ ｍ〜−５０℃／ ｃ ｍである降温部Ｄ
Ｅおよびそれに続く室温〜１００℃の低温部ＥＦとから
構成されている。石英カプセル３２中のＺｎＳｅ多結晶
３１は、このような温度分布中を、ＡＢから順次矢印の
方向に従って、０．０５ｍｍ／ｄａｙ 〜５ｍｍ／ｄａ
ｙの速度で、移動させられる。移動によって、ＺｎＳｅ
多結晶３１は、固相を保ちながら単結晶に変化していく
。
［発明か解決しようとする課題］
上述した従来の方法において、棒状のＺｎＳｅ多結晶の
形状は、特に強調されるところではなかった。
形状は、特に強調されるところではなかった。
従来の方法において、その具体例に従い、角柱形または
円柱形の多結晶を用い、単結晶の育成を行なったところ
、用いた多結晶の先端部で複数の核から単結晶の成長が
起こり、完全な単結晶か得られない場合が起こった。
円柱形の多結晶を用い、単結晶の育成を行なったところ
、用いた多結晶の先端部で複数の核から単結晶の成長が
起こり、完全な単結晶か得られない場合が起こった。
この発明の目的は、上述した問題点を解決し、再現性良
く単結晶を育成するＺｎＳｅ単結晶の育成方法を提供す
ることにある。
く単結晶を育成するＺｎＳｅ単結晶の育成方法を提供す
ることにある。
［課題を解決するための手段］
この発明のＺｎＳｅ単結晶の育成方法は、棒状のＺｎＳ
ｅ多結晶を加熱部を通過させていくことにより部分的に
アニーリングして、単結晶に変化させていくＺｎＳｅ単
結晶の育成方法において、棒状のＺｎＳｅ多結晶の先端
部が、略錐形であることを特徴としている。
ｅ多結晶を加熱部を通過させていくことにより部分的に
アニーリングして、単結晶に変化させていくＺｎＳｅ単
結晶の育成方法において、棒状のＺｎＳｅ多結晶の先端
部が、略錐形であることを特徴としている。
上記略錐形として、たとえば、略円錐形および略角錐形
を挙げることができる。また、略錐形の頂点の角度か６
０゛以内であれば、発明の目的をより効果的に達成する
ことができる。
を挙げることができる。また、略錐形の頂点の角度か６
０゛以内であれば、発明の目的をより効果的に達成する
ことができる。
［作用コ
この発明において、棒状のＺｎＳｅ多結晶の先端部を略
錐形にすることで、その先端を尖ったものにすれば、先
端から核が成長していくので、成長核を確実に１つとす
ることができる。したがって、従来のように複数の核か
ら単結晶が成長するおそれかなくなり、再現性良く単結
晶を育成できるようになる。
錐形にすることで、その先端を尖ったものにすれば、先
端から核が成長していくので、成長核を確実に１つとす
ることができる。したがって、従来のように複数の核か
ら単結晶が成長するおそれかなくなり、再現性良く単結
晶を育成できるようになる。
［実施例］
第１図に、この発明に従う棒状のＺｎＳｅ多結晶の形状
について、その−例を示す。このＺｎＳｅ多結晶１０は
、ＣＶＤ法で合成したものを、寸注か５ｍｍＸ５ｍｍＸ
５０ｍｍの直方形に切り出した後、その先端を加工した
ものである。また、その結晶粒径は、数１０μｍであっ
た。ＺｎＳｅ多結晶１０の先端部１１は、図に示すよう
に円錐形に加工され、その先端のテーバ角は６０゛にさ
れている。
について、その−例を示す。このＺｎＳｅ多結晶１０は
、ＣＶＤ法で合成したものを、寸注か５ｍｍＸ５ｍｍＸ
５０ｍｍの直方形に切り出した後、その先端を加工した
ものである。また、その結晶粒径は、数１０μｍであっ
た。ＺｎＳｅ多結晶１０の先端部１１は、図に示すよう
に円錐形に加工され、その先端のテーバ角は６０゛にさ
れている。
以上のような形状のＺｎＳｅ多結晶を第２Ａ図に示すよ
うな装置を用い、単結晶に変えていった。
うな装置を用い、単結晶に変えていった。
第２Ａ図に示す装置において、上述したＺｎＳｅ多結晶
１０は、石英カプセル１２内に収められている。また、
石英カプセル１２内は、０．１〜１００Ｔｏ ｒ ｒの
Ａｒ雰囲気１４にされている。図に示すようにＺｎＳｅ
多結晶１０が収められた石英カプセル１２は、上下移動
可能な懸架装置１３に吊下げられ、図に示す矢印の方向
に移動させられる。さらに、石英カプセル１２が移動す
る下方には、ヒータ１５が設けられており、石英カプセ
ル１２を周囲から加熱するようになっている。
１０は、石英カプセル１２内に収められている。また、
石英カプセル１２内は、０．１〜１００Ｔｏ ｒ ｒの
Ａｒ雰囲気１４にされている。図に示すようにＺｎＳｅ
多結晶１０が収められた石英カプセル１２は、上下移動
可能な懸架装置１３に吊下げられ、図に示す矢印の方向
に移動させられる。さらに、石英カプセル１２が移動す
る下方には、ヒータ１５が設けられており、石英カプセ
ル１２を周囲から加熱するようになっている。
このような装置を用い、石英カプセル１２内のＺｎＳｅ
多結晶１０を加熱していく際の温度分布は、第２Ｂ図に
示すようなものであった。すなわち、温度分布は、室ｌ
Ａ〜１００℃の低温部Ａ、 Ｂ、を始まりとし、温度勾
配が１５０°Ｃ／ｃｍの昇温部Ｂ、Ｃ，、温度が９００
℃である高温部Ｃ４Ｄ１、温度勾配か−１５０”Ｃ／
ｃ ｍである降温部り、Ｅ、およびそれに続く室温〜１
００℃の低温部Ｅ、Ｆ、とから構成されていた。
多結晶１０を加熱していく際の温度分布は、第２Ｂ図に
示すようなものであった。すなわち、温度分布は、室ｌ
Ａ〜１００℃の低温部Ａ、 Ｂ、を始まりとし、温度勾
配が１５０°Ｃ／ｃｍの昇温部Ｂ、Ｃ，、温度が９００
℃である高温部Ｃ４Ｄ１、温度勾配か−１５０”Ｃ／
ｃ ｍである降温部り、Ｅ、およびそれに続く室温〜１
００℃の低温部Ｅ、Ｆ、とから構成されていた。
このような温度分布中をＡ、Ｂ、を始まりとして移動さ
せていくにあたり、石英カプセル１２の降下速度は、２
．０ｍｍ／ｄａｙとした。
せていくにあたり、石英カプセル１２の降下速度は、２
．０ｍｍ／ｄａｙとした。
石英カプセル１２を降下させて、上記温度分布中を移動
させることにより単結晶化を行なった結果、ＺｎＳｅ単
結晶か再現性良く得られた。
させることにより単結晶化を行なった結果、ＺｎＳｅ単
結晶か再現性良く得られた。
［発明の効果］
以上説明したように、この発明に従って大型のＺｎＳｅ
単結晶を再現性良く形成することかできる。したかって
この発明は、特に、青色発光ダイオードおよび青色半導
体レーザ等の材料として強く期待されるＺｎＳｅ単結晶
の作成に非常に効果的である。
単結晶を再現性良く形成することかできる。したかって
この発明は、特に、青色発光ダイオードおよび青色半導
体レーザ等の材料として強く期待されるＺｎＳｅ単結晶
の作成に非常に効果的である。
第１図は、この発明に従う棒状のＺｎＳｅ多結晶の形状
について、その−例を示す斜視図である。 第２Ａ図は、この発明を実施するにあたり、用いられた
装置の一例を示す断面図である。 第２Ｂ図は、この発明を実施するにあたり、ＺｎＳｅ多
結晶を加熱して単結晶に移行させる際の温度分布を示す
図である。 第３Ａ図は、従来の方法に用いられる装置の一例を示す
断面図である。 第３Ｂ図は、従来の方法に用いられる温度分布を示す図
である。 図において、１０および３１はＺｎＳｅ多結晶、１１は
先端部、１２および３２は石英カプセル、１３および３
３は懸架装置、１４および３４はＡｒ雰囲気、１５およ
び３５はヒータを示す。
について、その−例を示す斜視図である。 第２Ａ図は、この発明を実施するにあたり、用いられた
装置の一例を示す断面図である。 第２Ｂ図は、この発明を実施するにあたり、ＺｎＳｅ多
結晶を加熱して単結晶に移行させる際の温度分布を示す
図である。 第３Ａ図は、従来の方法に用いられる装置の一例を示す
断面図である。 第３Ｂ図は、従来の方法に用いられる温度分布を示す図
である。 図において、１０および３１はＺｎＳｅ多結晶、１１は
先端部、１２および３２は石英カプセル、１３および３
３は懸架装置、１４および３４はＡｒ雰囲気、１５およ
び３５はヒータを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 棒状のＺｎＳｅ多結晶を加熱部を通過させていくこと
により部分的にアニーリングして、単結晶に変化させて
いくＺｎＳｅ単結晶の育成方法において、 前記棒状のＺｎＳｅ多結晶の先端部が、略錐形であるこ
とを特徴とするＺｎＳｅ単結晶の育成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5881290A JPH03261699A (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | ＺｎＳｅ単結晶の育成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5881290A JPH03261699A (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | ＺｎＳｅ単結晶の育成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03261699A true JPH03261699A (ja) | 1991-11-21 |
Family
ID=13095023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5881290A Pending JPH03261699A (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | ＺｎＳｅ単結晶の育成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03261699A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1345480A2 (en) | 2002-03-15 | 2003-09-17 | Dowa Mining Co., Ltd. | Ceramic circuit board and power module |
| CN103194802A (zh) * | 2012-01-05 | 2013-07-10 | 昆山中辰矽晶有限公司 | 晶棒表面之调质方法及其晶棒 |
-
1990
- 1990-03-09 JP JP5881290A patent/JPH03261699A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1345480A2 (en) | 2002-03-15 | 2003-09-17 | Dowa Mining Co., Ltd. | Ceramic circuit board and power module |
| CN103194802A (zh) * | 2012-01-05 | 2013-07-10 | 昆山中辰矽晶有限公司 | 晶棒表面之调质方法及其晶棒 |
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