JPH0325714A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH0325714A JPH0325714A JP16041189A JP16041189A JPH0325714A JP H0325714 A JPH0325714 A JP H0325714A JP 16041189 A JP16041189 A JP 16041189A JP 16041189 A JP16041189 A JP 16041189A JP H0325714 A JPH0325714 A JP H0325714A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetization
- magnetoresistive element
- magnetoresistive
- film
- axis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 53
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 title abstract description 5
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 49
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 26
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 28
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 16
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 3
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 claims description 3
- 230000005330 Barkhausen effect Effects 0.000 abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気抵抗効果素子(以下、MR素子と呼ぶ)
を使用し、磁気記録媒体により発生される信号磁界を電
気抵抗の変化として検出するようにした磁気抵抗効果型
薄膜磁気ヘッド(以下、MR″iiil!VA気ヘッド
と呼ぶ)に関するものである。
を使用し、磁気記録媒体により発生される信号磁界を電
気抵抗の変化として検出するようにした磁気抵抗効果型
薄膜磁気ヘッド(以下、MR″iiil!VA気ヘッド
と呼ぶ)に関するものである。
〔従来の技術]
従来、MR薄膜磁気ヘッドとしては、大別すれば、両面
シールド型MHI膜磁気ヘッドと呼ばれるものと、ヨー
ク型MRI膜磁気ヘッドと呼ばれるものとが知られてい
る。その内、ヨーク型MR薄膜磁気ヘッドは、MR素子
が磁気記録媒体との摺動面に露出していないので、摩耗
によるMR素子の損傷及び腐蝕等が生しにくい点で両面
シールド型MR薄膜磁気ヘッドより有利なものとみなさ
れている。
シールド型MHI膜磁気ヘッドと呼ばれるものと、ヨー
ク型MRI膜磁気ヘッドと呼ばれるものとが知られてい
る。その内、ヨーク型MR薄膜磁気ヘッドは、MR素子
が磁気記録媒体との摺動面に露出していないので、摩耗
によるMR素子の損傷及び腐蝕等が生しにくい点で両面
シールド型MR薄膜磁気ヘッドより有利なものとみなさ
れている。
第2図及び第3図に示すように、ヨーク型M r2薄膜
磁気ヘッドにおいては、下側ヨーク7上に上側フロント
ヨークl及び上側バックヨーク5が互いに対向して立ち
上がるように設けられている。
磁気ヘッドにおいては、下側ヨーク7上に上側フロント
ヨークl及び上側バックヨーク5が互いに対向して立ち
上がるように設けられている。
そして、両上側ヨークl・5の立ち上がり部分の下方に
MR素子2が配置され、更に、その下方にバイアス導体
6が配置されている。
MR素子2が配置され、更に、その下方にバイアス導体
6が配置されている。
MR素子2の長手力向両端部には、MR素子2を単磁区
状態とするための強磁性膜3・3が配置され、かつ、M
R素子2の両端部には、MR素子2にセンス電流を流す
とともに、MR素子2の両端間の電圧を検出する1対の
リード導体4・4が設けられている。
状態とするための強磁性膜3・3が配置され、かつ、M
R素子2の両端部には、MR素子2にセンス電流を流す
とともに、MR素子2の両端間の電圧を検出する1対の
リード導体4・4が設けられている。
上記の構戒で、リード導体4・4によりMR素子2にセ
ンス電流を流しながら、下側ヨーク7の前面との間に所
定のスペーシング8を隔てて磁気記録媒体9を走行させ
ると、磁気記録媒体9から発生する信号磁界が上側フロ
ントヨーク1及び上側バックヨーク5を介してMR素子
2に印加され、信号磁界の変化に応じてMR素子2の磁
化が回転することによりMR素子2の電気抵抗が変化し
、それに伴って、MR素子2の両端部間の電圧が変化す
る。そのため、上記の電圧を検出することにより、信号
磁界が検出できる。
ンス電流を流しながら、下側ヨーク7の前面との間に所
定のスペーシング8を隔てて磁気記録媒体9を走行させ
ると、磁気記録媒体9から発生する信号磁界が上側フロ
ントヨーク1及び上側バックヨーク5を介してMR素子
2に印加され、信号磁界の変化に応じてMR素子2の磁
化が回転することによりMR素子2の電気抵抗が変化し
、それに伴って、MR素子2の両端部間の電圧が変化す
る。そのため、上記の電圧を検出することにより、信号
磁界が検出できる。
その際、バイアス導体6に直流電流が流されることによ
り、MR素子2の幅方向のバイアス磁界が発生されてM
R素子2に印加され、MR素子2の動作範囲が線型性の
良好な範囲に設定される。
り、MR素子2の幅方向のバイアス磁界が発生されてM
R素子2に印加され、MR素子2の動作範囲が線型性の
良好な範囲に設定される。
又、第4図に示すように、MR素子2の長平方向である
矢印A′方向に飽和磁化された強磁性膜3・3がMR素
子2に強磁***換結合されることによりMR素子2が上
記の如く単磁区状態とされる。それにより、MR素子2
の内部の磁化が磁壁の移動により不連続に変化すること
が防止されて、いわゆるバルクハウゼンノイズの発生が
抑制される。
矢印A′方向に飽和磁化された強磁性膜3・3がMR素
子2に強磁***換結合されることによりMR素子2が上
記の如く単磁区状態とされる。それにより、MR素子2
の内部の磁化が磁壁の移動により不連続に変化すること
が防止されて、いわゆるバルクハウゼンノイズの発生が
抑制される。
なお、従来、ヨーク型MRヘッドにおいては、MR素子
2の磁化容易軸Lの向きをMR素子2の長手方向に対し
て所定角度θ,だけ傾斜した方向に設定することにより
、MR素子2の磁化の向きの分散に起因する磁化回転に
おけるスイッチングによるバルクハウゼンノイズの発生
領域を動作範囲外の磁界領域に限定させるように構或さ
れている. 〔発明が解決しようとする課題〕 上記の構或において、MR素子2の内部の各点での磁化
の向きは矢印B−B・・・の如く、長手方向中間部付近
ではほぼ一定になる。ところが、強磁性膜3・3の近傍
では強磁性膜3・3の飽和磁化の影響で磁化の向きが矢
印B′ ・B′の如く、ほぼMR素子2の長手方向を向
くことになるので、MR素子2の内部で磁化の向きにば
らつきが生し、MR素子2の磁化容易軸を傾斜させたに
も拘わらず、磁化のスイッチングによりバルクハウゼン
ノイズが生じるものである。
2の磁化容易軸Lの向きをMR素子2の長手方向に対し
て所定角度θ,だけ傾斜した方向に設定することにより
、MR素子2の磁化の向きの分散に起因する磁化回転に
おけるスイッチングによるバルクハウゼンノイズの発生
領域を動作範囲外の磁界領域に限定させるように構或さ
れている. 〔発明が解決しようとする課題〕 上記の構或において、MR素子2の内部の各点での磁化
の向きは矢印B−B・・・の如く、長手方向中間部付近
ではほぼ一定になる。ところが、強磁性膜3・3の近傍
では強磁性膜3・3の飽和磁化の影響で磁化の向きが矢
印B′ ・B′の如く、ほぼMR素子2の長手方向を向
くことになるので、MR素子2の内部で磁化の向きにば
らつきが生し、MR素子2の磁化容易軸を傾斜させたに
も拘わらず、磁化のスイッチングによりバルクハウゼン
ノイズが生じるものである。
本発明に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、上記の
課題を解決するために、磁気記録媒体から発生する信号
磁界を抵抗変化として検出する磁気抵抗効果素子と、磁
気記録媒体から磁気抵抗効果素子に磁束を導くヨークと
、磁気抵抗効果素子を単磁区状態とする強磁性膜と、磁
気抵抗効果素子の幅方向にバイアス磁界を印加するバイ
アス導体とを備え、上記磁気抵抗効果素子の磁化容易軸
が磁気抵抗効果素子の長手力向に対し傾斜するように設
定されている磁気抵抗効果型薄膜磁気へ・冫ドにおいて
、上記強磁性膜が磁気抵抗効果素子の磁化容易軸とほぼ
同一方向に飽和磁化されていることを特徴としている。
課題を解決するために、磁気記録媒体から発生する信号
磁界を抵抗変化として検出する磁気抵抗効果素子と、磁
気記録媒体から磁気抵抗効果素子に磁束を導くヨークと
、磁気抵抗効果素子を単磁区状態とする強磁性膜と、磁
気抵抗効果素子の幅方向にバイアス磁界を印加するバイ
アス導体とを備え、上記磁気抵抗効果素子の磁化容易軸
が磁気抵抗効果素子の長手力向に対し傾斜するように設
定されている磁気抵抗効果型薄膜磁気へ・冫ドにおいて
、上記強磁性膜が磁気抵抗効果素子の磁化容易軸とほぼ
同一方向に飽和磁化されていることを特徴としている。
上記の構成によれば、磁気抵抗効果素子の磁化容易軸が
磁気抵抗効果素子の長手方向に対し傾斜されるとともに
、強磁性膜が磁気抵抗効果素子の磁化容易軸とほぼ同一
の向きに飽和磁化されているので、磁気抵抗効果素子の
内部の各点の磁化の向きがほぼ一定に揃うようになる。
磁気抵抗効果素子の長手方向に対し傾斜されるとともに
、強磁性膜が磁気抵抗効果素子の磁化容易軸とほぼ同一
の向きに飽和磁化されているので、磁気抵抗効果素子の
内部の各点の磁化の向きがほぼ一定に揃うようになる。
その結果、磁気抵抗効果素子による信号磁界の検出時に
、磁化のスイッチングに起因するバルクハウゼンノイズ
は生じにくくなる。
、磁化のスイッチングに起因するバルクハウゼンノイズ
は生じにくくなる。
〔実施例〕
本発明の一実施例を第1図乃至第3図に基づいて説明す
れば、以下の通りである。
れば、以下の通りである。
第2図及び第3図に示すように、本実施例に係るヨーク
型MR薄膜磁気ヘッドは、基本的には従来と同様の構戒
であり、例えば、多結晶Ni−Znフェライ}M板、単
結晶又は多結晶のMn−Znフエライト基板等の高透磁
率磁性体からなる下側ヨーク7を備えている。
型MR薄膜磁気ヘッドは、基本的には従来と同様の構戒
であり、例えば、多結晶Ni−Znフェライ}M板、単
結晶又は多結晶のMn−Znフエライト基板等の高透磁
率磁性体からなる下側ヨーク7を備えている。
下側ヨーク7上には、下側ヨーク7の前端部の上面との
間に所定のへッドギャップ10を隔てて上側フロントヨ
ーク1の前端部が対向し配置されている。上側フロント
ヨークlの後端部は斜め上方に段上がり状に形成されて
いる。
間に所定のへッドギャップ10を隔てて上側フロントヨ
ーク1の前端部が対向し配置されている。上側フロント
ヨークlの後端部は斜め上方に段上がり状に形成されて
いる。
上側フロントヨーク1の後方には、その前端面と上側フ
ロントヨークlの後端面との間に所定のY方向の間隙を
隔てて上側バックヨーク5が配置されている。上側バッ
クヨーク5の後端部は段下がり状に形威されて下側ヨー
ク7に接続されている。上側フロントヨーク1及び上側
バックヨーク5は、例えば、膜厚が0.5〜1,Oμm
程度のパーマロイにて形成されている。
ロントヨークlの後端面との間に所定のY方向の間隙を
隔てて上側バックヨーク5が配置されている。上側バッ
クヨーク5の後端部は段下がり状に形威されて下側ヨー
ク7に接続されている。上側フロントヨーク1及び上側
バックヨーク5は、例えば、膜厚が0.5〜1,Oμm
程度のパーマロイにて形成されている。
上側フロントヨーク1及び上側バックヨーク5の段上が
り部の下方には、MR素子2が設けられている。MR素
子2は、例えば、膜厚が200〜400人程度のパーマ
ロイにて形或されている.又、MR素子2の幅方向(Y
方向)両端部は、それぞれ上側フロントヨーク1の後端
部及び上側バックヨーク5の前端部と0.5〜1.5μ
m程度オーバラップさせている。なお、第1図に示すよ
うに、MR素子2の磁化容易軸Lの向きはMR素子2の
長手方向(X方向)に対し所定角度θ,だけ傾斜するよ
うに設定されている。傾斜角度θ1は好ましくはIO〜
40”程度の範囲に設定される。
り部の下方には、MR素子2が設けられている。MR素
子2は、例えば、膜厚が200〜400人程度のパーマ
ロイにて形或されている.又、MR素子2の幅方向(Y
方向)両端部は、それぞれ上側フロントヨーク1の後端
部及び上側バックヨーク5の前端部と0.5〜1.5μ
m程度オーバラップさせている。なお、第1図に示すよ
うに、MR素子2の磁化容易軸Lの向きはMR素子2の
長手方向(X方向)に対し所定角度θ,だけ傾斜するよ
うに設定されている。傾斜角度θ1は好ましくはIO〜
40”程度の範囲に設定される。
MR素子2の長手方向両端部における上面には、膜厚が
例えば1000〜2000人程度の強磁性膜3・3が形
威されている。強磁性IIl!3・3は良好な導電性と
大きな保磁力とを有する材料、例えば、Co−P,Ni
−Co,Ni−Co−P等の強磁性体により形威される
。強磁性膜3・3はMR素子2における磁化容易軸Lの
向きと同一の向きA−Aに飽和磁化されている,すなわ
ち、MR素子2の長手方向に対する各強磁性膜3の飽和
磁化の傾斜角度θ,はMR素子2の磁化容易軸Lの傾斜
角度θ1と同一の値となるように設定されている。そし
て、強磁性膜3・3とMR素子2とが強磁***換結合さ
れることにより、MR素子2が単磁区化されている。
例えば1000〜2000人程度の強磁性膜3・3が形
威されている。強磁性IIl!3・3は良好な導電性と
大きな保磁力とを有する材料、例えば、Co−P,Ni
−Co,Ni−Co−P等の強磁性体により形威される
。強磁性膜3・3はMR素子2における磁化容易軸Lの
向きと同一の向きA−Aに飽和磁化されている,すなわ
ち、MR素子2の長手方向に対する各強磁性膜3の飽和
磁化の傾斜角度θ,はMR素子2の磁化容易軸Lの傾斜
角度θ1と同一の値となるように設定されている。そし
て、強磁性膜3・3とMR素子2とが強磁***換結合さ
れることにより、MR素子2が単磁区化されている。
強磁性膜3・3の上側において、MR素子2の長手方向
両端部には、MR素子2にセンス電流を流すとともに、
MR素子2の両端部間の電圧を検出するためのリード導
体4・4が接続されているリード導体4・4は、A I
C u膜等の導電性の良好な薄膜から形戒される. MR素子2と下側ヨーク7との間には、バイアス導体6
が配設されている。バイアス導体6は、例えば、AfC
u膜にて形威され、このバイアス導体6に直流電流を流
すことにより、MR素子2の幅方向(Y方向)に所望の
強度のバイアス磁界が印加されるようになっている。
両端部には、MR素子2にセンス電流を流すとともに、
MR素子2の両端部間の電圧を検出するためのリード導
体4・4が接続されているリード導体4・4は、A I
C u膜等の導電性の良好な薄膜から形戒される. MR素子2と下側ヨーク7との間には、バイアス導体6
が配設されている。バイアス導体6は、例えば、AfC
u膜にて形威され、このバイアス導体6に直流電流を流
すことにより、MR素子2の幅方向(Y方向)に所望の
強度のバイアス磁界が印加されるようになっている。
なお、具体的に図示しないが、上側フロントヨークl及
び上側バンクヨーク5、MR素子2、バイアス導体6並
びに下側ヨーク7の間には、それぞれ磁気的及び電気的
な絶縁を行う絶縁層が設けられ、更に、これらを保護す
るために図示しない保護層及び保護板が設けられる. 磁気記録媒体9は下側ヨーク7の前端面との間に所定の
Y方向のスペーシング8を隔てて走行するように構戒さ
れている。又、ヘッドギャップ10の大きさは、磁気記
録媒体9に記録される最小波長が、例えば0.5μmの
場合、それより小さい0.2〜0.3μm程度に設定さ
れる,上記の構戒において、磁気記録媒体9からの信号
磁界が上側フロントヨーク1及び上側バックヨーク5を
介してMR素子2に伝達されると、信号磁界に応してM
R素子2の電気抵抗が変化し、この電気抵抗の変化がM
R素子2の両端間の電圧の変化としてリード導体4・4
により検出され、それにより、信号磁界が検出される。
び上側バンクヨーク5、MR素子2、バイアス導体6並
びに下側ヨーク7の間には、それぞれ磁気的及び電気的
な絶縁を行う絶縁層が設けられ、更に、これらを保護す
るために図示しない保護層及び保護板が設けられる. 磁気記録媒体9は下側ヨーク7の前端面との間に所定の
Y方向のスペーシング8を隔てて走行するように構戒さ
れている。又、ヘッドギャップ10の大きさは、磁気記
録媒体9に記録される最小波長が、例えば0.5μmの
場合、それより小さい0.2〜0.3μm程度に設定さ
れる,上記の構戒において、磁気記録媒体9からの信号
磁界が上側フロントヨーク1及び上側バックヨーク5を
介してMR素子2に伝達されると、信号磁界に応してM
R素子2の電気抵抗が変化し、この電気抵抗の変化がM
R素子2の両端間の電圧の変化としてリード導体4・4
により検出され、それにより、信号磁界が検出される。
その際、バイアス導体6により、MR素子2の線型性の
良好な範囲に動作範囲が設定される。
良好な範囲に動作範囲が設定される。
その場合、第1図に示すように、MR素子2の磁化容易
軸Lの向きが強磁性II!3・3の飽和磁化の向きA−
Aと一致しているため、MR素子2内の磁化の向きB−
B・・・は大きなばらつきが生しることはなく、MR素
子2内で磁化の向きB−B・・・はほぼ一定方向となる
。従って、MR素子2の全領域において磁化容易軸Lを
長手方向に対し傾斜させている本来の機能に基づき、磁
化のスイッチングに起因するバルクハウゼンノイズが抑
制されるようになる。又、MR素子2の長手方向の磁化
の向きがほぼ一様となるので、再生出力における波形歪
みが改善される。
軸Lの向きが強磁性II!3・3の飽和磁化の向きA−
Aと一致しているため、MR素子2内の磁化の向きB−
B・・・は大きなばらつきが生しることはなく、MR素
子2内で磁化の向きB−B・・・はほぼ一定方向となる
。従って、MR素子2の全領域において磁化容易軸Lを
長手方向に対し傾斜させている本来の機能に基づき、磁
化のスイッチングに起因するバルクハウゼンノイズが抑
制されるようになる。又、MR素子2の長手方向の磁化
の向きがほぼ一様となるので、再生出力における波形歪
みが改善される。
本発明に係る磁気抵抗効果型3膜磁気ヘッドは、以上の
ように、磁気記録媒体から発生する信号磁界を抵抗変化
として検出する磁気抵抗効果素子と、磁気記録媒体から
磁気抵抗効果素子に磁束を導くヨークと、磁気抵抗効果
素子を単磁区状態とする強磁性膜と、磁気抵抗効果素子
の幅方向にバイアス磁界を印加するバイアス導体とを備
え、上記磁気抵抗効果素子の磁化容易軸が磁気抵抗効果
素子の長手方向に対し傾斜するように設定されている磁
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、上記強磁性膜が
磁気抵抗効果素子の磁化容易軸とほぼ同一方向に飽和磁
化されている構成である。
ように、磁気記録媒体から発生する信号磁界を抵抗変化
として検出する磁気抵抗効果素子と、磁気記録媒体から
磁気抵抗効果素子に磁束を導くヨークと、磁気抵抗効果
素子を単磁区状態とする強磁性膜と、磁気抵抗効果素子
の幅方向にバイアス磁界を印加するバイアス導体とを備
え、上記磁気抵抗効果素子の磁化容易軸が磁気抵抗効果
素子の長手方向に対し傾斜するように設定されている磁
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、上記強磁性膜が
磁気抵抗効果素子の磁化容易軸とほぼ同一方向に飽和磁
化されている構成である。
これにより、磁気抵抗効果素子の磁化容易軸が磁気抵抗
効果素子の長手方向に対し傾斜されるとともに、強磁性
膜が磁気抵抗効果素子の磁化容易軸とほぼ同一の向きに
飽和磁化されているので、磁気抵抗効果素子の内部の各
点の磁化の向きがほぼ一定に揃うようになる。その結果
、磁気抵抗効果素子による信号磁界の検出時に、磁化の
スイッチングに起因するバルクハウゼンノイズが生しに
くくなるという効果を奏する。
効果素子の長手方向に対し傾斜されるとともに、強磁性
膜が磁気抵抗効果素子の磁化容易軸とほぼ同一の向きに
飽和磁化されているので、磁気抵抗効果素子の内部の各
点の磁化の向きがほぼ一定に揃うようになる。その結果
、磁気抵抗効果素子による信号磁界の検出時に、磁化の
スイッチングに起因するバルクハウゼンノイズが生しに
くくなるという効果を奏する。
第1図は本発明の実施例におけるMR素子の磁化容易軸
及び強磁性膜の飽和磁化の向きを示す説明図である。 第2図は磁気抵抗効果型薄II!:!磁気ヘッドの斜視
図である。 第3図は同平面図である。 第4図は従来の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおける
MR素子の磁化容易軸及び強磁性膜の飽和磁化の向きを
示す説明図である。 1は上側フロントヨーク、2はMR素子、3は強磁性膜
、5は上側バックヨーク、6はバイアス導体、7は下側
ヨークである。 第 1 図
及び強磁性膜の飽和磁化の向きを示す説明図である。 第2図は磁気抵抗効果型薄II!:!磁気ヘッドの斜視
図である。 第3図は同平面図である。 第4図は従来の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおける
MR素子の磁化容易軸及び強磁性膜の飽和磁化の向きを
示す説明図である。 1は上側フロントヨーク、2はMR素子、3は強磁性膜
、5は上側バックヨーク、6はバイアス導体、7は下側
ヨークである。 第 1 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、磁気記録媒体から発生する信号磁界を抵抗変化とし
て検出する磁気抵抗効果素子と、磁気記録媒体から磁気
抵抗効果素子に磁束を導くヨークと、磁気抵抗効果素子
を単磁区状態とする強磁性膜と、磁気抵抗効果素子の幅
方向にバイアス磁界を印加するバイアス導体とを備え、
上記磁気抵抗効果素子の磁化容易軸が磁気抵抗効果素子
の長手方向に対し傾斜するように設定されている磁気抵
抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、 上記強磁性膜が磁気抵抗効果素子の磁化容易軸とほぼ同
一方向に飽和磁化されていることを特徴とする磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16041189A JPH0325714A (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16041189A JPH0325714A (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0325714A true JPH0325714A (ja) | 1991-02-04 |
Family
ID=15714356
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16041189A Pending JPH0325714A (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0325714A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009164018A (ja) * | 2008-01-09 | 2009-07-23 | Hitachi Ltd | 真空開閉装置及びその真空圧力診断方法 |
-
1989
- 1989-06-22 JP JP16041189A patent/JPH0325714A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009164018A (ja) * | 2008-01-09 | 2009-07-23 | Hitachi Ltd | 真空開閉装置及びその真空圧力診断方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6064552A (en) | Magnetoresistive head having magnetic yoke and giant magnetoresistive element such that a first electrode is formed on the giant magnetoresistive element which in turn is formed on the magnetic yoke which acts as a second electrode | |
KR100295289B1 (ko) | 후방자속가이드로서의감지층을갖는자기터널접합부자기저항판독헤드 | |
KR100426768B1 (ko) | 자기저항효과헤드 | |
KR100304024B1 (ko) | 종방향 및 횡방향 바이어스를 가지는 자기 터널 접합부 자기 저항 판독 헤드 | |
US5898547A (en) | Magnetic tunnel junction magnetoresistive read head with sensing layer as flux guide | |
US6392849B2 (en) | Magnetic head with dual spin valve element for differential operation | |
US20050002128A1 (en) | Magnetic read head and hard disk drive | |
JPH07326024A (ja) | Gmr再生ヘッド | |
JPH05266434A (ja) | 磁気抵抗効果再生ヘッド | |
US5792547A (en) | Low noise magnetic head for high frequency recording | |
JP2790811B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
EP1193692B1 (en) | Spin-valve magnetoresistance effect head, composite magnetic head comprising the same, and magnetoresistance recorded medium drive | |
US7268979B2 (en) | Head with thin AFM with high positive magnetostrictive pinned layer | |
JPH07192227A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
US6287709B1 (en) | Spin-valve film, magnetoresistance-effect device and magnetoresistance-effect magnetic head | |
JPH0325714A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
US6697235B2 (en) | Magnetoresistive head and magnetic recoding/reproducing apparatus using the same | |
US5946168A (en) | Magneto-resistance effect device and magnetic head | |
EP0756270B1 (en) | Thin-film magnetic head | |
US7440239B2 (en) | Magneto-resistance effect element and reproducing head | |
JP3565925B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
JPH0836715A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
JPH03290812A (ja) | 磁気ヘツド | |
JPH0572642B2 (ja) | ||
JPH0765323A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |