JPH0325227U - - Google Patents

Description

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図は本案の一実施例のステツパーの概略図
、第２図は第１図で露光した後のレジスト概略図
、第３図は本案の一実施例のステツパーの概略図
、第４図は本案の一実施例のステツパーの概略図
、第５図は従来例のステツパーの概略図、第６図
は従来の第５図のステツパーで露光したレジスト
概略図、第７図はレジストの感度曲線を示す図で
ある。 １……半導体基板、２……感光性レジスト、３
……第１レチクル、４……縮小レンズ、５……第
２レチクル。 FIG. 1 is a schematic diagram of a stepper according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic diagram of the resist after exposure in FIG. 1, FIG. 3 is a schematic diagram of a stepper according to an embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 5 is a schematic diagram of a stepper according to an embodiment of the present invention, FIG. 5 is a schematic diagram of a conventional stepper, FIG. 6 is a schematic diagram of a resist exposed with the conventional stepper shown in FIG. 5, and FIG. 7 is a sensitivity curve of the resist. FIG. 1...Semiconductor substrate, 2...Photosensitive resist, 3
...First reticle, 4...Reducing lens, 5...Second reticle.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】 １ 半導体基板上にフオトレジストを形成し、パ
ターニングする縮小投影露光装置において、半導
体基板の露光を、まず、第１レチクルを用いて半
導体基板上のチツプの１部分を露光し、しかる後
正規のプロセスパターンの第２レチクルを用いて
半導体基板上のチツプ全域を露光するレチクルを
具備したことを特徴とする縮小投影露光装置。 ２ 前記第１レチクルは、チツプ中心部分を除い
た外側の露光することを特徴とする縮小投影露光
装置。 ３ 前記第２レチクルを用いて、チツプを露光す
る露光量は、前記第１レチクルを用いて、チツプ
中心部分を除いた外側を露光する露光量より、多
い露光量で露光することを特徴とする縮小投影露
光装置。 ４ 前記、第１レチクルの中心部分は、光を透過
させるパターンが形成されてないことを特徴とす
る縮小投影露光装置。 ５ 前記、第１レチクルが上位と第２レチクルは
下位にあり、露光後第１レチクルを除き、第２レ
チクルで再露光することを特徴とする縮小投影露
光装置。 ６ 前記、第１、第２レチクルとも、レチクル搬
送ケースからの搬入、搬出ができる機構であるこ
とを特徴とする縮小投影露光装置。[Claims for Utility Model Registration] 1. In a reduction projection exposure apparatus for forming and patterning a photoresist on a semiconductor substrate, the semiconductor substrate is exposed by first exposing a portion of a chip on the semiconductor substrate using a first reticle. 1. A reduction projection exposure apparatus comprising a reticle that exposes the entire chip on a semiconductor substrate using a second reticle having a regular process pattern. 2. A reduction projection exposure apparatus characterized in that the first reticle exposes the outside of the chip except for the central portion of the chip. 3. The exposure amount for exposing the chip using the second reticle is greater than the amount of exposure for exposing the outside of the chip except for the center portion using the first reticle. Reduction projection exposure equipment. 4. A reduction projection exposure apparatus characterized in that the center portion of the first reticle is not formed with a pattern that transmits light. 5. The reduction projection exposure apparatus described above, wherein the first reticle is located above and the second reticle is located below, and after exposure, the first reticle is removed and re-exposure is performed using the second reticle. 6. A reduction projection exposure apparatus characterized in that both the first and second reticles have a mechanism that allows them to be carried in and out of the reticle transport case.