JPH03248338A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JPH03248338A JPH03248338A JP2044106A JP4410690A JPH03248338A JP H03248338 A JPH03248338 A JP H03248338A JP 2044106 A JP2044106 A JP 2044106A JP 4410690 A JP4410690 A JP 4410690A JP H03248338 A JPH03248338 A JP H03248338A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- recording medium
- optical information
- information recording
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光情報記録媒体に関する。
［従来の技術〕
光情報記録媒体の記録層は非常に酸化され易く、酸化を
防止すべく保護膜により保護することが行われる。その
保護膜として、従来、５ｉＯ５ｉ０２．Ｓｉ３ Ｎ、な
どの誂電体が用いられてきた。これらの保護膜は、記録
層を保護すると同時に、基板に比べて高屈折率のものが
用いられることによって、カー・エンハンスメント効果
を起こし再生信号特性の向上に寄与する。また、吸収係
数の小さいものが用いられることによって再生効率を改
善することも期待される。
防止すべく保護膜により保護することが行われる。その
保護膜として、従来、５ｉＯ５ｉ０２．Ｓｉ３ Ｎ、な
どの誂電体が用いられてきた。これらの保護膜は、記録
層を保護すると同時に、基板に比べて高屈折率のものが
用いられることによって、カー・エンハンスメント効果
を起こし再生信号特性の向上に寄与する。また、吸収係
数の小さいものが用いられることによって再生効率を改
善することも期待される。
上記保護膜以外にも、Ｓｉ−Ｎ−Ｚｒよりなる保護膜が
用いられるが、保護特性が比較的良いとされる５ｉ−Ｎ
−Ｚｒにおいてもその信頼性はいまだ充分とはいえない
。
用いられるが、保護特性が比較的良いとされる５ｉ−Ｎ
−Ｚｒにおいてもその信頼性はいまだ充分とはいえない
。
［発明が解決しようとする課Ｂ］
本発明の目的は、信頼性が高く、再生信号特性及び再生
効率に優れた光情報記録媒体を提供することである。
効率に優れた光情報記録媒体を提供することである。
［課題を解決するための手段］
本発明の光情報記録媒体は、基体上に、保護膜で保護さ
れた記録層が形成されてなる光情報記録媒体において、
該保護膜として５ｉ−Ｚｒ−Ｇｅ−Ｎ系の保護膜を使用
することを特徴とする。
れた記録層が形成されてなる光情報記録媒体において、
該保護膜として５ｉ−Ｚｒ−Ｇｅ−Ｎ系の保護膜を使用
することを特徴とする。
なお、保護膜の組成は下記の組成とすることが吸収係数
をより小さくし、再生効率をより一層高める上で好まし
い。
をより小さくし、再生効率をより一層高める上で好まし
い。
記
（（Ｓ ｉ ＋−ｘ Ｚｒｘ ） ＋−ｙ
Ｇｅｙ ） ｌ−２Ｎｘ０、 １＜Ｘ＜０． ５ ０．０５＜Ｙ＜０．３ ０．３＜Ｚ＜０．６ （基体） 本発明においては、基体の形状、材質等には特に限定さ
ず、光記録媒体の透明基体として使用されるものならば
いかなるものでもよい。例えば、ガラス基板、樹脂基板
を用いればよい。また、樹脂としては、例えば、ポリカ
ーボネイト（ｐｃ）等を用いればよい。
Ｇｅｙ ） ｌ−２Ｎｘ０、 １＜Ｘ＜０． ５ ０．０５＜Ｙ＜０．３ ０．３＜Ｚ＜０．６ （基体） 本発明においては、基体の形状、材質等には特に限定さ
ず、光記録媒体の透明基体として使用されるものならば
いかなるものでもよい。例えば、ガラス基板、樹脂基板
を用いればよい。また、樹脂としては、例えば、ポリカ
ーボネイト（ｐｃ）等を用いればよい。
（記録層）
記録層としては、光情報記録媒体の記録層としての作用
を有するものであればすべて使用可能である。光磁気型
、層変化型、追記型のいずれでもよい。例えば光磁気型
の場合は、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｃｏ
、Ｇａ−Ｔｂ−Ｃｏ等の非晶質膜も使用できる。
を有するものであればすべて使用可能である。光磁気型
、層変化型、追記型のいずれでもよい。例えば光磁気型
の場合は、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｃｏ
、Ｇａ−Ｔｂ−Ｃｏ等の非晶質膜も使用できる。
［作用］
Ｓ １−Ｚｒ−Ｇｅ−Ｎ系の保護膜は、高温高湿下での
加速劣化試験を行フても剥離やクラックか生じにくく、
光情報記録媒体の信頼性を向上させることができる。
加速劣化試験を行フても剥離やクラックか生じにくく、
光情報記録媒体の信頼性を向上させることができる。
また、Ｓ １−Ｚｒ−Ｇｅ−Ｎ系の保護膜は、屈折率が
大きいのでカー・エンハンスメント効果によってＣ／Ｎ
比が高まり、また、吸収係数か小さいので再生効率が上
がる。
大きいのでカー・エンハンスメント効果によってＣ／Ｎ
比が高まり、また、吸収係数か小さいので再生効率が上
がる。
［実施例］
以下に実施例を比較例とともに説明する。
本例では基体としてＰＣ基板を用い、次の様にして保護
膜、記録層を基体上に形成し、光情報記録媒体を作製し
た。
膜、記録層を基体上に形成し、光情報記録媒体を作製し
た。
Ｚｒａ。Ｓｉ６゜合金上に必要に応じてＺｒおよびＧｅ
チップをのせたものをターゲットとし、（Ａｒ＋Ｎｚ）
ガス雰囲気下で反応スパッタを行い、ＰＣ基板上にＳ
１−Ｚｒ−Ｇｅ−Ｎ膜（保護膜）を作製した。Ｎ２分圧
は４０％、膜厚は７００人とした。
チップをのせたものをターゲットとし、（Ａｒ＋Ｎｚ）
ガス雰囲気下で反応スパッタを行い、ＰＣ基板上にＳ
１−Ｚｒ−Ｇｅ−Ｎ膜（保護膜）を作製した。Ｎ２分圧
は４０％、膜厚は７００人とした。
次に、ＴｂＦｅＣｏ焼結体をターゲットとしテＡ ｒ＄
囲気下でスパッタを行い、５ｉ−Ｚｒ−Ｇｅ−Ｎ膜上に
ＴｂＦｅＣｏ膜（記録層）を８００人形成した。
囲気下でスパッタを行い、５ｉ−Ｚｒ−Ｇｅ−Ｎ膜上に
ＴｂＦｅＣｏ膜（記録層）を８００人形成した。
最後に、初めの要領で５ｉ−Ｚｒ−Ｇｅ−Ｎ膜（保護膜
）を形成した。
）を形成した。
一方、比較例として以下の様にして光情報記録媒体を作
製した。
製した。
まず、Ｚｒ４ｏＳｉａ。ターゲット上にＺｒチップを適
宜のせたものを用い、（Ａｒ＋Ｎ２）ガス雰囲気下（Ｎ
２分圧２０％ンで反応スパッタを行い、５ｉ−Ｎ−Ｚｒ
膜（保護＠）を９００人、次にＴｂＦｅＣｏターゲット
を用いＡｒ雰囲気下でＴｂＦｅＣｏ１！（記録層）を８
００人、更に前述の条件でＳｉ−Ｎ−Ｚｒ膜（保護膜）
を９００人、順次成膜した。
宜のせたものを用い、（Ａｒ＋Ｎ２）ガス雰囲気下（Ｎ
２分圧２０％ンで反応スパッタを行い、５ｉ−Ｎ−Ｚｒ
膜（保護＠）を９００人、次にＴｂＦｅＣｏターゲット
を用いＡｒ雰囲気下でＴｂＦｅＣｏ１！（記録層）を８
００人、更に前述の条件でＳｉ−Ｎ−Ｚｒ膜（保護膜）
を９００人、順次成膜した。
実施例、比較例ともに各成膜はＲＦスパッタで行い、導
入ガス（Ａｒ、Ａｒ＋Ｎ２）圧は０． ７Ｐａとした。
入ガス（Ａｒ、Ａｒ＋Ｎ２）圧は０． ７Ｐａとした。
実施例、比較例における保護膜の組成を分析したところ
表１に示す組成を有していた。
表１に示す組成を有していた。
表１
（（Ｓ ｉ＋−ｘ Ｚｒｘ ） ＋−ｙ Ｇ
ｅｙ ） ｌ−ｚ Ｎｚ以上のようにして作製した
２種類の光情報記録媒体を、温度８０℃、相対湿度９０
％の高温高湿の雰囲気中に放置後、ビット・エラー・レ
ート（ＢＥＲ）の経時変化を測定した。その結果を第１
図に示す。
ｅｙ ） ｌ−ｚ Ｎｚ以上のようにして作製した
２種類の光情報記録媒体を、温度８０℃、相対湿度９０
％の高温高湿の雰囲気中に放置後、ビット・エラー・レ
ート（ＢＥＲ）の経時変化を測定した。その結果を第１
図に示す。
第１図から、５ｉ−Ｚｒ−Ｇｅ−Ｎ＠を保ｉｉａとして
使用した場合のＢＥＲの増加、すなわち、（ＢＥＲ（ｔ
）／ＢＥＲ（０）） （ＢＥＲ（ｔ）はｔ時間経過後
のＢＥＲを、ＢＥＲ（０）は初期のＢＥＲをそれぞれ示
す。）は、Ｓｉ−Ｎ−Ｚｒ膜を保護膜として使用した場
合のＢＥＲの増加に比べて大幅に少ないことがわかる。
使用した場合のＢＥＲの増加、すなわち、（ＢＥＲ（ｔ
）／ＢＥＲ（０）） （ＢＥＲ（ｔ）はｔ時間経過後
のＢＥＲを、ＢＥＲ（０）は初期のＢＥＲをそれぞれ示
す。）は、Ｓｉ−Ｎ−Ｚｒ膜を保護膜として使用した場
合のＢＥＲの増加に比べて大幅に少ないことがわかる。
また、Ｓ １−Ｚｒ−Ｇｅ−Ｎ膜を保護膜として使用し
た場合は、剥離・クランクについても発生率が減ってい
ることから、Ｓ １−Ｚｒ−Ｇｅ−Ｎ膜を保護膜として
用いることによって密着力が上がり保護特性が改善され
ていることがわかる。
た場合は、剥離・クランクについても発生率が減ってい
ることから、Ｓ １−Ｚｒ−Ｇｅ−Ｎ膜を保護膜として
用いることによって密着力が上がり保護特性が改善され
ていることがわかる。
５ｉ−Ｚｒ−Ｇｅ−Ｎをスライド・ガラス上にスパッタ
成膜し、エリプソ・メータで屈折率（ｎ）と吸収係数（
ｋ）を測定したところ、それぞれｎ＝２．４．に＝ｏで
あった。
成膜し、エリプソ・メータで屈折率（ｎ）と吸収係数（
ｋ）を測定したところ、それぞれｎ＝２．４．に＝ｏで
あった。
この様に、Ｓ １−Ｚｒ−Ｇｅ−Ｎ膜は屈折率が高く吸
収係数が小さいことから、カー・エンハンスメント効果
が大きく、信号特性の向上に寄与する。
収係数が小さいことから、カー・エンハンスメント効果
が大きく、信号特性の向上に寄与する。
［発明の効果］
本発明によれば、保護膜として密着力にすぐれたＳ １
−Ｚｒ−Ｇｅ−Ｎ膜を用いることにより、高温高湿下で
の加速劣化試験を行っても剥離やクラックが生しにくく
なり、光情報記録媒体の信頼性を向上させることができ
た。
−Ｚｒ−Ｇｅ−Ｎ膜を用いることにより、高温高湿下で
の加速劣化試験を行っても剥離やクラックが生しにくく
なり、光情報記録媒体の信頼性を向上させることができ
た。
また、屈折率が大きいので、カー・エンハンスメント効
果によってＣ／Ｎ比がより高まり、吸収係数が小さいの
で再生効率が上がる。
果によってＣ／Ｎ比がより高まり、吸収係数が小さいの
で再生効率が上がる。
第１図は、ビット・エラー・レートの経時変化を示すグ
ラフである。 積水化学工業株式会社 代表者 廣 １） 馨
ラフである。 積水化学工業株式会社 代表者 廣 １） 馨
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）基体上に、保護膜で保護された記録層が形成され
てなる光情報記録媒体において、該保護膜としてＳｉ−
Ｚｒ−Ｇｅ−Ｎ系の保護膜を使用することを特徴とする
光情報記録媒体。 （２）保護膜は下記の組成を有することを特徴とする請
求項１記載の光情報記録媒体。 ｛（Ｓｉ＿１＿−＿ＸＺｒ＿Ｘ）＿１＿−＿ＹＧｅ＿Ｙ
｝＿１＿−＿ＺＮ＿Ｚ０．１＜Ｘ＜０．５ ０．０５＜Ｙ＜０．３ ０．３＜Ｚ＜０．６
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2044106A JPH03248338A (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2044106A JPH03248338A (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03248338A true JPH03248338A (ja) | 1991-11-06 |
Family
ID=12682359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2044106A Pending JPH03248338A (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03248338A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6268034B1 (en) | 1998-08-05 | 2001-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and method for producing the same, method for recording and reproducing information thereon and recording/reproducing apparatus |
| US6343062B1 (en) | 1997-09-26 | 2002-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Optical disk device and optical disk for recording and reproducing high-density signals |
| US6388984B2 (en) | 1997-08-28 | 2002-05-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and its recording and reproducing method |
| US6503690B1 (en) | 1997-08-12 | 2003-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for producing the same, and method for recording and reproducing optical information |
| US6660451B1 (en) * | 1999-06-18 | 2003-12-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| US6821707B2 (en) * | 1996-03-11 | 2004-11-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
| US7169533B2 (en) | 2001-03-19 | 2007-01-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for manufacturing the same and recording/reproduction method |
-
1990
- 1990-02-23 JP JP2044106A patent/JPH03248338A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6821707B2 (en) * | 1996-03-11 | 2004-11-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
| US7037413B1 (en) | 1996-03-11 | 2006-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
| US6503690B1 (en) | 1997-08-12 | 2003-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for producing the same, and method for recording and reproducing optical information |
| US6388984B2 (en) | 1997-08-28 | 2002-05-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and its recording and reproducing method |
| US6343062B1 (en) | 1997-09-26 | 2002-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Optical disk device and optical disk for recording and reproducing high-density signals |
| US6268034B1 (en) | 1998-08-05 | 2001-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and method for producing the same, method for recording and reproducing information thereon and recording/reproducing apparatus |
| US6660451B1 (en) * | 1999-06-18 | 2003-12-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| US7169533B2 (en) | 2001-03-19 | 2007-01-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for manufacturing the same and recording/reproduction method |
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