JPH03248338A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JPH03248338A JPH03248338A JP2044106A JP4410690A JPH03248338A JP H03248338 A JPH03248338 A JP H03248338A JP 2044106 A JP2044106 A JP 2044106A JP 4410690 A JP4410690 A JP 4410690A JP H03248338 A JPH03248338 A JP H03248338A
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- protective film
- recording medium
- optical information
- information recording
- film
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- Pending
Links
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、光情報記録媒体に関する。
[従来の技術〕
光情報記録媒体の記録層は非常に酸化され易く、酸化を
防止すべく保護膜により保護することが行われる。その
保護膜として、従来、5iO5i02.Si3 N、な
どの誂電体が用いられてきた。これらの保護膜は、記録
層を保護すると同時に、基板に比べて高屈折率のものが
用いられることによって、カー・エンハンスメント効果
を起こし再生信号特性の向上に寄与する。また、吸収係
数の小さいものが用いられることによって再生効率を改
善することも期待される。
防止すべく保護膜により保護することが行われる。その
保護膜として、従来、5iO5i02.Si3 N、な
どの誂電体が用いられてきた。これらの保護膜は、記録
層を保護すると同時に、基板に比べて高屈折率のものが
用いられることによって、カー・エンハンスメント効果
を起こし再生信号特性の向上に寄与する。また、吸収係
数の小さいものが用いられることによって再生効率を改
善することも期待される。
上記保護膜以外にも、Si−N−Zrよりなる保護膜が
用いられるが、保護特性が比較的良いとされる5i−N
−Zrにおいてもその信頼性はいまだ充分とはいえない
。
用いられるが、保護特性が比較的良いとされる5i−N
−Zrにおいてもその信頼性はいまだ充分とはいえない
。
[発明が解決しようとする課B]
本発明の目的は、信頼性が高く、再生信号特性及び再生
効率に優れた光情報記録媒体を提供することである。
効率に優れた光情報記録媒体を提供することである。
[課題を解決するための手段]
本発明の光情報記録媒体は、基体上に、保護膜で保護さ
れた記録層が形成されてなる光情報記録媒体において、
該保護膜として5i−Zr−Ge−N系の保護膜を使用
することを特徴とする。
れた記録層が形成されてなる光情報記録媒体において、
該保護膜として5i−Zr−Ge−N系の保護膜を使用
することを特徴とする。
なお、保護膜の組成は下記の組成とすることが吸収係数
をより小さくし、再生効率をより一層高める上で好まし
い。
をより小さくし、再生効率をより一層高める上で好まし
い。
記
((S i +−x Zrx ) +−y
Gey ) l−2Nx0、 1<X<0. 5 0.05<Y<0.3 0.3<Z<0.6 (基体) 本発明においては、基体の形状、材質等には特に限定さ
ず、光記録媒体の透明基体として使用されるものならば
いかなるものでもよい。例えば、ガラス基板、樹脂基板
を用いればよい。また、樹脂としては、例えば、ポリカ
ーボネイト(pc)等を用いればよい。
Gey ) l−2Nx0、 1<X<0. 5 0.05<Y<0.3 0.3<Z<0.6 (基体) 本発明においては、基体の形状、材質等には特に限定さ
ず、光記録媒体の透明基体として使用されるものならば
いかなるものでもよい。例えば、ガラス基板、樹脂基板
を用いればよい。また、樹脂としては、例えば、ポリカ
ーボネイト(pc)等を用いればよい。
(記録層)
記録層としては、光情報記録媒体の記録層としての作用
を有するものであればすべて使用可能である。光磁気型
、層変化型、追記型のいずれでもよい。例えば光磁気型
の場合は、Tb−Fe−Co、Tb−Fe、Tb−Co
、Ga−Tb−Co等の非晶質膜も使用できる。
を有するものであればすべて使用可能である。光磁気型
、層変化型、追記型のいずれでもよい。例えば光磁気型
の場合は、Tb−Fe−Co、Tb−Fe、Tb−Co
、Ga−Tb−Co等の非晶質膜も使用できる。
[作用]
S 1−Zr−Ge−N系の保護膜は、高温高湿下での
加速劣化試験を行フても剥離やクラックか生じにくく、
光情報記録媒体の信頼性を向上させることができる。
加速劣化試験を行フても剥離やクラックか生じにくく、
光情報記録媒体の信頼性を向上させることができる。
また、S 1−Zr−Ge−N系の保護膜は、屈折率が
大きいのでカー・エンハンスメント効果によってC/N
比が高まり、また、吸収係数か小さいので再生効率が上
がる。
大きいのでカー・エンハンスメント効果によってC/N
比が高まり、また、吸収係数か小さいので再生効率が上
がる。
[実施例]
以下に実施例を比較例とともに説明する。
本例では基体としてPC基板を用い、次の様にして保護
膜、記録層を基体上に形成し、光情報記録媒体を作製し
た。
膜、記録層を基体上に形成し、光情報記録媒体を作製し
た。
Zra。Si6゜合金上に必要に応じてZrおよびGe
チップをのせたものをターゲットとし、(Ar+Nz)
ガス雰囲気下で反応スパッタを行い、PC基板上にS
1−Zr−Ge−N膜(保護膜)を作製した。N2分圧
は40%、膜厚は700人とした。
チップをのせたものをターゲットとし、(Ar+Nz)
ガス雰囲気下で反応スパッタを行い、PC基板上にS
1−Zr−Ge−N膜(保護膜)を作製した。N2分圧
は40%、膜厚は700人とした。
次に、TbFeCo焼結体をターゲットとしテA r$
囲気下でスパッタを行い、5i−Zr−Ge−N膜上に
TbFeCo膜(記録層)を800人形成した。
囲気下でスパッタを行い、5i−Zr−Ge−N膜上に
TbFeCo膜(記録層)を800人形成した。
最後に、初めの要領で5i−Zr−Ge−N膜(保護膜
)を形成した。
)を形成した。
一方、比較例として以下の様にして光情報記録媒体を作
製した。
製した。
まず、Zr4oSia。ターゲット上にZrチップを適
宜のせたものを用い、(Ar+N2)ガス雰囲気下(N
2分圧20%ンで反応スパッタを行い、5i−N−Zr
膜(保護@)を900人、次にTbFeCoターゲット
を用いAr雰囲気下でTbFeCo1!(記録層)を8
00人、更に前述の条件でSi−N−Zr膜(保護膜)
を900人、順次成膜した。
宜のせたものを用い、(Ar+N2)ガス雰囲気下(N
2分圧20%ンで反応スパッタを行い、5i−N−Zr
膜(保護@)を900人、次にTbFeCoターゲット
を用いAr雰囲気下でTbFeCo1!(記録層)を8
00人、更に前述の条件でSi−N−Zr膜(保護膜)
を900人、順次成膜した。
実施例、比較例ともに各成膜はRFスパッタで行い、導
入ガス(Ar、Ar+N2)圧は0. 7Paとした。
入ガス(Ar、Ar+N2)圧は0. 7Paとした。
実施例、比較例における保護膜の組成を分析したところ
表1に示す組成を有していた。
表1に示す組成を有していた。
表1
((S i+−x Zrx ) +−y G
ey ) l−z Nz以上のようにして作製した
2種類の光情報記録媒体を、温度80℃、相対湿度90
%の高温高湿の雰囲気中に放置後、ビット・エラー・レ
ート(BER)の経時変化を測定した。その結果を第1
図に示す。
ey ) l−z Nz以上のようにして作製した
2種類の光情報記録媒体を、温度80℃、相対湿度90
%の高温高湿の雰囲気中に放置後、ビット・エラー・レ
ート(BER)の経時変化を測定した。その結果を第1
図に示す。
第1図から、5i−Zr−Ge−N@を保iiaとして
使用した場合のBERの増加、すなわち、(BER(t
)/BER(0)) (BER(t)はt時間経過後
のBERを、BER(0)は初期のBERをそれぞれ示
す。)は、Si−N−Zr膜を保護膜として使用した場
合のBERの増加に比べて大幅に少ないことがわかる。
使用した場合のBERの増加、すなわち、(BER(t
)/BER(0)) (BER(t)はt時間経過後
のBERを、BER(0)は初期のBERをそれぞれ示
す。)は、Si−N−Zr膜を保護膜として使用した場
合のBERの増加に比べて大幅に少ないことがわかる。
また、S 1−Zr−Ge−N膜を保護膜として使用し
た場合は、剥離・クランクについても発生率が減ってい
ることから、S 1−Zr−Ge−N膜を保護膜として
用いることによって密着力が上がり保護特性が改善され
ていることがわかる。
た場合は、剥離・クランクについても発生率が減ってい
ることから、S 1−Zr−Ge−N膜を保護膜として
用いることによって密着力が上がり保護特性が改善され
ていることがわかる。
5i−Zr−Ge−Nをスライド・ガラス上にスパッタ
成膜し、エリプソ・メータで屈折率(n)と吸収係数(
k)を測定したところ、それぞれn=2.4.に=oで
あった。
成膜し、エリプソ・メータで屈折率(n)と吸収係数(
k)を測定したところ、それぞれn=2.4.に=oで
あった。
この様に、S 1−Zr−Ge−N膜は屈折率が高く吸
収係数が小さいことから、カー・エンハンスメント効果
が大きく、信号特性の向上に寄与する。
収係数が小さいことから、カー・エンハンスメント効果
が大きく、信号特性の向上に寄与する。
[発明の効果]
本発明によれば、保護膜として密着力にすぐれたS 1
−Zr−Ge−N膜を用いることにより、高温高湿下で
の加速劣化試験を行っても剥離やクラックが生しにくく
なり、光情報記録媒体の信頼性を向上させることができ
た。
−Zr−Ge−N膜を用いることにより、高温高湿下で
の加速劣化試験を行っても剥離やクラックが生しにくく
なり、光情報記録媒体の信頼性を向上させることができ
た。
また、屈折率が大きいので、カー・エンハンスメント効
果によってC/N比がより高まり、吸収係数が小さいの
で再生効率が上がる。
果によってC/N比がより高まり、吸収係数が小さいの
で再生効率が上がる。
第1図は、ビット・エラー・レートの経時変化を示すグ
ラフである。 積水化学工業株式会社 代表者 廣 1) 馨
ラフである。 積水化学工業株式会社 代表者 廣 1) 馨
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)基体上に、保護膜で保護された記録層が形成され
てなる光情報記録媒体において、該保護膜としてSi−
Zr−Ge−N系の保護膜を使用することを特徴とする
光情報記録媒体。 (2)保護膜は下記の組成を有することを特徴とする請
求項1記載の光情報記録媒体。 {(Si_1_−_XZr_X)_1_−_YGe_Y
}_1_−_ZN_Z0.1<X<0.5 0.05<Y<0.3 0.3<Z<0.6
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2044106A JPH03248338A (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2044106A JPH03248338A (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03248338A true JPH03248338A (ja) | 1991-11-06 |
Family
ID=12682359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2044106A Pending JPH03248338A (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03248338A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6268034B1 (en) | 1998-08-05 | 2001-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and method for producing the same, method for recording and reproducing information thereon and recording/reproducing apparatus |
US6343062B1 (en) | 1997-09-26 | 2002-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Optical disk device and optical disk for recording and reproducing high-density signals |
US6388984B2 (en) | 1997-08-28 | 2002-05-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and its recording and reproducing method |
US6503690B1 (en) | 1997-08-12 | 2003-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for producing the same, and method for recording and reproducing optical information |
US6660451B1 (en) * | 1999-06-18 | 2003-12-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium |
US6821707B2 (en) * | 1996-03-11 | 2004-11-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
US7169533B2 (en) | 2001-03-19 | 2007-01-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for manufacturing the same and recording/reproduction method |
-
1990
- 1990-02-23 JP JP2044106A patent/JPH03248338A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6821707B2 (en) * | 1996-03-11 | 2004-11-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
US7037413B1 (en) | 1996-03-11 | 2006-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
US6503690B1 (en) | 1997-08-12 | 2003-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for producing the same, and method for recording and reproducing optical information |
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US6343062B1 (en) | 1997-09-26 | 2002-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Optical disk device and optical disk for recording and reproducing high-density signals |
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