JPH0324768A - バイパスダイオード付太陽電池 - Google Patents
バイパスダイオード付太陽電池Info
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- JPH0324768A JPH0324768A JP1160543A JP16054389A JPH0324768A JP H0324768 A JPH0324768 A JP H0324768A JP 1160543 A JP1160543 A JP 1160543A JP 16054389 A JP16054389 A JP 16054389A JP H0324768 A JPH0324768 A JP H0324768A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/142—Energy conversion devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、太陽電池セルに逆バイアス電圧が印加された
とき、太陽電池セルの破壊を防止する手段に関するもの
である。
とき、太陽電池セルの破壊を防止する手段に関するもの
である。
（従来の技術）
一般に太陽光を利用した発電装置は、第６図に示される
ように、個々の太陽電池セル１０．１１，１２．１８等
を並列に接続してサブモジューノレ３０を構成し、これ
と直列に、太陽電池セル１０−１．１１−１．１２−１
．１８−１等からなるサブモジュール８１、太陽電池セ
ル１０−２． １１−２． １２−２． １８ −２等
からなるサブモジュール８２等を接続して、太陽電池ア
レイ（以下アレイという）を構戊し、これに負荷Ｌを接
続するようになっている。このアレイに光が入射してい
るとき、アレイの周辺の構造物の影がアレイを構或する
太陽電池セル（以下セルという）群の一部に投影され、
セルが遮光されると、遮光されたセルが逆方向にバイア
スされ、この逆バイアスが大きい場合は、逆バイアスさ
れたセルが破壊され、プレイの発電性能が低下する。
ように、個々の太陽電池セル１０．１１，１２．１８等
を並列に接続してサブモジューノレ３０を構成し、これ
と直列に、太陽電池セル１０−１．１１−１．１２−１
．１８−１等からなるサブモジュール８１、太陽電池セ
ル１０−２． １１−２． １２−２． １８ −２等
からなるサブモジュール８２等を接続して、太陽電池ア
レイ（以下アレイという）を構戊し、これに負荷Ｌを接
続するようになっている。このアレイに光が入射してい
るとき、アレイの周辺の構造物の影がアレイを構或する
太陽電池セル（以下セルという）群の一部に投影され、
セルが遮光されると、遮光されたセルが逆方向にバイア
スされ、この逆バイアスが大きい場合は、逆バイアスさ
れたセルが破壊され、プレイの発電性能が低下する。
この逆バイアスを防止するため、サブモジュールあるい
はセルの起電力の方向と逆方向にダイオードを接続し、
セルの逆バイアスをバイパスする手段が用いられている
。第７図＜ａ＞はセル１０，１１，１２．１８等よりな
るサブモジュールに対してパイバスダイオードＤを１個
逆方向に並列に接続した一例であり、第７図（ｂ）は、
各セル１０，１１，１２，１８のそれぞれに、パイバス
ダイオードＤＩ，Ｄ２，ＤＢ，Ｄ４を逆方向に並列に接
続した一例である。
はセルの起電力の方向と逆方向にダイオードを接続し、
セルの逆バイアスをバイパスする手段が用いられている
。第７図＜ａ＞はセル１０，１１，１２．１８等よりな
るサブモジュールに対してパイバスダイオードＤを１個
逆方向に並列に接続した一例であり、第７図（ｂ）は、
各セル１０，１１，１２，１８のそれぞれに、パイバス
ダイオードＤＩ，Ｄ２，ＤＢ，Ｄ４を逆方向に並列に接
続した一例である。
これらは何れもセル及びダイオードが個別部品として供
給されており、個々のセルあるいはサブモジュールにダ
イオードを接続していた。
給されており、個々のセルあるいはサブモジュールにダ
イオードを接続していた。
他の技術としては、セルの受光面の反対側に、セルの基
板を共有する形でダイオードを形威し、パイバスダイオ
ードとして機能させるものがある。
板を共有する形でダイオードを形威し、パイバスダイオ
ードとして機能させるものがある。
第８図はその一例の略断面図である。Ｐ型のシリコン基
板２０の一方の面にＮ型の拡散層２１を形威しその一部
に電極２４が設けられている。拡散層２１の側から受光
し、ＰＮ接合により発電される。他方の面にメサを形威
しその表面にＮ型拡散層２２を形威しその表面に電極２
８を設ける。図示されていないがＰ型シリコン基板２０
０表面の一部に隣接する他のセルに接続するための電極
が設けられている。この等価回路は第９図に示される。
板２０の一方の面にＮ型の拡散層２１を形威しその一部
に電極２４が設けられている。拡散層２１の側から受光
し、ＰＮ接合により発電される。他方の面にメサを形威
しその表面にＮ型拡散層２２を形威しその表面に電極２
８を設ける。図示されていないがＰ型シリコン基板２０
０表面の一部に隣接する他のセルに接続するための電極
が設けられている。この等価回路は第９図に示される。
セルＳＣのプラス側はパイバスダイオードＢＤのマイナ
ス側に接続され、セルＳＣのマイナス側とパイバスダイ
オードＢＤのプラス側とは開放されでいる。このような
三端子のセルは＠１０図（ａ），（ｂ）のように接続さ
れる。第ｌＯ図（．）はセル３個を直列に接続した場合
の斜ネ見図である。第１の太陽電池ｌのマイナス側と、
第２の太陽電池２のプラス側とはリード線２５により接
続され、第２の太陽電池２のマイナス側と第８の太陽電
池８のプラス側も同様にリード線２５により接続されて
いる。
ス側に接続され、セルＳＣのマイナス側とパイバスダイ
オードＢＤのプラス側とは開放されでいる。このような
三端子のセルは＠１０図（ａ），（ｂ）のように接続さ
れる。第ｌＯ図（．）はセル３個を直列に接続した場合
の斜ネ見図である。第１の太陽電池ｌのマイナス側と、
第２の太陽電池２のプラス側とはリード線２５により接
続され、第２の太陽電池２のマイナス側と第８の太陽電
池８のプラス側も同様にリード線２５により接続されて
いる。
両端のリードＩｌｊ２７，２Ｂは負荷に接続される。
第１の太１ｍ！池１の表面のプラス側と、第２の太陽電
池２０表面のＮ型拡散層２２とは、リード線２６により
接続され、第２の太陽電池２０表面のプラス側と、第８
の太陽電池８０表面のＮ型拡散層２２とも、同様にリー
ド線２６により接続されている。この等価回路は第１０
図（ｂ）に示されるようになる。第２の太陽電池２の表
面に形成されたＮ型拡散層２２とＰ型のシリコン基板２
０とよりなるパイバスダイオードＡは、第１の太陽電池
１のバイパスとなり、第８の太陽電池８の表面に形成さ
れたパイバスダイオードＢは、第２の太陽電池２のバイ
パスとなる。従って、直列に接続された最終の第８の太
陽電池３には、これに逆方向に個別のダイオードＣを並
列に接続しなければならない。
池２０表面のＮ型拡散層２２とは、リード線２６により
接続され、第２の太陽電池２０表面のプラス側と、第８
の太陽電池８０表面のＮ型拡散層２２とも、同様にリー
ド線２６により接続されている。この等価回路は第１０
図（ｂ）に示されるようになる。第２の太陽電池２の表
面に形成されたＮ型拡散層２２とＰ型のシリコン基板２
０とよりなるパイバスダイオードＡは、第１の太陽電池
１のバイパスとなり、第８の太陽電池８の表面に形成さ
れたパイバスダイオードＢは、第２の太陽電池２のバイ
パスとなる。従って、直列に接続された最終の第８の太
陽電池３には、これに逆方向に個別のダイオードＣを並
列に接続しなければならない。
（発明が解決しようとする課題）
第７図（ａ）（ｂ）に示されるように、個別のダイオー
ドを接続する方法は、セルとダイオードを接続する配線
が必要であり、配線のための工数も必要でコストが上昇
する。″！た、個別のダイオードや配線用のワイヤーが
セル表面より突出することがある。このような突出物は
、宇宙用の太陽電池アレイのように折りたたむ必要のあ
る場合には、都合が悪い。
ドを接続する方法は、セルとダイオードを接続する配線
が必要であり、配線のための工数も必要でコストが上昇
する。″！た、個別のダイオードや配線用のワイヤーが
セル表面より突出することがある。このような突出物は
、宇宙用の太陽電池アレイのように折りたたむ必要のあ
る場合には、都合が悪い。
また、第８図及び第１０図（ａ）（ｂ）Ｋ示されるよう
な、三端子接続となるパイバスダイオード付太陽電池は
、接続が複雑となり、直列接続の最終端となるセルには
、個別ダイオードを使用しなければならない。第７図（
ａ）（ｂ）の場合と同様に、突出物により不都合も生ず
る。
な、三端子接続となるパイバスダイオード付太陽電池は
、接続が複雑となり、直列接続の最終端となるセルには
、個別ダイオードを使用しなければならない。第７図（
ａ）（ｂ）の場合と同様に、突出物により不都合も生ず
る。
（課題を解決するための手段）
本発明においては、前述の欠点を除去するため、シリコ
ンのような半導体基板に充電変換用のＰＮ接合とバイパ
ス用のＰＮ接合とを一体に形成し、充電変換用のＰＮ接
合に逆バイアスが印加されたときバイパス用のＰＮ接合
が順方向になるように接続し、かつバイパス用ＰＮ接合
は遮光されるようにした。
ンのような半導体基板に充電変換用のＰＮ接合とバイパ
ス用のＰＮ接合とを一体に形成し、充電変換用のＰＮ接
合に逆バイアスが印加されたときバイパス用のＰＮ接合
が順方向になるように接続し、かつバイパス用ＰＮ接合
は遮光されるようにした。
（作 用）
本発明によれば、個々のセル毎にパイバスダイオードが
設けられているので、逆バイアスがかけられたときは個
々のセル毎にバイパスされる。それぞれのセルは端子が
２個あればよいから、突出物がなくなる。
設けられているので、逆バイアスがかけられたときは個
々のセル毎にバイパスされる。それぞれのセルは端子が
２個あればよいから、突出物がなくなる。
（実施例）
第１図（ａ）は本発明の一実施例の略断面図であり、第
１図（ｂ）はその平面図である。第１図（ａ）に示され
るように、Ｐ型シリコン基板６１の一方の面にＮ＋型拡
散層６２を形或する。これらが光電変換用のＰＮ接合を
構或する。Ｐ型シリコン基板６ｌの一部に、一方の面か
ら他方の面に至るＮ型拡散領域６Ｂを形或し、その一方
の面にＰ型拡散層６４が形成され、この両者でバイパス
用のＰＮ接合が構成される。Ｎ十型拡散層６２０表面は
、反射防止膜６６によって被覆されている。Ｎ十型拡散
層６２の一部とＰ型拡散層６４とは表面電極６７により
接続されている。Ｐ型シリコン基板６ｌの他方の面は、
Ｎ型拡散領域６３を含む全面に裏面′ｒｔ極６８が設け
られている。６５は酸化膜であって、セルの表面を保護
している。第１図（ｂ）はその平面図であって、Ｎ型拡
散領域６Ｂ及びＰ型拡散層６４は、Ｐ型シリコン基板６
１の一部に形或され、表面電極６７ぱ櫛型にされており
、Ｎ十型拡散層６２及びＰ型拡散ＮＪ６ ４ｉ接続して
いる。従って、このＰ型シリコン基板６１には、光電変
換用のＰＮ接合と、バイパス用のＰＮ接合とが、逆方向
に並列に一体に形或され、外部との接続は表面ｔ極６７
と裏面電極６８との二個の電極を介して行われ、二端子
構造となる。なおバイパス用のＰＮ接合は表面電極６７
によって遮光されている。
１図（ｂ）はその平面図である。第１図（ａ）に示され
るように、Ｐ型シリコン基板６１の一方の面にＮ＋型拡
散層６２を形或する。これらが光電変換用のＰＮ接合を
構或する。Ｐ型シリコン基板６ｌの一部に、一方の面か
ら他方の面に至るＮ型拡散領域６Ｂを形或し、その一方
の面にＰ型拡散層６４が形成され、この両者でバイパス
用のＰＮ接合が構成される。Ｎ十型拡散層６２０表面は
、反射防止膜６６によって被覆されている。Ｎ十型拡散
層６２の一部とＰ型拡散層６４とは表面電極６７により
接続されている。Ｐ型シリコン基板６ｌの他方の面は、
Ｎ型拡散領域６３を含む全面に裏面′ｒｔ極６８が設け
られている。６５は酸化膜であって、セルの表面を保護
している。第１図（ｂ）はその平面図であって、Ｎ型拡
散領域６Ｂ及びＰ型拡散層６４は、Ｐ型シリコン基板６
１の一部に形或され、表面電極６７ぱ櫛型にされており
、Ｎ十型拡散層６２及びＰ型拡散ＮＪ６ ４ｉ接続して
いる。従って、このＰ型シリコン基板６１には、光電変
換用のＰＮ接合と、バイパス用のＰＮ接合とが、逆方向
に並列に一体に形或され、外部との接続は表面ｔ極６７
と裏面電極６８との二個の電極を介して行われ、二端子
構造となる。なおバイパス用のＰＮ接合は表面電極６７
によって遮光されている。
この等価回路は第２図に示される。正常な動作状態では
、Ｐ型シリコン基板６１とＮ十型拡散層６２との間のＰ
Ｎ接合は順方向バイアスとなり、Ｐ型シリコン基板６ｌ
をプラス、Ｎ十型拡散層６２をマイナスとする起電力を
発生する。従って、Ｎ＋型拡散層６２と接続されている
Ｐ型拡散層６４はマイナス、裏面電極６８によりＰ型シ
リコン基板６１に接続されるＮ型拡散領域６８はプラス
となる。なか、シリコン基板６１とＮ型拡散領域６８と
の間にできる寄生ＰＮ接合ＤＳＣは裏面電極６８により
短絡されてかり、このときバイパス用のＰＮ接合は表面
電極６７によって遮光されているから、パイバスダイオ
ードＢＤは、光起電力を発生せず、良好な逆方向を保持
しており、光電変換用のＰＮ接合の起電力には影響を与
えない。すなわち、免２図のパイバスダイオードＢＤに
は、セルＳＣにより逆バイアスとなり、セルＳＣから光
起電力を取り出すことができる。このセルＳＣが第６図
の７レイとして組み立てられて使用される時、一部のセ
ルＳＣが何等かの原因で発電を停止した場合は、発電を
停止していないセルＳＣや負荷のノくツテリー等より発
電を停止したセルＳＣには逆ノ｛イアスが印加される。
、Ｐ型シリコン基板６１とＮ十型拡散層６２との間のＰ
Ｎ接合は順方向バイアスとなり、Ｐ型シリコン基板６ｌ
をプラス、Ｎ十型拡散層６２をマイナスとする起電力を
発生する。従って、Ｎ＋型拡散層６２と接続されている
Ｐ型拡散層６４はマイナス、裏面電極６８によりＰ型シ
リコン基板６１に接続されるＮ型拡散領域６８はプラス
となる。なか、シリコン基板６１とＮ型拡散領域６８と
の間にできる寄生ＰＮ接合ＤＳＣは裏面電極６８により
短絡されてかり、このときバイパス用のＰＮ接合は表面
電極６７によって遮光されているから、パイバスダイオ
ードＢＤは、光起電力を発生せず、良好な逆方向を保持
しており、光電変換用のＰＮ接合の起電力には影響を与
えない。すなわち、免２図のパイバスダイオードＢＤに
は、セルＳＣにより逆バイアスとなり、セルＳＣから光
起電力を取り出すことができる。このセルＳＣが第６図
の７レイとして組み立てられて使用される時、一部のセ
ルＳＣが何等かの原因で発電を停止した場合は、発電を
停止していないセルＳＣや負荷のノくツテリー等より発
電を停止したセルＳＣには逆ノ｛イアスが印加される。
その結果、パイバスダイオードＢＤには、順方向のバイ
アスが印加されるから、セルＳＣにはパイバスダイオー
ドＢＤｏ順方向以上の電圧が印加されない。
アスが印加されるから、セルＳＣにはパイバスダイオー
ドＢＤｏ順方向以上の電圧が印加されない。
このようなパイバスダイオード付太陽電池セルは、以下
のようにして製造される。第８図（ａ）〜（ｋ）はその
一例であって、一枚のシリコン基板に多数のセルを形成
し、ダイシングにより個々のセルを取り出すものである
。
のようにして製造される。第８図（ａ）〜（ｋ）はその
一例であって、一枚のシリコン基板に多数のセルを形成
し、ダイシングにより個々のセルを取り出すものである
。
１ず、第３図（ａ）に示されるようにＰ型シリコン基板
６１の両面に酸化膜６５．６５を形或し、次に第８図（
ｂ）に示されるように、パイバスダイオード形成予定領
域に釦いて、ホトエッチングにより、穴７１．７１・・
・を設ける。次に第８図（Ｃ）に示されるように、穴７
１，７１・・・の部分に、片側から又は両面からＮ型不
純物を拡散し、Ｐ型シリコン基板６１をｊｊ通するＮ型
拡散領域６３を形或する。
６１の両面に酸化膜６５．６５を形或し、次に第８図（
ｂ）に示されるように、パイバスダイオード形成予定領
域に釦いて、ホトエッチングにより、穴７１．７１・・
・を設ける。次に第８図（Ｃ）に示されるように、穴７
１，７１・・・の部分に、片側から又は両面からＮ型不
純物を拡散し、Ｐ型シリコン基板６１をｊｊ通するＮ型
拡散領域６３を形或する。
その後穴７１ ．７１は再び酸化膜６５によって覆われ
る。
る。
次に第３図（ｄ）に示されるように、Ｎ型拡散領域６８
の表面の酸化膜６５の一方の面に、ホトエッチングによ
り穴７２．７２を形或する。Ｐ型シリコン基板６１の他
方の面は、全面にわたり酸化膜６６によって覆われてい
る。
の表面の酸化膜６５の一方の面に、ホトエッチングによ
り穴７２．７２を形或する。Ｐ型シリコン基板６１の他
方の面は、全面にわたり酸化膜６６によって覆われてい
る。
次に第８図（ｅ）に示されるように、穴７２ ． ７２
からＰ型不純物を拡散することにより、Ｐ型拡散層６４
．６４が形威され、その後穴７２．７２は再び酸化膜６
５によって覆われる。
からＰ型不純物を拡散することにより、Ｐ型拡散層６４
．６４が形威され、その後穴７２．７２は再び酸化膜６
５によって覆われる。
次に第８図（ｆ）に示されるように、光電変換の予定領
域の酸化膜６５の一方の面に、ホトエッチングにより穴
７８を形或する。
域の酸化膜６５の一方の面に、ホトエッチングにより穴
７８を形或する。
次に第８図（ｇ）に示されるように、穴７３からＮ型不
純物を拡散してＮ＋型拡散層６２を形成する。
純物を拡散してＮ＋型拡散層６２を形成する。
その表面は酸化して酸化膜６５によって覆われる。
次に第８図＜ｂ＞に示されるように、Ｎ＋型拡散層６２
及びＰ型拡散層６４の表面の酸化膜６５に、ホトエッチ
ングにより、それぞれ穴７４ ．７５を形成する。そし
て、裏面の酸化膜６５も除去する。
及びＰ型拡散層６４の表面の酸化膜６５に、ホトエッチ
ングにより、それぞれ穴７４ ．７５を形成する。そし
て、裏面の酸化膜６５も除去する。
次に第８図（１）に示されるように、後の工程の電極形
或時に必要な部分等をマスキングして反射防止膜６６，
６６を形或する。
或時に必要な部分等をマスキングして反射防止膜６６，
６６を形或する。
次に第８図（ｊ）に示されるように、Ｎ＋型拡散層６２
の一部とＰ型拡散層６４とを接続する表面電極６７と、
Ｎ型拡散領域６８の他方の面を含むＰ型シリコン基板６
１の他方の面を覆う裏面電極６８とを真空蒸着により形
成する。
の一部とＰ型拡散層６４とを接続する表面電極６７と、
Ｎ型拡散領域６８の他方の面を含むＰ型シリコン基板６
１の他方の面を覆う裏面電極６８とを真空蒸着により形
成する。
次に第８図（ｋ）に示されるように、表面電極６７の右
側の一点鎖線７６に沿って切断すると、第１図（ａ）
， （ｂ）に示されるようなパイバスダイオード付太陽
電池が得られる。
側の一点鎖線７６に沿って切断すると、第１図（ａ）
， （ｂ）に示されるようなパイバスダイオード付太陽
電池が得られる。
第１図（ａ） ， （ｂ）に示される実施例では、光電
変換部のＮ＋型拡散層６２がプレーナ拡散となっている
が、このＮ＋型拡散層はメサ型の領域とすることもでき
る。
変換部のＮ＋型拡散層６２がプレーナ拡散となっている
が、このＮ＋型拡散層はメサ型の領域とすることもでき
る。
第４図は他の実施例の略断面図である。第１図（ａ）（
ｂ）における実施例と異なる所はＮ型拡散領域６８−１
であって、本実施例においては、Ｐ型シリコン基板６ｌ
の受光面側の表面の一部に形或さ′れ、このＮ型拡散領
域６Ｂ−１とＰ型シリコン基板６ｌとは、他の電極とは
別に設けた接合短絡部８０Ｋよって接続されている。第
１図（ａ）（ｂ）の実施例においてはＮ型拡散領域６８
がＰ型シリコン基板６１の一方の面から他方の面へ貫通
し、Ｎ型拡散領域６８とＰ型シリコン基板６１とは裏面
電極６８によって短絡されるようになっていた。この実
施例の場合は、表面から光が入射し、パイバスダイオー
ド部分において光電変換が行われるおそれがあるので、
ダイオード特性を良好に保つため、使用に際しては遮光
の必要がある。
ｂ）における実施例と異なる所はＮ型拡散領域６８−１
であって、本実施例においては、Ｐ型シリコン基板６ｌ
の受光面側の表面の一部に形或さ′れ、このＮ型拡散領
域６Ｂ−１とＰ型シリコン基板６ｌとは、他の電極とは
別に設けた接合短絡部８０Ｋよって接続されている。第
１図（ａ）（ｂ）の実施例においてはＮ型拡散領域６８
がＰ型シリコン基板６１の一方の面から他方の面へ貫通
し、Ｎ型拡散領域６８とＰ型シリコン基板６１とは裏面
電極６８によって短絡されるようになっていた。この実
施例の場合は、表面から光が入射し、パイバスダイオー
ド部分において光電変換が行われるおそれがあるので、
ダイオード特性を良好に保つため、使用に際しては遮光
の必要がある。
第５図（ａ）は更に他の実施例の略断面図であって、い
わゆるラップアラウンドセルに実施したものである。Ｐ
型シリコン基板１０１の一方の面にはＮ＋型拡散層１０
２が形成されその端面を覆うように酸化膜１０５が形成
されている。この下面の酸化膜１０５の内面にＮ型拡散
領域１０Ｂを形成しその一部にＰ型拡散層１０４を形或
する。Ｎ＋型拡散層１０２の表面の大部分は反射防止膜
１０６で覆われ、表面の一部に設けた表面電極１０７は
下面に延長され、その一部は酸化膜１０５を貫通してＰ
型拡散層１０４と接続される。Ｐ型シリコン基板１０１
の一部とＮ型拡散領域１０Ｂとは、酸化膜１０５を貫通
する接合短絡部１０９によって接続される。Ｐ型シリコ
ン基板１０１の他の部分は裏面電極１０８によって覆わ
れている。このような構造によって、アセンブリーコス
トが低減される。第５図（ｂ）はその平面図である。
わゆるラップアラウンドセルに実施したものである。Ｐ
型シリコン基板１０１の一方の面にはＮ＋型拡散層１０
２が形成されその端面を覆うように酸化膜１０５が形成
されている。この下面の酸化膜１０５の内面にＮ型拡散
領域１０Ｂを形成しその一部にＰ型拡散層１０４を形或
する。Ｎ＋型拡散層１０２の表面の大部分は反射防止膜
１０６で覆われ、表面の一部に設けた表面電極１０７は
下面に延長され、その一部は酸化膜１０５を貫通してＰ
型拡散層１０４と接続される。Ｐ型シリコン基板１０１
の一部とＮ型拡散領域１０Ｂとは、酸化膜１０５を貫通
する接合短絡部１０９によって接続される。Ｐ型シリコ
ン基板１０１の他の部分は裏面電極１０８によって覆わ
れている。このような構造によって、アセンブリーコス
トが低減される。第５図（ｂ）はその平面図である。
（発明の効果）
以上に詳述したように、本発明によればセルに逆バイア
スが印加されたときにバイパスを構或するダイオードを
シリコン基板中に一体に内蔵して＞リ、二端子で他のセ
ルと結合できるから、モジュールの組立が簡単になる。
スが印加されたときにバイパスを構或するダイオードを
シリコン基板中に一体に内蔵して＞リ、二端子で他のセ
ルと結合できるから、モジュールの組立が簡単になる。
１た、パイバスダイオードを表面電極の背面に形或する
ことができるから、受光面の面積に影響することがない
。
ことができるから、受光面の面積に影響することがない
。
第１図（ａ）は本発明の一実施例の略断面図、同図（ｂ
）はその平面図、第２図はその等価回路図、第８図（ａ
）〜（ｋ）はその製造工程を示す略断面図、第４図は他
の実施例の略断面図、第５図（ａ）はその他の実施例の
略断面図、同図（ｂ）はその平面図、第６図は一般の太
陽光発電装置のブロック図、第７図（ａ），（ｂ）はそ
れぞれパイバスダイオードの取付の例を示すブロック図
、第８図は従来のパイバスダイオード付太陽電池の一例
の略断面図、第９図はその等価回路、第１０図（ａ）は
第８図の太陽電池の接続を示す斜視図、同図（ｂ）はそ
の等価回路である。 ６ｌ・・・Ｐ型シリコン基板、６２・・・Ｎ十型拡散層
、６３・・・Ｎ型拡散領域、６４・・・Ｐ型拡散層、６
５・・・酸化膜、６６・・・反射防止膜、６７・・・表
面ＷＬ極、６８・・・裏面電極、８０・・・接合短絡部
、１０１・・・Ｐ型シリコン基板、１０２・・・Ｎ十型
拡散層、１０８・・・Ｎ型拡散領域、１０４・・・Ｐ型
拡散層、１０５・・・酸化膜、１０６・・・反射防止膜
、１０７・・・表面ｉ！！極、１０８・・・裏面電極、
１０９・・・接合短絡部蘂３ 図 某２ 図 憂４−図 菓 ３ 図 墨 ６ 図
）はその平面図、第２図はその等価回路図、第８図（ａ
）〜（ｋ）はその製造工程を示す略断面図、第４図は他
の実施例の略断面図、第５図（ａ）はその他の実施例の
略断面図、同図（ｂ）はその平面図、第６図は一般の太
陽光発電装置のブロック図、第７図（ａ），（ｂ）はそ
れぞれパイバスダイオードの取付の例を示すブロック図
、第８図は従来のパイバスダイオード付太陽電池の一例
の略断面図、第９図はその等価回路、第１０図（ａ）は
第８図の太陽電池の接続を示す斜視図、同図（ｂ）はそ
の等価回路である。 ６ｌ・・・Ｐ型シリコン基板、６２・・・Ｎ十型拡散層
、６３・・・Ｎ型拡散領域、６４・・・Ｐ型拡散層、６
５・・・酸化膜、６６・・・反射防止膜、６７・・・表
面ＷＬ極、６８・・・裏面電極、８０・・・接合短絡部
、１０１・・・Ｐ型シリコン基板、１０２・・・Ｎ十型
拡散層、１０８・・・Ｎ型拡散領域、１０４・・・Ｐ型
拡散層、１０５・・・酸化膜、１０６・・・反射防止膜
、１０７・・・表面ｉ！！極、１０８・・・裏面電極、
１０９・・・接合短絡部蘂３ 図 某２ 図 憂４−図 菓 ３ 図 墨 ６ 図
Claims (1)
- １、半導体基板に、光電変換用のＰＮ接合とバイパス用
のＰＮ接合とを一体に形成し、光電変換用のＰＮ接合に
逆バイアスが印加されたとき、バイパス用のＰＮ接合が
順方向になるように接続し、かつバイパス用のＰＮ接合
は遮光されていることを特徴とするパイバスダイオード
付太陽電池
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1160543A JPH0324768A (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | バイパスダイオード付太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1160543A JPH0324768A (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | バイパスダイオード付太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0324768A true JPH0324768A (ja) | 1991-02-01 |
Family
ID=15717260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1160543A Pending JPH0324768A (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | バイパスダイオード付太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0324768A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5330584A (en) * | 1991-10-17 | 1994-07-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar cell |
| US5609694A (en) * | 1994-04-28 | 1997-03-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar cell and a method of manufacturing thereof |
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| US6384313B2 (en) | 1998-05-15 | 2002-05-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell module and method of producing the same |
| US7402448B2 (en) | 2003-01-31 | 2008-07-22 | Bp Corporation North America Inc. | Photovoltaic cell and production thereof |
| JP4568392B2 (ja) * | 1998-09-04 | 2010-10-27 | イー２ヴイ テクノロジーズ （ユーケイ） リミテッド | 太陽電池配列 |
| WO2011099318A1 (ja) | 2010-02-09 | 2011-08-18 | シャープ株式会社 | 太陽電池ストリング、太陽電池モジュールおよび太陽電池セル |
| US8460964B2 (en) | 2010-11-17 | 2013-06-11 | E I Du Pont De Nemours And Company | Method for producing an array of thin-film photovoltaic cells having a totally separated integrated bypass diode and method for producing a panel incorporating the same |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS4832947A (ja) * | 1971-09-03 | 1973-05-04 | ||
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| JPH01123479A (ja) * | 1987-11-06 | 1989-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池セル |
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| JPH0289376A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-03-29 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池セル |
-
1989
- 1989-06-22 JP JP1160543A patent/JPH0324768A/ja active Pending
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| US8563347B2 (en) | 2010-11-17 | 2013-10-22 | E I Du Pont De Nemours And Company | Method for producing a thin-film photovoltaic cell having an etchant-resistant electrode and an integrated bypass diode and a panel incorporating the same |
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