JPH03239939A - 容量型圧力センサ - Google Patents
容量型圧力センサInfo
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- JPH03239939A JPH03239939A JP3681390A JP3681390A JPH03239939A JP H03239939 A JPH03239939 A JP H03239939A JP 3681390 A JP3681390 A JP 3681390A JP 3681390 A JP3681390 A JP 3681390A JP H03239939 A JPH03239939 A JP H03239939A
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- pressure
- electrode
- sensitive diaphragm
- electrodes
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Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、電極が形成された基板同士を接合して形成し
た容量型圧力センサに関する。
た容量型圧力センサに関する。
従来、容量型圧力センサ３０として、第７図の縦断面図
に示されたものが知られている。その容量型圧力センサ
３０では、単結晶シリコンから成る半導体基板３／に被
測定圧力Ｐを受ける感圧ダイヤフラム部３２及び凹部３
３が形成され、その凹部３３部分に電極３４が形成され
ている。一方、パイレックスガラスから成るガラス基板
４１には電極４４が形成されている。そして、半導体基
板３／の電極３４とガラス基板４１の電極４４とが対向
するように、半導体基板３／とガラス基板４１とが周知
の陽極接合技術を用いて接合されている。この接合後に
は、半導体基板３／の凹部３３は密封された基準圧室３
５となる。 又、半導体基板３／には電極３４．４４間の容量から圧
力値を求めるための回路部３６が半導体製造技術を用い
て形成され集積化されている。 尚ミ４８は外部に信号を取り出す償号線であり、その信
号線４８は半導体基板３／に形成された回路部３６と導
電性接着剤４９等を介して接続されている。
に示されたものが知られている。その容量型圧力センサ
３０では、単結晶シリコンから成る半導体基板３／に被
測定圧力Ｐを受ける感圧ダイヤフラム部３２及び凹部３
３が形成され、その凹部３３部分に電極３４が形成され
ている。一方、パイレックスガラスから成るガラス基板
４１には電極４４が形成されている。そして、半導体基
板３／の電極３４とガラス基板４１の電極４４とが対向
するように、半導体基板３／とガラス基板４１とが周知
の陽極接合技術を用いて接合されている。この接合後に
は、半導体基板３／の凹部３３は密封された基準圧室３
５となる。 又、半導体基板３／には電極３４．４４間の容量から圧
力値を求めるための回路部３６が半導体製造技術を用い
て形成され集積化されている。 尚ミ４８は外部に信号を取り出す償号線であり、その信
号線４８は半導体基板３／に形成された回路部３６と導
電性接着剤４９等を介して接続されている。
上述したように、ＩＣ化された容量型圧力センサは、感
圧ダイヤフラム部３２が受ける被測定圧力Ｐによる変位
によって変化する電極３４と電極４４との間の容量を直
接検出するものである。 電極間容量Ｃは、感圧ダイヤプラム部３２が受ける被測
定圧力Ｐによる変位が一様であるとすれば、 Ｃ＝ε
（１）（ε：誘電率、Ａ：電極面積、ｄ：電極
間隔）で求められる。 又、電極間隔ｄは被測定圧力Ｐに対して、ｄ＝ｄｏ−α
（Ｐ−Ｐｏ）（２） の関係がある。但し、Ｐｏは基準圧室３５内の基準圧、
ｄ、は外圧が基準圧Ｐ。に等しい時の電極間隔、αは定
数である。 従って、被測定圧力Ｐと容量Ｃとの関係は、となり、第
３図（ａ）に示したように、被測定圧力Ｐと容量Ｃとは
逆比例の関係の非直線性を有している。 一方、この容量Ｃは、回路部３６にて容量Ｃを充電及び
放電させるときの容量Ｃの端子電圧波形の周波数ｆを測
定することで求められている。この容量Ｃと周波数ｆと
は、 β ｆ ＝ −゛（４１ （β：定数） で、第３図（ｂ）に示したように変化する。 （３）式及び（４）式より、 の関係があり、周波数ｒは被測定圧力Ｐに比例すること
になり、周波数ｆと被測定圧力Ｐとの関係は直線性があ
る。 ところが、実際には、第８図に第７図の感圧ダイヤフラ
ムＢ３２の拡大縦断面図を示したように、被測定圧力Ｐ
により、感圧ダイヤスラム部３２がたわむため、上記電
極間隔ｄは感圧ダイヤプラム部３２の全面に渡って一様
にはならない。又、そのたわみ形状も被測定圧力Ｐに依
存して変化する。 よって、（１）式は、正確には感圧ダイヤフラム部３２
の全面に渡る面積分 によって求めなければならない。 そして、（６）式は、平均電極間隔 を用いると、 Ｃ−ε （７） となる。 しかし、平均電極間隔ｄは（２）式のように被測定圧力
Ｐの一次式とはならず、高次成分が含まれる。 よって、周波数ｆよ被測定圧力Ｐとの関係は（５）式の
ように一次式では表すことができず高次成分を含むこと
になり、直線性が悪くなり、測定精度が低下する。 本発明は、上記の課題を解決するために成されたもので
あり、その目的とするところは、感度を落とさないで、
直接的測定値の周波数ｆと被測定圧力Ｐとの特性におけ
る直線性を向上させ、より高精度な容量型圧力センサを
提供することである。
圧ダイヤフラム部３２が受ける被測定圧力Ｐによる変位
によって変化する電極３４と電極４４との間の容量を直
接検出するものである。 電極間容量Ｃは、感圧ダイヤプラム部３２が受ける被測
定圧力Ｐによる変位が一様であるとすれば、 Ｃ＝ε
（１）（ε：誘電率、Ａ：電極面積、ｄ：電極
間隔）で求められる。 又、電極間隔ｄは被測定圧力Ｐに対して、ｄ＝ｄｏ−α
（Ｐ−Ｐｏ）（２） の関係がある。但し、Ｐｏは基準圧室３５内の基準圧、
ｄ、は外圧が基準圧Ｐ。に等しい時の電極間隔、αは定
数である。 従って、被測定圧力Ｐと容量Ｃとの関係は、となり、第
３図（ａ）に示したように、被測定圧力Ｐと容量Ｃとは
逆比例の関係の非直線性を有している。 一方、この容量Ｃは、回路部３６にて容量Ｃを充電及び
放電させるときの容量Ｃの端子電圧波形の周波数ｆを測
定することで求められている。この容量Ｃと周波数ｆと
は、 β ｆ ＝ −゛（４１ （β：定数） で、第３図（ｂ）に示したように変化する。 （３）式及び（４）式より、 の関係があり、周波数ｒは被測定圧力Ｐに比例すること
になり、周波数ｆと被測定圧力Ｐとの関係は直線性があ
る。 ところが、実際には、第８図に第７図の感圧ダイヤフラ
ムＢ３２の拡大縦断面図を示したように、被測定圧力Ｐ
により、感圧ダイヤスラム部３２がたわむため、上記電
極間隔ｄは感圧ダイヤプラム部３２の全面に渡って一様
にはならない。又、そのたわみ形状も被測定圧力Ｐに依
存して変化する。 よって、（１）式は、正確には感圧ダイヤフラム部３２
の全面に渡る面積分 によって求めなければならない。 そして、（６）式は、平均電極間隔 を用いると、 Ｃ−ε （７） となる。 しかし、平均電極間隔ｄは（２）式のように被測定圧力
Ｐの一次式とはならず、高次成分が含まれる。 よって、周波数ｆよ被測定圧力Ｐとの関係は（５）式の
ように一次式では表すことができず高次成分を含むこと
になり、直線性が悪くなり、測定精度が低下する。 本発明は、上記の課題を解決するために成されたもので
あり、その目的とするところは、感度を落とさないで、
直接的測定値の周波数ｆと被測定圧力Ｐとの特性におけ
る直線性を向上させ、より高精度な容量型圧力センサを
提供することである。
上記課題を解決するための発明の構成は、少なくとも一
方の基板は半導体で構成され、相互に接合された２つの
基板と、前記両基板の接合部に形成され、微小ギヤノブ
の測定圧の基準値を与える基準圧室と、一方の基板に形
成され被測定圧力を受ける感圧ダイヤフラム部とを有す
る容量型圧力センサにおいて、前記感圧ダイヤフラム邪
の中央部分で前記基準圧室の対向する両面に該感圧ダイ
ヤプラム部の形状に対し、１１５〜３／５の範囲の寸法
比を有する形状に形成された電極と、前記半導体基板上
に形成され、前記電極間の容量を充放電するときの電圧
波形の周波数から圧力を求める回路部とを備えたことを
特徴とする。
方の基板は半導体で構成され、相互に接合された２つの
基板と、前記両基板の接合部に形成され、微小ギヤノブ
の測定圧の基準値を与える基準圧室と、一方の基板に形
成され被測定圧力を受ける感圧ダイヤフラム部とを有す
る容量型圧力センサにおいて、前記感圧ダイヤフラム邪
の中央部分で前記基準圧室の対向する両面に該感圧ダイ
ヤプラム部の形状に対し、１１５〜３／５の範囲の寸法
比を有する形状に形成された電極と、前記半導体基板上
に形成され、前記電極間の容量を充放電するときの電圧
波形の周波数から圧力を求める回路部とを備えたことを
特徴とする。
電極は感圧ダイヤプラム部の中央部分で基準圧室の対向
する両面にその感圧ダイヤフラム部の形状に対し、１１
５〜３／５の範囲の寸法比を有する形状に形成されてお
り、被測定圧力を受ける感圧ダイヤフラム部におけるた
わみの変化率の小さな部分に形成されているので、被測
定圧力に対してほぼ平行に変位する。 そして、回路部は上記電極間の容量を充放電するときの
電圧波形のその周波数から圧力を求めるので、被測定圧
力と求める圧力との直線性が良いことからその検出精度
が向上する。
する両面にその感圧ダイヤフラム部の形状に対し、１１
５〜３／５の範囲の寸法比を有する形状に形成されてお
り、被測定圧力を受ける感圧ダイヤフラム部におけるた
わみの変化率の小さな部分に形成されているので、被測
定圧力に対してほぼ平行に変位する。 そして、回路部は上記電極間の容量を充放電するときの
電圧波形のその周波数から圧力を求めるので、被測定圧
力と求める圧力との直線性が良いことからその検出精度
が向上する。
以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
第１図は本発明に係る容量型圧力センサを示した縦断面
図である。そして、第２図は第１図においてガラス基板
を接合する前の状態を示した平面図である。 第１図及び第２図を参照して本発明の容量型圧力センサ
１０を説明する。 １１は被測定圧力Ｐを受ける感圧ダイヤフラム部１２及
び凹部１３を形成し、その凹部１３部分に電極１４を形
成した単結晶シリコンから成る半導体基板である。その
電極１４は感圧ダイヤフラム部１２の中央部分でその形
状に対して１７５〜３／５の範囲の寸法比である略１／
２の寸法比を有する形状に形成されている。 又、その半導体基板１１上には電極１４の形成と同様に
半導体製造技術を用いて一体的に接続端子部１７及び回
路部１６が形成されている。そして、電極１４はその接
続端子部１７を介して回路部１６と接続されている。 又、２１は電極２４を形成したパイレックスガラスから
成るガラス基板である。 その電極２４は上記電極１４と同様に感圧ダイヤフラム
Ｂ１２の中央部分でその形状に対して略１／２の寸法比
を有する形状に形成されている。 そして、半導体基板１１の電極１４とガラス基板２１の
電極２４とを対向させ陽極接合している。 接合後においては、半導体基板１１の凹部１３はガラス
基板２１で密封されて基準圧室１５となる。又、電極２
４は、電極１４と同様に、接続端子部１７を介して回路
部１６と接続されている。 又、２８は外部に儒号を取り出す信号線であり、その信
号線２８は半導体基板１１に形成された回路部１６と導
電性接着剤２９等を介して接続されている。 被測定圧力Ｐが感圧ダイヤフラム部１２に印加されると
き、その感圧ダイヤフラム部１２のたわみの分布は、第
５図に示したようになる。 第５図の特性図から分かる様に、感圧ダイヤフラム部の
中心（ｘ ＝０）より片側半分（ｘ ＝０．３）程度ま
ではたわみの変化率が小さい。 即ち、電極１４．２４の寸法を感圧ダイヤフラムＲ１２
の寸法に比べて３／５以下とし、感圧ダイヤフラム部１
２の中央部分で基準圧室１５の対向する両面にそれら電
極１４．２４を配設することにより、たわみの変化率を
小さくできる。 従って、上述の構成により、感圧ダイヤフラム部の中央
部分では、圧力に対する変位がほぼ一様となる。 ここで、半導体基板１１の感圧ダイヤフラム部１２は、
第４図に示したように、正方形で電極１４が中心０に位
置しているとし、感圧ダイヤフラム部１２０片側寸法を
ａ、又、電極１４の片側寸法をｂとし、その寸法比であ
る電極比をｂ ／ ａで表すことにする。 そして、感圧ダイヤフラム部１２は角型の一辺の寸法が
１ｍｍ、その厚みが３０犀、電極間隔が１虜で、基準圧
室１５の圧力に対する被測定圧力Ｐとして１ｋｇｆ／ｃ
ｍ”を印加したときの電極比ｂ ／ ａに対する非直線
性Ｒ（％）、容量変化ΔＣ（ｐＦ）、周波数感度Ｋ （
ｐｐｍ／ｍｍ Ｈｇ＞との関係は、第６図に示したよう
になる。 ここで、容量型圧力センサは電極比ｂ ／ ａが大きい
程、容量変化ΔＣが大きい曲線を示す。又、被測定圧力
に対する求める圧力値の非直線性Ｒは電極比ｂ／ａに対
して感圧ダイヤプラム邪のたわみ方により下に凸の曲線
となる。そして、被測定圧力Ｐとして基準圧室の圧力値
に１ｋｇｆ／ｃｍ’を印加したときの周波数の変化を表
す周波数感度には電極比ｂ／ａが大きくなる程低下する
曲線となる。 従って、電極の寸法を感圧ダイヤフラム部の寸法に比べ
て３７５以下の電極比ｂ ／ ａとすることにより、周
波数感度Ｋをあまり悪くさせずに非直線性Ｒを急激に向
上することができる。又、電極の寸法を感圧ダイヤフラ
ム部の寸法に比べて１１５以上の電極比ｂ ／ ａとす
ることにより、容量変化ΔＣが小さくなり過ぎて浮遊容
量に埋もれてしまうことを防止できる。 つまり、１１５〜３／５の範囲の電極比の感圧ダイヤフ
ラム部を有する容量型圧力センサは出力値の直線性が良
く、周波数の変化が大きいので圧力検出精度を向上させ
ることができる。 尚、本実施例のように、略〕／２の電極比とすれば、特
に、上記効果を顕著に表した容量型圧力センサとなる。
図である。そして、第２図は第１図においてガラス基板
を接合する前の状態を示した平面図である。 第１図及び第２図を参照して本発明の容量型圧力センサ
１０を説明する。 １１は被測定圧力Ｐを受ける感圧ダイヤフラム部１２及
び凹部１３を形成し、その凹部１３部分に電極１４を形
成した単結晶シリコンから成る半導体基板である。その
電極１４は感圧ダイヤフラム部１２の中央部分でその形
状に対して１７５〜３／５の範囲の寸法比である略１／
２の寸法比を有する形状に形成されている。 又、その半導体基板１１上には電極１４の形成と同様に
半導体製造技術を用いて一体的に接続端子部１７及び回
路部１６が形成されている。そして、電極１４はその接
続端子部１７を介して回路部１６と接続されている。 又、２１は電極２４を形成したパイレックスガラスから
成るガラス基板である。 その電極２４は上記電極１４と同様に感圧ダイヤフラム
Ｂ１２の中央部分でその形状に対して略１／２の寸法比
を有する形状に形成されている。 そして、半導体基板１１の電極１４とガラス基板２１の
電極２４とを対向させ陽極接合している。 接合後においては、半導体基板１１の凹部１３はガラス
基板２１で密封されて基準圧室１５となる。又、電極２
４は、電極１４と同様に、接続端子部１７を介して回路
部１６と接続されている。 又、２８は外部に儒号を取り出す信号線であり、その信
号線２８は半導体基板１１に形成された回路部１６と導
電性接着剤２９等を介して接続されている。 被測定圧力Ｐが感圧ダイヤフラム部１２に印加されると
き、その感圧ダイヤフラム部１２のたわみの分布は、第
５図に示したようになる。 第５図の特性図から分かる様に、感圧ダイヤフラム部の
中心（ｘ ＝０）より片側半分（ｘ ＝０．３）程度ま
ではたわみの変化率が小さい。 即ち、電極１４．２４の寸法を感圧ダイヤフラムＲ１２
の寸法に比べて３／５以下とし、感圧ダイヤフラム部１
２の中央部分で基準圧室１５の対向する両面にそれら電
極１４．２４を配設することにより、たわみの変化率を
小さくできる。 従って、上述の構成により、感圧ダイヤフラム部の中央
部分では、圧力に対する変位がほぼ一様となる。 ここで、半導体基板１１の感圧ダイヤフラム部１２は、
第４図に示したように、正方形で電極１４が中心０に位
置しているとし、感圧ダイヤフラム部１２０片側寸法を
ａ、又、電極１４の片側寸法をｂとし、その寸法比であ
る電極比をｂ ／ ａで表すことにする。 そして、感圧ダイヤフラム部１２は角型の一辺の寸法が
１ｍｍ、その厚みが３０犀、電極間隔が１虜で、基準圧
室１５の圧力に対する被測定圧力Ｐとして１ｋｇｆ／ｃ
ｍ”を印加したときの電極比ｂ ／ ａに対する非直線
性Ｒ（％）、容量変化ΔＣ（ｐＦ）、周波数感度Ｋ （
ｐｐｍ／ｍｍ Ｈｇ＞との関係は、第６図に示したよう
になる。 ここで、容量型圧力センサは電極比ｂ ／ ａが大きい
程、容量変化ΔＣが大きい曲線を示す。又、被測定圧力
に対する求める圧力値の非直線性Ｒは電極比ｂ／ａに対
して感圧ダイヤプラム邪のたわみ方により下に凸の曲線
となる。そして、被測定圧力Ｐとして基準圧室の圧力値
に１ｋｇｆ／ｃｍ’を印加したときの周波数の変化を表
す周波数感度には電極比ｂ／ａが大きくなる程低下する
曲線となる。 従って、電極の寸法を感圧ダイヤフラム部の寸法に比べ
て３７５以下の電極比ｂ ／ ａとすることにより、周
波数感度Ｋをあまり悪くさせずに非直線性Ｒを急激に向
上することができる。又、電極の寸法を感圧ダイヤフラ
ム部の寸法に比べて１１５以上の電極比ｂ ／ ａとす
ることにより、容量変化ΔＣが小さくなり過ぎて浮遊容
量に埋もれてしまうことを防止できる。 つまり、１１５〜３／５の範囲の電極比の感圧ダイヤフ
ラム部を有する容量型圧力センサは出力値の直線性が良
く、周波数の変化が大きいので圧力検出精度を向上させ
ることができる。 尚、本実施例のように、略〕／２の電極比とすれば、特
に、上記効果を顕著に表した容量型圧力センサとなる。
本発明は、感圧ダイヤフラム部の中央部分で基準圧室の
対向する両面にその感圧ダイヤフラム邪の形状に対し、
１１５〜３／５の範囲の寸法比を有する形状に形成され
た電極と、半導体基板上に形成され、上記電極間の容量
を充放電するときの電圧波形の周波数から圧力を求める
回路部とを備えており、感圧ダイヤプラム部の１１５〜
３／５の範囲の寸法の電極においては、感圧ダイヤプラ
ム部のたわみの変化率の小さな部分であり、感圧ダイヤ
プラム部の電極は対向する電極に対して略平行に変位す
る。 更に、被測定圧力に対する電極間の容量を充放電すると
きの電圧波形の周波数から圧力を求める回路部により、
被測定圧力に対して求める圧力値はほぼ直線的に変化す
ることになり高精度な容量型圧力センサが提供できる。
対向する両面にその感圧ダイヤフラム邪の形状に対し、
１１５〜３／５の範囲の寸法比を有する形状に形成され
た電極と、半導体基板上に形成され、上記電極間の容量
を充放電するときの電圧波形の周波数から圧力を求める
回路部とを備えており、感圧ダイヤプラム部の１１５〜
３／５の範囲の寸法の電極においては、感圧ダイヤプラ
ム部のたわみの変化率の小さな部分であり、感圧ダイヤ
プラム部の電極は対向する電極に対して略平行に変位す
る。 更に、被測定圧力に対する電極間の容量を充放電すると
きの電圧波形の周波数から圧力を求める回路部により、
被測定圧力に対して求める圧力値はほぼ直線的に変化す
ることになり高精度な容量型圧力センサが提供できる。
ｖ１図は本発明の具体的な一実施例に係る容量型圧力セ
ンサを示した縦断面図。第２図は第１図においてガラス
基板を接合する前の状態を示した平面図。第３図（ａ）
は被測定圧力Ｐと容量Ｃとの関係を示した特性図。第３
図ら）は容量Ｃと周波数ｆとの関係を示した特性図。第
４図は感圧ダイヤフラム部と電極の寸法関係を示した説
明図。第５図は感圧ダイヤプラム邪のたわみを示した特
ｔ！ＩＥ図。 第６図は電極比に対する非直線性、容量変化及び周波数
感度を示した特性図。第７図は従来の容量型圧力センサ
を示した縦断面図。第８図は第７図の感圧ダイヤフラム
邪の拡大縦断面図である。 １０ 容量型圧力センサ １１ 半導体基板１２ 感
圧ダイヤフラム部 １４．２４ 電極１５ 基準圧室
１Ｇ 回路部 ２１ ガラス基板 Ｐ 被測定圧力 第１図 分ｌ聚万カ［シブ ノき丘ダχヤ７テム搗Ｐ 第２図
ンサを示した縦断面図。第２図は第１図においてガラス
基板を接合する前の状態を示した平面図。第３図（ａ）
は被測定圧力Ｐと容量Ｃとの関係を示した特性図。第３
図ら）は容量Ｃと周波数ｆとの関係を示した特性図。第
４図は感圧ダイヤフラム部と電極の寸法関係を示した説
明図。第５図は感圧ダイヤプラム邪のたわみを示した特
ｔ！ＩＥ図。 第６図は電極比に対する非直線性、容量変化及び周波数
感度を示した特性図。第７図は従来の容量型圧力センサ
を示した縦断面図。第８図は第７図の感圧ダイヤフラム
邪の拡大縦断面図である。 １０ 容量型圧力センサ １１ 半導体基板１２ 感
圧ダイヤフラム部 １４．２４ 電極１５ 基準圧室
１Ｇ 回路部 ２１ ガラス基板 Ｐ 被測定圧力 第１図 分ｌ聚万カ［シブ ノき丘ダχヤ７テム搗Ｐ 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 少なくとも一方の基板は半導体で構成され、相互に接合
された２つの基板と、前記両基板の接合部に形成され、
微小ギャップの測定圧の基準値を与える基準圧室と、一
方の基板に形成され被測定圧力を受ける感圧ダイヤフラ
ム部とを有する容量型圧力センサにおいて、前記感圧ダ
イヤフラム部の中央部分で前記基準圧室の対向する両面
に該感圧ダイヤフラム部の形状に対し、１／５〜３／５
の範囲の寸法比を有する形状に形成された電極と、 前記半導体基板上に形成され、前記電極間の容量を充放
電するときの電圧波形の周波数から圧力を求める回路部
と を備えたことを特徴とする容量型圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3681390A JPH03239939A (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 容量型圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3681390A JPH03239939A (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 容量型圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03239939A true JPH03239939A (ja) | 1991-10-25 |
Family
ID=12480212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3681390A Pending JPH03239939A (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 容量型圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03239939A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015087131A (ja) * | 2013-10-28 | 2015-05-07 | 国立大学法人東北大学 | センサ装置およびその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63308529A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-12-15 | バイサラ・オーワイ | 容量性圧力変換器 |
| JPS6416943A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electrostatic capacity type pressure sensor |
-
1990
- 1990-02-16 JP JP3681390A patent/JPH03239939A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63308529A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-12-15 | バイサラ・オーワイ | 容量性圧力変換器 |
| JPS6416943A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electrostatic capacity type pressure sensor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015087131A (ja) * | 2013-10-28 | 2015-05-07 | 国立大学法人東北大学 | センサ装置およびその製造方法 |
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