JPH0323255A - ムライト系焼結体及びその製造方法 - Google Patents
ムライト系焼結体及びその製造方法Info
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- JPH0323255A JPH0323255A JP1158737A JP15873789A JPH0323255A JP H0323255 A JPH0323255 A JP H0323255A JP 1158737 A JP1158737 A JP 1158737A JP 15873789 A JP15873789 A JP 15873789A JP H0323255 A JPH0323255 A JP H0323255A
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はムライト系焼結体及びその製造方法に係り、特
に高温強度等の特性に優れ、しかも安価に提供されるム
ライト系焼結体及びその製造方法に関する． ［従来の技術］ ムライトはＡｆＬ２ ０３とＳｉＯ２からなり、化学組
成は理論的には３Ａｊ２２０ａ ２ＳｉＯ２であり、
その特性としては、耐熱性に優れ、特にクリープ特性が
良好である．また、熱衝撃特性は良好であるが電気的特
性はあまり良くない．ムライトセラミックスはオールド
セラ主ツクスに属し、その研究の歴史は永く、原料とし
ては、アルミナ源としてカオリン、バイヤーアルミナ、
シリカ源として珪石が主に用いられている．。最近では
、天然ムライトを改質することにより、合成ムライト並
の物性を出すことができるようになったが、この研究の
主体はムライト組成中のＳｉ０２相の析出及びガラス化
の防止であり、原料の調製や焼結条件などを検討したも
のである． 一方、ファインセラ主ツクス技術を用いた高純度ムライ
トという理論組成の素材もあり、これは金属アルコキシ
ドから理論組成となるように共沈法で製造したものであ
る． しかして、これらの原料を目的に合わせて混合し、焼結
したものがムライト系セラミックス材料といわれ、ムラ
イト系セラミックスはアル主ナセラミックスと同様、高
温強度が比較的大きく、天然原料を用いたものは安価な
素材であることから、炉材、サヤ、セッター材、耐熱材
、構造材等、主に耐火材料として用いられてきた．［発
明が解決しようとするｉｌｌ！！）従来のムライトセラ
ミックスのうち、天然ムライトを改質したものでは、長
期間の使用や高温使用時に、もともと入っているＡ １
２ ０ ｘ −ＳｉＯ２ボンディングが分解し、Ｓｉ
Ｏ＝がムライト粒界にガラス相として析出する．このた
め、強度が著しく低下し、連続的な使用や繰り返しの使
用に難があった． アルコシキド法による高純度ムライトは、上記欠点を解
決するために開発されたものであるが、高純度ムライト
は高温強度、耐久性等に大きな改善効果を有するものの
、価格が高いために従来より用いられている耐熱材料等
の工業材料の分野で使用するにはコスト的じ不利であっ
た．本発明は上記従来の問題点を解決し、高温強度等の
特性に優れ、かつ安価に堤供されるムライト系焼結体及
びその製造方法を提供することを目的とする． ［課題を解決するための手段］ 請求項（１）のムライト系焼結体は、ＳｔＣ及びムライ
トよりなり、ＳｉＣ含有量がムライトに対して５〜４０
重量％であって、ムライト粒径が１０〜１００μｍであ
ることを特徴とする。
に高温強度等の特性に優れ、しかも安価に提供されるム
ライト系焼結体及びその製造方法に関する． ［従来の技術］ ムライトはＡｆＬ２ ０３とＳｉＯ２からなり、化学組
成は理論的には３Ａｊ２２０ａ ２ＳｉＯ２であり、
その特性としては、耐熱性に優れ、特にクリープ特性が
良好である．また、熱衝撃特性は良好であるが電気的特
性はあまり良くない．ムライトセラミックスはオールド
セラ主ツクスに属し、その研究の歴史は永く、原料とし
ては、アルミナ源としてカオリン、バイヤーアルミナ、
シリカ源として珪石が主に用いられている．。最近では
、天然ムライトを改質することにより、合成ムライト並
の物性を出すことができるようになったが、この研究の
主体はムライト組成中のＳｉ０２相の析出及びガラス化
の防止であり、原料の調製や焼結条件などを検討したも
のである． 一方、ファインセラ主ツクス技術を用いた高純度ムライ
トという理論組成の素材もあり、これは金属アルコキシ
ドから理論組成となるように共沈法で製造したものであ
る． しかして、これらの原料を目的に合わせて混合し、焼結
したものがムライト系セラミックス材料といわれ、ムラ
イト系セラミックスはアル主ナセラミックスと同様、高
温強度が比較的大きく、天然原料を用いたものは安価な
素材であることから、炉材、サヤ、セッター材、耐熱材
、構造材等、主に耐火材料として用いられてきた．［発
明が解決しようとするｉｌｌ！！）従来のムライトセラ
ミックスのうち、天然ムライトを改質したものでは、長
期間の使用や高温使用時に、もともと入っているＡ １
２ ０ ｘ −ＳｉＯ２ボンディングが分解し、Ｓｉ
Ｏ＝がムライト粒界にガラス相として析出する．このた
め、強度が著しく低下し、連続的な使用や繰り返しの使
用に難があった． アルコシキド法による高純度ムライトは、上記欠点を解
決するために開発されたものであるが、高純度ムライト
は高温強度、耐久性等に大きな改善効果を有するものの
、価格が高いために従来より用いられている耐熱材料等
の工業材料の分野で使用するにはコスト的じ不利であっ
た．本発明は上記従来の問題点を解決し、高温強度等の
特性に優れ、かつ安価に堤供されるムライト系焼結体及
びその製造方法を提供することを目的とする． ［課題を解決するための手段］ 請求項（１）のムライト系焼結体は、ＳｔＣ及びムライ
トよりなり、ＳｉＣ含有量がムライトに対して５〜４０
重量％であって、ムライト粒径が１０〜１００μｍであ
ることを特徴とする。
請求項（２）のムライト系焼結体の製造方法は、精製粘
土鉱物、バイヤーアルミナ及び珪石よりなる群から選ば
れる少なくとも２ ｆｌを主原料として、Ａｉ２０ｓ
／Ｓ ｉ ０２の組成比がムライト生戒範囲となるよう
に調合し、該調合原料を９０％以上が粒径５μｍ以下と
なるように湿式粉砕した後、粒径５０μｍ以下のＳｔＣ
を前記調合原料（対して５〜４０重量％添加混合し、次
いで、得られた混合物を乾燥、解砕し、その後、有機賀
バインダーを用いて成形し、成形体を１ ６００℃以上
の温度で１時間以上焼成することを特徴とする． 即ち、本発明は、原料として従来より用いられている安
価な原料を用い、物性改良の手段として、特定のセラミ
ックス粒子を第２相としてムライト結晶内又は粒界面に
分散させることにより高強度化を図り、高純度合成ムラ
イト並の特性を有する材料を提供するものである． 以下に本発明を詳細に説明する． 請求項（１）のムライト系焼結体は、ムライトに対して
５〜４０！！量％のＳｉＣを含有するものである，Ｓｉ
Ｃの含有量がムライトに対してＳＩｉ量％未満では本発
明による強度の改善効果が得られず、４０重量％を超え
るとＳ五〇の量が多くなり過ぎて、ムライト系焼結体と
しての特性が損なわれる．従って、本発明においては，
ＳｉＣ含有量はムライトに対して５〜４０重量％とする
．特に、ＳｉＣ含有量がムライトに対して１０〜３０重
量％であると、とりわけ高強度なムライト系焼結体を得
ることができる。
土鉱物、バイヤーアルミナ及び珪石よりなる群から選ば
れる少なくとも２ ｆｌを主原料として、Ａｉ２０ｓ
／Ｓ ｉ ０２の組成比がムライト生戒範囲となるよう
に調合し、該調合原料を９０％以上が粒径５μｍ以下と
なるように湿式粉砕した後、粒径５０μｍ以下のＳｔＣ
を前記調合原料（対して５〜４０重量％添加混合し、次
いで、得られた混合物を乾燥、解砕し、その後、有機賀
バインダーを用いて成形し、成形体を１ ６００℃以上
の温度で１時間以上焼成することを特徴とする． 即ち、本発明は、原料として従来より用いられている安
価な原料を用い、物性改良の手段として、特定のセラミ
ックス粒子を第２相としてムライト結晶内又は粒界面に
分散させることにより高強度化を図り、高純度合成ムラ
イト並の特性を有する材料を提供するものである． 以下に本発明を詳細に説明する． 請求項（１）のムライト系焼結体は、ムライトに対して
５〜４０！！量％のＳｉＣを含有するものである，Ｓｉ
Ｃの含有量がムライトに対してＳＩｉ量％未満では本発
明による強度の改善効果が得られず、４０重量％を超え
るとＳ五〇の量が多くなり過ぎて、ムライト系焼結体と
しての特性が損なわれる．従って、本発明においては，
ＳｉＣ含有量はムライトに対して５〜４０重量％とする
．特に、ＳｉＣ含有量がムライトに対して１０〜３０重
量％であると、とりわけ高強度なムライト系焼結体を得
ることができる。
請求項（１）のムライト系焼結体中のムライト結晶は、
粒径が１００μｍの範囲のものである。
粒径が１００μｍの範囲のものである。
ムライト結晶の粒径が１００ｔｔｍよりも大きいと得ら
れるムライト系焼結体の曲げ強度が低下し、また１０μ
ｍよりも小さいとＳｉＣ粒子をムライト結晶内又は粒界
面に取り込み難くなる。従って、ムライト結晶の粒径は
１０〜１００μｍ、好ましくは１０〜５０μｍとする． 一方、ムライト結晶又は粒界面に取り込まれてムライト
系焼結体内に含有されているＳｉＣ粒子の粒径が微細過
ぎると表面活性が生じ、ＳｉＣ自身の表面酸化が起きる
．また、ムライトと均一に混合することが難しい．逆に
ＳｉＣ粒子の粒径が大き過ぎるとムライト結晶粒界にの
みＳｉＣが存在するようになり、粒界クラック発生の原
因となる．従って、本発明において、ＳｉＣ粒子の粒径
は５０μｍ以下、特に１０μｍ以下、とりわけ３〜１０
μｍであることが好ましい。
れるムライト系焼結体の曲げ強度が低下し、また１０μ
ｍよりも小さいとＳｉＣ粒子をムライト結晶内又は粒界
面に取り込み難くなる。従って、ムライト結晶の粒径は
１０〜１００μｍ、好ましくは１０〜５０μｍとする． 一方、ムライト結晶又は粒界面に取り込まれてムライト
系焼結体内に含有されているＳｉＣ粒子の粒径が微細過
ぎると表面活性が生じ、ＳｉＣ自身の表面酸化が起きる
．また、ムライトと均一に混合することが難しい．逆に
ＳｉＣ粒子の粒径が大き過ぎるとムライト結晶粒界にの
みＳｉＣが存在するようになり、粒界クラック発生の原
因となる．従って、本発明において、ＳｉＣ粒子の粒径
は５０μｍ以下、特に１０μｍ以下、とりわけ３〜１０
μｍであることが好ましい。
なお、ムライト系焼結体中のムライトはその組成が理論
組成のＡ℃２ ０ ３ ／ Ｓ ｉ Ｏ ２ ＝３／２
（モル比） 即ち７１．８／２８．２（Ｉｌ量％）であ
ることが好ましい。ムライト組成のＡＩＬｚ ０３が理
論組成よりも多過ぎるとＡＩＬ２０ｘ中にムライト結晶
が分散した形となり十分な強度が得られない．逆に、ム
ライト組成のＳｉＯ２が理論組成よりも多過ぎると、ム
ライト中に！！頗シリカ相がガラス相となって生成し、
十分な高温強度が得られない．従って、ムライト系焼結
体中のムライトは、理論組成Ａｆ２０３／Ｓｊ０２＝３
／２（モル比）にできるだけ近い組成であることが好ま
しい。
組成のＡ℃２ ０ ３ ／ Ｓ ｉ Ｏ ２ ＝３／２
（モル比） 即ち７１．８／２８．２（Ｉｌ量％）であ
ることが好ましい。ムライト組成のＡＩＬｚ ０３が理
論組成よりも多過ぎるとＡＩＬ２０ｘ中にムライト結晶
が分散した形となり十分な強度が得られない．逆に、ム
ライト組成のＳｉＯ２が理論組成よりも多過ぎると、ム
ライト中に！！頗シリカ相がガラス相となって生成し、
十分な高温強度が得られない．従って、ムライト系焼結
体中のムライトは、理論組成Ａｆ２０３／Ｓｊ０２＝３
／２（モル比）にできるだけ近い組成であることが好ま
しい。
このような請求項（１）のムライト系焼結体は請求項（
２）の方法により容易かつ効率的に低コストにて製造す
ることができる． 以下に請求項（２）のムライト系焼結体の製造方法につ
いて説明する。
２）の方法により容易かつ効率的に低コストにて製造す
ることができる． 以下に請求項（２）のムライト系焼結体の製造方法につ
いて説明する。
請求項（２）の方法においては、まず、原料として精製
粘土鉱物、バイヤーアルミナ、又は珪石（シリカ）を用
い、Ａ Ｉｔ ２ ０ ３／ Ｓ ｉ Ｏ ２組成比が
ムライト生成範囲、好ましくはＡＪ２２ ０ｉｌ ／Ｓ
ｉＯ２−３／２（モル比）となるように調合する．この
場合、特に原料としては精製カオリンとバイヤーアルミ
ナ、或いは、バイヤーアルミナと珪石を用いるのが好ま
しい。これらの原料はその所要量をボールミル、又はア
トライター等によりアルコール等を用いて９０％以上が
粒径５μｍ以下となるように湿式粉砕する．次に、得ら
れた粉砕物に粒径５０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以
下、特に３〜１０μｍのＳｉＣを該粉砕物に対して５〜
４０重量％、好ましくは１０〜３０重量％添加し、更に
ボールミル等で混合する。
粘土鉱物、バイヤーアルミナ、又は珪石（シリカ）を用
い、Ａ Ｉｔ ２ ０ ３／ Ｓ ｉ Ｏ ２組成比が
ムライト生成範囲、好ましくはＡＪ２２ ０ｉｌ ／Ｓ
ｉＯ２−３／２（モル比）となるように調合する．この
場合、特に原料としては精製カオリンとバイヤーアルミ
ナ、或いは、バイヤーアルミナと珪石を用いるのが好ま
しい。これらの原料はその所要量をボールミル、又はア
トライター等によりアルコール等を用いて９０％以上が
粒径５μｍ以下となるように湿式粉砕する．次に、得ら
れた粉砕物に粒径５０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以
下、特に３〜１０μｍのＳｉＣを該粉砕物に対して５〜
４０重量％、好ましくは１０〜３０重量％添加し、更に
ボールミル等で混合する。
得られた混合物は乾燥、解砕した後、ポリビニルアルコ
ール（ＰＶＡ）等の有機質バインダーを用いて威形する
．成形は３ ０ ０ ｋ ｇ ｆ ／ ｃ ｒｎ’以上
での加圧戒形後、１ ０ ０ ０ ｋ ｇ ｆ ／ ｃ
ｒｎ”以上での静水圧プレス成形による２段成形で行
なうのが好ましい． 得られた成形体はホットプレス又は常圧焼結により焼成
し、ムライト系焼結体を得る。この場合、昇温速度は５
０〜２００℃／ ｈ ｒとするのが好ましく、焼成温度
は１６００℃以上、好ましくは１ ６００〜１６５０℃
とし、焼成時間は１時間以上、好ましくは１〜３時間と
するのが好ましい。なお、ホットプレスを採用する場合
、圧力は３ ０ ０ 〜６ ０ ０ ｋ ｇ／ｃｒｎ’
程度とするのが好ましい． 【作用］ 一般に、精製カオリン、バイヤーアルミナ又は珪石等の
原料を用いて、これをボールミル等で微粉砕して混合し
ても、原子レベルで理論組成に混合することは不可能で
あり、焼結により拡散させるためには長時間を必要とす
る． これに対して、ムライト組成中に第２相としてＳｉＣ粒
子を５〜４０重量％添加すると、ボールミル等による粉
砕混合でも、通常の成形、焼成Ｃより高温強度に優れた
ムライト系焼結体が得られる． このＳｉＣ添加による高温強度改善の機構の詳細は明ら
かではないが、ムライト結晶内又は粒界面（取り込まれ
たＳｉＣ粒子がムライト中のＳｉ０２のガラス相への移
動をブロックしているため、更には、ＳｉＣ粒子がムラ
イト結晶粒内や結晶粒界へ分散し、ムライト結晶の成長
を抑制しているためと考えられる。
ール（ＰＶＡ）等の有機質バインダーを用いて威形する
．成形は３ ０ ０ ｋ ｇ ｆ ／ ｃ ｒｎ’以上
での加圧戒形後、１ ０ ０ ０ ｋ ｇ ｆ ／ ｃ
ｒｎ”以上での静水圧プレス成形による２段成形で行
なうのが好ましい． 得られた成形体はホットプレス又は常圧焼結により焼成
し、ムライト系焼結体を得る。この場合、昇温速度は５
０〜２００℃／ ｈ ｒとするのが好ましく、焼成温度
は１６００℃以上、好ましくは１ ６００〜１６５０℃
とし、焼成時間は１時間以上、好ましくは１〜３時間と
するのが好ましい。なお、ホットプレスを採用する場合
、圧力は３ ０ ０ 〜６ ０ ０ ｋ ｇ／ｃｒｎ’
程度とするのが好ましい． 【作用］ 一般に、精製カオリン、バイヤーアルミナ又は珪石等の
原料を用いて、これをボールミル等で微粉砕して混合し
ても、原子レベルで理論組成に混合することは不可能で
あり、焼結により拡散させるためには長時間を必要とす
る． これに対して、ムライト組成中に第２相としてＳｉＣ粒
子を５〜４０重量％添加すると、ボールミル等による粉
砕混合でも、通常の成形、焼成Ｃより高温強度に優れた
ムライト系焼結体が得られる． このＳｉＣ添加による高温強度改善の機構の詳細は明ら
かではないが、ムライト結晶内又は粒界面（取り込まれ
たＳｉＣ粒子がムライト中のＳｉ０２のガラス相への移
動をブロックしているため、更には、ＳｉＣ粒子がムラ
イト結晶粒内や結晶粒界へ分散し、ムライト結晶の成長
を抑制しているためと考えられる。
［実施例］
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に
説明する． 実施例１，２、比較例ｌ 精製したカオリナイトに組成がＡＩＩ．２０３／Ｓ ｉ
Ｏ ２ ＝ ３ ／ ２ （モル比）となるようにア
ルミナを添加し、ボールミル（Ｚｒ０２ボール）により
アルコールを用いて４８時間湿式粉砕した。なお、この
場合、メディア攪拌型粉砕＄ｊｌ（アトライター）を用
いると１〜２時間で処理することが可能である．原料を
９０％以上が粒径５μｍ以下となるように粉砕した後、
これにＳｉＣ粉末（昭和電工社製：平均粒径５μｍ）を
第１表に示す量添加し（比較例１は添加せず）、更にボ
ールミルで５時間混合した．これを乾燥、解砕した後、
有機質バインダー（ＰＶＡ）を５重量％添加して十分に
混練した． 混練物をプレス成形により５０ｍｍφＸ５ｍｍに５ ０
０ ｋ ｇ ／ ｃ ｒｎ”で成形した後、ラバープ
レスにより１５００ｋｇ／ｃｍ’で更に加圧して生形体
を得た．この生形体を焼結してムライト系焼結体を得た
。なお、焼結はホットプレスを用い、昇温速度は１５０
℃／ ｈ ｒとし、３ ０ ０ ｋ ｇ ／ ｃ ｍ’
にて１６００℃で１時間行なった． 得られたムライト系焼結体の諸特性を第１表に示す． 第 １ 表 第１表より所定量のＳｉＣを添加したムライト系焼結体
により、常温から１３００℃といった高温まで安定して
著しく高い強度が得られることが明らかである． ［発明の効果］ 以上詳述した通り、本発明のムライト系焼結体は、安価
な原料を用いて低コストに提供されるものであり、しか
も、高温強度、耐久性等の特性に著しく優れる．従って
、本発明のムライト系焼結体は、工業用耐火材料等とし
て、長期にわたり極めて有効に使用することができる。
説明する． 実施例１，２、比較例ｌ 精製したカオリナイトに組成がＡＩＩ．２０３／Ｓ ｉ
Ｏ ２ ＝ ３ ／ ２ （モル比）となるようにア
ルミナを添加し、ボールミル（Ｚｒ０２ボール）により
アルコールを用いて４８時間湿式粉砕した。なお、この
場合、メディア攪拌型粉砕＄ｊｌ（アトライター）を用
いると１〜２時間で処理することが可能である．原料を
９０％以上が粒径５μｍ以下となるように粉砕した後、
これにＳｉＣ粉末（昭和電工社製：平均粒径５μｍ）を
第１表に示す量添加し（比較例１は添加せず）、更にボ
ールミルで５時間混合した．これを乾燥、解砕した後、
有機質バインダー（ＰＶＡ）を５重量％添加して十分に
混練した． 混練物をプレス成形により５０ｍｍφＸ５ｍｍに５ ０
０ ｋ ｇ ／ ｃ ｒｎ”で成形した後、ラバープ
レスにより１５００ｋｇ／ｃｍ’で更に加圧して生形体
を得た．この生形体を焼結してムライト系焼結体を得た
。なお、焼結はホットプレスを用い、昇温速度は１５０
℃／ ｈ ｒとし、３ ０ ０ ｋ ｇ ／ ｃ ｍ’
にて１６００℃で１時間行なった． 得られたムライト系焼結体の諸特性を第１表に示す． 第 １ 表 第１表より所定量のＳｉＣを添加したムライト系焼結体
により、常温から１３００℃といった高温まで安定して
著しく高い強度が得られることが明らかである． ［発明の効果］ 以上詳述した通り、本発明のムライト系焼結体は、安価
な原料を用いて低コストに提供されるものであり、しか
も、高温強度、耐久性等の特性に著しく優れる．従って
、本発明のムライト系焼結体は、工業用耐火材料等とし
て、長期にわたり極めて有効に使用することができる。
Claims (2)
- （１）ＳｉＣ及びムライトよりなり、ＳｉＣ含有量がム
ライトに対して５〜４０重量％であって、ムライト粒径
が１０〜１００μｍであることを特徴とするムライト系
焼結体。 - （２）精製粘土鉱物、バイヤーアルミナ及び珪石よりな
る群から選ばれる少なくとも２種を主原料として、Ａｌ
＿２Ｏ＿３／ＳｉＯ＿２の組成比がムライト生成範囲と
なるように調合し、該調合原料を９０％以上が粒径５μ
ｍ以下となるように湿式粉砕した後、粒径５０μｍ以下
のＳｉＣを前記調合原料に対して５〜４０重量％添加混
合し、次いで、得られた混合物を乾燥、解砕し、その後
、有機質バインダーを用いて成形し、成形体を１６００
℃以上の温度で１時間以上焼成することを特徴とするム
ライト系焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1158737A JPH0323255A (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | ムライト系焼結体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1158737A JPH0323255A (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | ムライト系焼結体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0323255A true JPH0323255A (ja) | 1991-01-31 |
Family
ID=15678235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1158737A Pending JPH0323255A (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | ムライト系焼結体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0323255A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008196568A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-28 | Nok Corp | ウォーターポンプ用密封装置 |
-
1989
- 1989-06-21 JP JP1158737A patent/JPH0323255A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008196568A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-28 | Nok Corp | ウォーターポンプ用密封装置 |
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