JPH03224226A - プラズマ加工方法およびそれに用いる装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明（よ　プラズマによる気相−固相界面における化
学的または物理的反応を利用した加工方法およびそれに
用いる装置に関する。

従来の技術 集積回路を中心としたマイクロエレクトロニクスの驚異
的な進歩は　レーザを中心としたオプトエレクトロニク
スの高度化と共へ　産業革命に匹敵する大きな社会革命
をもたらしつつある。集積回路の発明以夾　集積回路の
集積度は飛躍的に増大Ｌ　　Ｌ　Ｓ　Ｉ　（ｌａｒｇｅ
　５ｃａｌｅ　ＩＣ，大規模集積回路）、Ｖ　Ｌ　Ｓ　
Ｉ　（ｖｅｒｙ　ｌａｒｇｅ　５ｃａｌｅ　ＩＣ，超Ｌ
ＳＩ）、ＵＬＳ　Ｉ　（ｕｌｔｒａ　ｌａｒｇｅ　５ｃ
ａｌｅ　ＩＣ，超々ＬＳＩ）が次々に開発されている。

このような大きな集積度（よ　素子寸法の微細化や素子
構造および回路の改良工夫などによって構成されてき九 素子構造について（表　従来の平面的な（つまり、２次
元的な）構造で（Ｌ　これ以上の微細化を望めない段階
に達しており、方向性エツチング法を用いて基板に設け
たトレンチを利用する構造や、リフロー平坦化技術を用
いて配線を多層化した構造などの３次元的な構造か検討
されている。そして、集積回路の集積度（よ　今後Ｌ　
素子構造の物理的限界まで増大すると考えられも 集積回路の集積度を高めるに（表トランジスタや抵抗な
どの素子自体の寸法および配線パターンの寸法を縮小す
ることも必要である。最小パターン寸法について（よ　
現在のとこへ　１μの以下の微細パターンが実用化され
つつあり、光露光法の限界である約０．４μｍに近づい
ていも　光露光法では光の波長より細かいパターンを描
くことはできないので、さらに微細なパターンを得るに
ζよ　より波長の短いＸ線や電子線を用いる必要がある
。このような微細パターンの実現には　リソグラフィ法
と並んで、　ドライエツチング法が重要な役割を担う。

ドライエツチング法４１　　プラズス　ラジカノにおよ
びイオンなどによる気相−固相界面における化学的また
は物理的反応を利用し　薄膜または基板の不必要な部分
を除去する加工法である。　ドライエツチング法として
（よ　気相エツチング汰　プラズマエツチング法　スパ
ッタエツチング法　イオンビームエツチング法などがあ
も　スパッタエツチング法およびイオンビームエツチン
グ法に関しては　活性イオンやラジカルを用いる場合が
あり、特！ミ　それぞれ反応性スパッタエツチング法お
よび反応性イオンビームエツチング法と呼ばれていも　
集積回路の製造プロセス技術に適しているの４戴　これ
らの方法である。

反応性スパッタエツチング法（よ　反応性イオンエツチ
ング法とも呼ばれ　適当なガスの高周波放電により生成
されるプラズマ中の反応性イオンに試料を曝すと、エツ
チング反応によって、この試料表面の不必要部分が除去
されるというものであも　な払　必要な部分は　通象　
マスクとして用いたホトレジストパターンによって保護
される。

第８図は従来のドライエツチング装置の一例として反応
性イオンエツチング装置を示す模式図であも　この図に
示すように　金属性チャンバー１中に（よ　ガスコント
ローラ２を通して反応性ガスが導入され　排気系３によ
って適切な圧力に制御されていム　チャンバー１の上部
にはアノード（陽極）４が設けられ　下部にはカソード
（陰極）となる試料台５が設けられている。試料台５に
（よインピーダンス整合回路６を介してＲＦ電源７が接
続されており、試料台５とアノード４との間で高周波放
電を起こすことができる。このような反応性イオンエツ
チング装置で（よ　プラズマ中の反応性イオンが高周波
放電により生成されるイオンシース内で加速され　試料
８　（すなわ板　被エツチング材料）を衝撃してエツチ
ング反応を生よ方向性の強いエツチング加重　いわゆる
異方性エツチング加工を行うことができる。

素子寸法が縮小されるにしたがって、例えζ瓜トランジ
スタのゲート酸化膜は薄く形成され　また拡散層は浅く
形成されるようになっていも　これに伴（＼　ドライエ
ツチング法（主　選択性がより高く、使用するプラズマ
が低エネルギーであることが求められている。これは　
ゲート電場へのチャージアップによってゲート酸化膜の
破壊が生じたり、高エネルギーのイオンがシリコン基板
に衝撃することによって結晶欠陥の発生や不純物の混入
が生じたりするからであも　このような問題点を解決す
るために　プラズマ発生源に電子サイクロトロン共鳴（
ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ　ｒｅｓｏｎａ
ｎｃｅ：ＥＣＲ）現象を利用したＥＣＲプラズマエツチ
ング法が使用され始めている。

発明が解決しようとする課題 しかし　従来の反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）法や
ＥＣＲプラズマエツチング法は　プロセスの再現性に難
点があも　これは　高選択比と異方性とを満足させるた
めに堆積性の雰囲気を使用しているので、チャンバー内
壁の堆積膜がエツチング特性に大きな影響を与えるため
であると考えられる。例えｉｃ　　ＳＦａを主要ガスと
するＥＣＲプラズマエツチングで（よ　エツチングレー
トに処理枚数依存性が見られ　プロセス不安定の主要因
の一つになっている。

プラズマを用いたエツチング法で（！、プラズマ中に発
生した正イオンを加速するために　試料台に負のバイア
ス電圧を印加する必要がある。負のバイアス電圧を印加
する方法として（よ　独立した直流電源を用いる固定バ
イアス法と、コンデンサを用いて試料台を直流的に浮か
すことによって生じる負の電圧を利用するセルフバイア
ス法がある。

プロセスの再現性を向上させる試みとして、セルフバイ
アス法において、負のバイアス電圧を一定値に保持する
方法がある。これは　例えば反応性イオンエツチング法
においては　エツチング時のイオンエネルギーが試料台
の直流電位Ｖｄｃにほぼ相当するので、Ｖｄｃが一定に
なるように　ＲＦ電力を制御するものである。

しかし　エツチング特性を左右するプラズマ状態（よ　
試料台の直流電位Ｖｄｃだけではなく、プラズマ中の電
子密度やイオン密度、電子温度などにも依存することが
知られている。上記の方法（よ　これらの重要なパラメ
タ値を制御することはできないので、実際のエツチング
法に（飄　はとんど用いられていない。

かくして、本発明が目的とするところｉＬ　　（１，）
チャンバー内壁の堆積膜とは無関係にプラズマ状態を精
度よく再現し得るプラズマ加工法を提供すること；（２
）加工の再現性および精度が著しく向上する実用性の高
いプラズマ加工法を提供すること、および（３）このよ
うな優れた利点を有するプラズマ加工法に使用する装置
を提供することである。

課題を解決するための手段 本発明のプラズマ加工装置は　加工用のプラズマを発生
させるプラズマ反応室と、該プラズマ反応室にインピー
ダンス整合回路を介して高周波電力を供給する高周波電
源と、該プラズマ反応室内のプラズマインピーダンスを
実質的に一定に保持するためのフィードバック機構とを
備えており、該フィードバック機構（友　インピーダン
ス検知手段としても機能する該インピーダンス整合回路
を含む。

ある好ましい実施態様で（よ　上記プラズマインピーダ
ンスの虚数部が実質的に保持される。

ある好ましい実施態様で（訳　上記フィードバック機構
が、　インピーダンス整合回路に接続されたフィードバ
ックパラメタ設定回路を含み、　プラズマインピーダン
スに関する情報を基にして、少なくとも１つのフィード
バックパラメタ値を該フイ−ドパツクパラメタ設定回路
で設定し　パラメタ値にフィードバックする力＼　ある
いは上記フィードバック機構力叉　プラズマインピーダ
ンスに関する情報に基づいて、直像　フィードバックを
行う。

ある好ましい実施態様で（友　上記フィードバック（よ
　プラズマ反応室内のガス圧力　プラズマ反応室内への
ガス流量、磁見　マイクロ波電力　および高周波電力か
らなる群から選択される少なくとも１つにかけられも さらに好ましい実施態様では　プラズマインピーダンス
に関する情報（友　上記インピーダンス整合回路に用い
たコンデンサの少なくとも１つの容量値である。

本発明によるプラズマ加工方法は　プラズマ反応室内の
ガス圧力　プラズマ反応室内へのガス流量、磁見　マイ
クロ波電力　および高周波電力からなる群から選択され
る少なくとも１つにフィードバックをかけることにより
、プラズマインピーダンスを実質的に一定に保持しなか
収　プラズマを用いて、エツチングまたは膜の堆積を行
う工程を包含する、 好ましい実施態様で１上　上記プラズマインピーダンス
の虚数部が実質的に保持される。

作用 本発明では前記の構成により、プラズマが一定値からシ
フトするとインピーダンスの変化としてそれが捉えられ
　インピーダンスの変化量に応じたプラズマ室内圧力　
磁見　ガス流量、または高周波電力等の変化としてフィ
ードバックされ　プラズマインピーダンスが、引いては
プラズマ状態が一定値に保たれも 実施例 （実施例１） 第１図は本発明をＥＣＲプラズマエツチングに適用した
プラズマ加工装置を示す。この図において、参照番号１
０はプラズマ反応室１１は石英ペルジャー、１２は被エ
ツチング試礼１３は試料台である。試料台１３には　イ
ンピーダンス整合回路１４を介して、ＲＦバイアス（１
３，５６ＭＨｚ）がＲＦ電源１５から供給される。プラ
ズマ反応室１０には　マグネトロン１６からマイクロ波
電力が供給され　このマイクロ波電力と、電磁石１７か
ら発生する磁界とによって、電子サイクロトロン共鳴条
件が満足される。

プラズマ反応室１０は真空ポンプを含む排気系１８によ
り排気さし１０１〜１０−’Ｐａのオーダーの真空度に
制御されていも 本実施例のプラズマ加工装置が従来のＥＣＲプラズマエ
ツチング装置と異なるの（よ　主として、インピーダン
ス整合回路１４に接続されたフィードバックパラメタ設
定回路１９を有するフィードバック機構５０を備えてい
る点であａ　このフィードバック機構５０はインピーダ
ンス整合回路１４をも含んでいる。フィードバックパラ
メタ設定回路１９（ヨインピーダンス検知手段として機
能するインピーダンス整合回路１４から取り出されたプ
ラズマ反応室ｌＯ内のプラズマインピーダンスに関する
情報に基づいてフィードバックパラメタ値を設定し　マ
グネトロン１６にフィードバックをかけてそのマイクロ
波出力を制御することによって、プラズマインピーダン
スを実質的に一定に保持する。

ここで、本発明の基本的原理を、第１図および第２図Ａ
のフローチャートを参照しながら、説明すも プラズマ加工装置のシステムが稼働すると、まずインピ
ーダンス検知手段１４により、プラズマインピーダンス
が測定されも　次いで、フィードバックパラメタ設定回
路１９に予め設定されている値との比較を行う。このと
き、両者の差が予め決められている許容値ｄを越える場
合だけ、フィードバックパラメタ設定回路１９でフィー
ドバック量が計算され　所定のフィードバックパラメタ
（本実施例では　マイクロ波電力であるが、　−膜内に
（表プラズマ反応室内へのガス流ｉ　プラズマ反応室内
のガス圧力　磁見　または高周波電力）の変化にフィー
ドバックされる。このようにして、プラズマインピーダ
ンスの変動が抑制され　その結果プラズマ状態が実質的
に一定に保持される。

本実施例で（よ　フィードバック量を計算するための演
算回路がフィードバックパラメタ設定回路１９に組み込
まれているが、第２図Ｂに示すよう区測定値と設定値と
の差が許容値ｄを越えていることを検出すれば　直撓　
フィードバック機構によって、一定量または差に比例し
た量のフィードバックを行ってもよしも さらζへ　プラズマインピーダンスの測定について簡単
に説明すも　ドライエツチングに使用されるプラズマ（
よ　第３図Ａに示すよう番ミ　電子、イオン、および中
性分子の混在するバルクプラズマ２０と、試料１２の表
面近傍に形成される。電子がほとんど存在しないイオン
シース２１とから構成される。イオンシース２１に加わ
る電位差によって正イオンが加速されて試料１２を衝撃
することにより、エツチング反応が起こる。このことか
収　イオンシース２１がエツチング過程において重要な
役割を果たしていることがわかも 第３図Ａのプラズマ（よ　第３図Ｂのような等価回路で
表し得る。プラズマの等価回路に関する表現について（
友　例えζ戯Ｊ、Ｉｇｎａｃｉｏ　Ｕｌａｃｉａ　Ｆ、
他。

Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｒｅ５ｅａｒｃｈ　５ｏｃｉｅｔ
ｙ　Ｓｙｍｐｏｓｉａ　Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ、　Ｖ
ｏｌ、　９８．　ｐｐ、　２０３−２０８（１９８７）
を参照されたし〜バルクプラズマ２０は抵抗Ｒｂで表さ
れ　イオンシース２１は互いに並列に接続されたシース
容量Ｃｓｈと抵抗Ｒｓｈとで表される。プラズマインピ
ーダンス（友　このイオンシースの容１１ｃｓｈに反映
され般的には容量性となム　プラズマ密度などが変化す
ると、イオンシースの厚さＬｓｈが変化するので、プラ
ズマインピーダンスの変化として検知される。

本実施例のプラズマ加工装置では　インピーダンス整合
回路１４でプラズマインピーダンスを測定してい、Ｌ　
　ＲＦ電源１５からプラズマに最大の電力が供給される
よう圏　インピーダンス整合回路１４ではインピーダン
ス整合が行われる。この際　インピーダンス整合回路１
４の出力端からプラズマを見たインピーダンスと、プラ
ズマ側から見たインピーダンス整合回路１４を見たイン
ピーダンスと（よ互いに複素共役の関係にあ４　プラズ
マインピーダンスの測定（よ　この関係を利用している
。

例えは　インピーダンス整合回路１４力＜、第３図Ｃに
示すよう＆ミ　容量Ｃ１およびＣ２の２つの可変コンデ
ンサと、インダクタンスＬのコイルとから構成されてい
る場合に（よ　予めＣ１およびＣ２の様々な値に対して
、プラズマ側から見たインピーダンスを測定してテーブ
ル化しておくことにより、Ｃ＋およびＣ２の値からプラ
ズマインピーダンスを知ることができも 第４図１；Ｌ　　５Ｆｅ（９０％）と０ａ（１０％）と
の混合ガスを用いた場合に　上記の方法で測定されたプ
ラズマインピーダンスのガス圧力に対する依存性を示す
。

この図か収　ガス圧力の変動によって、プラズマ中の電
子密度やイオン密塞　電子温度などが変化し　それに伴
って、プラズマインピーダンスが変化していることがわ
かム このように容量Ｃ１およびＣ２の値からリアルタイムに
プラズマインピーダンスを知ることができも　容量Ｃ１
およびＣ２の値に基づいて、フィードバックパラメタ設
定回路１９の演算回路を介してマグネトロン１６のマイ
クロ波出力にフィードバックをかけることにより、プラ
ズマインピーダンスを一定に保持することができも　一
般的に４よ　容量Ｃ１およびＣ２の値から複素インピー
ダンスの変化に対応した２つの値（つまり、実数部およ
び虚数部）が得られるので、これら２つの値について補
正する必要がある力ｔ　場合によっては　いずれかの値
の補正で充分であム 次く　第５図ＡおよびＢを参照しなが収　このことを説
明すも　第５図ＡおよびＢ　ｌｅｔ、　　インピーダン
ス整合回路において整合が取れた状態での容量Ｃ１およ
びＣ２と、プラズマインピーダンスの実数部（第５図Ａ
）および虚数部（第５図Ｂ）との関係を示すグラフであ
も　これらのグラフは　離散的な値から得られたもので
あり、スムージング処理は行われていなし〜 ここで、システム稼働時当初のインピーダンス設定値が
、　容量Ｃ１およびＣｅの値に換算して、それぞれ４２
ｐＦおよび１８３ｐＦ　（図中に黒丸印で示す）であり
、マイクロ波電力を変化させた場合に　図中の破線のよ
うにプラズマインピーダンスが変化したと仮定すも　例
え＆救　加工を進めるにつれて、石英ペルジャーへの膜
堆積によってマイクロ波の吸収量が増大し　プラズマ密
度が減少すると、プラズマインピーダンスＬ　はぼこの
破線に沿って変化する。したがって、プラズマインピー
ダンスが当初の設定値に戻るように　マイクロ波電力を
変化させれｃｆ、、プラズマ状態をほぼ一定に保持する
ことができる。この場合、プラズマインピーダンスの実
数部または虚数部のいずれか一方を当初の値に戻せ（戯
　他方の値もほぼ当初の値に戻る。

−膜内に（表　プラズマ状態を完全に再現するために（
友　プラズマインピーダンスの実数部および虚数部の両
方を当初の設定値に戻す必要がある。

上記の場合のように　実数部および虚数部のいずれか一
方で、プラズマ状態をほぼ一定に保持できる場合には　
虚数部で補正を行うほうが望ましい。

なぜなぺ　虚数部はプラズマ反応と密接な関係にあるイ
オンシースの性質を反映していると考えられるからであ
る。

プラズマ状態の再現性を向上させるという目的に対して
は　必ずしもプラズマインピーダンスの値を求める必要
はなり〜　プラズマインピーダンスに対応する物理量で
あれ（′Ｌ　どのようなものであってもよく、例えばイ
ンピーダンス整合回路の可変コンデンサの容量Ｃ１およ
びＣ２を用いることができも 本実施例で（よ　実際へ　このような方法で、プラズマ
状態を制御したとこへ　極めて再現性の高いエツチング
加工を行うことができた 第６図１友ＣａＣ１ａＦｉガスとＳＦｅガスとを用いて
反応性イオンエツチングを行った場合のウェハ処理枚数
とエツチングレートとの関係を示すグラフであも　従来
のエツチング装置で（表　エツチング処理枚数が増加す
ると、石英ペルジャー内壁に堆積膜が付着し　この膜が
マイクロ波を吸収することによりプラズマに供給される
エネルギーが変化しその結果　プラズマ密度などの変化
が生じていたしたがって、従来のエツチング装置を用い
た場合には　第６図の曲線（ｂ）のように　ウェハ処理
枚数の増加に伴って、エツチングレートが低下し例えば
２５枚処理すると、当初のエツチングレートの７０％近
（にまで低下する場合があつ九　このたべ　実際の製造
ラインで（友　第６図の曲線（Ｃ）のようニ１０枚毎に
チャンバークリーニングを行う必要があった　これに対
し　本実施例では　第６図の曲線（ａ）のようへ　エツ
チングレートはウェハ処理枚数にほとんど依存しなかっ
た　これは　本実施例のプラズマ加工装置を用いること
によって、石英ペルジャー内壁への堆積膜に依存するこ
となく、プラズマ密度などが実質的に一定に保持され極
めて安定なエツチング特性が得られたことを示していも な耘　本実施例では　プラズマインピーダンスの変化を
マイクロ波出力で補正する場合について例示したが、例
えばＲＦ電旅　真空ポンプ栗　電磁石などにフィードバ
ックをかけてＬ　同様の結果が得られ九 （実施例２） 第７図は本発明をＲＩＥ　（反応性イオンエツチング）
に適用したプラズマ加工装置を示す。この図において、
参照番号３０はプラズマ反応室３１は被エツチング試Ｉ
ＥＩ、　　３２は試料台であも　試料台３２に（よ　イ
ンピーダンス整合回路３３を介して、ＲＦバイアス（１
３，５６ＭＨｚ）がＲＦ電源３４から供給される。

プラズマ反応室３０（戴　　真空ポンプを含む排気系３
５により排気さし１０１〜１０”　Ｐａのオーダーの真
空度に制御されている。

本実施例のプラズマ加工装置が従来のＲＩＥ装置と異な
るの（戴　主として、インピーダンス整合回路３３に接
続されたフィードバックパラメタ設定回路３６を有する
フィードバック機構５１を備えている点であも　このフ
ィードバック機構５１はインピーダンス整合回路３３を
も含んでいも　フィードバックパラメタ設定回路３６＆
ヨ　　インピーダンス検知手段として機能するインピー
ダンス整合回路３３から取り出されたプラズマ反応室３
０内のプラズマインピーダンスに関する情報に基づいて
フィードバックパラメタ値を設定ｔ、、ＲＦ電源３４ま
たは排気系３５にフィードバックをかけて、ＲＦ比出力
たは真空度を制御することによって、プラズマインピー
ダンスを実質的に一定に保持すａ 本実施例で（表　実際に　このような方法で、プラズマ
状態を制御したとこへ　極めて再現性の高いエツチング
加工を行うことができ島 従来のエツチング装置を用いた場合に（よ　エツチング
処理枚数の増加に伴って、プラズマ反応室内壁に付着し
た堆積膜からガスが放出され　プラズマ状態が変化する
ので、エツチング特性が変化していた これに対し　本実施例で（友　エツチング特性はエツチ
ング処理枚数にほとんど依存しなかっ九これζよ　本実
施例のプラズマ加工装置を用いることによって、プラズ
マ反応室内壁への堆積膜に依存することなく、プラズマ
密度などが実質的に一定に保持され　極めて安定なエツ
チング特性が得られたことを示している。

な抵　上記の実施例１および２で（よ　ドライエツチン
グの場合について説明したが、プラズマを用いたプロセ
ス加工技術であれ（′Ｌ　化学的気相成長法（ＣＶＤ法
）などの膜堆積技術にも適用することができる。

発明の詳細 な説明したようく　本発明によればチャンバー周囲壁の
状態にかかわらず再現性のよいプラズマプロセスを得る
ことができ、プロセス再現性、高精度化が実現され　そ
の実用的効果は大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のプラズマ加工装置の一実施例を示す模
式図　第２図（Ａ）および（Ｂ）は本発明のプラズマ加
工方法の２つの異なる手順を説明するためのフローチャ
ート医　第３図（Ａ）はドライエツチングに利用される
プラズマの状態を示す模式図　第３図（Ｂ）は第３図法
）に示すプラズマの等価回路医第３図（Ｃ）はインピー
ダンス整合回路の一例を示す回路皿　第４図はプラズマ
インピーダンスの測定結果を示す特性医　第５図（Ａン
および（Ｂ）は第３図（すのインピーダンス整合回路に
おいて整合が取れた状態での容量Ｃ１およびＣ２と、プ
ラズマインピーダンスのそれぞれ実数部および虚数部と
の関係を示す特性医　第６図は第１図のプラズマ加工装
置および従来のエツチング装置を反応性イオンエツチン
グに用いた場合のウェハ処理枚数とエツチングレートと
の関係を示す特性医　第７図は本発明のプラズマ加工装
置の他の実施例を示す模弐皿第８図は従来の反応性イオ
ンエツチング装置を示す模式図である。 １０、３０・・・・プラズマ反応ｉ　　１３，３２・・
・・試料台、１４、３３・・・・インピーダンス整合回
Ｉｉ＆　　１５．３４・・・・ＲＦ電＃１６・・・・マ
グネトロン、１８．３５・・・・排気栗１９．３６・・
・・フィードバックパラメタ設定回應５０゜５１・・・
・フィードバック機構。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）加工用のプラズマを発生させるプラズマ反応室と
   、該プラズマ反応室にインピーダンス整合回路を介して
   高周波電力を供給する高周波電源と、該プラズマ反応室
   内のプラズマインピーダンスを実質的に一定に保持する
   ためのフィードバック機構とを備え、該フィードバック
   機構が、インピーダンス検知手段としても機能する該イ
   ンピーダンス整合回路を含む、プラズマ加工装置。
2. （２）前記プラズマインピーダンスの虚数部が実質的に
   保持される、請求項１に記載のプラズマ加工装置。
3. （３）前記フィードバック機構が、インピーダンス整合
   回路に接続されたフィードバックパラメタ設定回路を含
   み、プラズマインピーダンスに関する情報を基にして、
   少なくとも１つのフィードバックパラメタ値が該フィー
   ドバックパラメタ設定回路に設定される、請求項１に記
   載のプラズマ加工装置。
4. （４）前記フィードバックパラメタが、プラズマ反応室
   内のガス圧力、プラズマ反応室内へのガス流量、磁界、
   マイクロ波電力、および高周波電力からなる群から選択
   される、請求項３に記載のプラズマ加工装置。
5. （５）プラズマインピーダンスに関する前記情報が、前
   記インピーダンス整合回路に用いたコンデンサの少なく
   とも１つの容量値である、請求項３に記載のプラズマ加
   工装置。
6. （６）前記フィードバック機構が、プラズマインピーダ
   ンスに関する情報に基づいて、直接、フィードバックを
   行う、請求項１に記載のプラズマ加工装置。
7. （７）前記フィードバックが、プラズマ反応室内のガス
   圧力、プラズマ反応室内へのガス流量、磁界、マイクロ
   波電力、および高周波電力からなる群から選択される少
   なくとも１つにかけられる、請求項６に記載のプラズマ
   加工装置。
8. （８）プラズマインピーダンスに関する前記情報が、前
   記インピーダンス整合回路に用いたコンデンサの少なく
   とも１つの容量値である、請求項６に記載のプラズマ加
   工装置。
9. （９）プラズマ反応室内のガス圧力、プラズマ反応室内
   へのガス流量、磁界、マイクロ波電力、および高周波電
   力からなる群から選択される少なくとも１つにフィード
   バックをかけることにより、プラズマインピーダンスを
   実質的に一定に保持しながら、プラズマを用いて、エッ
   チングまたは膜の堆積を行う工程を包含する、プラズマ
   加工方法。
10. （１０）前記プラズマインピーダンスの虚数部が実質的
    に保持される、請求項９に記載のプラズマ加工方法。