JPH03223760A - Resist pattern forming method - Google Patents
Resist pattern forming methodInfo
- Publication number
- JPH03223760A JPH03223760A JP1945990A JP1945990A JPH03223760A JP H03223760 A JPH03223760 A JP H03223760A JP 1945990 A JP1945990 A JP 1945990A JP 1945990 A JP1945990 A JP 1945990A JP H03223760 A JPH03223760 A JP H03223760A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- layer
- resist pattern
- contrast
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 abstract 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 206010011732 Cyst Diseases 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 208000031513 cyst Diseases 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はレジストパターン形成方法に関し、特に多層
レジストプロセスのレジストパターン形成方法に関する
ものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a resist pattern forming method, and particularly to a resist pattern forming method in a multilayer resist process.
半導体装置の高集積化にともない、回路パターンの微細
化が要求されるようになり、この要求を満たすため回路
パターンの製造工程において、下地層を加工するための
マスクとなるレジストパターンにも微細化が要求される
ようになった。そのため、従来より多層に塗布したレジ
スト膜を用いてレジストの加工形状を良くする多層レジ
ストプロセスが用いられている。この多層レジストプロ
セスの一種にポータプル会コンフォーマプル・マスク法
（以下ＰＣＭ法と称す）と呼ばれる方法がある。第２Ａ
図ないし第２Ｅ図はＰＣＭ法を用いた従来のレジストパ
ターン形成方法を示す断面工程図である。As semiconductor devices become more highly integrated, there is a demand for finer circuit patterns.In order to meet this demand, resist patterns that serve as masks for processing the underlying layer are also made finer in the circuit pattern manufacturing process. is now required. Therefore, a multilayer resist process has conventionally been used in which a resist film coated in multiple layers is used to improve the processed shape of the resist. One type of this multilayer resist process is a method called a portable conformal mask method (hereinafter referred to as PCM method). 2nd A
2A to 2E are cross-sectional process diagrams showing a conventional resist pattern forming method using the PCM method.
基板１上に平坦化兼パターニング用の下層レジスト２を
形成する。次に下層レジスト２上に下層レジスト２の露
光時にマスクの役目をする上層しシスト３を形成し、第
２Ａ図のような構造を得る。A lower resist 2 for planarization and patterning is formed on the substrate 1. Next, an upper layer cyst 3 is formed on the lower resist 2 to serve as a mask during exposure of the lower resist 2 to obtain a structure as shown in FIG. 2A.
次に露光マスク４を介し、上層レジスト３に上層露光光
５を照射し、その後現像することにより第２Ｂ図に示す
ように上層レジストパターン３ａが形成される。上層レ
ジストパターン３ａは第２Ｂ図に示すように台形になる
ことが多い。これは上層レジスト３の底面付近の露光量
が表面付近に比べ少なくなることに基づく。Next, upper layer resist 3 is irradiated with upper layer exposure light 5 through exposure mask 4, and then developed to form upper layer resist pattern 3a as shown in FIG. 2B. The upper resist pattern 3a often has a trapezoidal shape as shown in FIG. 2B. This is based on the fact that the amount of exposure near the bottom of the upper resist 3 is smaller than near the surface.
次に、第２Ｃ図に示すように、上層レジストパターン３
ａを介して下層レジスト２に下層露光光６を照射する。Next, as shown in FIG. 2C, the upper resist pattern 3
Lower layer exposure light 6 is irradiated onto the lower resist 2 through a.
上層レジストパターン３ａは下層露光光６を吸収する性
質をもっており、このため上層レジストパターン３ａは
下層レジスト２露光時にマスクとなる。このとき、上層
レジストパターン３ａは前述のように台形であるため側
面において下層露光光６の吸収が不完全となる。その結
果、上層レジストパターン３ａをマスクとして下層レジ
スト２を露光した場合の光学像のコントラストが第２Ｄ
図のように弱くなる。The upper resist pattern 3a has a property of absorbing the lower layer exposure light 6, and therefore, the upper resist pattern 3a serves as a mask when exposing the lower resist 2. At this time, since the upper resist pattern 3a is trapezoidal as described above, absorption of the lower layer exposure light 6 is incomplete on the side surfaces. As a result, the contrast of the optical image when the lower resist pattern 2 is exposed using the upper resist pattern 3a as a mask is 2D.
It becomes weaker as shown in the figure.
その後現像すると第２Ｅ図に示すような下層レジストパ
ターン２ａが得られる。After development, a lower resist pattern 2a as shown in FIG. 2E is obtained.
従来のレジストバタ・−ンの形成は上記のような順序で
行われ、下層レジスト２露光時のマスクとなる上層レジ
ストパターン３ａが台形となっているので、上層レジス
トパターン３ａを介して下層レジスト２に照射される下
層露光光６の吸収が上層レジストパターン３ａの側面で
不完全になり、下層レジスト２上の光学像のコントラス
トが低下し、下層レジスト２を現象しても所望の下層レ
ジストパターン２ａが得られないという問題点があった
。この問題は微細なレジストパターンを形成する場合さ
らに深刻となる。Conventional resist pattern formation is performed in the above order, and since the upper resist pattern 3a, which serves as a mask for exposing the lower resist 2, is trapezoidal, the resist pattern 3a is formed in the lower resist pattern 2 through the upper resist pattern 3a. Absorption of the irradiated lower layer exposure light 6 becomes incomplete on the side surfaces of the upper layer resist pattern 3a, and the contrast of the optical image on the lower layer resist 2 decreases. There was a problem that I couldn't get it. This problem becomes even more serious when forming a fine resist pattern.
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、下層レジ−スト露光時の光学像のコントラス
トを向上させることにより、精度よく下層レジストパタ
ーンを形成することができるレジストパターン形成方法
を得ること目的とする。This invention was made in order to solve the above-mentioned problems, and it is a resist pattern forming method that can form a lower resist pattern with high precision by improving the contrast of the optical image during exposure of the lower resist. Aim to get the method.
この発明に係るレジストパターン形成方法は、下地層を
準備する工程と、前記下地層の一生面上に第１のレジス
トを形成する工程と、前記第１のレジストの表面全面に
光退色性材料より成るコントラスト増強層を形成する工
程と、前記コントラスト増強層の表面に第２のレジスト
を形成する工程と、前記第２のレジストを所定のパター
ンにパターニングする工程と、前記パターニングされた
第２のレジストをマスクとして前記コントラスト増強層
及び第１のレジストを露光し、現像することにより前記
第１のレジストを所定のパターンにパターニングする工
程とを備えている。The resist pattern forming method according to the present invention includes a step of preparing a base layer, a step of forming a first resist on the entire surface of the base layer, and a step of forming a photobleachable material on the entire surface of the first resist. forming a second resist on the surface of the contrast enhancing layer; patterning the second resist into a predetermined pattern; and forming a second resist on the patterned second resist. The contrast enhancing layer and the first resist are exposed to light using the mask as a mask, and the first resist is patterned into a predetermined pattern by developing the contrast enhancing layer and the first resist.
この発明においては第１のレジストの表面に光退色性材
料より成るコントラスト増強層を形成し、パターニング
された第２のレジストをマスクとしてコントラスト増強
層を介して第１のレジストに露光を施すので、第２のレ
ジストでの露光光の吸収が不完全でも、第１のレジスト
への露光光のコントラストは向上する。In this invention, a contrast enhancement layer made of a photobleachable material is formed on the surface of the first resist, and the first resist is exposed to light through the contrast enhancement layer using the patterned second resist as a mask. Even if the second resist absorbs the exposure light incompletely, the contrast of the exposure light to the first resist is improved.
第１Ａ図ないし第１Ｆ図はこの発明に係るレジストパタ
ーン形成方法の一実施例を示す断面工程図および波形図
である。例えば、ＰＭＭＡ （ポリメチルメタクリレー
ト）より成る基板１上に下層レジスト２をスピン塗布す
る。その後、第１Ａ図に示すように、下層レジスト２上
に全面光退色性材料より成るコントラスト増強層１０を
スピン塗布する。FIGS. 1A to 1F are cross-sectional process diagrams and waveform diagrams showing one embodiment of the resist pattern forming method according to the present invention. For example, a lower resist 2 is spin-coated onto a substrate 1 made of PMMA (polymethyl methacrylate). Thereafter, as shown in FIG. 1A, a contrast enhancement layer 10 made of a photobleachable material is spin-coated over the entire surface of the lower resist 2.
次に第１Ｂ図に示すようにコントラスト増強層１０上全
面に上層レジスト３をスピン塗布する。Next, as shown in FIG. 1B, an upper resist 3 is spin-coated over the entire surface of the contrast enhancement layer 10.
その後、露光マスク４を介し上層露光光５を照射しその
後現像することにより第１Ｃ図に示すように上層レジス
トパターン３ａが形成される。このとき上層レジストパ
ターン３ａは従来と同様台形になる。Thereafter, the upper layer resist pattern 3a is formed as shown in FIG. 1C by irradiating the upper layer exposure light 5 through the exposure mask 4 and then developing it. At this time, the upper resist pattern 3a has a trapezoidal shape as in the conventional case.
次に、上層レジストパターン３ａを介してコントラスト
増強層１０に下層露光光６を照射する。Next, the contrast enhancement layer 10 is irradiated with lower layer exposure light 6 through the upper resist pattern 3a.
このとき従来と同様上層レジストパターン３ａは下層露
光光６を吸収する性質をもっており、このため、上層レ
ジストパターン３ａはコントラスト増強層１０及び下層
レジスト２露光時にマスクとして機能する。コントラス
ト増強層１０は前述のように光退色性材料より成ってお
り、この光退色性材料は周知のように強く露光されれば
早くブリーチングして光の透過率が高まり、弱い露光で
は遅くブリーチングする。従って、台形である上層レジ
ストパターン３ａの側面において下層露光光６の吸収が
不完全であっても、コントラスト増強層１０は明確にブ
リーチング部１０ａと非ブリーチング部１０ｂに分けら
れる。ブリーチング部１０ａは光の透過率が高く、非ブ
リーチング部１０ｂは光の透過率が低い。このため、下
層レジスト２に照射される下層露光光６のコントラスト
が第１Ｅ図に示すように従来（第２Ｄ図参照）よりも向
上する。そのため、現像後の下層レジストパターン２ａ
は第１Ｆ図に示すように従来（第２Ａ図）より矩形性が
よくなる。At this time, as in the conventional case, the upper resist pattern 3a has a property of absorbing the lower layer exposure light 6, and therefore, the upper resist pattern 3a functions as a mask when exposing the contrast enhancement layer 10 and the lower resist 2. The contrast enhancement layer 10 is made of a photobleaching material as described above, and as is well known, this photobleaching material bleaches quickly and increases light transmittance when exposed to strong light, and bleaches slowly when exposed to weak light. ing. Therefore, even if absorption of the lower layer exposure light 6 is incomplete on the side surfaces of the trapezoidal upper resist pattern 3a, the contrast enhancement layer 10 is clearly divided into a bleached portion 10a and a non-bleached portion 10b. The bleached portion 10a has a high light transmittance, and the non-bleached portion 10b has a low light transmittance. Therefore, the contrast of the lower layer exposure light 6 applied to the lower resist 2 is improved as shown in FIG. 1E compared to the conventional method (see FIG. 2D). Therefore, the lower resist pattern 2a after development
As shown in FIG. 1F, the rectangularity is better than in the conventional case (FIG. 2A).
以上のようにこの発明によれば、第１のレジストの表面
全面に光退色性材料より成るコントラスト増強層を形成
し、パターニングされた第２のレジストをマスクとして
コントラスト増強層及び第１のレジストと露光するよう
にしたので、第２のレジストでの露光光の吸収が不完全
でも第１のレジストへの露光光のコントラストは向上す
る。その結果、第１のレジストを現象すると第１のレジ
ストを所望のパターンに精度よく形成できるという効果
がある。As described above, according to the present invention, a contrast enhancement layer made of a photobleaching material is formed on the entire surface of the first resist, and the contrast enhancement layer and the first resist are formed using the patterned second resist as a mask. Since the second resist is exposed to light, the contrast of the exposure light to the first resist is improved even if the second resist absorbs the exposure light incompletely. As a result, when the first resist is developed, it is possible to form the first resist into a desired pattern with high precision.
第１Ａ図ないし第１Ｆ図はこの発明に係るレジストパタ
ーン形成方法の一実施例を説明するための図、第２Ａ図
ないし第２Ｅ図は従来のレジストパターン形成方法を説
明するための図である。
図において、１は基板、２は下層レジスト、２ａは下層
レジストパターン、３は上層レジスト、３ａは上層レジ
ストパターン、１０はコントラスト増強層である。
なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
第１Ａ図
基板
２：下層レジスト
１ｏ：コントラスト増強層
第１Ｂ
図
３：上層レジスト
第１Ｃ
図
第１Ｄ
図
第１Ｅ
図
第１Ｆ
図
２ａ：下層レジストパターン
第２Ａ図
第２Ｂ図1A to 1F are diagrams for explaining an embodiment of the resist pattern forming method according to the present invention, and FIGS. 2A to 2E are diagrams for explaining a conventional resist pattern forming method. In the figure, 1 is a substrate, 2 is a lower resist, 2a is a lower resist pattern, 3 is an upper resist, 3a is an upper resist pattern, and 10 is a contrast enhancement layer. Note that the same reference numerals in each figure indicate the same or corresponding parts. Figure 1A Substrate 2: Lower resist layer 1o: Contrast enhancement layer 1B Figure 3: Upper resist layer 1C Figure 1D Figure 1E Figure 1F Figure 2a: Lower resist pattern Figure 2A Figure 2B
Claims (1)
と、 前記第１のレジストの表面全面に光退色性材料より成る
コントラスト増強層を形成する工程と、前記コントラス
ト増強層の表面に第２のレジストを形成する工程と、 前記第２のレジストを所定のパターンにパターニングす
る工程と、 前記パターニングされた第２のレジストをマスクとして
前記コントラスト増強層及び第１のレジストを露光し、
現像することにより前記第１のレジストを所定のパター
ンにパターニングする工程とを備えたレジストパターン
形成方法。(1) A step of preparing an underlayer, a step of forming a first resist on one main surface of the underlayer, and a step of forming a contrast enhancement layer made of a photobleachable material over the entire surface of the first resist. forming a second resist on the surface of the contrast enhancement layer; patterning the second resist into a predetermined pattern; and using the patterned second resist as a mask to enhance the contrast. exposing the layer and the first resist;
A resist pattern forming method comprising the step of patterning the first resist into a predetermined pattern by developing.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1945990A JPH03223760A (en) | 1990-01-29 | 1990-01-29 | Resist pattern forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1945990A JPH03223760A (en) | 1990-01-29 | 1990-01-29 | Resist pattern forming method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03223760A true JPH03223760A (en) | 1991-10-02 |
Family
ID=11999901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1945990A Pending JPH03223760A (en) | 1990-01-29 | 1990-01-29 | Resist pattern forming method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03223760A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0689467A (en) * | 1992-09-09 | 1994-03-29 | Nec Corp | Formation of pit |
| JP2007173826A (en) * | 2005-12-24 | 2007-07-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | Method of fabricating dual damascene structure |
-
1990
- 1990-01-29 JP JP1945990A patent/JPH03223760A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0689467A (en) * | 1992-09-09 | 1994-03-29 | Nec Corp | Formation of pit |
| JP2007173826A (en) * | 2005-12-24 | 2007-07-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | Method of fabricating dual damascene structure |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5480047A (en) | Method for forming a fine resist pattern | |
| JP2005142254A (en) | Wiring board and manufacturing method therefor | |
| JPH03223760A (en) | Resist pattern forming method | |
| JP3130335B2 (en) | Method of forming resist pattern | |
| JPS62245251A (en) | Resist pattern forming method | |
| JP3091886B2 (en) | Method of forming resist pattern | |
| JPH03259257A (en) | Formation of fine pattern | |
| JP2001350269A (en) | Method for producing mask for solder printing | |
| KR100728947B1 (en) | Method for exposing using reticle for semiconductor device | |
| KR100399889B1 (en) | Method for forming photoresist pattern of semiconductor device | |
| JPS59168637A (en) | Forming method of minute pattern | |
| JPH0620901A (en) | Method of forming resist pattern | |
| KR950015617A (en) | Manufacturing method of fine pattern of semiconductor device | |
| JPH05299337A (en) | Forming method for multilayered resist film | |
| JPS58153932A (en) | Photographic etching method | |
| JPH03235948A (en) | Formation of fine pattern | |
| JPH0553322A (en) | Pattern forming method | |
| JPH01130527A (en) | Formation of resist pattern | |
| JPH03261129A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS6351637A (en) | Mask forming method | |
| JPH05204130A (en) | Reticle and mask and production thereof | |
| JPH03263834A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH0293461A (en) | Pattern forming method | |
| JPH04307549A (en) | Exposure filter for photosensitive material and method of exposing using it | |
| JPS62165651A (en) | Formation of resist pattern |