JPH03205783A - 端面発光型el素子 - Google Patents
端面発光型el素子Info
- Publication number
- JPH03205783A JPH03205783A JP2182266A JP18226690A JPH03205783A JP H03205783 A JPH03205783 A JP H03205783A JP 2182266 A JP2182266 A JP 2182266A JP 18226690 A JP18226690 A JP 18226690A JP H03205783 A JPH03205783 A JP H03205783A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- layer
- guiding path
- light guiding
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 title abstract 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 19
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 107
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 47
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 38
- 239000010408 film Substances 0.000 description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018509 Al—N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003781 PbTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910004299 TbF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008903 TmF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009103 reabsorption Effects 0.000 description 1
- VPRJMFJPKMESHB-UHFFFAOYSA-L samarium(ii) chloride Chemical compound Cl[Sm]Cl VPRJMFJPKMESHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- LKNRQYTYDPPUOX-UHFFFAOYSA-K trifluoroterbium Chemical compound F[Tb](F)F LKNRQYTYDPPUOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Light Guides In General And Applications Therefor (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、ファクシミリ等に用いられるイメ一ジスキャ
ナー用光源の高輝度化に関する。
ナー用光源の高輝度化に関する。
ファクシミリ等の普及に伴い、細かい図面や写真等を鮮
明な画像で送れることが要求される。
明な画像で送れることが要求される。
画質を決める大きな要因に、イメージスキャナーの分解
能があり、高い分解能を有するスキャナーを用いれば高
画質の図面や写真等を電送できる。
能があり、高い分解能を有するスキャナーを用いれば高
画質の図面や写真等を電送できる。
通常、ファクシミリ等の場合、原稿の読み取りは,光電
変換素子を一次元的に並べたセンサーアレーを掃引して
行なうが、センサーの素子が対峙する原稿面の領域が小
さければ小さいほど分解能が高くなる。しかし、原稿面
に対峙するセンサーの受光面積はそれに伴い小さくする
必要があり、受光量が減少してしまい、S/Nの低下を
招く。
変換素子を一次元的に並べたセンサーアレーを掃引して
行なうが、センサーの素子が対峙する原稿面の領域が小
さければ小さいほど分解能が高くなる。しかし、原稿面
に対峙するセンサーの受光面積はそれに伴い小さくする
必要があり、受光量が減少してしまい、S/Nの低下を
招く。
これを解決する方法として、電気ノイズを減少させるこ
と、センサー自体の光感度を向上させること等も挙げら
れるが、原稿面を照射する光源の輝度を向上させること
が、最も直接的な解決策となる。
と、センサー自体の光感度を向上させること等も挙げら
れるが、原稿面を照射する光源の輝度を向上させること
が、最も直接的な解決策となる。
ファクシミリ等の光源としては、キセノンランプ、LE
Dアレイ等が用いられているが、これらの光源の最大の
欠点は、光の集光性の悪さにある。例えば16本/+n
mや32本/mの分解能を有するイメージスキャナーの
場合、必要とされる光源の原稿面への照射領域はスキャ
ナーの掃引方向に対して30μm〜50μm程度である
のに対し、キセノンランプにおいてはランプの管径が細
くても1mφ以上あるため、レンズを用いても0.5m
m巾以下の領域に集光することは困難であり、又LED
アレイの場合はあまり光を集光すると、LEDが離散的
に並べてあるため光源の強度ムラが出てきてしまうとい
う欠点を有する。発光素子として実用化されているもの
には、上述したキセノンランプやLEDの他にEL素子
があるが、EL素子はLED等に比べて、大面積化はし
易い反面、単位面積当りの発光輝度が小さいため、ファ
クシミリ等の光源としては実用化されていない。
Dアレイ等が用いられているが、これらの光源の最大の
欠点は、光の集光性の悪さにある。例えば16本/+n
mや32本/mの分解能を有するイメージスキャナーの
場合、必要とされる光源の原稿面への照射領域はスキャ
ナーの掃引方向に対して30μm〜50μm程度である
のに対し、キセノンランプにおいてはランプの管径が細
くても1mφ以上あるため、レンズを用いても0.5m
m巾以下の領域に集光することは困難であり、又LED
アレイの場合はあまり光を集光すると、LEDが離散的
に並べてあるため光源の強度ムラが出てきてしまうとい
う欠点を有する。発光素子として実用化されているもの
には、上述したキセノンランプやLEDの他にEL素子
があるが、EL素子はLED等に比べて、大面積化はし
易い反面、単位面積当りの発光輝度が小さいため、ファ
クシミリ等の光源としては実用化されていない。
最近になって.EL素子が大面積化しやすいというメリ
ットを利かしてEL素子から発光される光を基板端面か
ら取り出すことにより,光源として利用する提案がされ
ており、薄膜EL素子を透明基板上に形成したEL光源
(特開昭57−7087号)、薄膜EL素子をアレイ状
に形或し、薄膜端面から光を取り出すことによって光プ
リンタ用の光源として用いる提案(ウェスチングハウス
約、SID86 DIGEST p270〜272)
. EL素子の上部又は下部に導波路層を設けるEL光
源(特開昭64−89280号)、EL素子の発光層の
両側にクラッド層を設けたEL素子(特開平1−109
694号)等が提案されている。特開昭57−7087
号で開示されているEL素子を用いた光源においては、
透明基板の厚みによって出射される光の巾が決まるが、
出射する光の巾を30μmとしたい場合には透明基板の
厚みを30μmと非常に薄くする必要があり、長尺の光
源を作或する場合、基板とEL素子との間の応力により
基板のソリが生じたり、基板の保持やフォトリングラフ
ィーの工程等で基板が薄いことによるハンドリングの難
かしさが生じる。又、光の閉じ込めに金属反射膜を使っ
ている。金属反射膜の反射率は、全反射と違い、反射率
が100%にはならないため,多数回の反射を繰り返す
と光量が減衰しまい、出射端面から遠い所で発光した光
は、出射端面での輝度が小さくなってしまうという欠点
を有する。
ットを利かしてEL素子から発光される光を基板端面か
ら取り出すことにより,光源として利用する提案がされ
ており、薄膜EL素子を透明基板上に形成したEL光源
(特開昭57−7087号)、薄膜EL素子をアレイ状
に形或し、薄膜端面から光を取り出すことによって光プ
リンタ用の光源として用いる提案(ウェスチングハウス
約、SID86 DIGEST p270〜272)
. EL素子の上部又は下部に導波路層を設けるEL光
源(特開昭64−89280号)、EL素子の発光層の
両側にクラッド層を設けたEL素子(特開平1−109
694号)等が提案されている。特開昭57−7087
号で開示されているEL素子を用いた光源においては、
透明基板の厚みによって出射される光の巾が決まるが、
出射する光の巾を30μmとしたい場合には透明基板の
厚みを30μmと非常に薄くする必要があり、長尺の光
源を作或する場合、基板とEL素子との間の応力により
基板のソリが生じたり、基板の保持やフォトリングラフ
ィーの工程等で基板が薄いことによるハンドリングの難
かしさが生じる。又、光の閉じ込めに金属反射膜を使っ
ている。金属反射膜の反射率は、全反射と違い、反射率
が100%にはならないため,多数回の反射を繰り返す
と光量が減衰しまい、出射端面から遠い所で発光した光
は、出射端面での輝度が小さくなってしまうという欠点
を有する。
又、ウェスチングハウス社がSID 86 DIGES
TP270〜272で開示しているEL素子においては
発光層の巾は1μm程度であり、センサー用の光源とし
ては薄すぎる。仮に発光層の厚みを数lOμmにすると
EL素子の邸動電圧を数K〜数十KVに上げなければな
らず、素子の信頼性が劣化する。
TP270〜272で開示しているEL素子においては
発光層の巾は1μm程度であり、センサー用の光源とし
ては薄すぎる。仮に発光層の厚みを数lOμmにすると
EL素子の邸動電圧を数K〜数十KVに上げなければな
らず、素子の信頼性が劣化する。
EL素子を導波路と組み合わせた従来技術としては、例
えば特開昭64−89280号に示されているように導
光層をEL素子の上部又は下部に形成された例があるが
、この構或においては、発光層が導波路内に形或されて
いないため、発光した光が全反射条件を満たしながら基
板端面に到着することはできず、光強度は発光素子を導
波路内に形成する本発明より原理的に弱くなる。
えば特開昭64−89280号に示されているように導
光層をEL素子の上部又は下部に形成された例があるが
、この構或においては、発光層が導波路内に形或されて
いないため、発光した光が全反射条件を満たしながら基
板端面に到着することはできず、光強度は発光素子を導
波路内に形成する本発明より原理的に弱くなる。
また特開平1−109694号に示されているような発
光層の両側にクラッド層を設ける構或においては、発光
層外への光のもれは妨げても発光層中での光の再吸収の
発生に起因する端面発光輝度の低下という問題点は全く
解消されていない。
光層の両側にクラッド層を設ける構或においては、発光
層外への光のもれは妨げても発光層中での光の再吸収の
発生に起因する端面発光輝度の低下という問題点は全く
解消されていない。
以上に述べたこれまでに提案されている端面型EL素子
においては、いずれもEL素子の上部又は下部絶縁層に
、直接金属電極が形成されており、EL素子からの発光
を端面から取り出す場合、先に述べたように、金属反射
膜の反射率は、全反射と違い、反射率が100%にはな
らないため多数回の反射を繰り返すと、光量が減衰して
しまい、出射端面から遠い所で発光した光は、出射端面
での輝度が小さくなってしまうという欠点を有する。
においては、いずれもEL素子の上部又は下部絶縁層に
、直接金属電極が形成されており、EL素子からの発光
を端面から取り出す場合、先に述べたように、金属反射
膜の反射率は、全反射と違い、反射率が100%にはな
らないため多数回の反射を繰り返すと、光量が減衰して
しまい、出射端面から遠い所で発光した光は、出射端面
での輝度が小さくなってしまうという欠点を有する。
本発明の目的は、以上の従来技術の持つ欠点を解決し、
数μm〜数10μmの発光巾を持ち、極めて高発光量の
端面発光型EL素子の新しい構成を提供する点にある。
数μm〜数10μmの発光巾を持ち、極めて高発光量の
端面発光型EL素子の新しい構成を提供する点にある。
本発明は、発光素子部、および光導波路より構成される
端面発光型EL素子において、光導波路が外側から断面
中心に向いその屈折率を増大させるとともに前記発光素
子部を構成する発光層、絶縁層、上部電極および下部電
極が前記光導波路内に位置していることを特徴とする端
面発光型EL素子に関する。
端面発光型EL素子において、光導波路が外側から断面
中心に向いその屈折率を増大させるとともに前記発光素
子部を構成する発光層、絶縁層、上部電極および下部電
極が前記光導波路内に位置していることを特徴とする端
面発光型EL素子に関する。
屈折率の変化のさせかたは、連続的でも非連続的であっ
てもよい。
てもよい。
非連続的である場合には、光導波路断面の中心部に位置
する層をコア層とし、外側に位置する層をクラッド層と
呼ぶが、クラッド層として空気あるいは透明基板を使用
することができる。
する層をコア層とし、外側に位置する層をクラッド層と
呼ぶが、クラッド層として空気あるいは透明基板を使用
することができる。
光導波路の出射端面と反対側の端面には、照射効率を上
げるため反射膜を形成しておくことが好ましい。
げるため反射膜を形成しておくことが好ましい。
本発明においては、導波路内に形成したEL素子の絶縁
層と直接接する電極として、上部電極,下部電極ともに
発光波長に対して透明な電極を用いることが好ましい。
層と直接接する電極として、上部電極,下部電極ともに
発光波長に対して透明な電極を用いることが好ましい。
導波路内にEL素子を形成し、且つ電極材として上部、
下部電極共に透明電極を用いることにより.EL素子か
ら発光した光の内導波路とEL素子発光層の屈折率で決
まる臨界角以上の角度を有する光は、導波路内に閉じ込
められ、全反射を繰り返しながら、導波路端面まで導か
れる。
下部電極共に透明電極を用いることにより.EL素子か
ら発光した光の内導波路とEL素子発光層の屈折率で決
まる臨界角以上の角度を有する光は、導波路内に閉じ込
められ、全反射を繰り返しながら、導波路端面まで導か
れる。
また、本発明においては、発光波長の異る発光部を複数
使用する場合には、光導波路内に光出射方向に対して順
次複数個形成しておくことができる(第6図参照)。
使用する場合には、光導波路内に光出射方向に対して順
次複数個形成しておくことができる(第6図参照)。
本発明で使われるEL発光層の母材としては、ZnS,
ZnSe,CaS,SrS等が用いられ、発光層のドー
パントとしてはMn,TbF,,TbOF,EuS,S
mCl3,TmF3,Cu,?eCl3等が用いられる
。又、絶縁層材料としてはY 2 0 3 + A 1
2 0 3 + S iO 2 t S l a N
4 +AIN,Ta20.,PbTiO3やこれらの混
合物積層膜等が用いられる。又、電極材料としてはAl
,Au,AgやCr等も用いられるが、電極材料が発光
する光に対して透明であることが望ましいため、SnO
2,In20a,ZnO,CdO,Cd2SnO4等が
用いられる。又、第4,5図に示したような反射膜、好
ましくは高反射率薄膜としてはAg,Au,AI,Cr
等の金属薄膜や誘電体多層反射膜等が用いられる。
ZnSe,CaS,SrS等が用いられ、発光層のドー
パントとしてはMn,TbF,,TbOF,EuS,S
mCl3,TmF3,Cu,?eCl3等が用いられる
。又、絶縁層材料としてはY 2 0 3 + A 1
2 0 3 + S iO 2 t S l a N
4 +AIN,Ta20.,PbTiO3やこれらの混
合物積層膜等が用いられる。又、電極材料としてはAl
,Au,AgやCr等も用いられるが、電極材料が発光
する光に対して透明であることが望ましいため、SnO
2,In20a,ZnO,CdO,Cd2SnO4等が
用いられる。又、第4,5図に示したような反射膜、好
ましくは高反射率薄膜としてはAg,Au,AI,Cr
等の金属薄膜や誘電体多層反射膜等が用いられる。
又、クラッド層やコア層に用いられる導波路薄膜として
はMgOy S102−Al−N,Al■03,Si○
2,SizN4y SiON膜等が挙げられる。
はMgOy S102−Al−N,Al■03,Si○
2,SizN4y SiON膜等が挙げられる。
又、基板材料としては石英ガラス,パイレツクスガラス
、結晶化ガラス、ソーダーガラス、アルミナ、AIN.
BN等が挙げられる。
、結晶化ガラス、ソーダーガラス、アルミナ、AIN.
BN等が挙げられる。
なお、基板材としては発光波長に対して透明で,かつコ
ア層の屈折率よりも屈折率が低い基板を用いれば基板自
体を第1クラッド層とじて用いることができる。第l〜
7図で示した図中の第1クラッド層は、この場合におい
ては省いても良い。又、第2クラッド層の上部が直接空
間の場合には、同じ理由で空間を第2クラッド層として
用いることができる。
ア層の屈折率よりも屈折率が低い基板を用いれば基板自
体を第1クラッド層とじて用いることができる。第l〜
7図で示した図中の第1クラッド層は、この場合におい
ては省いても良い。又、第2クラッド層の上部が直接空
間の場合には、同じ理由で空間を第2クラッド層として
用いることができる。
今まで述べた光導波路は、コア層及びクラッド層から形
成されるものについてであったが、本発゜明には光ファ
イバー等ですでに実現されているような光導波路層の屈
折率を導波路中心から外側に向って連続的に減少させる
ようにした、いわゆる屈折率分布型導波路も含まれる。
成されるものについてであったが、本発゜明には光ファ
イバー等ですでに実現されているような光導波路層の屈
折率を導波路中心から外側に向って連続的に減少させる
ようにした、いわゆる屈折率分布型導波路も含まれる。
この場合、発光層は屈折率分布型導路内部に形成すれば
良い。屈折率分布型光導波路の形或方法としてはイオン
交換法やCVD法による導波路形戒中に、ガス組或を連
続的に変化させる公知の手段により実現できる。
良い。屈折率分布型光導波路の形或方法としてはイオン
交換法やCVD法による導波路形戒中に、ガス組或を連
続的に変化させる公知の手段により実現できる。
コア層の膜厚は、好ましくは2μm〜100μm、より
好ましくは10μm〜50μmであり,第1,第2クラ
ッド層の膜厚は好ましくは0.3μm以上,より好まし
くは2μm以上である。コア層の膜?を1μm以下にす
ると、発光層の膜厚とあまり変らなくなってしまい第7
図で示した導波路を用いた効果はあまり期待できない。
好ましくは10μm〜50μmであり,第1,第2クラ
ッド層の膜厚は好ましくは0.3μm以上,より好まし
くは2μm以上である。コア層の膜?を1μm以下にす
ると、発光層の膜厚とあまり変らなくなってしまい第7
図で示した導波路を用いた効果はあまり期待できない。
又、コア層の膜厚を100μm以上とすると、出射され
る光量全体は大きくなるが出射断面積が広くなりすぎ、
あまり高い輝度は期待できない。
る光量全体は大きくなるが出射断面積が広くなりすぎ、
あまり高い輝度は期待できない。
又、クラッド層の膜厚を0.3μm以下にすると、クラ
ッド層を通して外部への光のしみ出しが行なわれ、光の
閉じ込めが十分できなくなる。
ッド層を通して外部への光のしみ出しが行なわれ、光の
閉じ込めが十分できなくなる。
又、発光層の発光波長に対する屈折率をn!IL、クラ
ッド層の屈折率をnalとした場合n61/nxLは好
ましくは0.9以下、より好ましくは0.7以下が良い
。理由は、後述の式(1)で示したようにn6■/nn
Lの値が1に近づけば近づくほど、端面まで伝達する光
の量は少なくなるからである。又、コア層の屈折率をn
0。、.とじた時、n。.,P./nELは好ましくは
0.5以上,より好ましくは0.75以上が良い。理由
はneer7nH(.があまり小さいと発光層から出射
された光がコア層との界面で全反射され、コア層内に入
射する先の割合が少くなるためである。又、コア層とし
ては薄膜プロセスで形成する場合の他に、薄板ガラスを
基板に貼り合せて用いる等の作成方法もある。
ッド層の屈折率をnalとした場合n61/nxLは好
ましくは0.9以下、より好ましくは0.7以下が良い
。理由は、後述の式(1)で示したようにn6■/nn
Lの値が1に近づけば近づくほど、端面まで伝達する光
の量は少なくなるからである。又、コア層の屈折率をn
0。、.とじた時、n。.,P./nELは好ましくは
0.5以上,より好ましくは0.75以上が良い。理由
はneer7nH(.があまり小さいと発光層から出射
された光がコア層との界面で全反射され、コア層内に入
射する先の割合が少くなるためである。又、コア層とし
ては薄膜プロセスで形成する場合の他に、薄板ガラスを
基板に貼り合せて用いる等の作成方法もある。
本発明の1つの実施態様を第1図に示す。
基板1上に第1クラッド層3,下部電極4、下部絶縁層
5、発光層6、上部絶縁層7、上部電極8が順次形成さ
れ、その上にコア層2、第2クラッド層3′が形或され
る。発光層6から出射された光はコア層2を経由してコ
ア層2とクラッド層3,3′の界面まで到達する。コア
層2の屈折率をクラッド層3,3′の屈折率よりも大き
くすると、到達した光の内、全反射条件を満たす光は、
界面で反射され再びコア層2を伝達する。以下光はクラ
ッド層3,3′とコア層2の界面で全反射を繰り返し,
コア層2端面10から光が出射される。光導波路として
屈折率分布型光導波路を用いた場合にも同様である。
5、発光層6、上部絶縁層7、上部電極8が順次形成さ
れ、その上にコア層2、第2クラッド層3′が形或され
る。発光層6から出射された光はコア層2を経由してコ
ア層2とクラッド層3,3′の界面まで到達する。コア
層2の屈折率をクラッド層3,3′の屈折率よりも大き
くすると、到達した光の内、全反射条件を満たす光は、
界面で反射され再びコア層2を伝達する。以下光はクラ
ッド層3,3′とコア層2の界面で全反射を繰り返し,
コア層2端面10から光が出射される。光導波路として
屈折率分布型光導波路を用いた場合にも同様である。
第2図に本発明の別の実施態様を示す。基板l上に第1
クラッド層3、コア層2を形或した後,下部電極4、下
部結縁暦5、発光層6、上部絶縁層7、上部電極8、第
2クラッド層3′を順次形成する。第1図に比べ第2図
においては、発光層6がコア層2形成後に成膜されるた
め,第1図に比べてコア層2と発光層6の間にひずみが
生じにくいというメリットを有する。
クラッド層3、コア層2を形或した後,下部電極4、下
部結縁暦5、発光層6、上部絶縁層7、上部電極8、第
2クラッド層3′を順次形成する。第1図に比べ第2図
においては、発光層6がコア層2形成後に成膜されるた
め,第1図に比べてコア層2と発光層6の間にひずみが
生じにくいというメリットを有する。
第3図に本発明の第3の実施態様を示す。
コア層を第1コア層2と第2コア層2′と2つで構成し
、第1コア暦2形成後にEL素子部(下部電極4、下部
絶縁層5、発光層6、上部絶縁層7、上部電極8)を形
成し,さらにその後に第2コア層2′、第2クラッド層
3′を形成する。この構成においては,発光層の上下が
厚いコア層で覆われるため,発光層6に対する基板や空
気からの汚染が少なくすることができる。
、第1コア暦2形成後にEL素子部(下部電極4、下部
絶縁層5、発光層6、上部絶縁層7、上部電極8)を形
成し,さらにその後に第2コア層2′、第2クラッド層
3′を形成する。この構成においては,発光層の上下が
厚いコア層で覆われるため,発光層6に対する基板や空
気からの汚染が少なくすることができる。
第2図および第3図で示した構成においても第1図のそ
れと同様に発光層6から出射された光の内,全反射条件
を満たす光はクラッド層3,3′にはさまれたコア層2
,2′内部を全反射を繰り返しながらコア層端部10ま
で伝達し、コア暦端部10で出射される。
れと同様に発光層6から出射された光の内,全反射条件
を満たす光はクラッド層3,3′にはさまれたコア層2
,2′内部を全反射を繰り返しながらコア層端部10ま
で伝達し、コア暦端部10で出射される。
発光層から出射される光の内,コア層端部まで伝達され
る光の割合は,主として発光層とクラッド層の屈折率の
比で決まり、発光層の屈折率をJ’l RL.クラッド
層の屈折率をnc+とした時、近似的に nxr+ で表わされる。つまり発光層とクラッド層の屈折率の比
が大きい程,コア層端部から出射される光の割合は大き
くなる。
る光の割合は,主として発光層とクラッド層の屈折率の
比で決まり、発光層の屈折率をJ’l RL.クラッド
層の屈折率をnc+とした時、近似的に nxr+ で表わされる。つまり発光層とクラッド層の屈折率の比
が大きい程,コア層端部から出射される光の割合は大き
くなる。
つぎに本発明の第4の実施態様について説明する。
第1図から第3図で示した実施態様においては、発光層
6とクラッド層3,3′の屈折率の比で決まる全反射条
件を満たす光以外の光は,基板1側又は表面自由空間側
に逃げてしまうが、このような光もコア層端部10まで
伝達させる目的で第4図に示したように,基板1と第1
クラッド層3の間および/または第2クラッド3′の上
部に発光波長に対して高い反射率を持つ薄膜9を形成す
れば、より多くの光がコア層端面10まで導かれる。第
4図において、基板1自体に発光波長に対して高い反射
率を有する材料を用いても同様の効果が得られる。
6とクラッド層3,3′の屈折率の比で決まる全反射条
件を満たす光以外の光は,基板1側又は表面自由空間側
に逃げてしまうが、このような光もコア層端部10まで
伝達させる目的で第4図に示したように,基板1と第1
クラッド層3の間および/または第2クラッド3′の上
部に発光波長に対して高い反射率を持つ薄膜9を形成す
れば、より多くの光がコア層端面10まで導かれる。第
4図において、基板1自体に発光波長に対して高い反射
率を有する材料を用いても同様の効果が得られる。
第5図は本発明の第5の実施態様を示すものである。
第5図は第2図において、光の出射が必要とされる側の
コア端面10の反対側の端面に高い反射率を有する薄膜
9を形成した構或で、このような構成を取ることにより
,より多くの光がコア層端面10まで導かれる。
コア端面10の反対側の端面に高い反射率を有する薄膜
9を形成した構或で、このような構成を取ることにより
,より多くの光がコア層端面10まで導かれる。
つぎに,本発明の第6の実施態様を第6図を参照して説
明する。
明する。
従来、EL素子は、通常ある狭い波長領域での発光しか
しないため、EL素子を用いた光源の白色化のためには
、特開昭60−264096号等で示されているように
発光層の積層化が行なわれる。しかしながら、積層化を
行うことによりEL素子恥動のための電極の多層配線、
積層化に?う発光層の膜質の劣化等がおこり、製造工程
上の困難さが伴う。しかしながら、本発明を用いれば第
6図に示すように赤,青、緑のEL発光層を積層化する
こと無く下部絶縁層5上の同一面上に順次並べて配置す
ることができ,これにより端面から白色の光を取り出す
ことができる。この場合、青色発光層としては、TmF
,ドープZoS、赤色発光層としてはSmCl■ドープ
ZnS、緑色発光層としてはTbF3ドープZnS等公
知の発光材料を使用することができる。三原色の輝度の
調整は、ドーパント濃度のコントロール、発光層膜厚の
制御、各発光層の発光面積の制御等によって行なわれる
。
しないため、EL素子を用いた光源の白色化のためには
、特開昭60−264096号等で示されているように
発光層の積層化が行なわれる。しかしながら、積層化を
行うことによりEL素子恥動のための電極の多層配線、
積層化に?う発光層の膜質の劣化等がおこり、製造工程
上の困難さが伴う。しかしながら、本発明を用いれば第
6図に示すように赤,青、緑のEL発光層を積層化する
こと無く下部絶縁層5上の同一面上に順次並べて配置す
ることができ,これにより端面から白色の光を取り出す
ことができる。この場合、青色発光層としては、TmF
,ドープZoS、赤色発光層としてはSmCl■ドープ
ZnS、緑色発光層としてはTbF3ドープZnS等公
知の発光材料を使用することができる。三原色の輝度の
調整は、ドーパント濃度のコントロール、発光層膜厚の
制御、各発光層の発光面積の制御等によって行なわれる
。
このような白色光源を用いれば、フルカラー画像読み取
り素子用の高輝度光源が得られる。
り素子用の高輝度光源が得られる。
以下、本発明の具体的な実施例を示す。
第2図で示した素子構或のものを製作した。
基板1としてはアルミナ基板を用いた。成膜前に基板1
表面をR a( tooλ以下となるよう研摩した。次
に第1クラッド層3としてSi○2膜をプラズマCVD
法を用いて作成した。
表面をR a( tooλ以下となるよう研摩した。次
に第1クラッド層3としてSi○2膜をプラズマCVD
法を用いて作成した。
基板温度250℃、原料ガスとして、siH4tN20
,N2を用いた。膜厚はlμm,3μmの2種類のもの
を作或した。成膜条件は.RFパワ−I W/cm、ガ
ス圧I Torrとし、SiH,tN20,N2の流量
をそれぞれ5SCCM, 40SCCM,20SCCM
とした。次にコア層2としてSi,N4膜をプラズマC
VD法を用いて作成した。基板温度300℃、原料ガス
として、SiH4,NH,,N2、それぞれの流量を5
SCCM, 40SCCM,10SCCM、RFパワー
I W/ad、ガス圧I Torrとし,コア層の膜厚
を2μm,20μmの2種類のものを作成した。
,N2を用いた。膜厚はlμm,3μmの2種類のもの
を作或した。成膜条件は.RFパワ−I W/cm、ガ
ス圧I Torrとし、SiH,tN20,N2の流量
をそれぞれ5SCCM, 40SCCM,20SCCM
とした。次にコア層2としてSi,N4膜をプラズマC
VD法を用いて作成した。基板温度300℃、原料ガス
として、SiH4,NH,,N2、それぞれの流量を5
SCCM, 40SCCM,10SCCM、RFパワー
I W/ad、ガス圧I Torrとし,コア層の膜厚
を2μm,20μmの2種類のものを作成した。
次に、RFスパッタリング法を用いて、下部電極4とし
てITO透明導電膜を作成した。スパッタガスとしては
.Arと02の混合ガスを用い、Arと02のガス流量
をそれぞれ30SCCM ,20SCCMとし、ガス圧
5mTorr,基板温度150℃、RF電力2 W/c
!で、膜厚1000λになるように作成した。
てITO透明導電膜を作成した。スパッタガスとしては
.Arと02の混合ガスを用い、Arと02のガス流量
をそれぞれ30SCCM ,20SCCMとし、ガス圧
5mTorr,基板温度150℃、RF電力2 W/c
!で、膜厚1000λになるように作成した。
次に、下部,Ii!l縁層5としてTa203膜をスパ
ッタリング法を用いて作或した。ターゲットとしてはT
a,O,焼結体を用いた。スパッタ条件はITO作威条
件と同じである。膜厚は3000人とした。次に発光層
6としてTbOFドープZnS薄膜を作成した。ターゲ
ットとしては、ZnS粉末とTbOF粉末を混合した焼
結体を用いた。スパッタガスはArとHeの混合ガスを
用い、ArとHeのガス流量をそれぞれ30SCCM
,20SCCMとし、スパッタガス圧2 X 10−”
Torr. RFパワー0.5W / Cl(、基板温
度350℃で成膜した。
ッタリング法を用いて作或した。ターゲットとしてはT
a,O,焼結体を用いた。スパッタ条件はITO作威条
件と同じである。膜厚は3000人とした。次に発光層
6としてTbOFドープZnS薄膜を作成した。ターゲ
ットとしては、ZnS粉末とTbOF粉末を混合した焼
結体を用いた。スパッタガスはArとHeの混合ガスを
用い、ArとHeのガス流量をそれぞれ30SCCM
,20SCCMとし、スパッタガス圧2 X 10−”
Torr. RFパワー0.5W / Cl(、基板温
度350℃で成膜した。
膜厚は7000人とした。次に上部絶縁層7と上部電極
8を下部絶縁層5、下部電極4と同じ成膜条件で同じ膜
厚だけ成膜した。次に第2クラツド層3′を第1クラッ
ド層3と同じ条件で同じ膜厚だけ成膜し、最後に電極取
り出し用配線として、AQを真空蒸着法によって1μm
或膜した。
8を下部絶縁層5、下部電極4と同じ成膜条件で同じ膜
厚だけ成膜した。次に第2クラツド層3′を第1クラッ
ド層3と同じ条件で同じ膜厚だけ成膜し、最後に電極取
り出し用配線として、AQを真空蒸着法によって1μm
或膜した。
ここで用いた発光層の屈折率は、発光波長が?550n
mの時− nxL押2)4、コア層の屈折率na*r*
”F2−0、クラッド層の屈折率n 111 = 1)
45であった。コア層の屈折率の影響を調べるために,
コア層としてSiON膜を用いたサンプルも作成し、コ
ア層の屈折率を1)5, 1)7とした。
mの時− nxL押2)4、コア層の屈折率na*r*
”F2−0、クラッド層の屈折率n 111 = 1)
45であった。コア層の屈折率の影響を調べるために,
コア層としてSiON膜を用いたサンプルも作成し、コ
ア層の屈折率を1)5, 1)7とした。
この場合のコア層もプラズマCVD法を用いて作成し、
原料ガスとしては、stH4t N2o,NH,を用い
た。成膜条件はSi,N4作成の場合と同じで、ガス流
量は屈折率が1)5の時S i H 45SCCM,
N20 40SCCM, NH310SCCM、屈折率
が1)7の時S iH45 SCCM, N20 20
SCCM,NH330SCCMとした。膜厚は20μm
とした。
原料ガスとしては、stH4t N2o,NH,を用い
た。成膜条件はSi,N4作成の場合と同じで、ガス流
量は屈折率が1)5の時S i H 45SCCM,
N20 40SCCM, NH310SCCM、屈折率
が1)7の時S iH45 SCCM, N20 20
SCCM,NH330SCCMとした。膜厚は20μm
とした。
又、クラッド層の屈折率の影響を調べるために,やはり
SiON膜でクラッド層の屈折率がnc■=1)8のサ
ンプルを作威した。この膜も上記SiON膜と同じ条件
で作成し、但しSiH.N20,NH3のガス流量は、
それぞれ5SCCM,10SCCM, 40SCCMと
した。膜厚は3pmとした。
SiON膜でクラッド層の屈折率がnc■=1)8のサ
ンプルを作威した。この膜も上記SiON膜と同じ条件
で作成し、但しSiH.N20,NH3のガス流量は、
それぞれ5SCCM,10SCCM, 40SCCMと
した。膜厚は3pmとした。
最後に導波路層を形成せず、基板上に下部電極、下部絶
縁層、発光層、上部II!l縁層、上部電極及び電極取
り出し用配線のみを或膜した比較サンプル1及びコア層
上に金属反射膜(AQ、厚さ1μII1)を形成した比
較サンプル2を作成した。
縁層、発光層、上部II!l縁層、上部電極及び電極取
り出し用配線のみを或膜した比較サンプル1及びコア層
上に金属反射膜(AQ、厚さ1μII1)を形成した比
較サンプル2を作成した。
作成したサンプルの作成条件及び得られた端面発光光量
を表1に示す。測定はEL素子電極に交流300V,5
KHzを印加した状態でフォトマルを用いて測定した。
を表1に示す。測定はEL素子電極に交流300V,5
KHzを印加した状態でフォトマルを用いて測定した。
なお,作威した素子のサイズは、1 an X 1 a
n で,発光量は1つの端面からの発光量を測定した
。
n で,発光量は1つの端面からの発光量を測定した
。
(以下余白)
以上のことから本発明により高輝度で、且、出射巾の狭
い光源が実現でき、光センサー用の光源、又は光プリン
タ用の光源として好適であることがわかる。
い光源が実現でき、光センサー用の光源、又は光プリン
タ用の光源として好適であることがわかる。
本発明において、導波路中にEL素子を作り込む効果は
、EL素子から出射した光が、全反射条件を繰り返しな
がらコア層端面まで導かれることにある。本発明で提案
する端面出射型光源の場合、発光点からコア層端面まで
光が伝達する際の光の減衰量が小さい程、端面での発光
輝度が高くなる。例えば特開昭57−7087号で開示
されているように、光の閉じ込めに単に金属膜を用いた
場合、金属の反射率は高くても95%程度が限度である
ため、20回程度の反射で光量は4割以下に減少してし
まう。従ってEL素子の発光層の巾を長くすることによ
り、端面からの光の出射量を多くしようとしても、出射
端面から離れた位置での寄与の割合は非常に小さくなり
、EL素子の発光層の巾を長くする効果はあまりない。
、EL素子から出射した光が、全反射条件を繰り返しな
がらコア層端面まで導かれることにある。本発明で提案
する端面出射型光源の場合、発光点からコア層端面まで
光が伝達する際の光の減衰量が小さい程、端面での発光
輝度が高くなる。例えば特開昭57−7087号で開示
されているように、光の閉じ込めに単に金属膜を用いた
場合、金属の反射率は高くても95%程度が限度である
ため、20回程度の反射で光量は4割以下に減少してし
まう。従ってEL素子の発光層の巾を長くすることによ
り、端面からの光の出射量を多くしようとしても、出射
端面から離れた位置での寄与の割合は非常に小さくなり
、EL素子の発光層の巾を長くする効果はあまりない。
一方、光の閉じ込めをコア層とクラッド層を有する導波
路構造を用いて行う場合、コア層とクラッド層との界面
で全反射条件を満たす光の反射率は通常99.9%以上
であることが知られており,100回程度の反射を繰り
返しても光量は約9割程度まで減少するだけである。
路構造を用いて行う場合、コア層とクラッド層との界面
で全反射条件を満たす光の反射率は通常99.9%以上
であることが知られており,100回程度の反射を繰り
返しても光量は約9割程度まで減少するだけである。
従って、EL素子の巾を長くすることにより端面からの
発光輝度を、それに比例して高くすることができる。
発光輝度を、それに比例して高くすることができる。
次に導波路コア層の膜厚を発光層や絶縁層の膜厚に比べ
て十分に大きくすることによる効果について述べる。先
に示した文献[ SID 86DIGEST P270
〜272(ウェスチングハウス社)〕に示されているよ
うに、導波路構造を持たない端面発光型EL素子の場合
、発光点から出射端面までの距離が数m以上離れると、
端面まで到達する光の割合は急激に減少してしまう。こ
の理由は、発光層の膜厚が5000A〜15000入と
薄いため端面まで光が到達する間に多数回反射を繰り返
すことになり、それによる減衰が大きいこと、及び発光
層及び#@縁層中で発光した光の再吸収が存在するため
である(第7図A参照).一方、EL素子から発光した
光を導波路中に導くことのできる本発明においては第7
図Bで示すように、出射端面まで到達する間の反射回数
が少くなり、又、発光層を通過する距離も少なくなるた
め、発光点が出射端面から離れている場合においても光
の減衰量は小さくなる。
て十分に大きくすることによる効果について述べる。先
に示した文献[ SID 86DIGEST P270
〜272(ウェスチングハウス社)〕に示されているよ
うに、導波路構造を持たない端面発光型EL素子の場合
、発光点から出射端面までの距離が数m以上離れると、
端面まで到達する光の割合は急激に減少してしまう。こ
の理由は、発光層の膜厚が5000A〜15000入と
薄いため端面まで光が到達する間に多数回反射を繰り返
すことになり、それによる減衰が大きいこと、及び発光
層及び#@縁層中で発光した光の再吸収が存在するため
である(第7図A参照).一方、EL素子から発光した
光を導波路中に導くことのできる本発明においては第7
図Bで示すように、出射端面まで到達する間の反射回数
が少くなり、又、発光層を通過する距離も少なくなるた
め、発光点が出射端面から離れている場合においても光
の減衰量は小さくなる。
かくして,本発明は従来の光導波部を持たない端面発光
型EL素子に比べ約10倍以上発光量が多い端面出力型
光源が実現でき、ファクシミリ等の高品位化、小型化が
実現できた。
型EL素子に比べ約10倍以上発光量が多い端面出力型
光源が実現でき、ファクシミリ等の高品位化、小型化が
実現できた。
第1〜6図は,本発明端面発光型EL素子の具体例を示
す断面図であり、第7図Aは従来型端面発光型EL素子
の原理図を、第7図Bは本発明の端面発光型EL素子の
原理図を示す。 1・・・基板 2・・・第1コア層2′・
・・第2コア層 3・・・第1クラッド層3′・・
・第2クラッド層 4・・・下部電極5・・・下部絶縁
層 7・・・上部絶縁層 9・・・高反射率薄膜 1l・・・下部電極取り出し 12・・・上部電極取り出し L・・・発光点 6・・・発光層 8・・・上部電極 10・・・コア層出射端面 第 1 図 第2図 第3 図 第4 図 第6図
す断面図であり、第7図Aは従来型端面発光型EL素子
の原理図を、第7図Bは本発明の端面発光型EL素子の
原理図を示す。 1・・・基板 2・・・第1コア層2′・
・・第2コア層 3・・・第1クラッド層3′・・
・第2クラッド層 4・・・下部電極5・・・下部絶縁
層 7・・・上部絶縁層 9・・・高反射率薄膜 1l・・・下部電極取り出し 12・・・上部電極取り出し L・・・発光点 6・・・発光層 8・・・上部電極 10・・・コア層出射端面 第 1 図 第2図 第3 図 第4 図 第6図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)発光素子部、および光導波路より構成される端面発
光型EL素子において、光導波路が外側から断面中心に
向いその屈折率を増大させるとともに前記発光素子部を
構成する発光層、絶縁層、上部電極および下部電極が前
記光導波路内に位置していることを特徴とする端面発光
型EL素子。 2)該上部電極および下部電極が共に発光波長に対して
透明である請求項1記載の端面発光型EL素子。 3)発光波長の異なる発光層が導波路光出射方向に対し
て、順次光導波路内に形成されている請求項1記載の端
面発光型EL素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2182266A JP3009431B2 (ja) | 1989-10-13 | 1990-07-10 | 端面発光型el素子 |
US07/564,078 US5124543A (en) | 1989-08-09 | 1990-08-08 | Light emitting element, image sensor and light receiving element with linearly varying waveguide index |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26726489 | 1989-10-13 | ||
JP1-267264 | 1989-10-13 | ||
JP2182266A JP3009431B2 (ja) | 1989-10-13 | 1990-07-10 | 端面発光型el素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03205783A true JPH03205783A (ja) | 1991-09-09 |
JP3009431B2 JP3009431B2 (ja) | 2000-02-14 |
Family
ID=26501128
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2182266A Expired - Fee Related JP3009431B2 (ja) | 1989-08-09 | 1990-07-10 | 端面発光型el素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3009431B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH027204A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド |
JPH065364A (ja) * | 1992-06-18 | 1994-01-14 | Tokyo Electric Co Ltd | 端面発光型el素子 |
JP2002050467A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2002182839A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-06-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 情報装置 |
WO2014208229A1 (ja) * | 2013-06-24 | 2014-12-31 | コニカミノルタ株式会社 | 発光装置 |
-
1990
- 1990-07-10 JP JP2182266A patent/JP3009431B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH027204A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド |
JPH065364A (ja) * | 1992-06-18 | 1994-01-14 | Tokyo Electric Co Ltd | 端面発光型el素子 |
JP2002050467A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2002182839A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-06-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 情報装置 |
WO2014208229A1 (ja) * | 2013-06-24 | 2014-12-31 | コニカミノルタ株式会社 | 発光装置 |
JP5704290B1 (ja) * | 2013-06-24 | 2015-04-22 | コニカミノルタ株式会社 | 発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3009431B2 (ja) | 2000-02-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5124543A (en) | Light emitting element, image sensor and light receiving element with linearly varying waveguide index | |
US9772072B2 (en) | Illumination apparatus | |
JP2553696B2 (ja) | 多色発光薄膜エレクトロルミネセンス装置 | |
RU2413335C2 (ru) | Электролюминесцентное устройство | |
US7543959B2 (en) | Illumination system with optical concentrator and wavelength converting element | |
US6833565B2 (en) | White-light led with dielectric omni-directional reflectors | |
US20100277887A1 (en) | Polarized white light emitting diode | |
US20130126930A1 (en) | Light source device | |
ES550984A0 (es) | Un dispositivo de television por proyeccion | |
WO2012172858A1 (ja) | 光学素子、光源装置及び投射型表示装置 | |
CN105182612A (zh) | 用于背光模组的光源组件、背光模组以及液晶显示器 | |
KR20110115509A (ko) | 장파장 투과필터를 포함하는 형광체 전환 단색 led | |
KR102113858B1 (ko) | 발광 다이오드용 광대역 유전 반사기 | |
CN101740703A (zh) | 一种led芯片及其制造方法 | |
JPWO2004055427A1 (ja) | 半導体発光装置及びその製法並びに線状光源 | |
JPH03205783A (ja) | 端面発光型el素子 | |
EP3730979A1 (en) | Light-emitting apparatus | |
CN207396957U (zh) | 波长转换部件、投影仪以及照明装置 | |
JPH03165171A (ja) | 密着型イメージセンサー | |
US10688527B2 (en) | Phosphor device comprising plural phosphor agents for converting waveband light into plural color lights with different wavelength peaks | |
JPH08293382A (ja) | 指向性線光源としてのエッジエミッタ | |
US11306898B2 (en) | Wavelength conversion element | |
WO2019006979A1 (zh) | 波长转换装置和激光荧光转换型光源 | |
US11360374B2 (en) | Light source device and electronic apparatus | |
WO2020140778A1 (zh) | 波长转换装置、光源***与显示设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |