JPH03205783A - 端面発光型ｅｌ素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、ファクシミリ等に用いられるイメ一ジスキャ
ナー用光源の高輝度化に関する。

〔従来技術〕

ファクシミリ等の普及に伴い、細かい図面や写真等を鮮
明な画像で送れることが要求される。

画質を決める大きな要因に、イメージスキャナーの分解
能があり、高い分解能を有するスキャナーを用いれば高
画質の図面や写真等を電送できる。

通常、ファクシミリ等の場合、原稿の読み取りは，光電
変換素子を一次元的に並べたセンサーアレーを掃引して
行なうが、センサーの素子が対峙する原稿面の領域が小
さければ小さいほど分解能が高くなる。しかし、原稿面
に対峙するセンサーの受光面積はそれに伴い小さくする
必要があり、受光量が減少してしまい、Ｓ／Ｎの低下を
招く。

これを解決する方法として、電気ノイズを減少させるこ
と、センサー自体の光感度を向上させること等も挙げら
れるが、原稿面を照射する光源の輝度を向上させること
が、最も直接的な解決策となる。

ファクシミリ等の光源としては、キセノンランプ、ＬＥ
Ｄアレイ等が用いられているが、これらの光源の最大の
欠点は、光の集光性の悪さにある。例えば１６本／＋ｎ
ｍや３２本／ｍの分解能を有するイメージスキャナーの
場合、必要とされる光源の原稿面への照射領域はスキャ
ナーの掃引方向に対して３０μｍ〜５０μｍ程度である
のに対し、キセノンランプにおいてはランプの管径が細
くても１ｍφ以上あるため、レンズを用いても０．５ｍ
ｍ巾以下の領域に集光することは困難であり、又ＬＥＤ
アレイの場合はあまり光を集光すると、ＬＥＤが離散的
に並べてあるため光源の強度ムラが出てきてしまうとい
う欠点を有する。発光素子として実用化されているもの
には、上述したキセノンランプやＬＥＤの他にＥＬ素子
があるが、ＥＬ素子はＬＥＤ等に比べて、大面積化はし
易い反面、単位面積当りの発光輝度が小さいため、ファ
クシミリ等の光源としては実用化されていない。

最近になって．ＥＬ素子が大面積化しやすいというメリ
ットを利かしてＥＬ素子から発光される光を基板端面か
ら取り出すことにより，光源として利用する提案がされ
ており、薄膜ＥＬ素子を透明基板上に形成したＥＬ光源
（特開昭５７−７０８７号）、薄膜ＥＬ素子をアレイ状
に形或し、薄膜端面から光を取り出すことによって光プ
リンタ用の光源として用いる提案（ウェスチングハウス
約、ＳＩＤ８６　ＤＩＧＥＳＴ　ｐ２７０〜２７２）　
．　ＥＬ素子の上部又は下部に導波路層を設けるＥＬ光
源（特開昭６４−８９２８０号）、ＥＬ素子の発光層の
両側にクラッド層を設けたＥＬ素子（特開平１−１０９
６９４号）等が提案されている。特開昭５７−７０８７
号で開示されているＥＬ素子を用いた光源においては、
透明基板の厚みによって出射される光の巾が決まるが、
出射する光の巾を３０μｍとしたい場合には透明基板の
厚みを３０μｍと非常に薄くする必要があり、長尺の光
源を作或する場合、基板とＥＬ素子との間の応力により
基板のソリが生じたり、基板の保持やフォトリングラフ
ィーの工程等で基板が薄いことによるハンドリングの難
かしさが生じる。又、光の閉じ込めに金属反射膜を使っ
ている。金属反射膜の反射率は、全反射と違い、反射率
が１００％にはならないため，多数回の反射を繰り返す
と光量が減衰しまい、出射端面から遠い所で発光した光
は、出射端面での輝度が小さくなってしまうという欠点
を有する。

又、ウェスチングハウス社がＳＩＤ　８６　ＤＩＧＥＳ
ＴＰ２７０〜２７２で開示しているＥＬ素子においては
発光層の巾は１μｍ程度であり、センサー用の光源とし
ては薄すぎる。仮に発光層の厚みを数ｌＯμｍにすると
ＥＬ素子の邸動電圧を数Ｋ〜数十ＫＶに上げなければな
らず、素子の信頼性が劣化する。

ＥＬ素子を導波路と組み合わせた従来技術としては、例
えば特開昭６４−８９２８０号に示されているように導
光層をＥＬ素子の上部又は下部に形成された例があるが
、この構或においては、発光層が導波路内に形或されて
いないため、発光した光が全反射条件を満たしながら基
板端面に到着することはできず、光強度は発光素子を導
波路内に形成する本発明より原理的に弱くなる。

また特開平１−１０９６９４号に示されているような発
光層の両側にクラッド層を設ける構或においては、発光
層外への光のもれは妨げても発光層中での光の再吸収の
発生に起因する端面発光輝度の低下という問題点は全く
解消されていない。

以上に述べたこれまでに提案されている端面型ＥＬ素子
においては、いずれもＥＬ素子の上部又は下部絶縁層に
、直接金属電極が形成されており、ＥＬ素子からの発光
を端面から取り出す場合、先に述べたように、金属反射
膜の反射率は、全反射と違い、反射率が１００％にはな
らないため多数回の反射を繰り返すと、光量が減衰して
しまい、出射端面から遠い所で発光した光は、出射端面
での輝度が小さくなってしまうという欠点を有する。

〔目　　的〕

本発明の目的は、以上の従来技術の持つ欠点を解決し、
数μｍ〜数１０μｍの発光巾を持ち、極めて高発光量の
端面発光型ＥＬ素子の新しい構成を提供する点にある。

〔構　　成〕

本発明は、発光素子部、および光導波路より構成される
端面発光型ＥＬ素子において、光導波路が外側から断面
中心に向いその屈折率を増大させるとともに前記発光素
子部を構成する発光層、絶縁層、上部電極および下部電
極が前記光導波路内に位置していることを特徴とする端
面発光型ＥＬ素子に関する。

屈折率の変化のさせかたは、連続的でも非連続的であっ
てもよい。

非連続的である場合には、光導波路断面の中心部に位置
する層をコア層とし、外側に位置する層をクラッド層と
呼ぶが、クラッド層として空気あるいは透明基板を使用
することができる。

光導波路の出射端面と反対側の端面には、照射効率を上
げるため反射膜を形成しておくことが好ましい。

本発明においては、導波路内に形成したＥＬ素子の絶縁
層と直接接する電極として、上部電極，下部電極ともに
発光波長に対して透明な電極を用いることが好ましい。

導波路内にＥＬ素子を形成し、且つ電極材として上部、
下部電極共に透明電極を用いることにより．ＥＬ素子か
ら発光した光の内導波路とＥＬ素子発光層の屈折率で決
まる臨界角以上の角度を有する光は、導波路内に閉じ込
められ、全反射を繰り返しながら、導波路端面まで導か
れる。

また、本発明においては、発光波長の異る発光部を複数
使用する場合には、光導波路内に光出射方向に対して順
次複数個形成しておくことができる（第６図参照）。

本発明で使われるＥＬ発光層の母材としては、ＺｎＳ，
ＺｎＳｅ，ＣａＳ，ＳｒＳ等が用いられ、発光層のドー
パントとしてはＭｎ，ＴｂＦ，，ＴｂＯＦ，ＥｕＳ，Ｓ
ｍＣｌ３，ＴｍＦ３，Ｃｕ，？ｅＣｌ３等が用いられる
。又、絶縁層材料としてはＹ　２　０　３　＋　Ａ　１
２　０　３　＋　Ｓ　ｉＯ　２　ｔ　Ｓ　ｌ　ａ　Ｎ　
４　＋ＡＩＮ，Ｔａ２０．，ＰｂＴｉＯ３やこれらの混
合物積層膜等が用いられる。又、電極材料としてはＡｌ
，Ａｕ，ＡｇやＣｒ等も用いられるが、電極材料が発光
する光に対して透明であることが望ましいため、ＳｎＯ
２，Ｉｎ２０ａ，ＺｎＯ，ＣｄＯ，Ｃｄ２ＳｎＯ４等が
用いられる。又、第４，５図に示したような反射膜、好
ましくは高反射率薄膜としてはＡｇ，Ａｕ，ＡＩ，Ｃｒ
等の金属薄膜や誘電体多層反射膜等が用いられる。

又、クラッド層やコア層に用いられる導波路薄膜として
はＭｇＯｙ　Ｓ１０２−Ａｌ−Ｎ，Ａｌ■０３，Ｓｉ○
２，ＳｉｚＮ４ｙ　ＳｉＯＮ膜等が挙げられる。

又、基板材料としては石英ガラス，パイレツクスガラス
、結晶化ガラス、ソーダーガラス、アルミナ、ＡＩＮ．
ＢＮ等が挙げられる。

なお、基板材としては発光波長に対して透明で，かつコ
ア層の屈折率よりも屈折率が低い基板を用いれば基板自
体を第１クラッド層とじて用いることができる。第ｌ〜
７図で示した図中の第１クラッド層は、この場合におい
ては省いても良い。又、第２クラッド層の上部が直接空
間の場合には、同じ理由で空間を第２クラッド層として
用いることができる。

今まで述べた光導波路は、コア層及びクラッド層から形
成されるものについてであったが、本発゜明には光ファ
イバー等ですでに実現されているような光導波路層の屈
折率を導波路中心から外側に向って連続的に減少させる
ようにした、いわゆる屈折率分布型導波路も含まれる。

この場合、発光層は屈折率分布型導路内部に形成すれば
良い。屈折率分布型光導波路の形或方法としてはイオン
交換法やＣＶＤ法による導波路形戒中に、ガス組或を連
続的に変化させる公知の手段により実現できる。

コア層の膜厚は、好ましくは２μｍ〜１００μｍ、より
好ましくは１０μｍ〜５０μｍであり，第１，第２クラ
ッド層の膜厚は好ましくは０．３μｍ以上，より好まし
くは２μｍ以上である。コア層の膜？を１μｍ以下にす
ると、発光層の膜厚とあまり変らなくなってしまい第７
図で示した導波路を用いた効果はあまり期待できない。

又、コア層の膜厚を１００μｍ以上とすると、出射され
る光量全体は大きくなるが出射断面積が広くなりすぎ、
あまり高い輝度は期待できない。

又、クラッド層の膜厚を０．３μｍ以下にすると、クラ
ッド層を通して外部への光のしみ出しが行なわれ、光の
閉じ込めが十分できなくなる。

又、発光層の発光波長に対する屈折率をｎ！ＩＬ、クラ
ッド層の屈折率をｎａｌとした場合ｎ６１／ｎｘＬは好
ましくは０．９以下、より好ましくは０．７以下が良い
。理由は、後述の式（１）で示したようにｎ６■／ｎｎ
Ｌの値が１に近づけば近づくほど、端面まで伝達する光
の量は少なくなるからである。又、コア層の屈折率をｎ
０。、．とじた時、ｎ。．，Ｐ．／ｎＥＬは好ましくは
０．５以上，より好ましくは０．７５以上が良い。理由
はｎｅｅｒ７ｎＨ（．があまり小さいと発光層から出射
された光がコア層との界面で全反射され、コア層内に入
射する先の割合が少くなるためである。又、コア層とし
ては薄膜プロセスで形成する場合の他に、薄板ガラスを
基板に貼り合せて用いる等の作成方法もある。

本発明の１つの実施態様を第１図に示す。

基板１上に第１クラッド層３，下部電極４、下部絶縁層
５、発光層６、上部絶縁層７、上部電極８が順次形成さ
れ、その上にコア層２、第２クラッド層３′が形或され
る。発光層６から出射された光はコア層２を経由してコ
ア層２とクラッド層３，３′の界面まで到達する。コア
層２の屈折率をクラッド層３，３′の屈折率よりも大き
くすると、到達した光の内、全反射条件を満たす光は、
界面で反射され再びコア層２を伝達する。以下光はクラ
ッド層３，３′とコア層２の界面で全反射を繰り返し，
コア層２端面１０から光が出射される。光導波路として
屈折率分布型光導波路を用いた場合にも同様である。

第２図に本発明の別の実施態様を示す。基板ｌ上に第１
クラッド層３、コア層２を形或した後，下部電極４、下
部結縁暦５、発光層６、上部絶縁層７、上部電極８、第
２クラッド層３′を順次形成する。第１図に比べ第２図
においては、発光層６がコア層２形成後に成膜されるた
め，第１図に比べてコア層２と発光層６の間にひずみが
生じにくいというメリットを有する。

第３図に本発明の第３の実施態様を示す。

コア層を第１コア層２と第２コア層２′と２つで構成し
、第１コア暦２形成後にＥＬ素子部（下部電極４、下部
絶縁層５、発光層６、上部絶縁層７、上部電極８）を形
成し，さらにその後に第２コア層２′、第２クラッド層
３′を形成する。この構成においては，発光層の上下が
厚いコア層で覆われるため，発光層６に対する基板や空
気からの汚染が少なくすることができる。

第２図および第３図で示した構成においても第１図のそ
れと同様に発光層６から出射された光の内，全反射条件
を満たす光はクラッド層３，３′にはさまれたコア層２
，２′内部を全反射を繰り返しながらコア層端部１０ま
で伝達し、コア暦端部１０で出射される。

発光層から出射される光の内，コア層端部まで伝達され
る光の割合は，主として発光層とクラッド層の屈折率の
比で決まり、発光層の屈折率をＪ’ｌ　ＲＬ．クラッド
層の屈折率をｎｃ＋とした時、近似的に ｎｘｒ＋ で表わされる。つまり発光層とクラッド層の屈折率の比
が大きい程，コア層端部から出射される光の割合は大き
くなる。

つぎに本発明の第４の実施態様について説明する。

第１図から第３図で示した実施態様においては、発光層
６とクラッド層３，３′の屈折率の比で決まる全反射条
件を満たす光以外の光は，基板１側又は表面自由空間側
に逃げてしまうが、このような光もコア層端部１０まで
伝達させる目的で第４図に示したように，基板１と第１
クラッド層３の間および／または第２クラッド３′の上
部に発光波長に対して高い反射率を持つ薄膜９を形成す
れば、より多くの光がコア層端面１０まで導かれる。第
４図において、基板１自体に発光波長に対して高い反射
率を有する材料を用いても同様の効果が得られる。

第５図は本発明の第５の実施態様を示すものである。

第５図は第２図において、光の出射が必要とされる側の
コア端面１０の反対側の端面に高い反射率を有する薄膜
９を形成した構或で、このような構成を取ることにより
，より多くの光がコア層端面１０まで導かれる。

つぎに，本発明の第６の実施態様を第６図を参照して説
明する。

従来、ＥＬ素子は、通常ある狭い波長領域での発光しか
しないため、ＥＬ素子を用いた光源の白色化のためには
、特開昭６０−２６４０９６号等で示されているように
発光層の積層化が行なわれる。しかしながら、積層化を
行うことによりＥＬ素子恥動のための電極の多層配線、
積層化に？う発光層の膜質の劣化等がおこり、製造工程
上の困難さが伴う。しかしながら、本発明を用いれば第
６図に示すように赤，青、緑のＥＬ発光層を積層化する
こと無く下部絶縁層５上の同一面上に順次並べて配置す
ることができ，これにより端面から白色の光を取り出す
ことができる。この場合、青色発光層としては、ＴｍＦ
，ドープＺｏＳ、赤色発光層としてはＳｍＣｌ■ドープ
ＺｎＳ、緑色発光層としてはＴｂＦ３ドープＺｎＳ等公
知の発光材料を使用することができる。三原色の輝度の
調整は、ドーパント濃度のコントロール、発光層膜厚の
制御、各発光層の発光面積の制御等によって行なわれる
。

このような白色光源を用いれば、フルカラー画像読み取
り素子用の高輝度光源が得られる。

〔実施例〕

以下、本発明の具体的な実施例を示す。

第２図で示した素子構或のものを製作した。

基板１としてはアルミナ基板を用いた。成膜前に基板１
表面をＲ　ａ（　ｔｏｏλ以下となるよう研摩した。次
に第１クラッド層３としてＳｉ○２膜をプラズマＣＶＤ
法を用いて作成した。

基板温度２５０℃、原料ガスとして、ｓｉＨ４ｔＮ２０
，Ｎ２を用いた。膜厚はｌμｍ，３μｍの２種類のもの
を作或した。成膜条件は．ＲＦパワ−Ｉ　Ｗ／ｃｍ、ガ
ス圧Ｉ　Ｔｏｒｒとし、ＳｉＨ，ｔＮ２０，Ｎ２の流量
をそれぞれ５ＳＣＣＭ，　４０ＳＣＣＭ，２０ＳＣＣＭ
とした。次にコア層２としてＳｉ，Ｎ４膜をプラズマＣ
ＶＤ法を用いて作成した。基板温度３００℃、原料ガス
として、ＳｉＨ４，ＮＨ，，Ｎ２、それぞれの流量を５
ＳＣＣＭ，　４０ＳＣＣＭ，１０ＳＣＣＭ、ＲＦパワー
Ｉ　Ｗ／ａｄ、ガス圧Ｉ　Ｔｏｒｒとし，コア層の膜厚
を２μｍ，２０μｍの２種類のものを作成した。

次に、ＲＦスパッタリング法を用いて、下部電極４とし
てＩＴＯ透明導電膜を作成した。スパッタガスとしては
．Ａｒと０２の混合ガスを用い、Ａｒと０２のガス流量
をそれぞれ３０ＳＣＣＭ　，２０ＳＣＣＭとし、ガス圧
５ｍＴｏｒｒ，基板温度１５０℃、ＲＦ電力２　Ｗ／ｃ
！で、膜厚１０００λになるように作成した。

次に、下部，Ｉｉ！ｌ縁層５としてＴａ２０３膜をスパ
ッタリング法を用いて作或した。ターゲットとしてはＴ
ａ，Ｏ，焼結体を用いた。スパッタ条件はＩＴＯ作威条
件と同じである。膜厚は３０００人とした。次に発光層
６としてＴｂＯＦドープＺｎＳ薄膜を作成した。ターゲ
ットとしては、ＺｎＳ粉末とＴｂＯＦ粉末を混合した焼
結体を用いた。スパッタガスはＡｒとＨｅの混合ガスを
用い、ＡｒとＨｅのガス流量をそれぞれ３０ＳＣＣＭ　
，２０ＳＣＣＭとし、スパッタガス圧２　Ｘ　１０−”
Ｔｏｒｒ．　ＲＦパワー０．５Ｗ　／　Ｃｌ（、基板温
度３５０℃で成膜した。

膜厚は７０００人とした。次に上部絶縁層７と上部電極
８を下部絶縁層５、下部電極４と同じ成膜条件で同じ膜
厚だけ成膜した。次に第２クラツド層３′を第１クラッ
ド層３と同じ条件で同じ膜厚だけ成膜し、最後に電極取
り出し用配線として、ＡＱを真空蒸着法によって１μｍ
或膜した。

ここで用いた発光層の屈折率は、発光波長が？５５０ｎ
ｍの時−　ｎｘＬ押２）４、コア層の屈折率ｎａ＊ｒ＊
”Ｆ２−０、クラッド層の屈折率ｎ　１１１　＝　１）
４５であった。コア層の屈折率の影響を調べるために，
コア層としてＳｉＯＮ膜を用いたサンプルも作成し、コ
ア層の屈折率を１）５，　１）７とした。

この場合のコア層もプラズマＣＶＤ法を用いて作成し、
原料ガスとしては、ｓｔＨ４ｔ　Ｎ２ｏ，ＮＨ，を用い
た。成膜条件はＳｉ，Ｎ４作成の場合と同じで、ガス流
量は屈折率が１）５の時Ｓ　ｉ　Ｈ　４５ＳＣＣＭ，　
Ｎ２０　４０ＳＣＣＭ，　ＮＨ３１０ＳＣＣＭ、屈折率
が１）７の時Ｓ　ｉＨ４５　ＳＣＣＭ，　Ｎ２０　２０
ＳＣＣＭ，ＮＨ３３０ＳＣＣＭとした。膜厚は２０μｍ
とした。

又、クラッド層の屈折率の影響を調べるために，やはり
ＳｉＯＮ膜でクラッド層の屈折率がｎｃ■＝１）８のサ
ンプルを作威した。この膜も上記ＳｉＯＮ膜と同じ条件
で作成し、但しＳｉＨ．Ｎ２０，ＮＨ３のガス流量は、
それぞれ５ＳＣＣＭ，１０ＳＣＣＭ，　４０ＳＣＣＭと
した。膜厚は３ｐｍとした。

最後に導波路層を形成せず、基板上に下部電極、下部絶
縁層、発光層、上部ＩＩ！ｌ縁層、上部電極及び電極取
り出し用配線のみを或膜した比較サンプル１及びコア層
上に金属反射膜（ＡＱ、厚さ１μＩＩ１）を形成した比
較サンプル２を作成した。

作成したサンプルの作成条件及び得られた端面発光光量
を表１に示す。測定はＥＬ素子電極に交流３００Ｖ，５
ＫＨｚを印加した状態でフォトマルを用いて測定した。

なお，作威した素子のサイズは、１　ａｎ　Ｘ　１　ａ
ｎ　　で，発光量は１つの端面からの発光量を測定した
。

（以下余白） 以上のことから本発明により高輝度で、且、出射巾の狭
い光源が実現でき、光センサー用の光源、又は光プリン
タ用の光源として好適であることがわかる。

〔効　　果〕

本発明において、導波路中にＥＬ素子を作り込む効果は
、ＥＬ素子から出射した光が、全反射条件を繰り返しな
がらコア層端面まで導かれることにある。本発明で提案
する端面出射型光源の場合、発光点からコア層端面まで
光が伝達する際の光の減衰量が小さい程、端面での発光
輝度が高くなる。例えば特開昭５７−７０８７号で開示
されているように、光の閉じ込めに単に金属膜を用いた
場合、金属の反射率は高くても９５％程度が限度である
ため、２０回程度の反射で光量は４割以下に減少してし
まう。従ってＥＬ素子の発光層の巾を長くすることによ
り、端面からの光の出射量を多くしようとしても、出射
端面から離れた位置での寄与の割合は非常に小さくなり
、ＥＬ素子の発光層の巾を長くする効果はあまりない。

一方、光の閉じ込めをコア層とクラッド層を有する導波
路構造を用いて行う場合、コア層とクラッド層との界面
で全反射条件を満たす光の反射率は通常９９．９％以上
であることが知られており，１００回程度の反射を繰り
返しても光量は約９割程度まで減少するだけである。

従って、ＥＬ素子の巾を長くすることにより端面からの
発光輝度を、それに比例して高くすることができる。

次に導波路コア層の膜厚を発光層や絶縁層の膜厚に比べ
て十分に大きくすることによる効果について述べる。先
に示した文献［　ＳＩＤ　８６ＤＩＧＥＳＴ　Ｐ２７０
〜２７２（ウェスチングハウス社）〕に示されているよ
うに、導波路構造を持たない端面発光型ＥＬ素子の場合
、発光点から出射端面までの距離が数ｍ以上離れると、
端面まで到達する光の割合は急激に減少してしまう。こ
の理由は、発光層の膜厚が５０００Ａ〜１５０００入と
薄いため端面まで光が到達する間に多数回反射を繰り返
すことになり、それによる減衰が大きいこと、及び発光
層及び＃＠縁層中で発光した光の再吸収が存在するため
である（第７図Ａ参照）．一方、ＥＬ素子から発光した
光を導波路中に導くことのできる本発明においては第７
図Ｂで示すように、出射端面まで到達する間の反射回数
が少くなり、又、発光層を通過する距離も少なくなるた
め、発光点が出射端面から離れている場合においても光
の減衰量は小さくなる。

かくして，本発明は従来の光導波部を持たない端面発光
型ＥＬ素子に比べ約１０倍以上発光量が多い端面出力型
光源が実現でき、ファクシミリ等の高品位化、小型化が
実現できた。

【図面の簡単な説明】

第１〜６図は，本発明端面発光型ＥＬ素子の具体例を示
す断面図であり、第７図Ａは従来型端面発光型ＥＬ素子
の原理図を、第７図Ｂは本発明の端面発光型ＥＬ素子の
原理図を示す。 １・・・基板　　　　　　　２・・・第１コア層２′・
・・第２コア層　　　３・・・第１クラッド層３′・・
・第２クラッド層　４・・・下部電極５・・・下部絶縁
層 ７・・・上部絶縁層 ９・・・高反射率薄膜 １ｌ・・・下部電極取り出し １２・・・上部電極取り出し Ｌ・・・発光点 ６・・・発光層 ８・・・上部電極 １０・・・コア層出射端面 第 １ 図 第２図 第３ 図 第４ 図 第６図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）発光素子部、および光導波路より構成される端面発
   光型ＥＬ素子において、光導波路が外側から断面中心に
   向いその屈折率を増大させるとともに前記発光素子部を
   構成する発光層、絶縁層、上部電極および下部電極が前
   記光導波路内に位置していることを特徴とする端面発光
   型ＥＬ素子。 ２）該上部電極および下部電極が共に発光波長に対して
   透明である請求項１記載の端面発光型ＥＬ素子。 ３）発光波長の異なる発光層が導波路光出射方向に対し
   て、順次光導波路内に形成されている請求項１記載の端
   面発光型ＥＬ素子。