JPH03204223A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH03204223A JPH03204223A JP1342818A JP34281889A JPH03204223A JP H03204223 A JPH03204223 A JP H03204223A JP 1342818 A JP1342818 A JP 1342818A JP 34281889 A JP34281889 A JP 34281889A JP H03204223 A JPH03204223 A JP H03204223A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- resistor
- input
- semiconductor device
- resistors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 15
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、等価的に並列に接続された複数の電界効果型
トランジスタを含む半導体装置に関する。
トランジスタを含む半導体装置に関する。
［従来の技術］
電界効果型トランジスタをスイッチングさせた場合、出
力の立上り、立下り時間は、１負荷の状態、ゲートドラ
イブの方法等によって決まるが、立上り、立下り時間を
長くする方法として従来は入力に抵抗を入れる方法があ
った。
力の立上り、立下り時間は、１負荷の状態、ゲートドラ
イブの方法等によって決まるが、立上り、立下り時間を
長くする方法として従来は入力に抵抗を入れる方法があ
った。
第５図は半導体装置の従来例の回路図、第６図はその入
出力の波形図である。
出力の波形図である。
この半導体装置は、ＭＯＳＦＥＴ １２．．１２□。
１２３、−、 ＋２ｎが並列に接続され、各ＭＯＳ Ｆ
ＥＴ１２１〜１２．のゲートと入力端子の間に抵抗１
１が接続されており、この抵抗１１のために出力の立上
り、立下りは、第６図に示すように長くなっている（破
線は入力抵抗１１の抵抗値が小さい場合を示す）。
ＥＴ１２１〜１２．のゲートと入力端子の間に抵抗１
１が接続されており、この抵抗１１のために出力の立上
り、立下りは、第６図に示すように長くなっている（破
線は入力抵抗１１の抵抗値が小さい場合を示す）。
［発明が解決しようとする課題］
上述した従来の半導体装置は、立上り、立下り時間を長
くするには入力抵抗値を大きくするため、スイッチング
の遅延時間が大きくなるという欠点があり、また入力抵
抗値を大きくしすぎると、ゲート・トレイン間容量によ
って異常動作を起こすことがあるという欠点がある。
くするには入力抵抗値を大きくするため、スイッチング
の遅延時間が大きくなるという欠点があり、また入力抵
抗値を大きくしすぎると、ゲート・トレイン間容量によ
って異常動作を起こすことがあるという欠点がある。
本発明の目的は、スイッチングの遅延時間が小さい半導
体装置を提供することである。
体装置を提供することである。
本発明の半導体装置は、入力端子と各電界効果型トラン
ジスタのゲートの間に段階的に相異った抵抗が接続され
ている。
ジスタのゲートの間に段階的に相異った抵抗が接続され
ている。
［作用］
段階的に異った抵抗でゲートへの接続を行うことにより
、スイッチングの遅延時間を大きくすることなく立上り
時間、立下り時間を長くすることができる。
、スイッチングの遅延時間を大きくすることなく立上り
時間、立下り時間を長くすることができる。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置の回路図、
第２図はその入出力波形図である。
第２図はその入出力波形図である。
この半導体装置は、ＭＯＳＦＥＴ ３．．３□。
３３、・・・、３ｏが並列に接続され、入力抵抗１に抵
抗２１、２２．・・・、２ｎ−１が直列に接続され、抵
抗２Ｉと２２の接続点がＭＯＳＦＥＴ ３□のゲートに
、抵抗２２と抵抗２．の接続点がＭ ＯＳ Ｆ Ｅ Ｔ
３ｓ、のゲートに、・・・・、抵抗２ｎ−１がＭＯ３
ＦＥＴ３ｎのゲートにそれぞれ接続されている。
抗２１、２２．・・・、２ｎ−１が直列に接続され、抵
抗２Ｉと２２の接続点がＭＯＳＦＥＴ ３□のゲートに
、抵抗２２と抵抗２．の接続点がＭ ＯＳ Ｆ Ｅ Ｔ
３ｓ、のゲートに、・・・・、抵抗２ｎ−１がＭＯ３
ＦＥＴ３ｎのゲートにそれぞれ接続されている。
スイッチングの遅延時間は入力抵抗１の値とゲート容量
によって決定されるため、入力抵抗１の値を小さくする
ことによって遅延時間Ｔｄは短くなり、入力端子から見
てゲートまでの抵抗値が大きいトランジスタはどスイッ
チングが遅くなり、出力端子から見たスイッチング波形
の立上り、立下り時間は長くなる。
によって決定されるため、入力抵抗１の値を小さくする
ことによって遅延時間Ｔｄは短くなり、入力端子から見
てゲートまでの抵抗値が大きいトランジスタはどスイッ
チングが遅くなり、出力端子から見たスイッチング波形
の立上り、立下り時間は長くなる。
第４図は本発明の第２の実施例の半導体装置の回路図で
ある。
ある。
本実施例はＭＯＳＦＥＴ ３．、３２．３３．・・・、
３□のゲートと入力端子の間に抵抗値が段階的に相異な
る抵抗４＋、 ４ｚ、 ４ｓ、・・・、４ｏが接続され
ている。
３□のゲートと入力端子の間に抵抗値が段階的に相異な
る抵抗４＋、 ４ｚ、 ４ｓ、・・・、４ｏが接続され
ている。
本実施例でも第１の実施例と同じ効果が得られる。
以上説明したように本発明は、入力端子から各トランジ
スタのゲートへの接続を段階的に異った抵抗値の抵抗で
接続することにより、スイッチングの立上り、立下り時
間が長くなり、スイッチング時のノイズ発生が低減でき
ることと、Ｌ（リアクタンス）負荷での逆起電力低減な
どの効果がある。
スタのゲートへの接続を段階的に異った抵抗値の抵抗で
接続することにより、スイッチングの立上り、立下り時
間が長くなり、スイッチング時のノイズ発生が低減でき
ることと、Ｌ（リアクタンス）負荷での逆起電力低減な
どの効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の半導体装置の回路図、
第２図はその入出力波形図、第３図は本発明の第２の実
施例の半導体装置の回路図、第４図は従来の半導体装置
の回路図、第５図はその入出力波形図である。 １・・・入力抵抗、 ２１〜２．．４．〜４ｒｌ・・・抵抗、３１〜３ｏ・・
・電界効果トランジスタ、Ｔｄ・・・遅延時間、 Ｔ１・・・立下り時間、 Ｔ２・・・立上り時間。 第１図
第２図はその入出力波形図、第３図は本発明の第２の実
施例の半導体装置の回路図、第４図は従来の半導体装置
の回路図、第５図はその入出力波形図である。 １・・・入力抵抗、 ２１〜２．．４．〜４ｒｌ・・・抵抗、３１〜３ｏ・・
・電界効果トランジスタ、Ｔｄ・・・遅延時間、 Ｔ１・・・立下り時間、 Ｔ２・・・立上り時間。 第１図
Claims (1)
- １、等価的に並列に接続された複数の電界効果型トラン
ジスタを含む半導体装置において、入力端子と各トラン
ジスタのゲートの間に段階的に相異った値の抵抗が接続
されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1342818A JPH03204223A (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1342818A JPH03204223A (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03204223A true JPH03204223A (ja) | 1991-09-05 |
Family
ID=18356727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1342818A Pending JPH03204223A (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03204223A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5432471A (en) * | 1992-09-04 | 1995-07-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Insulated gate semiconductor device |
| JP2006191774A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Toyota Motor Corp | パワー制御回路および車両 |
| JP2009177296A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Seiko Epson Corp | 出力回路、出力方法、出力回路の製造方法、および電子機器 |
| JP2014039410A (ja) * | 2012-08-17 | 2014-02-27 | Sanken Electric Co Ltd | ゲートドライブ回路 |
| WO2015033631A1 (ja) * | 2013-09-06 | 2015-03-12 | シャープ株式会社 | トランジスタ回路 |
| CN105103448A (zh) * | 2013-04-12 | 2015-11-25 | 丰田自动车株式会社 | 电子装置 |
-
1989
- 1989-12-29 JP JP1342818A patent/JPH03204223A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5432471A (en) * | 1992-09-04 | 1995-07-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Insulated gate semiconductor device |
| JP2006191774A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Toyota Motor Corp | パワー制御回路および車両 |
| JP2009177296A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Seiko Epson Corp | 出力回路、出力方法、出力回路の製造方法、および電子機器 |
| JP2014039410A (ja) * | 2012-08-17 | 2014-02-27 | Sanken Electric Co Ltd | ゲートドライブ回路 |
| CN105103448A (zh) * | 2013-04-12 | 2015-11-25 | 丰田自动车株式会社 | 电子装置 |
| EP2985911A4 (en) * | 2013-04-12 | 2016-06-01 | Toyota Motor Co Ltd | ELECTRONIC DEVICE |
| US9660512B2 (en) | 2013-04-12 | 2017-05-23 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Electronic device for acquiring specific information of respective switching elements |
| CN105103448B (zh) * | 2013-04-12 | 2018-02-23 | 丰田自动车株式会社 | 电子装置 |
| WO2015033631A1 (ja) * | 2013-09-06 | 2015-03-12 | シャープ株式会社 | トランジスタ回路 |
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