JPH03198384A - 熱電変換モジュール - Google Patents
熱電変換モジュールInfo
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- JPH03198384A JPH03198384A JP1336257A JP33625789A JPH03198384A JP H03198384 A JPH03198384 A JP H03198384A JP 1336257 A JP1336257 A JP 1336257A JP 33625789 A JP33625789 A JP 33625789A JP H03198384 A JPH03198384 A JP H03198384A
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱
電変換モジュールに係わり、特にシステムの故障・停止
の防止に関する。
電変換モジュールに係わり、特にシステムの故障・停止
の防止に関する。
[従来の技術]
熱電素子を用いた熱電発電では、有効な電気エネルギー
を得るために数10から数100の熱電素子を電気的に
連結した熱電変換モジュールを使用する。
を得るために数10から数100の熱電素子を電気的に
連結した熱電変換モジュールを使用する。
第20図は、直接エネルギー変換(サラトン、橘藤雄監
修、好学社、昭和43年)に記載された文献からの引用
例を示す、第20図の符号は、11.12は電極、32
.33は端子である。すなわち、n型の熱電素子pとn
型の熱電素子nを電極11を介して直列に接続し、下部
を加熱し、上部を冷却すると、加熱部から供給された熱
エネルギーが電気エネルギーに変換されて端子32から
同33に向かって電流工が流れ、負荷に電力を供給する
ようになっていた。
修、好学社、昭和43年)に記載された文献からの引用
例を示す、第20図の符号は、11.12は電極、32
.33は端子である。すなわち、n型の熱電素子pとn
型の熱電素子nを電極11を介して直列に接続し、下部
を加熱し、上部を冷却すると、加熱部から供給された熱
エネルギーが電気エネルギーに変換されて端子32から
同33に向かって電流工が流れ、負荷に電力を供給する
ようになっていた。
[発明が解決しようとする課題]
上記従来技術では、温度勾配による熱起電力が互いに逆
向きであるn型とn型の熱電素子を交互に直列に連結し
て、有効な電気エネルギーを得ている。
向きであるn型とn型の熱電素子を交互に直列に連結し
て、有効な電気エネルギーを得ている。
この場合、多数の熱電素子の内の一つに断線が生じても
モジュール全体が停止するので、モジュールとしての発
電の信頼性は低い、実際、第19図に示した様な熱電変
換モジュールの場合、加熱部で異種材料を接続している
ため、熱膨張率の差によって熱応力が働き、電極と熱電
素子の接合部に破損が生じることがある。
モジュール全体が停止するので、モジュールとしての発
電の信頼性は低い、実際、第19図に示した様な熱電変
換モジュールの場合、加熱部で異種材料を接続している
ため、熱膨張率の差によって熱応力が働き、電極と熱電
素子の接合部に破損が生じることがある。
一方、多数の熱電素子を連結したモジュールでは複数の
熱電素子を並列に連結した構成も考えられる。
熱電素子を並列に連結した構成も考えられる。
この場合は、一つの熱電素子の断線によりモジュール全
体が停止するということはないが、並列回路の一部分の
短絡で、やはりモジュールが故障あるいは出力が大幅に
低下する危険性がある。
体が停止するということはないが、並列回路の一部分の
短絡で、やはりモジュールが故障あるいは出力が大幅に
低下する危険性がある。
近年、メインテナンスフリー、無振動、無騒音の観点か
ら、中小蔑模の熱電素子による発電が注目されている。
ら、中小蔑模の熱電素子による発電が注目されている。
中小規模の発電とはいえ、熱電素子の総数は膨大なもの
になり、伝送損失を減らす意味から、熱電素子を多数直
列に接続し、高電圧化する構成になると考えられる。そ
のため、断線等によるシステム全体の停止・故障あるい
は大幅な出力低下が起こる可能性は高い、そこで、これ
を解決できる技術開発が急務の課題になってきた。
になり、伝送損失を減らす意味から、熱電素子を多数直
列に接続し、高電圧化する構成になると考えられる。そ
のため、断線等によるシステム全体の停止・故障あるい
は大幅な出力低下が起こる可能性は高い、そこで、これ
を解決できる技術開発が急務の課題になってきた。
本発明の目的は、多数の熱電素子によって構成される熱
電変換モジュールで、−個あるいは数個の熱電素子が故
障した場合でもシステム全体が故障・停止しないような
熱電変換モジュールを提供することである。
電変換モジュールで、−個あるいは数個の熱電素子が故
障した場合でもシステム全体が故障・停止しないような
熱電変換モジュールを提供することである。
[課題を解決するための手段]
上記課題を解決するための本発明の熱電変換モジュール
の構成は、複数個の熱電素子を相互に接続し、上記各熱
電素子の一端を加熱し、他の一端を冷却することにより
、熱エネルギーを電気エネルギーに変換して発電するこ
とができる熱電変換モジュールにおいて、上記モジュー
ル中の熱電素子にダイオードを接続するようにしたもの
である。
の構成は、複数個の熱電素子を相互に接続し、上記各熱
電素子の一端を加熱し、他の一端を冷却することにより
、熱エネルギーを電気エネルギーに変換して発電するこ
とができる熱電変換モジュールにおいて、上記モジュー
ル中の熱電素子にダイオードを接続するようにしたもの
である。
C作用]
第2図に示すように熱電素子1を直列に連結する場合に
ついて説明する。ここで、熱電素子1が断線した場合、
負荷を通してダイオード2に順方向に電圧がかかる。そ
のため、ダイオード2を通して3個の熱電素子の内の残
り2個でも負荷に電力を供給できる。
ついて説明する。ここで、熱電素子1が断線した場合、
負荷を通してダイオード2に順方向に電圧がかかる。そ
のため、ダイオード2を通して3個の熱電素子の内の残
り2個でも負荷に電力を供給できる。
一方、第3図に示すように、熱電素子の出力に対して順
方向並列に接続した場合につき説明する。
方向並列に接続した場合につき説明する。
例えば、熱電素子1に付着した物によって、熱電素子が
短絡した場合を考えると1本発明では、熱電素子1が短
絡した場合、ダイオード2によって、他の熱電素子から
短絡した熱電素子へ電気が流れることを防ぐことができ
る。そのため、短絡部へ電流が急激に流れて熱電変換モ
ジュールを断線せさるとか、同モジュールの出力がなく
なるなどのトラブルを回避できる。
短絡した場合を考えると1本発明では、熱電素子1が短
絡した場合、ダイオード2によって、他の熱電素子から
短絡した熱電素子へ電気が流れることを防ぐことができ
る。そのため、短絡部へ電流が急激に流れて熱電変換モ
ジュールを断線せさるとか、同モジュールの出力がなく
なるなどのトラブルを回避できる。
本発明の場合、熱電素子を多数接続する程、1個の熱電
素子の断線、故障がモジュール全体に与える影響は少な
くなる。
素子の断線、故障がモジュール全体に与える影響は少な
くなる。
第4図は1本発明の複数個熱電素子からなるモジュール
の出力特性図である。
の出力特性図である。
すなわち、例えば第6図(後述する)に示したモジュー
ルにおいて、1個の熱電素子が断線したと仮定した場合
の出力電圧(V)と出力電流(I)の関係を表わしてい
る。
ルにおいて、1個の熱電素子が断線したと仮定した場合
の出力電圧(V)と出力電流(I)の関係を表わしてい
る。
第4図において、101は、正常時負荷曲線、102は
、本発明による異常時負荷曲線、103は、従来例の異
常時負荷曲線である。
、本発明による異常時負荷曲線、103は、従来例の異
常時負荷曲線である。
出力電力(P=IXV)を得るために電圧は、最大出力
の50%で作動させる。従来例による電気回路では、1
個の熱電素子が断線した場合、出力電流の上限が正常時
出力電流(8A)の75%(6A)に降下し、動作電圧
における出力電力(28W)は、正常時出力電力(40
W)の70%に減少する。これに対して、本発明の場合
には、断線した熱電素子の起電力が除かれるだけで、動
作点の出力電力は正常時101に等しい。したがって、
システムとしての低下はない。
の50%で作動させる。従来例による電気回路では、1
個の熱電素子が断線した場合、出力電流の上限が正常時
出力電流(8A)の75%(6A)に降下し、動作電圧
における出力電力(28W)は、正常時出力電力(40
W)の70%に減少する。これに対して、本発明の場合
には、断線した熱電素子の起電力が除かれるだけで、動
作点の出力電力は正常時101に等しい。したがって、
システムとしての低下はない。
また、本発明では、ダイオードを低温側基板上に固定し
ているため、整流性を保てる。さらに、熱電素子が正常
に動作している時は、ダイオードは熱電素子に対し順方
向に連結されているので、モジュール全体の出力には影
響を与えない。
ているため、整流性を保てる。さらに、熱電素子が正常
に動作している時は、ダイオードは熱電素子に対し順方
向に連結されているので、モジュール全体の出力には影
響を与えない。
またさらに、熱電素子を独立に装着、脱着することで、
個々の素子が故障したときの素子の交換が容易になる。
個々の素子が故障したときの素子の交換が容易になる。
[実施例]
以下1本発明の実施例を第1図〜第19図を用いて説明
する。
する。
第1図は、本発明の第1実施例の模式図である。
第1図において、2は、ダイオード、3は、p型熱電素
子、4は、n型熱電素子、11および12は、電極、2
1は、高温側基板(絶縁材)、22は、低温側基板(絶
縁材)である。
子、4は、n型熱電素子、11および12は、電極、2
1は、高温側基板(絶縁材)、22は、低温側基板(絶
縁材)である。
p型熱電素子3と、n型熱電素子4とは、電極11およ
び12によって直列に連結されている。
び12によって直列に連結されている。
電極11.12はそれぞれ高温側基板21と低温側基板
22上にある。低温側電極12は、ダイオード2によっ
て、互いに連結されている。この時低温側基板22の温
度は、ダイオード2の動作温度領域内にあるように調節
する。また、各熱電素1個の起電力は、ダイオードの耐
電圧を越えないように調節される。
22上にある。低温側電極12は、ダイオード2によっ
て、互いに連結されている。この時低温側基板22の温
度は、ダイオード2の動作温度領域内にあるように調節
する。また、各熱電素1個の起電力は、ダイオードの耐
電圧を越えないように調節される。
これによって、1個の熱電素子が断線しても、モジュー
ルによる電力供給が停止することはない。
ルによる電力供給が停止することはない。
第2図および第3図は、本発明の第1実施例および第2
実施例による熱電変換モジュールの回路部分図である。
実施例による熱電変換モジュールの回路部分図である。
第2.3図において、lは、熱電素子、2は、ダイオー
ドである。第2図では、直列に連結された熱電素子1の
各々にダイオード2が逆方向に並列に連結され、熱電素
子部分が断線した場合でも回路が切れない様になってい
る。第3図では、並列に連結された各熱電素子1にダイ
オード2が順方向に直列に連結され、熱電素子部分が短
絡した場合でも回路に大電流が流れないようになってい
る。
ドである。第2図では、直列に連結された熱電素子1の
各々にダイオード2が逆方向に並列に連結され、熱電素
子部分が断線した場合でも回路が切れない様になってい
る。第3図では、並列に連結された各熱電素子1にダイ
オード2が順方向に直列に連結され、熱電素子部分が短
絡した場合でも回路に大電流が流れないようになってい
る。
第5図は、複数個の熱電素子からなるブロックとダイオ
ードを組合わせた例であり、第6図は、多数の熱電素子
を持つモジュールへの応用例である。
ードを組合わせた例であり、第6図は、多数の熱電素子
を持つモジュールへの応用例である。
第7図は、本発明の第3実施例による模式図である。符
号は、第1図と同一である。第7図に示した例では、低
温側基板22内にあったダイオード2を基板の外側に配
置することにより、基板の工作を簡略化することができ
る。
号は、第1図と同一である。第7図に示した例では、低
温側基板22内にあったダイオード2を基板の外側に配
置することにより、基板の工作を簡略化することができ
る。
第8図は、本発明の第4実施例による模式図である。第
3実施例(第7図)では、基板の外側ににダイオードが
あった点が解消され、さらに電極を引出す必要がないの
で熱電素子の実装密度を大きくすることができる。低温
基板22には、p型半導体7とn型半導体8が埋込まれ
ており、その接合部にダイオードが形成されている。上
記半導体のそれぞれを低温側電極12によって連結する
ことで、ダイオードを熱電素子に並列に連結した回路に
等価な構造となっている。この方法によれば、モジュー
ル内の配線部分を減らすことができ、配線部分での断線
の可能性を排除できる。
3実施例(第7図)では、基板の外側ににダイオードが
あった点が解消され、さらに電極を引出す必要がないの
で熱電素子の実装密度を大きくすることができる。低温
基板22には、p型半導体7とn型半導体8が埋込まれ
ており、その接合部にダイオードが形成されている。上
記半導体のそれぞれを低温側電極12によって連結する
ことで、ダイオードを熱電素子に並列に連結した回路に
等価な構造となっている。この方法によれば、モジュー
ル内の配線部分を減らすことができ、配線部分での断線
の可能性を排除できる。
第9図(a) 、 (b) 、第10図(a) 、
(b)は、本発明の第5実施例の模式図および回路図
である。熱電素子3.4は高温側電極11によって連結
されている。低温側電極12は平面図に示すように低温
側基板22上でダイオード2を介して並列に連結されて
いる。第10図はp型熱電素子の低温側にn型半導体を
接合してダイオードを形成した例である。いずれも並列
に連結された熱電素子の一部の短絡で回路全体が故障す
ることはない。
(b)は、本発明の第5実施例の模式図および回路図
である。熱電素子3.4は高温側電極11によって連結
されている。低温側電極12は平面図に示すように低温
側基板22上でダイオード2を介して並列に連結されて
いる。第10図はp型熱電素子の低温側にn型半導体を
接合してダイオードを形成した例である。いずれも並列
に連結された熱電素子の一部の短絡で回路全体が故障す
ることはない。
第11図(a)、(b)、第12図は、本発明の第6実
施例の模式図および回路図である。7は、P型半導体薄
膜、8は、n型半導体薄膜である。
施例の模式図および回路図である。7は、P型半導体薄
膜、8は、n型半導体薄膜である。
すなわち、半導体薄膜によって熱電素子間にダイオード
を形成した場合の例である。これにより、配線部分を減
らすと共に放熱効果をあげるという利点がある。
を形成した場合の例である。これにより、配線部分を減
らすと共に放熱効果をあげるという利点がある。
第13図は、本発明の第7実施例の模式図である。
この例では、2個のダイオードはn型半導体部材8を共
有する構造になっており、製造工程を簡略化することが
できる利点がある。
有する構造になっており、製造工程を簡略化することが
できる利点がある。
第14図は、第7実施例(第13図)の製造工程図であ
る。高抵抗の半導体基板23に不純物をイオン注入して
ダイオードを形成する。矢印は工程流れを示す。
る。高抵抗の半導体基板23に不純物をイオン注入して
ダイオードを形成する。矢印は工程流れを示す。
第15図も同様に製造工程図である。この例では、さら
に深さを変えて2種類のイオンを注入してダイオードを
作る。これによって、ダイオード表面と基板表面が連続
になるので熱電素子の接着状態がよくなり、故障の可能
性が減少する。
に深さを変えて2種類のイオンを注入してダイオードを
作る。これによって、ダイオード表面と基板表面が連続
になるので熱電素子の接着状態がよくなり、故障の可能
性が減少する。
第16図は1本発明の第8実施例の縦断面略示図である
。第16図において、70は、ヒートパブ、71は、絶
縁材、72は、フィンである。この場合は、熱電変換モ
ジュールをヒートパイプ70に取付けたもので、ヒート
パイプ70の表面に環状の熱電素子1を接触させて外側
を加熱することで熱電発電を行なう、ヒートパイプ70
の表面にダイオード2を配置したことでダイオード2の
温度上昇を防ぐことが容易である。第17図では端子を
フィンにそって取り出し、熱電素子に直列にダイオード
2を接続する。このダイオード2は複数のヒートパイプ
に取り付けたモジュールを並列に連結して使用する際の
回路の短絡の対策になる。第18図はヒートパイプ70
に取り付ける熱電素子を4分割した例である。環状の素
子を4分割したことで素子の熱膨張による破壊の可能性
が減る。各熱電素子は環状の電極11を介して並列に連
結されているのでp型熱電素子3と電極11の間にn型
半導体を接合してダイオードを形成する。
。第16図において、70は、ヒートパブ、71は、絶
縁材、72は、フィンである。この場合は、熱電変換モ
ジュールをヒートパイプ70に取付けたもので、ヒート
パイプ70の表面に環状の熱電素子1を接触させて外側
を加熱することで熱電発電を行なう、ヒートパイプ70
の表面にダイオード2を配置したことでダイオード2の
温度上昇を防ぐことが容易である。第17図では端子を
フィンにそって取り出し、熱電素子に直列にダイオード
2を接続する。このダイオード2は複数のヒートパイプ
に取り付けたモジュールを並列に連結して使用する際の
回路の短絡の対策になる。第18図はヒートパイプ70
に取り付ける熱電素子を4分割した例である。環状の素
子を4分割したことで素子の熱膨張による破壊の可能性
が減る。各熱電素子は環状の電極11を介して並列に連
結されているのでp型熱電素子3と電極11の間にn型
半導体を接合してダイオードを形成する。
第19図は、本発明の第10実施例の斜視図(a)およ
び模式図(b)である、第19図(a)。
び模式図(b)である、第19図(a)。
(b)において、50は、管、51.52は、絶縁材(
基板)、61.62は、ドーナツ型熱電素子、63は、
電極である。この場合は、熱電変換モジュールを管50
に取付けた例である。
基板)、61.62は、ドーナツ型熱電素子、63は、
電極である。この場合は、熱電変換モジュールを管50
に取付けた例である。
ドーナツ状の熱電素子61.62は1円筒状の管50に
外接した基板51に取付けられている。
外接した基板51に取付けられている。
管50の内部に高温の熱媒体を流し、熱電素子の外周部
を空冷することによって熱電発電を行なう、熱電素子の
外側に取り付けられた電極63は側面の1部で隣の電極
と連結されており全体として熱電素子は直列に接続され
ている。この部分にダイオード2を乗せた基板52を接
触させることにより断線による故障を防止する。
を空冷することによって熱電発電を行なう、熱電素子の
外側に取り付けられた電極63は側面の1部で隣の電極
と連結されており全体として熱電素子は直列に接続され
ている。この部分にダイオード2を乗せた基板52を接
触させることにより断線による故障を防止する。
[発明の効果]
以上述べたように1本発明によれば、多数の熱電素子を
電気的に連結して構成された熱電変換モジュールにおい
て、1個あるいは数個の熱電素子が故障してもモジュー
ル全体が故障・停止せず、その際の出力の低下を最小限
におさえることができる。
電気的に連結して構成された熱電変換モジュールにおい
て、1個あるいは数個の熱電素子が故障してもモジュー
ル全体が故障・停止せず、その際の出力の低下を最小限
におさえることができる。
これにより、モジュールとしての信頼性を高め、経済性
の向上を図ることができる。
の向上を図ることができる。
第1図は1本発明の第1実施例の模式図、第2図、第3
図は、本発明の第1実施例および第2実施例の電気回路
図、第4図は、本発明によるモジュールの出力特性図、
第5.6図は、第2実施例の応用回路図、第7図は、本
発明の第3実施例の模式図、第8図は、本発明の第4実
施例の模式図、第9図(a)、(b)、第10図(a)
、 (b)は、本発明の第5実施例の模式図および
回路図、第11(a)、(b)図、第12図は、本発明
の第6実施例の模式図(回路図)、第13図は、本発明
の第7実施例の模式図、第14.15図は、第7実施例
の製造工程図、第16.17.18図は、本発明の第8
実施例の縦断面略示図、第19図(a)、(b)は、本
発明の第9実施例の斜視図および模式図、第20図は、
従来の熱雷変換モジュールの原理図である。 く符号の説明〉 1・・・熱電素子、2・・・ダイオード、3・・・p型
熱電素子、4・・・n型熱電素子、7・・・P型半導体
、8・・・n型半導体、11〜16・・・電極、21〜
23.51.52・・・絶縁材(基板)、61.62・
・・ドーナサ型熱電素子。
図は、本発明の第1実施例および第2実施例の電気回路
図、第4図は、本発明によるモジュールの出力特性図、
第5.6図は、第2実施例の応用回路図、第7図は、本
発明の第3実施例の模式図、第8図は、本発明の第4実
施例の模式図、第9図(a)、(b)、第10図(a)
、 (b)は、本発明の第5実施例の模式図および
回路図、第11(a)、(b)図、第12図は、本発明
の第6実施例の模式図(回路図)、第13図は、本発明
の第7実施例の模式図、第14.15図は、第7実施例
の製造工程図、第16.17.18図は、本発明の第8
実施例の縦断面略示図、第19図(a)、(b)は、本
発明の第9実施例の斜視図および模式図、第20図は、
従来の熱雷変換モジュールの原理図である。 く符号の説明〉 1・・・熱電素子、2・・・ダイオード、3・・・p型
熱電素子、4・・・n型熱電素子、7・・・P型半導体
、8・・・n型半導体、11〜16・・・電極、21〜
23.51.52・・・絶縁材(基板)、61.62・
・・ドーナサ型熱電素子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、複数個の熱電素子を相互に接続し、上記各熱電素子
の一端を加熱し、他の一端を冷却することにより、エネ
ルギーを電気エネルギーに変換して発電することができ
る熱電変換モジュールにおいて、上記モジュール中の熱
電素子にダイオードを接続したことを特徴とする熱電変
換モジュール。 2、請求項1、記載のものにおいて、熱電素子を直列に
連結する部分には、ダイオードを熱電素子に対して逆方
向に並列に連結するか、または、熱電素子を並列に連結
する部分には、ダイオードを熱電素子に対して順方向に
直列に連結することを特徴とする熱電変換モジュール。 3、請求項2、記載のものにおいて、ダイオードを、熱
電変換モジュールの低温側に装着したことを特徴とする
熱電変換モジュール。 4、請求項2、記載のものにおいて、複数個の熱電素子
を連結したものに対して逆方向に並列に連結するか、ま
たは、熱電素子を並列に連結する部分には、ダイオード
を熱電素子に対して順方向に直列に連結したことを特徴
とする熱電変換モジュール。 5、請求項2、記載のものにおいて、逆方向に並列につ
ないだダイオードのn極と、順方向に直列につないだダ
イオードのn極とを、共通の部材で構成するか、逆方向
に並列につないだダイオードのp極と、順方向に直列に
つないだダイオードのp極とを、共通の部材で構成した
ことを特徴とする熱電変換モジュール。 6、請求項1、記載のものにおいて、ダイオードを、基
板に装着したp型とn型の薄膜で構成したことを特徴と
する熱電変換モジュール。 7、請求項3、記載のものにおいて、ダイオードを低温
側基板に埋込んだことを特徴とする熱電変換モジュール
。 8、請求項3、記載のものにおいて、低温側基板の1部
を改質し、基板内にダイオードを形成したことを特徴と
する熱電変換モジュール。 9、請求項3、記載のものにおいて、ダイオードを熱電
素子と低温側基板との間に挟む構造にしたことを特徴と
する熱電変換モジュール。 10、請求項3、記載のものにおいて、ヒートパイプに
装着した熱電素子につらなるダイオードを、放熱フィン
に取付けたことを特徴とする熱電変換モジュール。 11、請求項3、記載の熱電変換モジュールにおいて、
円筒状の高温配管に、複数個の熱電素子を配設し、該フ
ィン状熱電素子の外周部を電極でつらね、これと接触す
る基板部にダイオードを固定したことを特徴とする熱電
変換モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1336257A JPH03198384A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 熱電変換モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1336257A JPH03198384A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 熱電変換モジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03198384A true JPH03198384A (ja) | 1991-08-29 |
Family
ID=18297255
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1336257A Pending JPH03198384A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 熱電変換モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03198384A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003527657A (ja) * | 1999-06-18 | 2003-09-16 | マルテックス ドット コム,インコーポレイティド | シンボリックにリンクされた情報を参照し、記録保管し、検索する方法およびシステム |
JP6411613B1 (ja) * | 2017-10-31 | 2018-10-24 | 株式会社Gceインスティチュート | 熱電素子、発電装置、及び熱電素子の製造方法 |
JP2021150349A (ja) * | 2020-03-17 | 2021-09-27 | 三菱電機株式会社 | 熱電変換モジュールおよび光モジュール |
-
1989
- 1989-12-27 JP JP1336257A patent/JPH03198384A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2003527657A (ja) * | 1999-06-18 | 2003-09-16 | マルテックス ドット コム,インコーポレイティド | シンボリックにリンクされた情報を参照し、記録保管し、検索する方法およびシステム |
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WO2019088004A1 (ja) * | 2017-10-31 | 2019-05-09 | 株式会社Gceインスティチュート | 熱電素子、発電装置、及び熱電素子の製造方法 |
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