JPH0319506A - 水晶発振回路 - Google Patents
水晶発振回路Info
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- JPH0319506A JPH0319506A JP15536089A JP15536089A JPH0319506A JP H0319506 A JPH0319506 A JP H0319506A JP 15536089 A JP15536089 A JP 15536089A JP 15536089 A JP15536089 A JP 15536089A JP H0319506 A JPH0319506 A JP H0319506A
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- capacitor
- crystal
- oscillation circuit
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
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- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
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- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、無線通信機器の基準発振源として利用される
、高安定かつ低価格な水晶発振回路に関するものである
。
、高安定かつ低価格な水晶発振回路に関するものである
。
従来の技術
水晶発振回路は、各種電子機器の基準発振源として、広
く利用されており、高安定度かつ低価格のものが要求さ
れている。近年の集積回路技術の向上により、水晶発振
回路も半導体集積回路化されつつある。以下に、従来の
水晶発振回路について説明する。
く利用されており、高安定度かつ低価格のものが要求さ
れている。近年の集積回路技術の向上により、水晶発振
回路も半導体集積回路化されつつある。以下に、従来の
水晶発振回路について説明する。
半導体集積回路化した水晶発振回路として、CMOSイ
ンバータを利用したものは、ディジタル回路のクロック
用として一般的に用いられている。(例えば電気学会論
文誌C.昭83, No. 9,第632頁から第63
8頁)しかし、周波数安定度は数10ppm程度で、さ
らに高安定度が要求される場合は、バイポーラトランジ
スタによる、コルピソツ形およびハートレー形などが一
般的である。
ンバータを利用したものは、ディジタル回路のクロック
用として一般的に用いられている。(例えば電気学会論
文誌C.昭83, No. 9,第632頁から第63
8頁)しかし、周波数安定度は数10ppm程度で、さ
らに高安定度が要求される場合は、バイポーラトランジ
スタによる、コルピソツ形およびハートレー形などが一
般的である。
また、従来、特に位相同期ループ(PLL)の基準発振
源としては、原振周波数の水晶発振回路が用いられてお
り、オーバートーンの水晶発振回路は局部発振源として
用いられてきた。第3図は従来のコルピッツ形オーバー
トーン水晶発振回路の例である(例えば電子展望昭和4
8年12月号第79頁)。第3図において、10bは周
波数調整回路である。5b, 6bは帰環容量で、帰環
容量6bはインダクタ14bと共に、水晶振動子の原振
周波数近傍にあわせた共振回路を兼ねている。共振回路
により、水晶振動子の原振周波数を抑えることができ、
3次オーバートーン発振を得ることができる。
源としては、原振周波数の水晶発振回路が用いられてお
り、オーバートーンの水晶発振回路は局部発振源として
用いられてきた。第3図は従来のコルピッツ形オーバー
トーン水晶発振回路の例である(例えば電子展望昭和4
8年12月号第79頁)。第3図において、10bは周
波数調整回路である。5b, 6bは帰環容量で、帰環
容量6bはインダクタ14bと共に、水晶振動子の原振
周波数近傍にあわせた共振回路を兼ねている。共振回路
により、水晶振動子の原振周波数を抑えることができ、
3次オーバートーン発振を得ることができる。
発明が解決しようとする課題
水晶発振回路の発振周波数は、水晶振動子および水晶の
端子から回路側を見込んだ場合の等価的な容量値(負荷
容量)で決定される。この負荷容量値の変化により、水
晶発振回路の発振周波数が変化する。バイポーラトラン
ジスタによるコルピソツ形の水晶発振回路を半導体集積
回路で実現するには、コレクタとグランドとなっている
サブストレートとの間に存在する、寄生容量が問題とな
る。この寄生容量は、pn接合による接合容量であるた
めに、容量値はサブストレートに対する電圧および温度
により変化する。このため、電源電圧および温度の変動
および素子のバラツキが寄生容量に影響を与え、発振回
路の負荷容量が変化するために、水晶発振回路の安定度
が劣化する。また発振周波数は、半導体集積回路化した
場合の素子のバラツキおよび水晶振動子のバラツキによ
り変化するため、これを調整する必要がある。一般的に
周波数調整用として用いられているトリマコンデンサは
、固定コンデンサ(温度係数が小さいCIIタイプ)に
比べて温度係数が10pF’では4倍程度、409Fで
は10倍程度というように、容量値が大きいほど温度係
数が大きくなる。周波数調整に、トリマコンデンサを利
用する場合、周波数可変範囲を大きくするために大きな
容量値のトリマコンデンサな利用すると、温度に対する
発振周波数の安定度が劣化するという現象が起こる。
端子から回路側を見込んだ場合の等価的な容量値(負荷
容量)で決定される。この負荷容量値の変化により、水
晶発振回路の発振周波数が変化する。バイポーラトラン
ジスタによるコルピソツ形の水晶発振回路を半導体集積
回路で実現するには、コレクタとグランドとなっている
サブストレートとの間に存在する、寄生容量が問題とな
る。この寄生容量は、pn接合による接合容量であるた
めに、容量値はサブストレートに対する電圧および温度
により変化する。このため、電源電圧および温度の変動
および素子のバラツキが寄生容量に影響を与え、発振回
路の負荷容量が変化するために、水晶発振回路の安定度
が劣化する。また発振周波数は、半導体集積回路化した
場合の素子のバラツキおよび水晶振動子のバラツキによ
り変化するため、これを調整する必要がある。一般的に
周波数調整用として用いられているトリマコンデンサは
、固定コンデンサ(温度係数が小さいCIIタイプ)に
比べて温度係数が10pF’では4倍程度、409Fで
は10倍程度というように、容量値が大きいほど温度係
数が大きくなる。周波数調整に、トリマコンデンサを利
用する場合、周波数可変範囲を大きくするために大きな
容量値のトリマコンデンサな利用すると、温度に対する
発振周波数の安定度が劣化するという現象が起こる。
基準発振源として、さらに広い温度範囲で温度補償され
た高安定度の発振回路、例えばTCXO(温度補償水晶
発振回路)を使用したい場合、水晶発振回路のみを動作
させないようにする必要がある。
た高安定度の発振回路、例えばTCXO(温度補償水晶
発振回路)を使用したい場合、水晶発振回路のみを動作
させないようにする必要がある。
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、トラン
ジスタ、帰環容量、バイアス抵抗を半導体集積回路化す
るとともに、外付部品として、トリマコンデンサ、固定
コンデンサ、インダクタなど安価な部品を使用して高安
定度の水晶発振回路を提供し、さらに水晶発振回路を他
の回路と併せて半導体集積回路を実現した際、水晶発振
回路にスイッチング回路を加えることにより、汎用性の
向上を図ることを目的とする。
ジスタ、帰環容量、バイアス抵抗を半導体集積回路化す
るとともに、外付部品として、トリマコンデンサ、固定
コンデンサ、インダクタなど安価な部品を使用して高安
定度の水晶発振回路を提供し、さらに水晶発振回路を他
の回路と併せて半導体集積回路を実現した際、水晶発振
回路にスイッチング回路を加えることにより、汎用性の
向上を図ることを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達或するために本発明の水晶発振回路は、温
度による周波数変動が原振より少ないオーバートーンモ
ードの水晶振動子を用いた水晶発振回路として、コルピ
ッツ形の変形でエミッタフォロワ出力で3次オーバート
ーン水晶発振回路を構成し、トランジスタ、帰環容量、
バイアス抵抗、出力用のエミ7タフォロワの半導体集積
回路化するとともに、それらについて、半導体集積回路
化に際し、周波数安定度を向上するために、半導体集積
回路内の回路構成としてコレクタ接地形とし、それらに
ついて、並列のトリマコンデンサと固定コンデンサ、お
よび直列のインダクタによる周波数調整回路と、オーバ
ートーン発振を得るために水晶振動子の原振を抑えるコ
ンデンサとインダクタによる並列共振回路の回路とを設
けたものである。
度による周波数変動が原振より少ないオーバートーンモ
ードの水晶振動子を用いた水晶発振回路として、コルピ
ッツ形の変形でエミッタフォロワ出力で3次オーバート
ーン水晶発振回路を構成し、トランジスタ、帰環容量、
バイアス抵抗、出力用のエミ7タフォロワの半導体集積
回路化するとともに、それらについて、半導体集積回路
化に際し、周波数安定度を向上するために、半導体集積
回路内の回路構成としてコレクタ接地形とし、それらに
ついて、並列のトリマコンデンサと固定コンデンサ、お
よび直列のインダクタによる周波数調整回路と、オーバ
ートーン発振を得るために水晶振動子の原振を抑えるコ
ンデンサとインダクタによる並列共振回路の回路とを設
けたものである。
さらに、NPNトランジスタとPNP }ランジスタの
組合せによる、スイッチング回路を加えることにより、
本発明の水晶発振回路を他の回路とあわせて、集積回路
を構成した場合、水晶発振回路を切り離すことを可能と
し、集積回路としての汎用性を高めている。
組合せによる、スイッチング回路を加えることにより、
本発明の水晶発振回路を他の回路とあわせて、集積回路
を構成した場合、水晶発振回路を切り離すことを可能と
し、集積回路としての汎用性を高めている。
作用
本発明は、コレクタ接地形を適用することにより、コレ
クタとサブストレート間の寄生容量の影響を小さくする
ことができ、安定度が向上する。
クタとサブストレート間の寄生容量の影響を小さくする
ことができ、安定度が向上する。
またオーバートーン水晶を用いることにより、発振周波
数の温度特性は向上するが周波数調整範囲は小さくなる
。この水晶の製作偏差を補正するための発振周波数調整
範囲を得るために大きな容量値のトリマコンデンサを使
用すると、トリマコンデンサの温度特性により、温度に
対する発振周波数安定度が劣化する。そこで、温度係数
の小さい10pF以下のトリマコンデンサで、目的の周
波数調整範囲を得ろことができるように、トリマコンデ
ンサに加えて、固定コンデンサ、インダクタを用い、そ
の素子値を選ぶことにより、周波数安定度の劣化を小さ
くすることができる。
数の温度特性は向上するが周波数調整範囲は小さくなる
。この水晶の製作偏差を補正するための発振周波数調整
範囲を得るために大きな容量値のトリマコンデンサを使
用すると、トリマコンデンサの温度特性により、温度に
対する発振周波数安定度が劣化する。そこで、温度係数
の小さい10pF以下のトリマコンデンサで、目的の周
波数調整範囲を得ろことができるように、トリマコンデ
ンサに加えて、固定コンデンサ、インダクタを用い、そ
の素子値を選ぶことにより、周波数安定度の劣化を小さ
くすることができる。
実施例
本発明の実施例について図面を参照して説明する。第1
図に示すように、コルピッツ形発振回路1として、トラ
ンジスタ3とベースバイアス抵抗4、帰環容量8a,6
b、コレクタ接地容量7、出力用のエミッタフォロワ8
およびスイッチング回路9を半導体集積回路2の内部に
構成する。外部回路として、周波数調整回路10は、ト
リマコンデンサ11、固定コンデンサ12、インダクタ
13よりなる。インダクタ14aは半導体集積回路2内
部の帰環容量6aと並列共振回路をなし、水晶振動子の
原振周波数近傍に共振周波数を持つよう素子の値を調整
する。前記共振回路により、水晶振動子の原振周波数に
よる発振を抑え、3次オーバートーン発振を得ることが
できる。1例として中心周波数42.00 MHzの場
合、コレクタ接地容量7は50pPで十分であり、半導
体集積回路内に構成することも可能である。
図に示すように、コルピッツ形発振回路1として、トラ
ンジスタ3とベースバイアス抵抗4、帰環容量8a,6
b、コレクタ接地容量7、出力用のエミッタフォロワ8
およびスイッチング回路9を半導体集積回路2の内部に
構成する。外部回路として、周波数調整回路10は、ト
リマコンデンサ11、固定コンデンサ12、インダクタ
13よりなる。インダクタ14aは半導体集積回路2内
部の帰環容量6aと並列共振回路をなし、水晶振動子の
原振周波数近傍に共振周波数を持つよう素子の値を調整
する。前記共振回路により、水晶振動子の原振周波数に
よる発振を抑え、3次オーバートーン発振を得ることが
できる。1例として中心周波数42.00 MHzの場
合、コレクタ接地容量7は50pPで十分であり、半導
体集積回路内に構成することも可能である。
トリマコンデンサ11のみで周波数調整範囲を±10p
pm以上得るためには、40pP以上容量変化が必要で
ある。409Fのトリマコンデンサには−1300士6
00ppm/℃の温度係数がある。トリマコンデンサ1
1に加えてインダクタ13を使用することにより、トリ
マコンデンサ11のみによる周波数調整を行う場合と比
較して、小さな容量値のトリマコンデンサ11で、中心
周波数に対し、±10ppm以上の周波数調整範囲を得
ることができる。またインダクタは、コンデンサとは逆
方向の温度特性をもっており、両者は温度変化に対して
、補償し合う関係にある。例えばインダクタ13として
1μHを用いた場合、±10ppmの周波数調整範囲を
得るためには20pP以上のトリマコンテンサが必要と
なる。20pFのトリマコンデンサの温度係数は、−9
0o±350ppmである。さらにトリマコンデンサ1
つに並列に固定のコンデンサ12を使用すると、10p
Fのトリマコンデンサと3pFの固定コンデンサで±1
0ppmの周波数調整範囲を得ることができろ。10p
Fのトリマコンデンサの温度係数は0土2001)pm
で固定コンデンサの温度係数は温度係数の小さなCII
タイプで0±60ppmであり、水晶振動子を除く回路
自体の発振周波数の温度特性を±0.5ppm以内にす
ることができる。
pm以上得るためには、40pP以上容量変化が必要で
ある。409Fのトリマコンデンサには−1300士6
00ppm/℃の温度係数がある。トリマコンデンサ1
1に加えてインダクタ13を使用することにより、トリ
マコンデンサ11のみによる周波数調整を行う場合と比
較して、小さな容量値のトリマコンデンサ11で、中心
周波数に対し、±10ppm以上の周波数調整範囲を得
ることができる。またインダクタは、コンデンサとは逆
方向の温度特性をもっており、両者は温度変化に対して
、補償し合う関係にある。例えばインダクタ13として
1μHを用いた場合、±10ppmの周波数調整範囲を
得るためには20pP以上のトリマコンテンサが必要と
なる。20pFのトリマコンデンサの温度係数は、−9
0o±350ppmである。さらにトリマコンデンサ1
つに並列に固定のコンデンサ12を使用すると、10p
Fのトリマコンデンサと3pFの固定コンデンサで±1
0ppmの周波数調整範囲を得ることができろ。10p
Fのトリマコンデンサの温度係数は0土2001)pm
で固定コンデンサの温度係数は温度係数の小さなCII
タイプで0±60ppmであり、水晶振動子を除く回路
自体の発振周波数の温度特性を±0.5ppm以内にす
ることができる。
なお、オーバートーン次数が高いほど発振周波数は高く
でき、また温度特性も良好となるが、水晶の製作偏差の
周波数範囲が3次オーバートーンで±10ppm確保で
きるのに対し,6次以上ではさらに製作精度等が必要と
なり、高価となるので、3次オーバートーンの方が適し
ている。3次オーバートーンの発振回路とすることによ
り、位相同期ループ(PLL)の基準発振源としても、
特に温度範囲の広い場合を除いて、TCXOを用いる必
要をなくすこともできる。
でき、また温度特性も良好となるが、水晶の製作偏差の
周波数範囲が3次オーバートーンで±10ppm確保で
きるのに対し,6次以上ではさらに製作精度等が必要と
なり、高価となるので、3次オーバートーンの方が適し
ている。3次オーバートーンの発振回路とすることによ
り、位相同期ループ(PLL)の基準発振源としても、
特に温度範囲の広い場合を除いて、TCXOを用いる必
要をなくすこともできる。
位相同期ループの基準周波数に用いる場合には、3次オ
ーバートーン水晶発振回路の出力周波数を通常さらに分
周して周波数を下げることになるが、ここでは原振より
も高い周波数を得るためではなく、高く選んだ周波数を
また下げて用いて、温度安定度を利用することを目的と
している。また、発振周波数範囲が高城まで設定可能と
なるので、この3次オーバートーン水晶発振回路からの
出力周波数をそのまま、あるいは1/2分周等の分周を
行って、その出力信号を受信機の第2局部発振源として
使用することもできるようになる。
ーバートーン水晶発振回路の出力周波数を通常さらに分
周して周波数を下げることになるが、ここでは原振より
も高い周波数を得るためではなく、高く選んだ周波数を
また下げて用いて、温度安定度を利用することを目的と
している。また、発振周波数範囲が高城まで設定可能と
なるので、この3次オーバートーン水晶発振回路からの
出力周波数をそのまま、あるいは1/2分周等の分周を
行って、その出力信号を受信機の第2局部発振源として
使用することもできるようになる。
なお、第2図は第1図のスイッチング回路9の詳細構成
であり、NPNトランジスタ19とPNPトランジスタ
2Qおよび抵抗で構成され、端子1アに電圧を供給する
。端子16を開放するとNPNトランジスタ19は飽和
領域となり、PNP }ランジスタ200ベース電位が
低くなるためPNP }ランジスタ20も飽和領域で動
作し、端子16は電源電圧に対しPNP }ランジスタ
20のエミッタとコレクタ間の電位差だけ低い電位とな
る。また端子16をアースに接続すると、NPNトラン
ジスタ19、PNP }ランジスタ20共に遮断領域と
なり、端子16の電位は零となる。このように前記端子
1eを開放または接地することにより、第1図の水晶発
振回路のベースバイアス抵抗4に対する電圧供給を制御
することができることから、たとえば水晶発振回路を基
準発振源として、位相同期ループ(PLL)の半導体集
積回路を構成した場合でも、必要に応じて、水晶発振回
路よりさらに広い温度範囲で補償された、高精度の基準
発振源も利用することが可能となる。
であり、NPNトランジスタ19とPNPトランジスタ
2Qおよび抵抗で構成され、端子1アに電圧を供給する
。端子16を開放するとNPNトランジスタ19は飽和
領域となり、PNP }ランジスタ200ベース電位が
低くなるためPNP }ランジスタ20も飽和領域で動
作し、端子16は電源電圧に対しPNP }ランジスタ
20のエミッタとコレクタ間の電位差だけ低い電位とな
る。また端子16をアースに接続すると、NPNトラン
ジスタ19、PNP }ランジスタ20共に遮断領域と
なり、端子16の電位は零となる。このように前記端子
1eを開放または接地することにより、第1図の水晶発
振回路のベースバイアス抵抗4に対する電圧供給を制御
することができることから、たとえば水晶発振回路を基
準発振源として、位相同期ループ(PLL)の半導体集
積回路を構成した場合でも、必要に応じて、水晶発振回
路よりさらに広い温度範囲で補償された、高精度の基準
発振源も利用することが可能となる。
発明の効果
以上のように本発明は、コルピッッ形の変形でエミッタ
フォロワ出力の3次オーバートーン水晶発振回路を半導
体集積回路による構成と、発振回路としてコレクタ接地
形の適用と、外付の周波数調整回路として、並列のトリ
マコンデンサと固定コンデンサおよび直列のインダクタ
による回路構成と、素子の温度特性まで考慮した素子定
数の最適選択と、高安定度の水晶発振回路にオーバート
ーンモードの水晶振動子を用いることにより、特に温度
範囲の広い場合を除いて、温度補償水晶発振回路(例え
ばTCXO)を使用する必要のない、温度変化に対する
周波数安定性が良い水晶発振回路を低価格で実現できる
。
フォロワ出力の3次オーバートーン水晶発振回路を半導
体集積回路による構成と、発振回路としてコレクタ接地
形の適用と、外付の周波数調整回路として、並列のトリ
マコンデンサと固定コンデンサおよび直列のインダクタ
による回路構成と、素子の温度特性まで考慮した素子定
数の最適選択と、高安定度の水晶発振回路にオーバート
ーンモードの水晶振動子を用いることにより、特に温度
範囲の広い場合を除いて、温度補償水晶発振回路(例え
ばTCXO)を使用する必要のない、温度変化に対する
周波数安定性が良い水晶発振回路を低価格で実現できる
。
また上記効果に加え、オーバートーンモードの発振周波
数を分周して用いることにより、位相同期ループの基準
発振源、および第2局部発振源としても使用でき、半導
体集積回路として用途を広くできる。
数を分周して用いることにより、位相同期ループの基準
発振源、および第2局部発振源としても使用でき、半導
体集積回路として用途を広くできる。
さらに、スイッチング回路を設けることにより、本発明
の水晶発振回路を含んだ半導体集積回路を構成する際に
、基準発振源として内蔵の水晶発振回路を利用するか、
さらに高安定な基準発振源を使用するか外部から選択す
ることができ、半導体集積回路としての汎用性を広げる
ことが可能となる。
の水晶発振回路を含んだ半導体集積回路を構成する際に
、基準発振源として内蔵の水晶発振回路を利用するか、
さらに高安定な基準発振源を使用するか外部から選択す
ることができ、半導体集積回路としての汎用性を広げる
ことが可能となる。
第1図は本発明の一実施例における水晶発振回路の回路
図、第2図は第1図の要部であるスイッチング回路の回
路図、第3図は従来の3次オーバートーン水晶発振回路
の回路図である。 1・・・コルピッッ形発振回路、4・・・ベースバイア
ス抵抗、6,6・・・帰環容量、7・・・コレクタ接地
容量、8・・・エミッタフォロワ、9・・・スイッチン
グ回路、10・・・周波数調整回路,16・・・スイッ
チング端子、17・・・電源端子。
図、第2図は第1図の要部であるスイッチング回路の回
路図、第3図は従来の3次オーバートーン水晶発振回路
の回路図である。 1・・・コルピッッ形発振回路、4・・・ベースバイア
ス抵抗、6,6・・・帰環容量、7・・・コレクタ接地
容量、8・・・エミッタフォロワ、9・・・スイッチン
グ回路、10・・・周波数調整回路,16・・・スイッ
チング端子、17・・・電源端子。
Claims (5)
- (1)コルピッツ形の発振回路のトランジスタのコレク
タを第1のバイパス容量で接地し、コレクタ接地とし、
前記トランジスタのベースに第1の帰環容量とベースバ
イアス抵抗を接続し、前記トランジスタのエミッタに第
2の帰環容量と出力用のエミッタフォロワを接続し、そ
れらを半導体集積回路内部に構成し、前記半導体集積回
路のトランジスタのベースから外部回路として、周波数
調整回路と水晶振動子を直列接続し、アースへと接続し
た回路と、第1のインダクタと直列に前記トランジスタ
のエミッタバイアス抵抗を接続し、前記エミッタバイア
ス抵抗と並列に第2のバイパス容量を接続した回路を前
記半導体集積回路の第2の帰環容量に対し並列接続し、
アースへと接続したことを特徴とする水晶発振回路。 - (2)周波数調整回路として、第2のインダクタと直列
に容量が10pF以下のトリマコンデンサを接続し、前
記トリマコンデンサと並列に固定コンデンサを接続した
ことを特徴とする請求項1記載の水晶発振回路。 - (3)水晶振動子の3次オーバートーンを用いた水晶発
振回路を位相同期ループの基準発振源として用いること
を特徴とする請求項1記載の水晶発振回路。 - (4)水晶振動子の3次オーバートーンを用いた水晶発
振回路からの出力を第2局部発振源として用いることを
特徴とする請求項1記載の水晶発振回路。 - (5)半導体集積回路の外部に設けた端子を開放ままた
は短絡することにより、ベースバイアスを供給または非
供給とすることができる、NPNトランジスタとPNP
トランジスタ2段のスイッチングトランジスタからなる
スイッチング回路を電源とベースバイアス抵抗との間に
設けたことを特徴とする請求項1記載の水晶発振回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15536089A JPH0319506A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 水晶発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15536089A JPH0319506A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 水晶発振回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0319506A true JPH0319506A (ja) | 1991-01-28 |
Family
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JP (1) | JPH0319506A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100501016B1 (ko) * | 1996-06-20 | 2005-11-08 | 소니 가부시끼 가이샤 | 발진회로 |
JP2009177522A (ja) * | 2008-01-24 | 2009-08-06 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶発振器の周波数調整方法 |
JP2010153972A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 高周波コルピッツ回路 |
CN106199270A (zh) * | 2016-07-15 | 2016-12-07 | 西南石油大学 | 一种石英晶体谐振器等效电路参数的测量方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6050514B2 (ja) * | 1977-12-23 | 1985-11-08 | 共栄造機株式会社 | 魚体選別装置 |
JPS62195902A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-29 | Yaesu Musen Co Ltd | 可変周波数水晶発振回路 |
JPS645207A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-10 | Nec Corp | Oscillation circuit |
-
1989
- 1989-06-16 JP JP15536089A patent/JPH0319506A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6050514B2 (ja) * | 1977-12-23 | 1985-11-08 | 共栄造機株式会社 | 魚体選別装置 |
JPS62195902A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-29 | Yaesu Musen Co Ltd | 可変周波数水晶発振回路 |
JPS645207A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-10 | Nec Corp | Oscillation circuit |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100501016B1 (ko) * | 1996-06-20 | 2005-11-08 | 소니 가부시끼 가이샤 | 발진회로 |
JP2009177522A (ja) * | 2008-01-24 | 2009-08-06 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶発振器の周波数調整方法 |
JP2010153972A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 高周波コルピッツ回路 |
US8154355B2 (en) | 2008-12-24 | 2012-04-10 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd | High-frequency colpitts circuit |
CN106199270A (zh) * | 2016-07-15 | 2016-12-07 | 西南石油大学 | 一种石英晶体谐振器等效电路参数的测量方法 |
CN106199270B (zh) * | 2016-07-15 | 2018-08-17 | 西南石油大学 | 一种石英晶体谐振器等效电路参数的测量方法 |
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