JPH03186845A - 半導体集積回路用フオトマスク - Google Patents
半導体集積回路用フオトマスクInfo
- Publication number
- JPH03186845A JPH03186845A JP1326665A JP32666589A JPH03186845A JP H03186845 A JPH03186845 A JP H03186845A JP 1326665 A JP1326665 A JP 1326665A JP 32666589 A JP32666589 A JP 32666589A JP H03186845 A JPH03186845 A JP H03186845A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- patterns
- pattern
- photomask
- resist
- conductive film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 10
- 238000001459 lithography Methods 0.000 abstract description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
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- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路を製造する時に用いるフォト
マスクに関するものである。
マスクに関するものである。
第3図tc+、 (dlに、第3図tag、 fb)ニ
示’を従来ノーyオドマスクを用いて作製したレジスト
パターンを示す。第3図(blはフォトマスクの平面図
1.第3図fa)は第3図(blの■A−I[+AM断
面図、第3図fclはフォトレジストパターンの平面図
、第3図fdlは第3図(C1のIITD−IIID線
断面図である。
示’を従来ノーyオドマスクを用いて作製したレジスト
パターンを示す。第3図(blはフォトマスクの平面図
1.第3図fa)は第3図(blの■A−I[+AM断
面図、第3図fclはフォトレジストパターンの平面図
、第3図fdlは第3図(C1のIITD−IIID線
断面図である。
第3図において、1はフォトマスク基板、2はクロムパ
ターン、3はレジストパターン、4は導電膜、5は絶縁
膜、6は基板である。
ターン、3はレジストパターン、4は導電膜、5は絶縁
膜、6は基板である。
なお、各図において同様のパターンが2個あるのは、繰
返しパターンであることを意味している。
返しパターンであることを意味している。
次に、従来のフォトマスクを用いたレジストパターンの
形式例について説明する。まず、第4図(alに示すよ
うに、基板6上に絶縁膜5でコンタクトのパターンを形
威した後、導電膜4 (il常はAl1Siやシリサイ
ド膜等の高反射基板が用いられる)を底膜し、その後、
第4図(b)に示すように、フォトレジストパターン3
を形威し、そのフォトレジストパターン3をマスクにし
て導電膜4をエツチングしく第4図(C)〉、その後フ
ォトレジストパターン3を除去する(第4図(d))。
形式例について説明する。まず、第4図(alに示すよ
うに、基板6上に絶縁膜5でコンタクトのパターンを形
威した後、導電膜4 (il常はAl1Siやシリサイ
ド膜等の高反射基板が用いられる)を底膜し、その後、
第4図(b)に示すように、フォトレジストパターン3
を形威し、そのフォトレジストパターン3をマスクにし
て導電膜4をエツチングしく第4図(C)〉、その後フ
ォトレジストパターン3を除去する(第4図(d))。
このとき、第3図(a)、 fb)に示すようなフォト
マスクを用いていた。第3図(b)の中心部に示す点線
の矩形パターンハ前工程のコンタクトホールのマスクパ
ターンを示す。
マスクを用いていた。第3図(b)の中心部に示す点線
の矩形パターンハ前工程のコンタクトホールのマスクパ
ターンを示す。
従来のフォトマスクを用いて、上述の工程に従ってレジ
ストパターンを形成した場合、第3図(dlの矢印で示
すように露光の導電膜4からの反射により、レジストパ
ターン3にくびれが生しる(以下、このくびれを「ノツ
チング」という)。レジストパターン3を平面的に見た
場合は第3図(e)に示すようになり、第3図fb)の
マスクパターン(設計パターン)とは異なった形状のレ
ジストパターンが得られる。なお、第3図(dlの点線
は設計パターンを示す。
ストパターンを形成した場合、第3図(dlの矢印で示
すように露光の導電膜4からの反射により、レジストパ
ターン3にくびれが生しる(以下、このくびれを「ノツ
チング」という)。レジストパターン3を平面的に見た
場合は第3図(e)に示すようになり、第3図fb)の
マスクパターン(設計パターン)とは異なった形状のレ
ジストパターンが得られる。なお、第3図(dlの点線
は設計パターンを示す。
この場合の問題点を第4図を用いて説明する。
第4図(b)に示すようにレジストパターンの重ね合わ
せが若干ずれた場合、第4図(C)に示すように、導電
膜4のエツチング時に、本来レジストパターン3と導電
膜4とにより保護されている筈の基板6が領域6′ (
第4図(d))で示すようにダメージを受け、レジスト
3を除去した後もジャンクションリーク等の問題が生し
ることになる。
せが若干ずれた場合、第4図(C)に示すように、導電
膜4のエツチング時に、本来レジストパターン3と導電
膜4とにより保護されている筈の基板6が領域6′ (
第4図(d))で示すようにダメージを受け、レジスト
3を除去した後もジャンクションリーク等の問題が生し
ることになる。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、パターンが微細になった場合に
も、ジャンクションリーク等を生しることなく、導電膜
と基板とが良好にコンタクトを取れるようにレジストパ
ターンを形成できる半導体集積回路用フォトマスクを得
ることにある。
の目的とするところは、パターンが微細になった場合に
も、ジャンクションリーク等を生しることなく、導電膜
と基板とが良好にコンタクトを取れるようにレジストパ
ターンを形成できる半導体集積回路用フォトマスクを得
ることにある。
このような目的を達成するために本発明は、前工程で形
成する下地膜段差に対応するパターンの近傍に予め、設
計パターンとは異なる突起の補助パターンを設けるよう
にしたものである。
成する下地膜段差に対応するパターンの近傍に予め、設
計パターンとは異なる突起の補助パターンを設けるよう
にしたものである。
本発明による半導体集積回路用フォトマスクを用いれば
、導電膜上でのレジストパターン形成時にノツチングの
影響を受けても、設計通りのパターンを得ることができ
る。
、導電膜上でのレジストパターン形成時にノツチングの
影響を受けても、設計通りのパターンを得ることができ
る。
以下、本発明の実施例を図を用いて説明する。
第1図(C1,(dlに、第1図(81,(blに示ず
本発明による半導体集積回路用フォトマスクの一実施例
を用いて作製したレジストパターンを示す。第1図(b
lはフォトマスクの平面図、第1図(alは第1図(b
lのIA−IA線断面図、第1図(C)はフォトレジス
トパターンの平面図、第1図fdlは第1図(C1のI
DID線断面図である。なお、第1図において第3図と
同一部分又は相当部分には同一符号が付しである。
本発明による半導体集積回路用フォトマスクの一実施例
を用いて作製したレジストパターンを示す。第1図(b
lはフォトマスクの平面図、第1図(alは第1図(b
lのIA−IA線断面図、第1図(C)はフォトレジス
トパターンの平面図、第1図fdlは第1図(C1のI
DID線断面図である。なお、第1図において第3図と
同一部分又は相当部分には同一符号が付しである。
第2図は本発明による半導体集積回路用フォトマスクの
一実施例を用いたレジストパターン形成例を示す断面図
であり、第4図と異なる点は、第2図(b)、第2図(
C1で示すレジストパターン3の形状であり、重ね合わ
せずれが生じた場合においても、下地膜からの反射光の
影響によるノツチングでのパターンのくびれがなく、導
電膜4のエツチングにおいて基板6にダメージを与える
ことがない。
一実施例を用いたレジストパターン形成例を示す断面図
であり、第4図と異なる点は、第2図(b)、第2図(
C1で示すレジストパターン3の形状であり、重ね合わ
せずれが生じた場合においても、下地膜からの反射光の
影響によるノツチングでのパターンのくびれがなく、導
電膜4のエツチングにおいて基板6にダメージを与える
ことがない。
次に、第2図に示すようなレジストパターン3の形成が
いかにすれば可能であるかを第1図を用いて説明する。
いかにすれば可能であるかを第1図を用いて説明する。
第1図のフォトマスクの形状が第3図と異なる点は、第
1図(blのフォトマスクバクーンで示すように、前工
程のコンタクトホールパターンの近傍に45度の突起パ
ターンを設けたことである。第1図fb)に示すような
フォトマスクを用いてレジストパターンを形成すると、
段差を有し且つレジストが導電膜上に存在する場合、第
1図(C1に示すように、転写されたレジストパターン
3は、第3図(C1に示すようなくびれ(細り)がなく
、設計パターンに近いレジストパターンが得られる。な
お、第1図Fdlの点線は設計パターンを示す。
1図(blのフォトマスクバクーンで示すように、前工
程のコンタクトホールパターンの近傍に45度の突起パ
ターンを設けたことである。第1図fb)に示すような
フォトマスクを用いてレジストパターンを形成すると、
段差を有し且つレジストが導電膜上に存在する場合、第
1図(C1に示すように、転写されたレジストパターン
3は、第3図(C1に示すようなくびれ(細り)がなく
、設計パターンに近いレジストパターンが得られる。な
お、第1図Fdlの点線は設計パターンを示す。
半導体集積回路の集積度が向上し、パターンが微細にな
ると、第1図(blに示す分離幅Aについては通常、そ
のデバイスの最小設計ルールを用いることが多く、解像
限界に近い場合がある。本実施例のようにフォトマスク
に突起パターンを設けると、分離幅Bは解像限界を下回
る場合があり得るが、分離幅の領域が極小であり且つ下
地膜からの反射光の影響を加味すると分離は可能となる
。
ると、第1図(blに示す分離幅Aについては通常、そ
のデバイスの最小設計ルールを用いることが多く、解像
限界に近い場合がある。本実施例のようにフォトマスク
に突起パターンを設けると、分離幅Bは解像限界を下回
る場合があり得るが、分離幅の領域が極小であり且つ下
地膜からの反射光の影響を加味すると分離は可能となる
。
なお、上記実施例ではフォトマスク上に45度の突起パ
ターンを設けたが、突起パターンの形状は転写時のレジ
ストパターンの分離が可能な限り任意の形状でよい。
ターンを設けたが、突起パターンの形状は転写時のレジ
ストパターンの分離が可能な限り任意の形状でよい。
また、本実施例を用いたレジストパターンの形成例では
、レジストの下地111δこ導電膜を敷いているが、絶
縁膜でもよく、ノツチングの影響を受は易い段差形状お
よび下地膜であれば、いかなる下地構造でもよい。
、レジストの下地111δこ導電膜を敷いているが、絶
縁膜でもよく、ノツチングの影響を受は易い段差形状お
よび下地膜であれば、いかなる下地構造でもよい。
以上説明したように本発明は、フォトマスクパターンに
ノツチング防止用の補助パターンを設けたことにより、
リソグラフィの余裕度が小さい場合においても、設計パ
ターンに近いレジストパターンが得られ、ジャンクショ
ンリーク等のないデバイスを作れる効果がある。
ノツチング防止用の補助パターンを設けたことにより、
リソグラフィの余裕度が小さい場合においても、設計パ
ターンに近いレジストパターンが得られ、ジャンクショ
ンリーク等のないデバイスを作れる効果がある。
第1図(δ)および(blは本発明による半導体集積回
路用フォトマスクの一実施例を示す断面図および平面図
、第1図FC+および(diは第1図(al、 (bl
のフォトマスクを用いた場合のレジストパターン形成例
を示す平面図および断面図、第2図は第1図(a)。 (blのフォトマスクを用いて作製した導電膜のパター
ンを示す断面図、第3図(a)および(blは従来のフ
ォトマスクを示す断面図および平面図、第3図(C1お
よび(d)は第3図(23)、 (b)のフォトマスク
を用いた場合のレジストパターン形成例を示す平面図お
よび断面図、第4図は第3図ta+、 [b)のフォト
マスクを用いて作製した導電膜のパターンを示す断面図
である。 1・・・フォトマスク基板、2・・・クロムパターン、
3・・・レジストパターン、4・・・導電膜、5・・・
絶縁膜、6・・・基板。
路用フォトマスクの一実施例を示す断面図および平面図
、第1図FC+および(diは第1図(al、 (bl
のフォトマスクを用いた場合のレジストパターン形成例
を示す平面図および断面図、第2図は第1図(a)。 (blのフォトマスクを用いて作製した導電膜のパター
ンを示す断面図、第3図(a)および(blは従来のフ
ォトマスクを示す断面図および平面図、第3図(C1お
よび(d)は第3図(23)、 (b)のフォトマスク
を用いた場合のレジストパターン形成例を示す平面図お
よび断面図、第4図は第3図ta+、 [b)のフォト
マスクを用いて作製した導電膜のパターンを示す断面図
である。 1・・・フォトマスク基板、2・・・クロムパターン、
3・・・レジストパターン、4・・・導電膜、5・・・
絶縁膜、6・・・基板。
Claims (1)
- 前工程で形成する下地膜段差に対応するパターンの近
傍に予め、設計パターンとは異なる突起の補助パターン
を設けたことを特徴とする半導体集積回路用フォトマス
ク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1326665A JPH03186845A (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 半導体集積回路用フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1326665A JPH03186845A (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 半導体集積回路用フオトマスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03186845A true JPH03186845A (ja) | 1991-08-14 |
Family
ID=18190299
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1326665A Pending JPH03186845A (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 半導体集積回路用フオトマスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03186845A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07219206A (ja) * | 1993-11-15 | 1995-08-18 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | フォトマスク |
JPH0844040A (ja) * | 1994-03-11 | 1996-02-16 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 露光マスク |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61208049A (ja) * | 1985-03-12 | 1986-09-16 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS62143052A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-26 | Hitachi Ltd | マスク |
-
1989
- 1989-12-15 JP JP1326665A patent/JPH03186845A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61208049A (ja) * | 1985-03-12 | 1986-09-16 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS62143052A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-26 | Hitachi Ltd | マスク |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07219206A (ja) * | 1993-11-15 | 1995-08-18 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | フォトマスク |
JPH0844040A (ja) * | 1994-03-11 | 1996-02-16 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 露光マスク |
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