JPH03182029A - Electron emission element, and display unit and electron beam plotting device using this element - Google Patents
Electron emission element, and display unit and electron beam plotting device using this elementInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、電子放出素子およびこれを用いたディスプレ
イ装置並びに電子線描画装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to an electron-emitting device, a display device using the same, and an electron beam lithography device.
［従来技術］
従来、微細加工技術を用いた電界放出型の電子放出素子
としては、例えば、Ｃ，Ａ、５ｐｉｎｄｔらによって報
告された（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ。[Prior Art] Conventionally, a field emission type electron-emitting device using microfabrication technology has been reported, for example, by C. A. 5pindt et al. (Journal of Applied P.
hysics.
Ｖｏ１４７．Ｎｏ、１２．１９７６、ｐ５２４８）電子
放出素子が知られていた。この電子放出素子は、Ｓｉ基
板上に５ｉ０２ とゲート電極とを順次形成してなる薄
膜じ１．５μｍ程度の径の穴を形成し、この穴の中心に
電界放出を行なうための、先端径１０００Å以下の円錐
型の電Ｆｉ（エミッタ）を、メタルデポジションにより
形成したものである。Vo147. No. 12.1976, p5248) Electron-emitting devices were known. This electron-emitting device has a thin film formed by sequentially forming 5i02 and a gate electrode on a Si substrate, and a hole with a diameter of about 1.5 μm is formed in the center of the hole, and a tip with a diameter of 1000 Å is used to emit a field at the center of the hole. The following conical electric field Fi (emitter) is formed by metal deposition.
第５図（ａ）〜（ｄ）は、このような従来の電子放出素
子の製造工程の１例を示す模式的断面図である。FIGS. 5(a) to 5(d) are schematic cross-sectional views showing an example of the manufacturing process of such a conventional electron-emitting device.
以下、第５図を用いて、上記従来の電子放出素子の製造
工程の１例について説明する。An example of the manufacturing process of the conventional electron-emitting device will be described below with reference to FIG.
■まず、Ｓｉ基板１上に厚ざ１−１．２μｍの５層０２
層等の絶縁層２を形成する。■First, 5 layers 02 with a thickness of 1-1.2 μm are placed on the Si substrate 1.
An insulating layer 2 such as a layer is formed.
■当該絶縁層２上に、電子ビーム蒸着等により、厚さが
０．４μｍ程度のＭＯ層３を形成する。(2) An MO layer 3 having a thickness of about 0.4 μm is formed on the insulating layer 2 by electron beam evaporation or the like.
■当該Ｍｏ層３の上にＰ Ｍ Ｍ Ａ （ｐｏｌｙ−ｍ
ｅｔｈｌ−ｍｅｔｈａｃｒｙ−１ａｔｅ）等の電子線レ
ジストをスピンコード法を用いて塗布し、電子ビームを
照射してパターニングを行なった後、イソプロピルアル
コール等で電子線レジストを部分的に除去し、ＭＯ層３
を選択的にエツチングして開口６を形成する。■PMMA (poly-m
After coating an electron beam resist such as ethyl-methacry-1ate using a spin code method and patterning it by irradiating it with an electron beam, the electron beam resist is partially removed using isopropyl alcohol or the like to form the MO layer 3.
is selectively etched to form an opening 6.
■電子線レジストを完全に除去した後、弗化水素酸を用
いて絶縁層２をエツチングし、穴５を形成する。(2) After completely removing the electron beam resist, the insulating layer 2 is etched using hydrofluoric acid to form the hole 5.
この状態を第５図（ａ）に示す。This state is shown in FIG. 5(a).
■回転軸Ｘを中心としてＳｉ基板１を回転させながら、
一定の角度θ傾斜させてＡＪＺをＭｏ層３の上面に蒸着
させることにより、／１層７を形成する。この状態を第
５図（ｂ）に示す。■While rotating the Si substrate 1 around the rotation axis X,
The /1 layer 7 is formed by depositing AJZ on the upper surface of the Mo layer 3 at a certain angle θ. This state is shown in FIG. 5(b).
このとき、前記００層３の側面部にもＡｎが蒸着される
ので、この蒸着量を制御することにより、開口６の直径
を任意に小さくすることができる。At this time, since An is also deposited on the side surface of the 00 layer 3, the diameter of the opening 6 can be made arbitrarily small by controlling the amount of deposited An.
■Ｓｉ基板１に対して垂直に、ＭＯを、電子ビーム蒸着
等によって蒸着する。(2) MO is deposited perpendicularly to the Si substrate 1 by electron beam evaporation or the like.
このとき、ＭＯはＡＩＬ層７およびＳｉ基板１のみなら
ず、ＡＩＬ層７の側面にも堆積されるので、開口６の直
径はＭｏ層３の積層に伴なって徐々に小さくなっていく
。この開口６の直径の減少に伴なって、Ｓｉ基板１に堆
積される蒸着物Ｍｏの蒸着範囲も小さくなっていくため
に、Ｓｉ基板１上には略円錐形状の電極４が形成される
。この状態を第５図（ｃ）に示す。At this time, since MO is deposited not only on the AIL layer 7 and the Si substrate 1 but also on the side surfaces of the AIL layer 7, the diameter of the opening 6 gradually becomes smaller as the Mo layers 3 are stacked. As the diameter of the opening 6 decreases, the evaporation area of the evaporated material Mo deposited on the Si substrate 1 also decreases, so that the substantially conical electrode 4 is formed on the Si substrate 1. This state is shown in FIG. 5(c).
■最後に、第５図（ｄ）に示すように、堆積したＭＯ層
８およびＡ１層７を除去し、電子放出素子が完成する。(2) Finally, as shown in FIG. 5(d), the deposited MO layer 8 and A1 layer 7 are removed to complete the electron-emitting device.
以上、従来の電子放出素子の製造工程の１例について説
明した。An example of a conventional manufacturing process for an electron-emitting device has been described above.
［発明が解決しようとする課題］
しかし、上述のごとき従来の電子放出素子の製造方ｌ去
においては、エミッタを形成するためにメタルデポジシ
ョンのプロセスを用いていたため、すなわち、Ａ℃層７
の開口６の形状を利用してエミッタの円錐形状を形成し
ていたため、エミッタの形状（高さ、角度、底辺の直径
等）の再現性が悪く、従って歩留りが悪いという課題を
有していた。特に、電子放出素子を１枚のＳｉ基板１に
複数個同時に形成する場合には、非常に歩留りが悪く、
コスト高の大きな原因となっていた。また、この傾向は
電子放出素子のサイズが小さいほど顕著になるため、電
子放出素子の微細化・高密度化を図ることが困難であっ
た。[Problems to be Solved by the Invention] However, in the conventional method of manufacturing an electron-emitting device as described above, a metal deposition process was used to form an emitter.
Since the conical shape of the emitter was formed using the shape of the aperture 6 of . In particular, when a plurality of electron-emitting devices are simultaneously formed on one Si substrate 1, the yield is very low.
This was a major cause of high costs. Furthermore, this tendency becomes more pronounced as the size of the electron-emitting device becomes smaller, making it difficult to miniaturize and increase the density of the electron-emitting device.
さらに、上述のごとき従来の電子放出素子の製造方法は
プロセス自体が非常に複雑であり、このこともコスト高
の原因となっていた。Furthermore, the process itself of the conventional method of manufacturing electron-emitting devices as described above is very complicated, which also causes high costs.
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みて試された
ものであり、エミッタ形状の再現性に優れ且つ簡単なプ
ロセスで製造することが可能な電子放出素子と、これを
用いたディスプレイ装置並びに電子線描画装置を提供す
ることを目的とする。The present invention was attempted in view of the problems of the prior art, and provides an electron-emitting device that has excellent emitter shape reproducibility and can be manufactured by a simple process, and a display device using the same. Another object of the present invention is to provide an electron beam lithography device.
［課題を解決するための手段］
本発明の電子放出素子は、基体と：鉄基体上に形成され
た中空部を有する絶縁層と；該中空部内に形成された円
錐型の電極と；前記絶縁層上に形成された前記中空部の
上に開口を有する導電層と；を少なくとも有する電子放
出素子であって、前記中空部がイオンビームを用いたエ
ツチングにより形成されたことを特徴とする。[Means for Solving the Problems] The electron-emitting device of the present invention includes: a substrate; an insulating layer having a hollow portion formed on the iron substrate; a conical electrode formed in the hollow portion; and the insulating layer. An electron-emitting device comprising at least a conductive layer having an opening above the hollow portion formed on the layer, wherein the hollow portion is formed by etching using an ion beam.
上記特徴においては、前記絶縁層に複数の中空部が形成
され、当該複数の中空部のそれぞれに前記円錐型の電極
が形成され、かつ、当該複数の中空部のそれぞれについ
て前記導電層の前記開口が形成されることが望ましい。In the above feature, a plurality of hollow portions are formed in the insulating layer, the conical electrode is formed in each of the plurality of hollow portions, and the opening of the conductive layer is provided for each of the plurality of hollow portions. It is desirable that .
上記特徴においては、前記イオンビームが集束イオンビ
ーム（Ｆ Ｉ Ｂ）であることが望ましい
上記特徴においては、前記円錐型の電極と前記導電層と
が同時に形成されることが望ましい。In the above feature, it is preferable that the ion beam is a focused ion beam (F I B), and in the above feature, it is preferable that the conical electrode and the conductive layer are formed at the same time.
本発明のディスプレイ装置は、上記特徴を有する電子放
出素子を用いたことを特徴とする。The display device of the present invention is characterized by using an electron-emitting device having the above characteristics.
本発明の電子線描画装置は、上記特徴を有する電子放出
素子を用いたことを特徴とする。The electron beam lithography apparatus of the present invention is characterized by using an electron-emitting device having the above characteristics.
［作用］
本発明は、絶縁層に、イオンビームを用いたマスクレス
のエツチングによって絶縁層の穴を形成することにより
、電子放出素子の製造工程を極めて簡素し、かつ、工よ
ツタ形状の再現性を飛躍的に向上させたものである。[Function] The present invention greatly simplifies the manufacturing process of electron-emitting devices by forming holes in the insulating layer by maskless etching using an ion beam, and it is possible to reproduce the ivy shape with ease. This is a dramatic improvement in performance.
以下、本発明について詳細に説明する。The present invention will be explained in detail below.
Ｓｉ単結晶上やＧａＡｓ車結晶上等に、１０１４イオン
／ ｃ ｍ ’以上のＢｅ、Ｓｉ、Ａｕ等のイオンビー
ムを照射すると、当該単結晶がアモルファス化し、イオ
ンビームを照射された部分のエツチングシートが増して
、イオン注入部が選択的にエツチングされることが知ら
れている。このようなエツチング法は、Ｓ ｉ Ｏ２結
晶についても使用可能である。また、このようなエツチ
ング法を用いる場合には、集束イオンビーム技術を用い
ることにより、微細な穴を精度良く形成することが容易
となる。When a Be, Si, Au, etc. ion beam of 1014 ions/cm' or more is irradiated onto a Si single crystal or a GaAs wheel crystal, the single crystal becomes amorphous and an etched sheet is formed in the ion beam irradiated area. It is known that the ion implantation area is selectively etched by increasing the etching rate. Such an etching method can also be used for SiO2 crystals. Further, when using such an etching method, it becomes easy to form fine holes with high accuracy by using focused ion beam technology.
エツチングにより形成された穴の断面形状は、注入イオ
ンの散乱分布の形によって決定され、第１図に示したよ
うな水滴形状となる。The cross-sectional shape of the hole formed by etching is determined by the shape of the scattering distribution of the implanted ions, and takes the shape of a water droplet as shown in FIG.
本発明は、この注入イオンの散乱の結果得られた水滴形
状の穴を利用して電界放出型電子放出素子を作製するも
のである。In the present invention, a field emission type electron-emitting device is manufactured by utilizing the water droplet-shaped holes obtained as a result of the scattering of the implanted ions.
［実施例］
（実施例１）
第１図は、本発明の１実施例に係わる電子放出素子を示
す概略的断面図である。第１図において、１はｎ型Ｇａ
Ａｓにより形成された基板、２はエピタキシャル成長に
より形成された０、５μｍ厚のＳ ｉ ０２層、３はＷ
により形成された０、４μｍ厚のゲート電極、４は工稟
ツタ、５はＦＩＢ技術を用いたエツチングによって作製
された穴である。[Example] (Example 1) FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an electron-emitting device according to an example of the present invention. In Figure 1, 1 is n-type Ga
A substrate made of As, 2 a 0.5 μm thick SiO2 layer formed by epitaxial growth, 3 a W
A gate electrode with a thickness of 0.4 .mu.m was formed by etching, 4 is an ivy, and 5 is a hole made by etching using FIB technology.
エミッタ４の先端径は数百人であり、基板１とゲート電
ｉ３の間に２０層以上の電圧を印加することにより、１
ｎＡ程度の放出電流を得ることができる。The diameter of the tip of the emitter 4 is several hundred, and by applying a voltage of 20 layers or more between the substrate 1 and the gate electrode i3,
An emission current of about nA can be obtained.
次に本発明の電子放出素子の製造プロセスについて説明
する。第２図（ａ）〜（Ｃ）は、第１図に示した電子放
出素子の製造プロセスを示す図である。Next, the manufacturing process of the electron-emitting device of the present invention will be explained. FIGS. 2(a) to 2(C) are diagrams showing the manufacturing process of the electron-emitting device shown in FIG. 1.
■まず、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、厚さ０． ５μｍの
絶縁層としての５ｉ０２層２を、エピタキシャル成長に
より形成した。■First, on an n-type GaAs substrate 1, a thickness of 0. A 5i02 layer 2 as an insulating layer of 5 μm was formed by epitaxial growth.
■５ｉｎ２層２に、０．１μｍに収集したドーズ量１０
１６イオン／ｃｍ” ２００ｋｅＶのイオンビーム
をスポットで注入した。この状態を第２図（ａ）に示す
。■Dose amount 10 collected to 0.1μm on 5in2 layer 2
An ion beam of 16 ions/cm" and 200 keV was implanted as a spot. This state is shown in FIG. 2(a).
■５ｉ０２層２を加熱した酸で処理することにより、工
程２でイオンビームを注入した部分を選択的にエツチン
グし、第２図（ｂ）に示したような水滴形状の穴５を得
た。(2) By treating the 5i02 layer 2 with heated acid, the portion into which the ion beam was implanted in step 2 was selectively etched, resulting in a water droplet-shaped hole 5 as shown in FIG. 2(b).
■５ｉ０２層２上に、Ｗをスパッタ法で０．４μｍデポ
ジションすることにより、ゲート電極３およびエミッタ
４を形成し、第１図に示したような電子放出素子を完成
した。この状態を第２図（Ｃ）に示す。(2) A gate electrode 3 and an emitter 4 were formed by depositing W to a thickness of 0.4 μm on the 5i02 layer 2 by sputtering, thereby completing an electron-emitting device as shown in FIG. This state is shown in FIG. 2(C).
以上、本実施例に係る電子放出素子の製造プロセスにつ
いて説明した。The manufacturing process of the electron-emitting device according to this example has been described above.
このように、本実施例に係る電子放出素子は、従来の電
子放出素子に較べて、極めて簡単な工程により作製する
ことができる。また、エミッタ４を従来よりも再現性良
く形成できるので、歩留りを向上させることができる。In this way, the electron-emitting device according to this example can be manufactured through extremely simple steps compared to conventional electron-emitting devices. Furthermore, since the emitter 4 can be formed with better reproducibility than before, yield can be improved.
また、エミッタ４の形状の精度を向上させることができ
ることにより、エミッタ４を微少に形成することが従来
よりも容易であり、このため、従来よりも低電圧で電子
放出を行なうことができる電子放出素子を得ることが可
能となる。In addition, by improving the accuracy of the shape of the emitter 4, it is easier to form the emitter 4 minutely than before, and for this reason, electron emission can be performed with a lower voltage than before. It becomes possible to obtain the element.
なお、本実施例では、基板１を形成する材料として、Ｇ
ａＡｓを使用したが、Ｓｉを使用することも可能である
。さらに、基板１を形成する材料としては、ガラス基板
上に形成したａ−３ｉやエピタキシャル成長したＳ Ｏ
Ｉ （Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎＩｎｓｕｌａｔｉｏｎ）を
使用することも可能である。In this example, G is used as the material for forming the substrate 1.
Although aAs was used, it is also possible to use Si. Furthermore, materials for forming the substrate 1 include a-3i formed on a glass substrate and epitaxially grown SO.
It is also possible to use I (Silicon on Insulation).
また、５ｉ０２層２に替えて、半絶縁性Ｓｉ。Also, semi-insulating Si was used instead of the 5i02 layer 2.
Ｓ ｉ３Ｎ４ 、Ａｊ２ Ｓ等をしても良い。ゲート電
極としては、Ｗの他、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｐｔ等を使用
することも可能である。S i3N4 , Aj2 S, etc. may also be used. As the gate electrode, in addition to W, it is also possible to use Mo, Ta, Ti, Pt, etc.
（実施例２）
第３図は、本発明の第２の実施例に係わる電子放出素子
を示す斜視図であり、同一の基板上に複数個の電子放出
素子をライン状に設けたものである。(Example 2) FIG. 3 is a perspective view showing an electron-emitting device according to a second example of the present invention, in which a plurality of electron-emitting devices are provided in a line on the same substrate. .
本発明によれば、個々の電子放出素子の製造歩留りを向
上させることができるので、本実施例のように同一の基
板上に複数個の電子放出素子を設けた場合、特に効果が
大きい。According to the present invention, since the manufacturing yield of each electron-emitting device can be improved, the effect is particularly great when a plurality of electron-emitting devices are provided on the same substrate as in this embodiment.
（実施例３）
第４図は、本発明の第３の実施例に係わる電子放出素子
を示す斜視図であり、同一の基板上に複数個の電子放出
素子をマトリクス状に設けたものである。(Example 3) FIG. 4 is a perspective view showing an electron-emitting device according to a third example of the present invention, in which a plurality of electron-emitting devices are provided in a matrix on the same substrate. .
本実施例の電子放出素子は、絶縁基板９の上に１μｍ厚
のＮｉ金属膜をライン状に形成して基板電極１０とし、
当該基板電極１の上に５ｉ０２等による絶縁層２を形成
し、さらに、基板電極１０と直角の方向にライン状のゲ
ート電極３を形成することにより実現した。In the electron-emitting device of this example, a 1 μm thick Ni metal film is formed in a line shape on an insulating substrate 9 to serve as a substrate electrode 10.
This was realized by forming an insulating layer 2 made of 5i02 or the like on the substrate electrode 1, and further forming a line-shaped gate electrode 3 in a direction perpendicular to the substrate electrode 10.
本発明によれば、エミッタ４の形状の精度を向上させる
ことが容易なので、電子放出素子を微細化し、且つ、高
密度に配置することが可能となる。具体的には、穴５の
サイズを０．５μｍ以下で形成できることから、本実施
例のごとくマトリクス状に電子放出素子を形成した場合
、マトリックスのサイズも１μｍビット程度と極めて高
密度に配列することができる。According to the present invention, since it is easy to improve the precision of the shape of the emitter 4, it is possible to miniaturize the electron-emitting elements and arrange them at high density. Specifically, since the holes 5 can be formed with a size of 0.5 μm or less, when electron-emitting devices are formed in a matrix as in this example, the matrix size is also about 1 μm bits, which means that they can be arranged extremely densely. I can do it.
なお、本実施例では、１のエレメントにそれぞれ１のエ
ミッタを形成した例を示したが、１のエレメントに複数
のエミッタを形成することも可能である。このような構
成を採ることにより、大電流の電子ビームを２次元的に
得ることができる。Although this embodiment shows an example in which one emitter is formed in each element, it is also possible to form a plurality of emitters in one element. By adopting such a configuration, a large current electron beam can be obtained two-dimensionally.
以上説明したように、本実施例によれば、構成が簡単で
、しかも、サイズ的にも自由度が大きい電子放出素子を
得ることができるので、電子線の応用機器に広く利用す
ることできる。As described above, according to this embodiment, it is possible to obtain an electron-emitting device with a simple structure and a large degree of freedom in terms of size, so that it can be widely used in electron beam application equipment.
例えば、ディスプレイに利用する場合、ＣＲＴや平面型
ディスプレイ用の電子源として、さらには平面型の撮像
管用電子放出素子としても有効である。For example, when used in displays, it is effective as an electron source for CRTs and flat displays, and furthermore as an electron emitting device for flat image pickup tubes.
工業的には、半導体用の電子線描画装置用の電子放出素
子としても、本発明の電子放出素子の大電流、高密度の
特徴をいかすことができるので、非常に有効である。例
えば、従来装置で使用されているＬａＢａに代るものと
しても良いし、高密度性を生かして一次元または２次元
に二くツタを配置した素子を用いてクエへと素子とを平
行に配置することで、高速描画を実現することが可能で
ある。Industrially, the electron-emitting device of the present invention is very effective as an electron-emitting device for an electron beam lithography system for semiconductors, since the features of large current and high density can be utilized. For example, it may be used in place of the LaBa used in conventional devices, or an element with two ivy arranged in one or two dimensions can be used to take advantage of its high density, and the elements can be arranged parallel to each other. By doing so, it is possible to realize high-speed drawing.
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の電子放出素子によれば、
簡単なプロセスで製造することができるため、製造コス
トを低減することが可能となる。[Effects of the Invention] As explained above, according to the electron-emitting device of the present invention,
Since it can be manufactured through a simple process, manufacturing costs can be reduced.
また、本発明によれば、電子放出素子を形成する位置、
サイズ、エミッタの形状等を高精度に再現性良く得るこ
とができるので、電子放出素子の歩留りを向上させるこ
とができ、かつ、電子放出素子の微細化が容易となる。Further, according to the present invention, the position where the electron-emitting device is formed,
Since the size, shape of the emitter, etc. can be obtained with high precision and good reproducibility, the yield of electron-emitting devices can be improved and the miniaturization of electron-emitting devices can be facilitated.
また、本発明の電子放出素子は、高密度に配置すること
が容易であり、さらには、大電流を容易に得ることがで
きる。従って、本発明の電子放出素子を用いることによ
り、高性能のディスプレイ、電子線描画装置等を提供す
ることができる。Furthermore, the electron-emitting device of the present invention can be easily arranged at high density, and furthermore, a large current can be easily obtained. Therefore, by using the electron-emitting device of the present invention, high-performance displays, electron beam lithography devices, etc. can be provided.
第１図は本発明の１実施例に係わる電子放出素子を示す
概略的断面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は第１図に示した
電子放出素子の製造プロセスを示す概略的断面図、第３
図は本発明の第２の実施例に係わる電子放出素子を示す
斜視図、第４図は本発明の第３の実施例に係わる電子放
出素子を示す斜視図、第５図（ａ）〜（ｄ）は従来の電
子放出素子の製造工程の１例を示す模式的断面図である
。
（符号の説明）
１・・・基板、２・・・絶縁層、３・・・ゲート電極、
４・・・エミッタ、５・・・穴、６・・・ゲート電８ｉ
３の開口、７・・・ＡＩｔ層、８・・・Ｍｏ層、９・・
・絶縁基板、１０・・・基板電極。
第
図
イオンビーム
↓
第
図
第
図FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an electron-emitting device according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2(a) to (c) are schematic cross-sectional views showing the manufacturing process of the electron-emitting device shown in FIG. Figure, 3rd
The figure is a perspective view showing an electron-emitting device according to a second embodiment of the present invention, FIG. 4 is a perspective view showing an electron-emitting device according to a third embodiment of the present invention, and FIGS. d) is a schematic cross-sectional view showing an example of the manufacturing process of a conventional electron-emitting device. (Explanation of symbols) 1...Substrate, 2...Insulating layer, 3...Gate electrode,
4... Emitter, 5... Hole, 6... Gate electrode 8i
3 opening, 7... AIt layer, 8... Mo layer, 9...
- Insulating substrate, 10... substrate electrode. Fig. Ion beam ↓ Fig. Fig.
Claims (6)
縁層と；該中空部内に形成された略円錐型の電極と；前
記絶縁層上に形成された前記中空部の上に開口を有する
導電層と；を少なくとも有する電子放出素子であって、
前記中空部がイオンビームを用いたエッチングにより形
成されたことを特徴とする電子放出素子。(1) a base; an insulating layer formed on the base and having a hollow; a substantially conical electrode formed in the hollow; an opening above the hollow formed on the insulating layer; An electron-emitting device having at least a conductive layer comprising:
An electron-emitting device characterized in that the hollow portion is formed by etching using an ion beam.
の中空部のそれぞれに前記略円錐型の電極が形成され、
かつ、当該複数の中空部のそれぞれについて前記導電層
の前記開口が形成されたことを特徴とする請求項１記載
の電子放出素子。(2) a plurality of hollow parts are formed in the insulating layer, and the substantially conical electrode is formed in each of the plurality of hollow parts,
2. The electron-emitting device according to claim 1, wherein the opening in the conductive layer is formed for each of the plurality of hollow portions.
であることを特徴とする請求項１記載の電子放出素子。(3) The ion beam is a focused ion beam (FIB)
The electron-emitting device according to claim 1, characterized in that:
れたことを特徴とする請求項１または２記載の電子放出
素子。(4) The electron-emitting device according to claim 1 or 2, wherein the conical electrode and the conductive layer are formed at the same time.
を特徴とするディスプレイ装置。(5) A display device characterized by using the electron-emitting device according to any one of claims 1 to 4.
を特徴とする電子線描画装置。(6) An electron beam lithography apparatus characterized by using the electron-emitting device according to any one of claims 1 to 4.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1320823A JPH03182029A (en) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | Electron emission element, and display unit and electron beam plotting device using this element |
| DE69025831T DE69025831T2 (en) | 1989-09-07 | 1990-09-06 | Electron emitting device; Manufacturing method of electron emitting device, manufacturing method thereof, and display device and electron beam writing device using this device. |
| EP90117198A EP0416625B1 (en) | 1989-09-07 | 1990-09-06 | Electron emitting device, method for producing the same, and display apparatus and electron scribing apparatus utilizing same. |
| US07/994,459 US5391956A (en) | 1989-09-07 | 1992-12-21 | Electron emitting device, method for producing the same and display apparatus and electron beam drawing apparatus utilizing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1320823A JPH03182029A (en) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | Electron emission element, and display unit and electron beam plotting device using this element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03182029A true JPH03182029A (en) | 1991-08-08 |
Family
ID=18125634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1320823A Pending JPH03182029A (en) | 1989-09-07 | 1989-12-11 | Electron emission element, and display unit and electron beam plotting device using this element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03182029A (en) |
-
1989
- 1989-12-11 JP JP1320823A patent/JPH03182029A/en active Pending
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