JPH0317929A - Impregnated hot cathode for electronic tube - Google Patents
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/20—Cathodes heated indirectly by an electric current; Cathodes heated by electron or ion bombardment
- H01J1/28—Dispenser-type cathodes, e.g. L-cathode
Landscapes
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野゜
本発明は、局部相互作用管（三極管または４つ以上の電
極を備える電子管）または分布相互作用管（タライスト
ロン、進行波管、マグネトロン、ジャイロトロン等）用
の含浸熱陰極に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention is applicable to local interaction tubes (triodes or electron tubes with four or more electrodes) or distributed interaction tubes (talistrons, traveling wave tubes, magnetrons, gyrotrons). etc.) and related to impregnated hot cathodes.
従来の技術
現在製造されている電子管の大部分は、ある製造条件と
温度条件下で、１０〜１２Ａ／ｃｒｌの電流密度の電流
を放出する含浸熱陰極を使用している。BACKGROUND OF THE INVENTION Most electron tubes currently manufactured use impregnated hot cathodes which, under certain manufacturing and temperature conditions, emit a current with a current density of 10-12 A/crl.
これらの陰極は、多孔質タングステン製のマトリックス
によって製造されている。このタングステンの多孔度は
低く （より正確には、約１８％〉で、孔はランダムで
ある。これらの多孔質の本体は、アルミン酸バリウム及
びアルミン酸カルシウムで含浸される。従って、混合物
が得られる。この混合物は、高温で溶融するが、一般に
９８０〜１１００℃の範囲であるこれらの陰極の作動温
度では固体のままであるという利点がある。These cathodes are manufactured with a porous tungsten matrix. The porosity of this tungsten is low (more precisely about 18%) and the pores are random. These porous bodies are impregnated with barium aluminate and calcium aluminate. Therefore, a mixture is obtained. This mixture has the advantage of melting at high temperatures but remaining solid at the operating temperatures of these cathodes, which are generally in the range 980-1100°C.
これらの温度では、アルミン酸塩と多孔質タングステン
のとの間に化学反応が起こる。この化学反応の結果、バ
リウムが放出され、このバリウムは陰極の放出面に移動
し、最終的にはその放出面を完全に被覆して、多孔質本
体で生戒した酸素と一緒にバリウムー酸素双極子が形威
される。その結果、電子の仕事関数が小さくなり、従っ
て、電子は電位障壁を通過して、固体から真空の方に行
くことができる。At these temperatures, a chemical reaction occurs between the aluminate and the porous tungsten. As a result of this chemical reaction, barium is released and this barium migrates to the emitting surface of the cathode and eventually completely coats the emitting surface and forms a barium-oxygen dipole along with the oxygen present in the porous body. The child is given shape. As a result, the work function of the electrons becomes smaller and therefore the electrons can pass through the potential barrier and go from the solid towards the vacuum.
しかし、これらの含浸陰極を次第に高温に加熱する必要
があるという事実によって、その陰極の寿命は限定され
る。この加熱によって、電子放出材料の蒸発と多孔質本
体の冶金学的変化が促進される。これらの陰極の使用の
始めは、孔は、表面では、レンズ型であり、むしろ細長
い。これによって、バリウムは、かなり大きい面積で移
動できる。時間と共に、特に陰極が過度に加熱されると
、これらの細長い孔は壊れるようになり、最後には、よ
り小さく、従って、互いに離れた円形の孔に変わる。表
面の多孔度は小さくなり、従って、バリウムがそこへ移
動するのが困難になる。However, the lifetime of these impregnated cathodes is limited by the fact that they need to be heated to progressively higher temperatures. This heating promotes evaporation of the electron emissive material and metallurgical changes in the porous body. At the beginning of the use of these cathodes, the pores were lens-shaped and rather elongated at the surface. This allows barium to move over a fairly large area. Over time, especially if the cathode is heated too much, these elongated pores begin to break down and eventually turn into circular pores that are smaller and thus spaced apart from each other. The porosity of the surface is reduced, thus making it difficult for barium to migrate there.
同時に、この多孔質本体の容積で大きな変化が起きる。At the same time, a large change occurs in the volume of this porous body.
孔の直径は、２００ミクロン以下の深さでは、タングス
テンとアルミン酸バリウムとアルミン酸カルシウムとの
化学反応によって、小さくなることがある。これによっ
て、同じ範囲でのコンダクタンスが減少し、より高い圧
力のバリウムを使用して、このバリウムを陰極の表面の
方に移動させることが必要になる。従って、２００ミク
ロン以上の深さまで、孔によって形成されたチャネルが
縮む時、より高い圧力を使用しても、バリウムはもはや
上昇することができず、従って、陰極は作動しなくなる
。The pore diameter may be reduced at depths below 200 microns due to chemical reactions between tungsten, barium aluminate, and calcium aluminate. This reduces the conductance in the same range and requires using a higher pressure of barium to move it towards the surface of the cathode. Therefore, when the channel formed by the pores shrinks to a depth of 200 microns or more, even if higher pressures are used, the barium can no longer rise and the cathode will therefore become inactive.
この現象を克服する公知の方法は、現在熱電子放出のた
めに使用されている領域から化学反応が起きる領域を分
離することからなる。この種の方法の例としては、ヨー
ロッパ特許出願公報ＢＰ−Ａ−５２０４７号の文献を挙
げることができる。この特許出願は、特に、例えば、モ
リブデン製の円筒形のジャケットを備える熱陰極に関す
るものである。A known method of overcoming this phenomenon consists in separating the region in which the chemical reaction takes place from the region currently used for thermionic emission. As an example of a method of this type, mention may be made of the document European Patent Application Publication No. BP-A-52047. This patent application relates in particular to a hot cathode with a cylindrical jacket made of, for example, molybdenum.
このジャケットの内部には、その下部に加熱フィラメン
トが備えられており、上部には、ある一定量の多孔質材
料で充填されたチャンバがある。このチャンバは、異な
る２つの重ねられた部分、すなわち、電子放出材料で含
浸された多孔質材料からなる第１の部分とそれを被覆す
る含浸されていない多孔質材料からなる第２の部分を含
む。Inside this jacket, in its lower part, a heating filament is provided, and in its upper part there is a chamber filled with a certain amount of porous material. The chamber includes two different superimposed parts: a first part made of a porous material impregnated with an electron-emitting material and a second part made of an unimpregnated porous material covering it. .
しかし、そのような陰極には、その製造が技術的に難し
いという欠点がある。また、電子放出マトリックスの正
面に厚い多孔質材料が存在すると、この多孔質の元素に
吸収されている可能性のあるガスによってこれらの陰極
が再始動するという問題の原因になることがある。However, such cathodes have the disadvantage that their manufacture is technically difficult. Also, the presence of a thick porous material in front of the electron-emitting matrix can cause problems with restarting these cathodes due to gases that may be absorbed in this porous element.
発明が解決しようとする課題
本発明は、これまでに公知の陰極の上記の欠点を持たず
、さらに、その表面での電子放出材料の移動をより効果
的にする含浸熱陰極に関するものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to an impregnated hot cathode which does not have the above-mentioned drawbacks of hitherto known cathodes and which, moreover, makes the transfer of electron-emitting material on its surface more effective.
課題を解決するた゜めの手段
本発明による含浸熱陰極は、モリブテン製のほぼ円筒形
ジャケット内に、該ジャケットの下部に配置された加熱
フィラメントと、該ジャケットの上部に電子放出材料で
含浸された多孔質材料が充填されたチャンバを備える型
である。陰極の電子放出表面を形成するために、上記多
孔質材料は、規則的に配置された細いスリットが人工的
にあけられた耐火性の非多孔質材料の層によって被覆さ
れる。その結果、この陰極は、所定の表面多孔度、例え
ば、約１６〜２１％の低い多孔度が得られ、この陰極の
表面を介して電子放出材料（この場合はバリウム）が移
動するのが可能になる。SUMMARY OF THE INVENTION An impregnated hot cathode according to the invention comprises a generally cylindrical jacket made of molybdenum, a heating filament disposed in the lower part of the jacket, and an electron-emitting material impregnated in the upper part of the jacket. A mold with a chamber filled with porous material. To form the electron-emitting surface of the cathode, the porous material is covered with a layer of refractory non-porous material artificially perforated with regularly arranged narrow slits. As a result, this cathode has a predetermined surface porosity, e.g., a low porosity of about 16-21%, which allows the migration of the electron-emitting material (in this case barium) through the surface of the cathode. become.
これは、通常、厚さが約１００〜数１００ミクロンの層
である。この層は、好ましくは、化学気相或長（ＣＶＤ
）法によって堆積され、その結果、電子放出材料で含浸
された多孔質マ｝ ＩＪックスと所定の多孔度のこの上
部のフィルターとの間に連続体を形成する。This is typically a layer of about 100 to several 100 microns thick. This layer is preferably formed by chemical vapor deposition (CVD).
) method, thereby forming a continuum between the porous IJx impregnated with electron-emissive material and this upper filter of predetermined porosity.
その目的となる細いスリットは、通常、ホトエッチング
によって得られる。このスリットのサイズは、各々、例
えば、約５×２０ミクロンであり、均一に分布されてい
るので、陰極の表面全体にバリウムを移動させることが
できる。従って、２つの隣接するスリットの最小距離は
、この移動を可能にするのに十分（好ましくはちょうど
十分）でなければならず、通常、約１０〜２０ミクロン
の数値でなければならない。The desired narrow slit is usually obtained by photo-etching. The size of the slits are each approximately 5 x 20 microns, for example, and are uniformly distributed so that the barium can be transferred over the entire surface of the cathode. Therefore, the minimum distance between two adjacent slits must be sufficient (preferably just enough) to allow this movement, and should typically be a value of about 10-20 microns.
いずれにせよ、本発明の利点及びその他の特徴は、添付
図面を参照して行う、規則的な孔配置の電子放出表面を
備える含浸陰極の以下の実施例の説明によってより明ら
かになろう。但し、この説明は、本発明を何ら限定する
ものではない。In any case, the advantages and other features of the invention will become clearer from the following description of an exemplary embodiment of an impregnated cathode with an electron-emitting surface with a regular pore arrangement, with reference to the accompanying drawings. However, this explanation does not limit the present invention in any way.
実施例
第１図に図示したように、この含浸陰極は、モリブデン
製の管１によって形威されている。この管は、同様にモ
リブデン製の水平な円盤２によって２つの中空部に分割
されている。これらの中空部は、加熱フィラメント３を
備える下部中空部とアルミン酸バリウム及びアルミン酸
カルシウムで含浸された多孔質タングステン製の本体４
を備える上部中空部である。EXAMPLE As shown in FIG. 1, the impregnated cathode is formed by a tube 1 made of molybdenum. This tube is divided into two hollow parts by a horizontal disk 2, also made of molybdenum. These cavities consist of a lower cavity with a heating filament 3 and a body 4 made of porous tungsten impregnated with barium aluminate and calcium aluminate.
It is an upper hollow part provided with.
本発明によると、多孔質本体４は、陰極の電子放出面を
形威するために、エッチングによって複数の細いスリッ
ト６を開けた非多孔質タングステンの層５によって被覆
されている。このスリットは、第２図に詳細に図示した
ように、この層５の表面に均一に分布されている。According to the invention, the porous body 4 is covered with a layer 5 of non-porous tungsten, which has been etched with a plurality of narrow slits 6 to form the electron-emitting surface of the cathode. The slits are uniformly distributed over the surface of this layer 5, as shown in detail in FIG.
層５は比較的厚い。この厚さは、例えば、１００〜２５
０ ミクロンの範囲にある。スリット６は、各々、通
常、長さが約２０ミクロンで、幅が約５ミクロンであり
、層５の表面に規則的に分布されている。２つの隣接す
るスリット間の距離ｄ（第２図の八の部分の拡大図であ
る第３図を参照）は、フィラメント３を白熱させること
によってこの陰極を加熱する時の陰極の表面（電子放出
面〉上のバリウムの最小移動距離の２倍にほぼ等しいよ
うに計算されることが好ましい。従って、この距離ｄは
Ｈ）〜２０ミクロンの範囲にある。Layer 5 is relatively thick. This thickness is, for example, 100 to 25
In the 0 micron range. The slits 6 are each typically about 20 microns long and about 5 microns wide and are regularly distributed over the surface of the layer 5. The distance d between two adjacent slits (see FIG. 3, which is an enlarged view of section 8 in FIG. 2) is determined by the surface of the cathode (electron emission Preferably, this distance d is calculated to be approximately equal to twice the minimum distance traveled by the barium on the surface H) and 20 microns.
その結果、電子放出表面では、規則的な多孔度は約１８
〜２０％になり、すなわち、むしろ低い多孔度をとる。As a result, at the electron-emitting surface, the regular porosity is approximately 18
~20%, i.e. it has a rather low porosity.
この数値は、ｌ ｃｎｆ当たりのスリット数が約ｇｏｏ
， ｏｏｏ個であるのに対応する。This value indicates that the number of slits per l cnf is approximately goo
, ooo.
一方、多孔質本体４は、最大量の電子放出物質を含むこ
とができるように、高い多孔度、例えば、３０％以上に
なるように選択される。On the other hand, the porous body 4 is selected to have a high porosity, for example 30% or more, so that it can contain the maximum amount of electron-emitting material.
多孔質本体４と、人工的なスリット６で穴を開けた非多
孔質の層５との間に連続体を形成するためには、この層
５は、従来の化学気相或長法によって堆積されるのが好
ましい。より詳細には、低圧低温で、水素によってヘキ
サフルオロ酸硫黄を還元させることによる。スリット６
は、反応性イオン加工、すなわち、アルゴンー塩素混合
物またはへキサフルオ口酸硫黄とアルゴンと酸素との混
合物またはへキサフルオロ酸硫黄と酸素との混合物を使
用して、従来のホトエッチングまたは化学エッチングの
技術を使用した反応性プラズマイオンエッチングによっ
て得られる。In order to form a continuum between the porous body 4 and a non-porous layer 5 pierced with artificial slits 6, this layer 5 is deposited by conventional chemical vapor deposition methods. Preferably. More specifically, by reducing sulfur hexafluoroate with hydrogen at low pressure and low temperature. slit 6
conventional photoetching or chemical etching techniques using reactive ion processing, i.e., argon-chlorine mixtures or mixtures of sulfur hexafluoroate and argon and oxygen or mixtures of sulfur hexafluoroate and oxygen. Obtained by reactive plasma ion etching using.
第４図〜第９図は、第１図の熱陰極の製造の実施例を図
示したものである。4 to 9 illustrate an example of manufacturing the hot cathode of FIG. 1.
この方法は、多孔度が３０％以上の多孔質タングステン
性の本体４を使用して始められる。まず最初に、この本
体４に銅を浸透させる。この金属は、機械加工段階で潤
滑剤として働き、層５を化学気相成長法によって堆積さ
せ、しかも、この操作によって、本体４の孔が好ましく
ないことに詰まることがないようにすることを目的とす
る。The method begins with a porous tungsten body 4 with a porosity of 30% or more. First, this main body 4 is infiltrated with copper. This metal is intended to act as a lubricant during the machining step and to ensure that the layer 5 is deposited by chemical vapor deposition, and that the pores of the body 4 are not undesirably clogged by this operation. shall be.
次に、この本体４を化学気相戒長法によって、非多孔質
タングステンの層５によって被覆する。This body 4 is then coated with a layer 5 of non-porous tungsten by chemical vapor deposition.
この層５の厚さは約１００〜２００ミクロンである。The thickness of this layer 5 is approximately 100-200 microns.
次に、厚さが数ミクロン（通常、約２〜５ミクロン）の
アルミニウムの薄層７を堆積させる。A thin layer 7 of aluminum is then deposited, a few microns thick (usually about 2-5 microns).
さらに、感光性樹脂の層８をアルミニウム薄層７上に堆
積させる。この層８には、マスク９が重ねられる（第４
図）。このマスクの形状は、製造しようとするフィルタ
５の形状（第２図を参照）の反転形状である。Furthermore, a layer 8 of photosensitive resin is deposited on the thin aluminum layer 7. A mask 9 is superimposed on this layer 8 (fourth
figure). The shape of this mask is the inverse of the shape of the filter 5 to be manufactured (see FIG. 2).
樹脂層８の保護されていない部分１０を除去した後（第
５図）、アルミニウム層７の見えている部分を塩酸によ
って除去する（第６図）。After removing the unprotected portion 10 of the resin layer 8 (FIG. 5), the visible portion of the aluminum layer 7 is removed with hydrochloric acid (FIG. 6).
感光性樹脂８を除去した後、タングステン層５上にアル
ミニウムマスク７が残る（第７図）。このマスク７の形
状は、製造しようとするフィルタ５の形状と同じである
（第２図）。アルミニウム（または、クロニウム等の、
ヘキサフルオロ酸硫黄に耐性のある金属ならいずれでも
よい）製のマスク７のマスキングは、公知の感光性樹脂
が反応性プラズマイオンエッチング作業に対して耐性が
ないために必要になる。After removing the photosensitive resin 8, an aluminum mask 7 remains on the tungsten layer 5 (FIG. 7). The shape of this mask 7 is the same as the shape of the filter 5 to be manufactured (FIG. 2). Aluminum (or chromium, etc.)
The masking of mask 7 made of any metal resistant to sulfur hexafluoroate is necessary because known photosensitive resins are not resistant to reactive plasma ion etching operations.
タングステン層５の機械加工（第８図）は、アルゴン、
酸素及びヘキサフルオ口酸硫黄の３つの気体の混合物の
減圧下で、反応性プラズマイオンエッチングによって実
施される。例としては、エッチングの速度は、使用した
チャンバ内の部分圧力や印加された電圧によって決まる
が、１分当たり約１〜１０ミクロンの範囲である。The machining of the tungsten layer 5 (FIG. 8) is performed using argon,
It is carried out by reactive plasma ion etching under reduced pressure of a mixture of three gases: oxygen and sulfur hexafluorophosphate. By way of example, the rate of etching is in the range of about 1 to 10 microns per minute, depending on the partial pressure in the chamber used and the applied voltage.
機械加工が終了すると、塩酸によってアルミウニムマス
クを除去する（第９図）。次に、多孔質タングステン本
体４に含まれる銅を硝酸によって溶解させて除去し、そ
の後、本体４をアルミン酸バリウムとアルミン酸カルシ
ウムで含浸させる。When machining is completed, the aluminum mask is removed using hydrochloric acid (Figure 9). Next, the copper contained in the porous tungsten body 4 is dissolved and removed with nitric acid, and then the body 4 is impregnated with barium aluminate and calcium aluminate.
化学洗浄作業によって、エッチングされた層５の厚さ内
の過剰なアルミン酸バリウムを除去した後、本体４をモ
リブデン管１内に配置し、また、加熱フィラメント３を
配置する。After removing the excess barium aluminate within the thickness of the etched layer 5 by a chemical cleaning operation, the body 4 is placed in the molybdenum tube 1 and the heating filament 3 is placed.
従って、このようにして得られた陰極をアルミン酸カル
シウムとタングステンとの間の化学反応を開始させるの
に十分な高い温度にして、それによって、多孔質本体４
内のバリウムを放出させ、規則的多孔度のマスク５を通
過させて電子放出面の方に移動させることができる。Therefore, the cathode thus obtained is brought to a high enough temperature to initiate a chemical reaction between calcium aluminate and tungsten, thereby making the porous body 4
The barium inside can be released and moved through the regularly porous mask 5 towards the electron emitting surface.
本発明は、上記の実施例に限定されないことは言うま６
でもない。従って、タングステン以外の耐火性材料、例
えば、レニウム、イリジウム及びオスミウムで、厚さ１
００ミクロン以上の非多孔質層５を製造することができ
る。これらの金属は、全て、陰極の熱電子放出現象に適
している。所定の多孔度を有するこの同じ上部の層５も
、また、例えば、タングステンーオスミウム、タングス
テンーイリジウム、または、タングステンーレニウム合
金等の耐火性合金によって製造することができる。層５
は、ＣＶＤ法によって堆積させるのでなく、その上に層
を加え、従って、多孔質本体とは別の層によって形成す
ることもできる。It goes without saying that the present invention is not limited to the above embodiments.
not. Therefore, refractory materials other than tungsten, such as rhenium, iridium and osmium, with a thickness of 1
A non-porous layer 5 of 0.00 microns or more can be produced. All these metals are suitable for cathodic thermionic emission phenomena. This same upper layer 5 with a defined porosity can also be made of a refractory alloy, such as, for example, tungsten-osmium, tungsten-iridium or tungsten-rhenium alloy. layer 5
can also be formed by a layer on top of the porous body, rather than being deposited by CVD, and thus separate from the porous body.
第１図は、含浸熱陰極の縦断面図であり、第２図は、第
１図に示す陰極の頂面図であり、第３図は、この陰極の
上部面の細部の拡大図であり、
第４図から第９図は、ホトエッチング技術を利用した、
陰極の製造の重要段階を図示したものである。
（主な参照番号〉
１・・・モリブデン管
３・・・加熱フィラメント
５・・・ダングステン層
７・・・アルミニウム薄層
９・・・マスク
・円盤
・本体
・スリット
・感光性樹脂層
・非保護部分
代
理
人FIG. 1 is a longitudinal sectional view of the impregnated hot cathode, FIG. 2 is a top view of the cathode shown in FIG. 1, and FIG. 3 is an enlarged view of details of the upper surface of this cathode. , Figures 4 to 9 show images using photo-etching technology.
1 illustrates important steps in the manufacture of a cathode. (Main reference numbers) 1...Molybdenum tube 3...Heating filament 5...Dungsten layer 7...Aluminum thin layer 9...Mask, disk, main body, slit, photosensitive resin layer, non-protection partial agent
Claims (10)
ジャケットの下部に配置された加熱フィラメントと、該
ジャケットの上部に電子放出材料で含浸された多孔質材
料が充填されたチャンバとを備える型の含浸熱陰極であ
り、陰極の電子放出表面を形成するために、上記多孔質
材料は、規則的に配置された細いスリットが人工的にあ
けられた耐火性の非多孔質材料の層によって被覆され、
陰極の表面を介して電子放出材料が移動することが可能
になるように、該陰極を所定の表面多孔度にしたことを
特徴とする含浸熱陰極。(1) A type comprising a generally cylindrical jacket made of molybdenum, with a heating filament placed in the lower part of the jacket, and a chamber filled with a porous material impregnated with an electron-emitting material in the upper part of the jacket. impregnated thermionic cathode, in order to form the electron-emitting surface of the cathode, the porous material is covered by a layer of refractory non-porous material artificially drilled with regularly arranged narrow slits. is,
1. An impregnated hot cathode, characterized in that the cathode has a predetermined surface porosity such that an electron-emitting material can migrate through the surface of the cathode.
１００ミクロン以上であることを特徴とする請求項１に
記載の熱陰極。2. The hot cathode of claim 1, wherein the layer having regular slits has a thickness of about 100 microns or more.
１００ミクロンから数ミクロンの範囲であることを特徴
とする請求項２に記載の熱陰極。(3) The hot cathode according to claim 2, wherein the thickness of the layer having regular slits is in the range of 100 microns to several microns.
１００〜２００ミクロンの範囲であることを特徴とする
請求項３に記載の熱陰極。4. The hot cathode of claim 3, wherein the thickness of said layer with regular slits is in the range of about 100-200 microns.
ットを有する層より大きいことを特徴とする請求項１に
記載の熱陰極。(5) The hot cathode according to claim 1, wherein the porosity of the porous material is greater than that of the layer having regular slits.
された２つの近接するスリット間の距離は、上記の陰極
の電子放出表面上の電子放出材料の最小移動距離の２倍
であることを特徴とする請求項１に記載の熱陰極。(6) The distance between two adjacent slits formed on the surface of the layer having regular slits is twice the minimum movement distance of the electron-emitting material on the electron-emitting surface of the cathode. The hot cathode according to claim 1, characterized in that:
０〜２０ミクロンであることを特徴とする請求項６に記
載の熱陰極。(7) The distance between the above two adjacent slits is approximately 1
The hot cathode according to claim 6, characterized in that it has a diameter of 0 to 20 microns.
あり、幅が約５ミクロンであることを特徴とする請求項
１に記載の熱陰極。8. The hot cathode of claim 1, wherein each of the slits is about 20 microns long and about 5 microns wide.
成長法（ＣＶＤ）によって堆積されて、多孔質の本体と
連続体を形成することを特徴とする請求項１に記載の熱
陰極。(9) The hot cathode according to claim 1, characterized in that the layer with regular slits is deposited by chemical vapor deposition (CVD) to form a continuum with the porous body. .
の本体上に加えられていることを特徴とする請求項１に
記載の熱陰極。(10) The hot cathode according to claim 1, characterized in that said layer with regular slits is applied on a porous body.
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| FR8907084 | 1989-05-30 | ||
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0317929A true JPH0317929A (en) | 1991-01-25 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| JP (1) | JPH0317929A (en) |
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|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (3)
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| US4379979A (en) * | 1981-02-06 | 1983-04-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Controlled porosity sheet for thermionic dispenser cathode and method of manufacture |
-
1989
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-
1990
- 1990-05-07 EP EP90401216A patent/EP0401068A1/en not_active Withdrawn
- 1990-05-30 JP JP2141214A patent/JPH0317929A/en active Pending
Also Published As
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| EP0401068A1 (en) | 1990-12-05 |
| FR2647952A1 (en) | 1990-12-07 |
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