JPH03147506A - Formation of resist pattern - Google Patents
Formation of resist patternInfo
- Publication number
- JPH03147506A JPH03147506A JP28716689A JP28716689A JPH03147506A JP H03147506 A JPH03147506 A JP H03147506A JP 28716689 A JP28716689 A JP 28716689A JP 28716689 A JP28716689 A JP 28716689A JP H03147506 A JPH03147506 A JP H03147506A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic pole
- light
- resist pattern
- forming
- transferred image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 27
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 abstract 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 4
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 210000004709 eyebrow Anatomy 0.000 description 1
- 210000003128 head Anatomy 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Recording Measured Values (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
り墓上五皿里玉！
本発明はレジストパターンの形成方法、より詳しくは磁
気ディスク装置等に使用される薄膜磁気ヘッドの磁極形
成工程において形成されるレジストパターンの形成方法
に関する。[Detailed Description of the Invention] Five dishes on the grave! The present invention relates to a method for forming a resist pattern, and more particularly, to a method for forming a resist pattern formed in a magnetic pole forming process of a thin film magnetic head used in a magnetic disk device or the like.
灸米五肢迷
近年、磁気ディスク装置に使用される磁気ヘッドにおい
ては、高集積化、小形化の要請に伴い、ホトエツチング
加工技術を利用した薄膜磁気ヘッドの研究・開発が盛ん
に行なわれている。In recent years, with the demand for higher integration and miniaturization of magnetic heads used in magnetic disk drives, research and development of thin-film magnetic heads using photoetching processing technology has been actively conducted. .
この種の薄膜磁気ヘッドの構造は、例えば特開昭５５−
８４０２０号公報に示されており、基板上に下部磁極、
ギャップ層（絶縁層）、導体コイル（コンダクタ）、眉
間絶縁層、上部磁極が順次積層形成され、かつ前記上部
磁極と前記下部磁極とが磁気的に接続されて磁路が形成
されている。The structure of this type of thin film magnetic head is, for example,
No. 84020, a lower magnetic pole is provided on the substrate,
A gap layer (insulating layer), a conductor coil (conductor), an insulating layer between the eyebrows, and an upper magnetic pole are laminated in this order, and the upper magnetic pole and the lower magnetic pole are magnetically connected to form a magnetic path.
上記薄膜磁気ヘッドにおいて、従来、その下部磁極は第
５図に示す製造工程に従って製造されていた。In the thin film magnetic head described above, the lower magnetic pole has conventionally been manufactured according to the manufacturing process shown in FIG.
すなわち、まず第５図（ａ）に示したように、Ａｌ２ａ
Ｏｓで形成された基板５１の表面にＮｉ−Ｆｅ合金から
なる導電性薄膜５２を形成した後、この導電性薄膜５２
の表面にネガ型ホトレジスト５３を塗布する０次いで、
第５図（ｂ）に示したように、所定のパターンが形成さ
れたマスク５４をホトレジスト５３上に被せて上方から
光を照射し、ホトレジスト５３に像を転写した後、現像
を施し、第５図（Ｃ）に示したように、レジストパター
ン５５を形成する。そしてこの後、試料をメツキ浴に浸
漬し、第５図（ｄ）に示したように、レジストパターン
５５が形成されていない部分にＮｉ−Ｆｅ合金からなる
メツキ膜５６を形成する。そして、アセトン等の剥離液
を使用して、第５図（ｅ）に示したように、レジストパ
ターン５５を除去した後、所定のエツチング工程を経て
第５図（ｆ）に示したような、下部磁極５７を形成して
いた。That is, first, as shown in FIG. 5(a), Al2a
After forming a conductive thin film 52 made of Ni-Fe alloy on the surface of a substrate 51 made of Os, this conductive thin film 52 is
Then, apply a negative photoresist 53 on the surface of the
As shown in FIG. 5(b), a mask 54 on which a predetermined pattern is formed is placed on the photoresist 53, and light is irradiated from above to transfer the image onto the photoresist 53, followed by development. As shown in Figure (C), a resist pattern 55 is formed. Thereafter, the sample is immersed in a plating bath, and as shown in FIG. 5(d), a plating film 56 made of a Ni--Fe alloy is formed on the portion where the resist pattern 55 is not formed. After removing the resist pattern 55 as shown in FIG. 5(e) using a stripping solution such as acetone, a predetermined etching process is performed to form a pattern as shown in FIG. 5(f). A lower magnetic pole 57 was formed.
日が ゛しよ とする≦
上記磁極形成工程において、レジストパターン５５は、
下部磁極５７の形成予定領域外周部に光を照射し、露光
・現像することによって形成されているが、マスク５４
を透過した光は、光の回折現象のためにこのマスク５４
に覆われている下方部分にも照射される。このため、レ
ジストパターン５５は、第５図（Ｃ）に示したように、
その断面が台形形状に形成される。この結果、メツキ膜
５６は、第５図（ｅ）に示すように、断面逆台形形状に
形成され、狭トラツク化を進める場合において、クロス
トークの影響が大きくなるという課題があった。In the above magnetic pole forming step, the resist pattern 55 is
The lower magnetic pole 57 is formed by irradiating light onto the outer periphery of the region where the lower magnetic pole 57 is to be formed, and then performing exposure and development.
The light that has passed through the mask 54 due to the light diffraction phenomenon.
The lower part covered by the light is also irradiated. Therefore, as shown in FIG. 5(C), the resist pattern 55 is
Its cross section is formed into a trapezoidal shape. As a result, the plating film 56 is formed to have an inverted trapezoidal cross section as shown in FIG. 5(e), and when the track is narrowed, the influence of crosstalk increases.
また、上部磁極は、下部磁極５７以上に鋭角的な逆台形
形状に形成されるため、クロストークの影響が増大する
。すなわち、下部磁極５７形成用のレジストパターン５
５は、平滑な基板５１上にホトレジスト５３を塗布して
形成するため、露光時においてマスク５４とホトレジス
ト５３とをかなり近接させることができ、光の回折の影
響をある程度抑制することが可能である。しかし、上部
磁極形成用のレジストパターンは、眉間絶縁層上にホト
レジストを塗布して形成するため、露光時においてマス
クとホトレジストとを近接させるのに限界がある。した
がって、上部磁極形成用のレジストパターンは、下部磁
極５７形成用のレジストパターン５５よりも露光時にお
ける光の回り込みが激しくなり、より鋭角的な台形形状
のレジストパターンが形成される。このため、上部磁極
は、下部磁極５７に比べ、より鋭角的な逆台形形状に形
成され、クロストークの影響が増大する。In addition, since the upper magnetic pole is formed in an inverted trapezoidal shape with a sharper angle than the lower magnetic pole 57, the influence of crosstalk increases. That is, the resist pattern 5 for forming the lower magnetic pole 57
5 is formed by coating a photoresist 53 on a smooth substrate 51, so the mask 54 and the photoresist 53 can be brought quite close together during exposure, and the influence of light diffraction can be suppressed to some extent. . However, since the resist pattern for forming the upper magnetic pole is formed by applying photoresist on the glabellar insulating layer, there is a limit to how close the mask and photoresist can be to each other during exposure. Therefore, in the resist pattern for forming the upper magnetic pole, light wraps around more intensely during exposure than in the resist pattern 55 for forming the lower magnetic pole 57, and a trapezoidal resist pattern with a more acute angle is formed. Therefore, the upper magnetic pole is formed into an inverted trapezoidal shape with a more acute angle than the lower magnetic pole 57, and the influence of crosstalk increases.
また、上記上部磁極の表面には一般にＣｕからなる端子
が形成される。この端子は、試料表面に下地層としての
Ｃｕ膜を形成した後、上述の磁極形成方法と同様、ホト
エツチング加工技術等を利用して所定形状のＣｕをメツ
キすることにより形成される。Further, a terminal generally made of Cu is formed on the surface of the upper magnetic pole. This terminal is formed by forming a Cu film as an underlayer on the surface of the sample, and then plating Cu in a predetermined shape using a photoetching technique or the like, similar to the above-described magnetic pole forming method.
しかし、上部磁極が断面逆台形形状に形成されているた
め、イオンエツチング工程において、試料表面上に形成
されている下地層としてのＣｕが上部磁極の側壁へ付着
する。すなわち、エツチングにより叩き出されたＣｕが
上方に飛散して上部磁極の側壁へ付着する。このため、
上部磁極は腐蝕しやす（、信頼性の低下を招くという課
題があった・
本発明はこのような課題に鑑み発明されたものであって
、薄ｆｉ１ｍ気ヘッドのクロストークを低減し、より一
層信頼性が向上した薄膜磁気ヘッドを形成するためのレ
ジストパターンの形成方法を提供することを目的として
いる。However, since the upper magnetic pole is formed to have an inverted trapezoidal cross section, Cu as an underlayer formed on the sample surface adheres to the side wall of the upper magnetic pole during the ion etching process. That is, the Cu that has been etched out is scattered upward and adheres to the side wall of the upper magnetic pole. For this reason,
The upper magnetic pole is prone to corrosion (there was a problem that it led to a decrease in reliability). The present invention was invented in view of this problem, and it reduces crosstalk of thin-fi 1m heads and further improves It is an object of the present invention to provide a method for forming a resist pattern for forming a thin film magnetic head with improved reliability.
晶 を ゛するための ｒ
上記目的を達成するために本発明に係るレジストパター
ンの形成方法にあっては、薄膜磁気ヘッドの磁極形成工
程において形成されるレジストパターンの形成方法であ
って、基板上にネガ型ホトレジストを塗布した後、磁極
の記録領域形成予定箇所の両端部外側に光を照射して細
隙幅６μｍ以下の転写像を形成し、この後前記転写像を
現像することを特徴としている。In order to achieve the above object, a method for forming a resist pattern according to the present invention is a method for forming a resist pattern formed in a magnetic pole forming step of a thin film magnetic head. After applying a negative photoresist to the magnetic pole, light is irradiated to the outside of both ends of the planned recording area formation portion of the magnetic pole to form a transferred image with a gap width of 6 μm or less, and then the transferred image is developed. There is.
止
上記レジストパターンの形成方法によれば、基板上にネ
ガ型ホトレジストを塗布した後、磁極の記録領域形成予
定箇所の両端部外側に光が照射され、細隙幅が６μｍ以
下の転写像を形成する。この細隙状の転写像は、細隙状
の光をホトレジストに照射することによって形成される
。そして、このような細隙状の光は、乱反射等すること
なく光の回り込みが抑制されて照射され、前記転写像の
端面は略垂直形状となる。さらに、その後現像を行なう
ことにより前記記録領域形成予定箇所のホトレジストが
除去され、端面が略垂直形状のレジストパターンが形成
される。According to the method for forming a resist pattern described above, after a negative photoresist is applied on a substrate, light is irradiated to the outside of both ends of the location where the recording area of the magnetic pole is planned to form a transferred image with a gap width of 6 μm or less. do. This slit-shaped transferred image is formed by irradiating the photoresist with slit-shaped light. Then, such slit-like light is irradiated with no diffuse reflection, etc., and the wraparound of the light is suppressed, and the end surface of the transferred image has a substantially vertical shape. Furthermore, by performing development thereafter, the photoresist at the location where the recording area is planned to be formed is removed, and a resist pattern having a substantially vertical end face is formed.
前記転写像の細隙幅を６μｍ以下に形成することにより
、光の回折の影響を確実に回避することができ、端面が
略垂直形状のレジストパターンが確実に形成される。By forming the slit width of the transferred image to be 6 μm or less, the influence of light diffraction can be reliably avoided, and a resist pattern with substantially vertical end faces can be reliably formed.
夾施珂 以下、本発明に係る実施例を図面に基づいて詳説する。Kakeru Embodiments according to the present invention will be described in detail below based on the drawings.
第２図は本発明に係るレジストパターンの形成方法に使
用されるマスクパターンの一例を示した平面図であって
、光透過部１が、第１の光遮蔽部２と第２の光遮蔽部３
との間に形成されている。FIG. 2 is a plan view showing an example of a mask pattern used in the method of forming a resist pattern according to the present invention, in which a light transmitting part 1 is connected to a first light shielding part 2 and a second light shielding part. 3
is formed between.
第１の光遮蔽部２は、矩形部４と、この矩形部４に連接
して拡幅された幅広部５とからなっている。The first light shielding part 2 includes a rectangular part 4 and a wide part 5 connected to the rectangular part 4 and widened.
光透過部１は、細隙状かつ環状に形成されており、該光
透過部１の細隙幅Ｔは６μｍ以下が好ましく、より好ま
しくは２〜３μｍの範囲である。The light transmitting portion 1 is formed into a slit and annular shape, and the slit width T of the light transmitting portion 1 is preferably 6 μm or less, and more preferably in the range of 2 to 3 μm.
すなわち、細隙幅Ｔを６μｍを超えて設定した場合にお
いては、光の回折現象により、形成されるレジストパタ
ーンの側面が垂直形状とはならず、テーパ状となるため
、細隙幅Ｔは６μｍ以下が好ましい。尚、細隙幅Ｔを１
μｍ以下に形成した場合においては、マスク合わせの際
に生じるバラツキにより、形成されるレジストパターン
の寸法に誤差が生じる虞があるため好ましくない。That is, when the slit width T is set to exceed 6 μm, the sides of the formed resist pattern are not vertical but tapered due to the light diffraction phenomenon, so the slit width T is set to 6 μm. The following are preferred. In addition, the slit width T is 1
If the thickness is less than .mu.m, it is not preferable because there is a possibility that an error may occur in the dimensions of the formed resist pattern due to variations that occur during mask alignment.
また、第２の光遮蔽部３において、図中Ａ寸法によって
、磁極における記録領域の記録幅が規定される。すなわ
ち、光透過部１を透過した光は。Further, in the second light shielding part 3, the recording width of the recording area at the magnetic pole is defined by the dimension A in the figure. That is, the light transmitted through the light transmitting section 1 is as follows.
磁極の記録領域の両端部外側に相当する箇所に照射され
るようになっている。It is designed to irradiate areas corresponding to the outside of both ends of the recording area of the magnetic pole.
第３図は第２図に示したマスクパターンを用いて光を照
射し、現像後形成されるレジストパターン１３の平面形
状を示している。FIG. 3 shows the planar shape of the resist pattern 13 formed after irradiation with light using the mask pattern shown in FIG. 2 and development.
次に、上記マスクパターンを使用した本発明に係るレジ
ストパターンの形成方法を詳説する。Next, a method for forming a resist pattern according to the present invention using the above mask pattern will be explained in detail.
まず、第１図（ａ）に示したように、基板７の表面にネ
ガ型のホトレジスト８を塗布する。First, as shown in FIG. 1(a), a negative photoresist 8 is applied to the surface of the substrate 7. As shown in FIG.
次いで、第１図（ｂｌ）に示したように、マスクパター
ンが形成されたマスク９をホトレジスト８上に被せ、上
方から光を照射して、ホトレジスト８に像を転写し、細
隙幅Ｔの転写像ｌＯを形成する。この場合において、上
方から光が照射されても、光透過部１（第２図）は細隙
状（細隙幅Ｔ）に形成されているため、第１図（ｂ２）
に示すように、透過光は回折することなく直進してホト
レジスト８の裏面側まで垂直に露光される。つまり、光
透過部１を透過した光は、細隙幅Ｔを有する端面が略垂
直形状の転写像ｌＯをホトレジスト８に形成する。Next, as shown in FIG. 1(bl), a mask 9 on which a mask pattern has been formed is placed over the photoresist 8, and light is irradiated from above to transfer the image onto the photoresist 8. A transferred image IO is formed. In this case, even if light is irradiated from above, the light transmitting part 1 (Fig. 2) is formed in the shape of a slit (slit width T), so the light transmission part 1 (b2) in Fig. 1
As shown in FIG. 2, the transmitted light travels straight without being diffracted and is vertically exposed to the back side of the photoresist 8. In other words, the light transmitted through the light transmitting portion 1 forms a transferred image 10 on the photoresist 8 having a slit width T and an end face having a substantially vertical shape.
そしてこの後、現像を施し、第１図（Ｃ）に示したよう
なレジストパターン１３を形成する。Thereafter, development is performed to form a resist pattern 13 as shown in FIG. 1(C).
このように形成されたレジストパターン１３は、細隙状
の光透過部ｌが形成されたマスク９を介して露光してい
るので、現像後においてはレジストパターン１３の端面
１４は略垂直形状に形成され、テーパ状に形成されるこ
とはない。The resist pattern 13 thus formed is exposed to light through the mask 9 in which the slit-shaped light transmitting portion l is formed, so that after development, the end surface 14 of the resist pattern 13 is formed into a substantially vertical shape. It is not tapered.
第４図は上記レジストパターンの形成方法を使用して下
部磁極を形成した場合の製造工程を示している。FIG. 4 shows the manufacturing process when the lower magnetic pole is formed using the above resist pattern forming method.
すなわち、まず、第４図（ａ）に示したように、Ａｌ１
．Ｏ，等で形成された基板１５の表面にＮｉ−Ｆｅ合金
からなる導電性薄膜１６（下地層）を形成した後、この
導電性薄膜１６の表面にホトレジスト８を塗布する。That is, first, as shown in FIG. 4(a), Al1
．． After forming a conductive thin film 16 (base layer) made of a Ni--Fe alloy on the surface of a substrate 15 made of O, etc., a photoresist 8 is applied to the surface of this conductive thin film 16.
次に、第４図（ｂ）に示したように、マスク９をホトレ
ジスト８上に被せ、上方から光を照射して、ホトレジス
ト８に像を転写し、細隙幅Ｔを有する転写像１０をホト
レジスト８に形成する。Next, as shown in FIG. 4(b), a mask 9 is placed over the photoresist 8, and an image is transferred onto the photoresist 8 by irradiating light from above, thereby forming a transferred image 10 having a slit width T. A photoresist 8 is formed.
そしてこの後、現像を施し、第４図（Ｃ）に示したよう
なレジストパターン１３を形成する。Thereafter, development is performed to form a resist pattern 13 as shown in FIG. 4(C).
次に、試料をメツキ浴に浸漬し、第４図（ｄ）に示した
ように、導電性薄膜１６上であってレジストパターン１
３が形成されていない部分にＮｉ−Ｆｅ合金からなるメ
ツキ膜１７を形成する。Next, the sample is immersed in a plating bath, and as shown in FIG.
A plating film 17 made of a Ni--Fe alloy is formed on the portion where 3 is not formed.
次いで、アセトン等の剥離液でもって、第４図（ｅ）に
示したように、レジストパターン１３を除去する。Next, the resist pattern 13 is removed using a stripping solution such as acetone, as shown in FIG. 4(e).
その後、Ａｒイオンを利用してイオンミーリングを施し
、第４図（ｆ）に示したように、メッキ膜１７に覆われ
ていない部分の導電性薄膜１６を除去する。Thereafter, ion milling is performed using Ar ions to remove the portions of the conductive thin film 16 that are not covered with the plating film 17, as shown in FIG. 4(f).
次に、該試料に再びホトレジストを塗布した後、所定の
露光・、現像を施し、第４図（ｇ）に示したように、断
面逆回字状のレジストカバー１８を形成する。Next, photoresist is applied to the sample again, and then subjected to predetermined exposure and development to form a resist cover 18 having an inverted circular cross section as shown in FIG. 4(g).
次いで、第４図（ｈ）に示したように、レジストカバー
１８の外方のメツキ膜１７と導電性薄膜１６をエツチン
グ除去する。Next, as shown in FIG. 4(h), the plating film 17 and the conductive thin film 16 on the outside of the resist cover 18 are removed by etching.
そして、最後にトリクロルエチレン等の剥離液でもって
、レジストカバー１８を除去し、第４図（ｉ）に示した
ように、下部磁極１９を形成する。Finally, the resist cover 18 is removed using a stripping solution such as trichlorethylene to form the lower magnetic pole 19 as shown in FIG. 4(i).
この下部磁極１９の形成においては、レジストパターン
１３の端面１４が垂直に形成されているので、下部磁極
１９の側壁２０も垂直に形成されることとなる。In forming the lower magnetic pole 19, since the end face 14 of the resist pattern 13 is formed vertically, the side wall 20 of the lower magnetic pole 19 is also formed vertically.
また、上部磁極も上述した方法によれば、その側壁を容
易に垂直形状に形成することができる。Further, according to the method described above, the side wall of the upper magnetic pole can also be easily formed into a vertical shape.
したがって、薄膜磁気ヘッドの狭トラツク化が図られて
もクロストークの低減を図ることができる。Therefore, even if the thin film magnetic head is made to have a narrower track, crosstalk can be reduced.
また、上部磁極の側壁が垂直に形成されたことにより、
上部磁極形成後においてなされる端子形成工程において
、端子形成のための下地層がイオンエツチングにより叩
き出されても該下地層が上部磁極の側壁に付着すること
がな（なり、磁気ヘッドの信頼性向上を図ることができ
る。In addition, because the side wall of the upper magnetic pole is formed vertically,
In the terminal forming step performed after the formation of the upper magnetic pole, even if the underlayer for forming the terminal is knocked out by ion etching, the underlayer will not adhere to the sidewall of the upper magnetic pole (this will reduce the reliability of the magnetic head). You can improve your performance.
本発明に係るレジストパターンの形成方法においては、
転写像が記録領域形成予定箇所の両端部においてのみ細
隙状に形成されるという条件さえ満たしていれば良く、
マスクパターンの全体形状は別設限定されることはない
。In the resist pattern forming method according to the present invention,
It is only necessary to satisfy the condition that the transferred image is formed in a narrow gap only at both ends of the planned recording area formation location.
The overall shape of the mask pattern is not particularly limited.
及豆五急呈
以上の説明により明らかなように、本発明に係るレジス
トパターンの形成方法は、基板上にネガ型ホトレジスト
を塗布した後、磁極の記録領域形成予定箇所の両端部外
側に光を照射して細隙幅６μｍ以下の転写像を形成し、
この後前記転写像を現像するので、薄膜磁気ヘッドの磁
極を形成した場合においても磁極の側壁が垂直形状に形
成され、クロストークの低減を図ることができる。As is clear from the above explanation, the method for forming a resist pattern according to the present invention involves coating a negative photoresist on a substrate and then applying light to the outside of both ends of the location where the recording area of the magnetic pole is planned. irradiate to form a transferred image with a slit width of 6 μm or less,
Since the transferred image is then developed, even when a magnetic pole of a thin film magnetic head is formed, the side wall of the magnetic pole is formed in a vertical shape, and crosstalk can be reduced.
さらには、上部磁極の側壁が垂直形状に形成されること
により、上部磁極形成後においてなされる端子形成工程
において、端子形成のための下地層がイオンエツチング
により叩き出されても該下地層が上部磁極の側壁へ付着
することがなくなり、磁気ヘッドの信頼性の向上を図る
ことができる。Furthermore, since the side wall of the upper magnetic pole is formed in a vertical shape, even if the base layer for forming the terminal is knocked out by ion etching in the terminal forming process performed after the upper magnetic pole is formed, the base layer will not remain on the top. This eliminates adhesion to the sidewalls of the magnetic poles, making it possible to improve the reliability of the magnetic head.
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明に係るレジストパターン
の形成方法の一実施例を示す形成工程図、第２図はマス
クパターンの一例を示す平面図、第３図はマスクパター
ンを用いて形成されたレジストパターンの一例を示す平
面図、第４図（ａ）〜（ｉ）は本発明に係るレジストパ
ターンの形成方法を利用して薄膜磁気ヘッドの下部磁極
を形成する場合を示す工程図、第５図（ａ）〜（ｆ）は
磁極形成工程の従来例を示す工程図である。
７．１５・・・基板、８・・・ホトレジスト、１０・・
・転写像、１３・・・レジストパターン、１９・・・下
部磁極（ｇｉ極）、Ｔ・・・細隙幅。FIGS. 1(a) to (C) are forming process diagrams showing an example of the method for forming a resist pattern according to the present invention, FIG. 2 is a plan view showing an example of a mask pattern, and FIG. 3 is a plan view showing an example of a mask pattern. FIGS. 4(a) to 4(i) are plan views showing an example of a resist pattern formed using the method of forming a resist pattern according to the present invention. Process diagrams, FIGS. 5(a) to 5(f) are process diagrams showing a conventional example of a magnetic pole forming process. 7.15...Substrate, 8...Photoresist, 10...
- Transfer image, 13... Resist pattern, 19... Lower magnetic pole (gi pole), T... Slit width.
Claims (1)
るレジストパターンの形成方法であって、基板上にネガ
型ホトレジストを塗布した後、磁極の記録領域形成予定
箇所の両端部外側に光を照射して細隙幅６μｍ以下の転
写像を形成し、この後前記転写像を現像することを特徴
とするレジストパターンの形成方法。(1) A method for forming a resist pattern formed in the magnetic pole forming process of a thin-film magnetic head, in which a negative photoresist is applied on a substrate, and then light is irradiated on the outside of both ends of the location where the recording area of the magnetic pole is planned. A method for forming a resist pattern, comprising: forming a transferred image with a gap width of 6 μm or less, and then developing the transferred image.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28716689A JPH03147506A (en) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | Formation of resist pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28716689A JPH03147506A (en) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | Formation of resist pattern |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03147506A true JPH03147506A (en) | 1991-06-24 |
Family
ID=17713932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28716689A Pending JPH03147506A (en) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | Formation of resist pattern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03147506A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6762011B2 (en) | 2002-04-15 | 2004-07-13 | International Business Machines Corporation | Deposition of a projection structure on a substrate using a negative mask and negative photoresist |
-
1989
- 1989-11-02 JP JP28716689A patent/JPH03147506A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6762011B2 (en) | 2002-04-15 | 2004-07-13 | International Business Machines Corporation | Deposition of a projection structure on a substrate using a negative mask and negative photoresist |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW199234B (en) | ||
| JP2694857B2 (en) | Method for manufacturing pole tip structure of thin film magnetic head | |
| US4716484A (en) | Magnetic head comprising a core formed of small and large thin film patterns | |
| JPS62245509A (en) | Manufacture of thin film magnetic head | |
| JPS6236636B2 (en) | ||
| JPH03147506A (en) | Formation of resist pattern | |
| JPH09153204A (en) | Production of thin film magnetic head | |
| JPH03132909A (en) | Resist pattern forming method | |
| KR0147996B1 (en) | A method for planarization patterning onto a thin film head | |
| JP2803911B2 (en) | Bonding pad and method of forming bonding pad portion | |
| JP2693171B2 (en) | Method for manufacturing thin-film magnetic head | |
| JP2994997B2 (en) | Thin film magnetic head and method of manufacturing the same | |
| JPH0644526A (en) | Production of thin-film magnetic head | |
| JPH09138910A (en) | Method of patterning metal layer | |
| JPH02165405A (en) | Thin-film magnetic head | |
| KR100234184B1 (en) | Manufacturing method of thin film magnetic head | |
| JPS62119716A (en) | Thin film magnetic head | |
| JPH11251144A (en) | Chip inductor and manufacture thereof | |
| JPH04219609A (en) | Production of thin-film magnetic head | |
| JPH05258236A (en) | Production of thin film magnetic head | |
| JPH02108210A (en) | Manufacture of thin film magnetic head | |
| JPS5850618A (en) | Thin film magnetic head | |
| JPH04181510A (en) | Forming method of thin film conductor pattern | |
| JPS6284414A (en) | Manufacture of magnetic head | |
| JPH01134931A (en) | Formation of fine pattern |